JP2005072321A - ウェハ支持部材とその製造方法 - Google Patents
ウェハ支持部材とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005072321A JP2005072321A JP2003301099A JP2003301099A JP2005072321A JP 2005072321 A JP2005072321 A JP 2005072321A JP 2003301099 A JP2003301099 A JP 2003301099A JP 2003301099 A JP2003301099 A JP 2003301099A JP 2005072321 A JP2005072321 A JP 2005072321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- internal electrode
- ceramic
- support member
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】ウェハ支持部材において、載置面と内部電極との間の絶縁性が低下しウェハに漏れ電流が流れ、ウェハ上に作製中のした超微細な半導体素子を破損する虞があった。
また、ウェハを繰り返し載置するとパーティクルが発生し半導体素子の歩留まりを低下するとの問題があった。
【解決手段】板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きくする。
【選択図】図1
また、ウェハを繰り返し載置するとパーティクルが発生し半導体素子の歩留まりを低下するとの問題があった。
【解決手段】板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きくする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体や液晶基板などの製造工程において、半導体ウェハや液晶用ガラス基板などのウェハを保持し、かつ高周波を印加してプラズマを発生させる機能を有するセラミック製サセプタ、セラミック製静電チャック、セラミック製ヒータ等の如きウェハ支持部材に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程における成膜装置やエッチング装置等の半導体製造装置では、シリコンウェハ等の半導体ウェハを保持するため、静電チャック、セラミックヒータ、プラズマ発生用電極を内蔵したサセプタの如きウェハ支持部材が用いられている。
上記の静電チャックとは、セラミック焼結体からなる板状セラミックス体の一方の主面(最も広い面)をウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に静電吸着用電極としての内部電極を具備したもので、載置面にウェハを載せ、ウェハと内部電極との間に電圧を印加し、ウェハと内部電極との間に静電吸着力を発現させることにより、ウェハを載置面に強制的に吸着固定するものである。また、半導体製造装置に用いられるセミックヒータとは、セラミック焼結体からなる板状セラミックス体の一方の主面(最も広い面)をウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に抵抗発熱体電極としての内部電極を具備したもので、載置面にウェハを載せ、内部電極に通電して発熱させることにより、載置面に載せたウェハを加熱するものである。さらに、サセプタとは、セラミック焼結体からなる板状セラミックス体の一方の主面(最も広い面)をウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中にプラズマ発生用の高周波電極を内部電極として具備したもので、載置面にウェハを載せ、内部電極と載置面の上方に設置されたもう一方のプラズマ発生用電極との間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させることにより、成膜やエッチング等の各種処理を促進させるものである。
また、これら静電吸着機能、加熱機能、プラズマ発生機構を内蔵したオール・イン・ワンタイプのウェハ支持部材も提案されている。
一方、成膜工程やエッチング工程では、成膜用ガスやエッチング用ガスあるいはクリーニグ用ガスとして塩素系やフッ素系のハロゲン系腐食性ガスが用いられており、近年では高密度のプラズマを発生させることも行われている。
その為、上述した静電チャック、セラミックヒータ、プラズマ発生用電極を内蔵したサセプタの如きウェハ支持部材を形成する板状セラミックス体を、アルミナ質焼結体や窒化珪素質焼結体あるいはイットリア等の安定化剤を含有した窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック焼結体により形成したものが使用されている。
このようなウェハ支持部材として特許文献1や2ではウェハと内部電極の間のセラミック層の炭素濃度や内部電極間の炭素濃度を大きくしたり、小さくして高温での体積固有抵抗を抑制したセラミック基板が提案されている。
また、特許文献3にはウェハ支持部材を形成する材質として、内部電極とウェハ間の窒化アルミニウム材料中に炭素を含ませることでウェハを載せる載置面のビッカース硬度を低下させウェハと載置面の間に生じる磨耗量を減らしパーティクルの発生量を減らした静電チャックが開示されている。
また、特許文献4には板状セラミックス体と内部電極となる高融点金属の間の応力を緩和するために被服膜を形成した高融点金属を埋設したセラミックヒータが開示されている。
特開2003−133196号公報
特開2003−115427号公報
特開2002−110773号公報
特開平7−135068号公報
特許文献1,2、4に記載のようにホットプレスで窒化アルミニウムに内部電極を埋設した静電チャックにおいて、ウェハと内部電極の間の絶縁膜の体積固有抵抗を108〜1012Ω・cmとして、低温でウェハWの吸着力を高めた所謂ジョンソンラーベック力を発生させてウェハWを吸着させる静電チャックが一部採用されている。しかしながら、この静電チャックでは、内部電極と載置面の間の絶縁膜の体積固有抵抗が小さく内部電極とウェハWの間の微小な漏れ電流が大きくなり、半導体ウェハWの上に形成される半導体素子のパターン幅が近年実用化されつつある0.08μm以下の極微細な半導体回路素子では、上記の微小な漏れ電流により上記の半導体回路素子が破損する虞がある。
また、高抵抗の板状セラミックス体にヒータ電極や高周波電極を埋設したウェハ支持部材では400℃以上の高温に晒されることから、ウェハ支持部材の温度上昇とともに板状セラミックス体の体積固有抵抗が低下し載置面と内部電極との間の絶縁性が低下しウェハに微小な漏れ電流が流れ、前記ウェハ上に作製中の極微細な回路素子からなる半導体素子を破損する虞があった。
更に、ウェハ支持部材にウェハを繰り返し載置するとパーティクルが発生し半導体素子の歩留まりを低下させるとの問題があった。
板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、前記内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きいことを特長とする。
また、上記内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が前記内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗の3〜100倍であることを特徴とする。
また、板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、前記内部電極の周囲のセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)が前記内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)より大きいことを特長とする。
また、内部電極の周囲のセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)が前記内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)の1.02〜1.3倍であることを特徴とする。
また、上記板状セラミックス体が窒化物であることを特徴とする。
また、上記内部電極が静電吸着電極であることを特徴とする。
また、上記内部電極が抵抗発熱体であることを特徴とする。
また、上記内部電極が高周波電極であることを特徴とする。
板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きくすると、内部電極から載置面への漏れ電流が減少して、ウェハ上の半導体素子の破損を防止することができる。
また、板状セラミックス体の内部電極の周囲の体積固有抵抗が大きくなることから、ジョンソンラーベック力の発現を妨げることなく、内部電極の絶縁を保つことができるようになり、大きな吸着力で次世代の超微細半導体素子を形成するウェハWを保持することができる。
また、内部電極の周囲のセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)が内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)より大きくすることにより、載置面とウェハWによる載置面の磨耗量が減少しウェハ支持部材の耐久性が増大する。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1(a)は本発明のウェハ支持部材の一例である静電チャック1を示す斜視図であり、図1(b)は同図(a)のX−X線断面図で、この静電チャック1は、絶縁材料からなる板状セラミックス体2中に、静電吸着電極3として、例えば平面形状が半円状をした2枚の内部電極3の外形が略円を成すように埋設するとともに、上記板状セラミックス体2の一方の主面(最も広い面)をウェハWを載せる載置面4としたもので、上記板状セラミックス体2の他方の主面には上記2枚の内部電極3に通電するための給電端子5を接合してある。
そして、この静電チャック1を用いてウェハWを吸着固定するには、載置面4にウェハWを載せ、2枚の内部電極3間に電圧を印加してウェハWと内部電極3との間に静電吸着力を発現させることにより、ウェハWを載置面4の面精度に倣って強制的に吸着固定することができる。
図2(a)は本発明のウェハ支持部材の他の例であるセラミックヒータ11を示す斜視図、図2(b)は同図(a)のY−Y線断面図で、このセラミックヒータ11は、絶縁材料からなる板状セラミックス体12中に、抵抗発熱体電極13として、例えば平面形状が渦巻き状をした内部電極13を埋設するとともに、上記板状セラミックス体12の一方の主面(最も広い面)をウェハWを載せる載置面14としたもので、上記板状セラミックス体12の他方の主面には上記内部電極13間に通電するための給電端子15を接合してある。
そして、このセラミックヒータ11を用いてウェハWを加熱するには、載置面14にウェハWを載せ、給電端子15間に通電して内部電極13を発熱させることにより、載置面14上に載せたウェハWを直接加熱することができるようになっている。
図3(a)は本発明のウェハ支持部材のさらに他の例であり、内部電極としてプラズマ発生用の高周波電極23を内蔵したサセプタを示す斜視図である。図3(b)は同図(a)のZ−Z線断面図である。このサセプタ21は、絶縁材料からなる板状セラミックス体22中に、プラズマ発生用の高周波電極23として、例えば平面形状が円である内部電極23を埋設するとともに、上記板状セラミックス体22の一方の主面(最も広い面)をウェハWを載せる載置面24としたもので、上記板状セラミックス体22の他方の主面には上記内部電極23に通電するための給電端子25を接合してある。
そして、このサセプタ21を用いてウェハWにプラズマを発生させるには、載置面24にウェハWを載せ、内部電極23と載置面24の上方に設けられた別のプラズマ発生用電極(不図示)との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させることにより、載置面24上に載せたウェハW上にプラズマを発生させることができるようになっている。
本発明のウェハ支持部材1、11、21は、板状セラミックス体2、12、22の一方の主面を、ウェハを載せる載置面4,14,24とするとともに、上記板状セラミックス体2,12、22中に内部電極3、13、23を備えたウェハ支持部材1、11、21において、内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が内部電極3、13、23から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きいことを特徴とするものである。
このような構成とすることで、例えば静電チャック1であれば内部電極3同士の間の絶縁抵抗が大きくなり、電極間に大きな電圧を印加しても絶縁破壊する虞がなくなるとともに内部電極3と載置面4との間の抵抗が大きいことからウェハWに流れる漏れ電流が小さくなりウェハW上の半導体素子を破壊する虞が無くなり好ましい。
特に、静電チャック1は双曲型であれば内部電極3間に単極型であれば内部電極とウェハW間に500V以上の大きな電圧が印可されることから内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が大きいと内部電極3間の絶縁破壊する虞が小さくなり好ましい。更に、内部電極と載置面の間の絶縁層の体積固有抵抗が108〜1012Ω・cmである場合にはジョンソンラーベック力が発現して大きな吸着力でウェハWを吸着することができるが、絶縁層の体積固有抵抗が小さいことから内部電極3と載置面の間の漏れ電流が大きくウェハWに形成した超微細な回路素子を破損する虞があるが、本発明のように内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が大きいと載置面4と内部電極3との間の絶縁抵抗が大きくなり、しかも吸着力を大きく低下されることなくウェハWを吸着できることからより優れた静電チャックを提供できることが判明した。
更に、ジョンソンラーベック力を発現して、且つ内部電極3の周囲の抵抗を高めるには内部電極と載置面4の間は0.5mm以上離れていることが好ましい。また、上記板状セラミックス体の体積固有抵抗でジョンソンラーベック力を発現するのは5mm以下であることが好ましい。
また、内部電極13をヒータ電極13としたウェハ支持部材においては、板状セラミックス体12として室温で体積固有抵抗が1013Ω・cm以上の大きな窒化物等のセラミックスが使われているが、400℃以上の高温に加熱されると上記体積固有抵抗が低下し、載置面14に載せられたウェハWに電流が流れ、超微細な回路素子を破損する虞があった。しかし、本発明のように内部電極13の周囲のセラミックス部の抵抗を大きくすると高温に加熱されてもウェハWへ流れる漏れ電流が小さく、最近開発されつつあるウェハW上の超微細回路素子を破損する虞が小さいことが判明した。
また、同様に内部電極3、13、23を高周波電極23とする場合、内部電極23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗を大きくすることができることから、高温で載置面24と内部電極23の間で漏れ電流を小さく抑えることができ、ウェハWの超微細素子を破損する虞が無くなることが判明した。
そして、上記内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗Rsが内部電極3、13、23から離れたセラミックス部の体積固有抵抗Rfの2倍から100倍であると更に好ましい。RsがRfの2倍を下回ると、内部電極3、13、23の周囲の抵抗が小さくなり内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部から電流が流れ出し内部電極3、13、23と載置面との間の絶縁が低下し載置面に載せたウェハWの超微細回路素子を破損する虞がなくなる。また、静電チャックであれば大きな吸着力を得ようと大きな電圧を印加すると絶縁破壊したり内部電極間で漏電することがなく、十分大きな吸着力が得られる。
また、RsがRfの100倍を越えると内部電極3、13、23の周囲の組織と内部電極と離れた部位のセラミックス部の組織の違いが大きくなり内部電極3、13、23から板状セラミックス体2、12、22に向かってクラックが発生する虞がある。好ましくはRsがRfの3倍〜20倍である。更に好ましくは5〜10倍である。
また、本発明の内部電極3、13、23の周辺のビッカース硬度が内部電極3、13、23から離れたセラミックス部より大きいことが好ましい。このように硬度を大きくすると例えば静電チャックでは内部電極13と載置面の距離が5.0mm以下と小さいことから載置面のビッカース高度も大きくなり、酸化膜を表面に形成したシリコン等からなる半導体ウェハWとの摩擦による載置面4の磨耗が減少しパーティクルの発生を防止することができる。
また、同様に内部電極23が高周波電極23である場合には、載置面24との距離が多くは5mm以下と小さいことから内部電極23の周辺のビッカース硬度の大きな部分が載置面24を形成することから載置面23の磨耗が減少し、ウェハ支持部材21の寿命を高めることができる。
そして、内部電極3、13、23の周辺のビッカース硬度Hvsが内部電極3、13、23から離れたセラミックス部のビッカース硬度Hvfの1.02〜1.3倍であると更に好ましい。
HvsがHvfの1.02倍を下回ると載置面4、14、24の硬度が小さくウェハWとの摩擦により載置面4、14、24が磨耗しパーティクルを発生する虞がある。
また、HvsがHvfの1.3倍を越えると内部電極3、13、23の周囲の組織が大きく変わり内部電極3、13、23の周辺から板状セラミックス体2、12,22にクラックを発生させる虞がある。
従って、HvsはHvfの1.02〜1.3倍であることが好ましい。更に好ましくは1.03〜1.1倍である。
尚、内部電極の周囲とは内部電極3、13、23から3.5mmまでの距離にあるセラミックス部を示し、これに対して内部電極3、13、23から離れたセラミックス部とは内部電極から3.5mmを越えて離れたセラミックス部である。このような領域で上記板状セラミックス体2、12、22から直径30mm厚み3mmの円板形状のサンプルを切り出し、超絶縁抵抗計(東亜電波工業製のDMS−8103)で印加電圧200V、250V、1000Vを加え体積固有抵抗を測定した。
また、内部電極の周辺とは内部電極3、13、23から5.0mmまでの距離にあるセラミックス部を示し、これに対して内部電極3、13、23から離れたセラミックス部とは内部電極から5.0mmを越えて離れたセラミックス部である。このような領域で上記板状セラミックス体2、12、22から直径30mm厚み3mmの円板形状のサンプルを切り出し、該サンプルの電極に近い面を鏡面加工しビッカース硬度計(明石製作所製硬度計MVK−H3)を使い圧子押し込み荷重0.98Nで圧子押し込み時間15秒で測定し評価した。
本発明のウェハ支持部材1、11、21は内部電極3、13、23の周辺のセラミックス部の体積固有抵抗を大きくするすることが特徴であり、内部電極3、13、23の周辺のセラミックス部の体積固有抵抗を大きくするには、板状セラミックス体として、アルミナや窒化物からなる組成物が好ましく、特に窒化物が好ましい。窒化物からなる板状セラミックス体2、12,22は窒素雰囲気中で焼結することからバインダ等の有機化合物を焼結過程で完全に取り除くことが難しく、前記有機化合物は炭素として焼結体中に微量残存する。また、窒化物として窒化アルミニウム(AlN)を用いた場合には、AlNの熱伝導係数を高めるためAlN結晶粒内のフォノン散乱を防止する意味からもAlN結晶粒子内に含まれる酸素を取り除くことが有効であり、この酸素を粒外に取り除く方法の一つとして粒外の炭素と反応させ粒内の酸素を取り除く方法が多く採用されている。しかし、AlN中の炭素は酸素と反応し焼結体の外部に放出されるものがある一方で、粒界や粒内に残存し焼結体の体積固有抵抗を低下させる作用をもたらすことがあった。特に、200℃以上の高温では体積固有抵抗の低下が著しく、内部電極の絶縁性を低下する原因となっていた。
しかし、本発明のウェハ支持部材1、11,21は、内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗のみを大きくすることで、AlNの持つ耐食性や熱伝導率を低下させることなく内部電極3、13、23の絶縁性を保つことができることから、ウェハ支持部材1、11、21として優れた特性を示すことができる。
このように内部電極3、13、23の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗を高めるには、内部電極としてタングステンやモリブデン等の高融点金属を用いることが好ましい。特にタングステンやモリブデンの金属ワイヤや箔を用いることが好ましく、更に、これらの金属中の酸素含有量が200〜8000質量ppmであると良く、更に好ましくは500〜6000質量ppmである。このような範囲の酸素量を含ませることで、内部電極3、13、23を埋設し高温で焼結する際に内部電極3、13、23の周囲のカーボンと反応させることが可能となり内部電極3、13、23周囲のカーボン量を低下させる効果が生じ内部電極3、13、23周囲のセラミックス部の体積固有抵抗を大きくすることができると考えられる。また、上記の高融点金属中に含まれる炭素量は100質量ppm以下であることが好ましい。
また、内部電極3、13、23としてワイヤや箔を用いた例を示したが、内部電極として上記高融点金属粉末とセラミック粉末を混合したペーストをセラミックシートに印刷し形成した内部電極3、13、23であっても、ペースト中の有機化合物として高温の非酸化雰囲気中における反応性が優れたパラフィンワックス系のバインダを用いることで実現することも可能である。この場合には600℃以下のデワックス工程で、バインダを略完全に除去することが可能であり、内部電極3、13、23となる高融点金属に含まれる酸素によりその周辺のセラミックス部のカーボンを消耗しながら、焼結することが可能となると考えられ、内部電極3、13、23の周辺のセラミックス部の体積固有抵抗を高めることができると推察される。
高融点金属に含まれる酸素量は高融点金属を精製する工程である還元工程において、還元量を調整して酸素量を調整できる。また、作製した高融点金属からなる内部電極がタングステン金属やモリブデン金属であれば300〜350℃程の酸化雰囲気で所定の時間加熱することにより金属表面に酸化物層を形成し酸素量を調整することができる。
また、内部電極3、13、23の周辺のセラミックス部のビッカース硬度が大きくなる理由は、不明な部分も多々あるが以下のように考えられる。窒化物からなる板状セラミックス体2、12、22は炭素を含んでいることからその影響で結晶構造に欠陥が生じ窒化物そのものの硬度を低下させていると考えられる。しかし、内部電極3、13、23として微量の酸素を含み含有湯炭素量の少ない高融点金属を埋設することで板状セラミックス体2、12,22を焼結する際に周辺の欠陥を除去できることから硬度が大きくなると考えられる。
尚、内部電極3、13、23の周囲の体積固有抵抗の大きなセラミックス部と内部電極3、13、23の周辺のビッカース硬度が大きなセラミックス部は同じ領域ではなく、内部電極3、13、23の周囲の体積固有抵抗の大きな領域の方が狭い領域であった。
次に、その他の構成について説明する。図1〜図3に示す本発明のウェハ支持部材1、11、21の板状セラミックス体2,12,22を形成する絶縁材料として、99%以上の窒化珪素や、希土類酸化物を添加した窒化アルミニウムが好ましく、更に好ましくは、焼結体中に含有するAl、O、Nの合計が99.5重量%以上であるとともに主結晶相がAlNからなり、他の結晶相として、Al、N、Oの3成分を含む特定の化合物を含む窒化アルミニウム質焼結体である。
この窒化アルミニウム質焼結体は、焼結体の殆どがAl、O、Nの元素からなり、アルカリ金属、重金属、希土類金属等の如き不純物金属が殆ど含まれていないため、板状セラミックス体2,12,22として用いたとしても半導体ウェハWを汚染することがなく、また、主結晶相がハロゲン系腐食性ガスに対する耐食性やそのプラズマに対する耐プラズマ性に優れたAlNからなり、ハロゲン系腐食性ガスによる腐食やプラズマによる腐食摩耗を促進させる不純物金属が殆ど含まれていないため、窒化アルミニウム質焼結体の耐食性や耐プラズマ性を向上させることができる。
また、上記窒化アルミニウム質焼結体は、主結晶相をなすAlN以外に、他の結晶相として、Al、N、Oの3成分を含む特定の化合物を含有しても良い。
また、本発明のウェハ支持部材に用いる窒化アルミニウム質焼結体中には、酸素を0.3〜5重量%含有するとともに、炭素を0.001〜0.1重量%の範囲で含有することが好ましい。なぜなら、炭素含有量が0.001重量%未満となると、窒化アルミニウム質焼結体の相対密度が低下し、炭素含有量が0.1重量%を超えると、AlN粒内のフォノンの散乱を増大させ熱伝導率が低下する虞があるからである。より好ましくは0.005〜0.05重量%である。
なお、本発明において、窒化アルミニウム質焼結体中におけるAlNの含有量は97重量%以上、好ましくは98重量%以上であることが良く、このような窒化アルミニウム質焼結体はその熱伝導率を50W/(m・K)以上とすることができる。
そして、本発明のウェハ支持部材1、11、21を構成する板状セラミックス体2,12,22は、いずれもハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されたとしても腐食摩耗し難いため、ウェハ支持部材の寿命を向上させることができるとともに、長期間にわたりクリーニング作業の必要性がないため、半導体製造装置の歩留りを向上させることができる。
また、本発明のウェハ支持部材1、11、21は、板状セラミックス体2,12,22が優れた熱伝達特性を有する窒化アルミニウム質焼結体からなるため、ウェハWに溜まった熱を直ちに逃がすことができるとともに、加熱の際にはウェハWを短時間で所定の温度に加熱することもできる。
さらに、内部電極3が吸着電極3である本発明のウェハ支持部材1を形成する窒化アルミニウム質焼結体は、希土類酸化物を含む窒化アルミニウムで体積固有抵抗を108〜1012Ω・cmとした材料や、微量の炭素を含む窒化アルミニウムで体積固有抵抗を108〜1012Ω・cmとしたものが好ましい。
また、内部電極13、23がヒータ電極や高周波電極である本発明のウェハ支持部材11、21を形成する窒化アルミニウム質焼結体は、Al,N、Oの3成分からなる化合物を含まない高純度の窒化アルミニウム質焼結体や、前記3成分からなる化合物例えば微量のALONを含む組成物で、それらの平均結晶粒径を5μm以上と大きくすることで緻密化することができ、例えば、窒化アルミニウムの平均結晶粒径が7μmの焼結体では、平均曲げ強度を250MPa以上と大きくすることができるとともに、熱応力により生じるクラック伸展を、Al,N、Oの3成分を含む化合物により効果的に防止することができるため、熱サイクルよる熱応力に対する耐久性に優れたウェハ支持部材を提供でき、特に温度サイクルの激しい抵抗発熱体電極やプラズマ電極を備えたウェハ支持部材に有効である。
ところで、本発明に係るウェハ支持部材11,21を製造するには、まず、アルカリ金属、重金属、希土類金属等の如き不純物金属が1000重量ppm以下である高純度AlN粉末を用意する。そして、焼成後における窒化アルミニウム質焼結体中に、Al、N、Oの3成分を含む特定の化合物を生成させるとともに、後述する脱バインダー処理後の成形体強度を高め、かつ焼結体中の酸素量を調節するために平均粒径1μm以下のAl2O3粉末を少量添加しても良い、さらに焼結体中の酸素量を調節するとともに、焼結体の緻密化を促進させるために焼成時に炭素を生成する物質として有機系バインダーを添加する。なお、調合にあたっては、窒化アルミニウム質焼結体中における酸素量が0.8〜4重量%となるようにAl2O3の添加量と炭素の添加量を調整する。
また、本発明に係るウェハ支持部材1を製造するには、上記高純度AlN粉末を用意し、希土類酸化物を1〜15重量%添加し、焼結体の緻密化を促進させるために焼成時に炭素を生成する物質として有機系バインダーを添加する。
そして、これらの混合原料に対してバインダーを添加し、溶剤を用いて均一に混合してスラリーを製作し、ドクターブレード法等のテープ成形法や鋳込成形法にてグリーンシートを製作するか、あるいは上記スラリーを乾燥させて造粒粉を製作し、この造粒粉を型内に充填して一軸加圧成形法や等加圧成形法にて成形体を製作する。
次に、上記グリーンシートや成形体上に、WやMo等の金属又はこの炭化物等を印刷にて所定のパターン形状に敷設して内部電極3,13,23を形成するか、あるいは上記グリーンシートや成形体上に、所定のパターン形状を有するWやMo等の金属からなる線材、金属箔、金属板等を載せて内部電極3,13,23を形成した後、これら内部電極3,13,23を覆うように、別のグリーンシートや成形体を載せて積層一体化する。この時、必要に応じて切削加工を施しても良い。
尚、WやMo金属は金属精製工程における水素還元工程における還元度合いを調整することによりWやMo金属中の酸素量を200〜8000質量ppm、好ましくは500〜6000質量ppm、更に好ましくは1000〜5000質量ppmの範囲に調整することが好ましい。
次いで、得られた積層体を窒素気流中、50℃/時間の速度で300〜400℃に加熱して脱脂し、次いで酸素雰囲気中、200〜500℃の温度に加熱し、成形体中の炭素量が0.3〜1重量%となるように調整する。しかる後、窒素ガス雰囲気中1800℃以上の温度にてカーボン発熱体とカーボン断熱材からなる雰囲気焼成炉を用いて焼結する。この時、ガス圧は0.5MPa以上とする。ここで、焼成温度を1800℃以上とするのは、1800℃未満であると緻密化が充分に促進させず、相対密度が97%より低くなって焼結体中に気孔が多数存在することになるため、耐食性や耐プラズマ性が低下してパーティクルの発生を十分に抑えることができないからである。また、ガス圧を0.5MPa以上とするのは、0.5MPaより低くなると、焼結体中に、Al、N、Oの3成分からなる特定の化合物が十分生成せず耐食性や耐プラズマ性を十分に高める効果が得られ難いからである。
また、内部電極3,13,23として金属線や金属箔を用いる場合にはホットプレス工程を用いて焼結させることができる。この場合には内部電極を300℃程の酸化雰囲気で所望の時間酸化処理することで、内部電極の周辺の体積固有抵抗や硬度を調整することができる。
そして、得られた板状セラミックス体の一方の主面に研磨加工を施してウェハWを載せる載置面4,14,24を形成した後、板状セラミックス体の他方の主面に穴を穿孔し、この穴に給電端子5,15,25を挿入し、内部電極3,13,23と電気的に接続した後、ロウ付け、ガラス接着、導電性接着、溶着等の手段によって接合することにより本発明のウェハ支持部材を得ることができる。
尚、特許文献1や2に記載の静電チャックやヒータは内部電極の上面とその下面でのカーボン量の違いから内部電極の絶縁性を高めているが、内部電極の周り全体の体積固有抵抗が大きくなっていないことから内部電極の周囲の体積固有抵抗の小さな領域を通して漏れ電流が発生し載置面と内部電極の間の絶縁が劣ったり、内部電極間の絶縁が劣るとの不具合が発生するとの問題が解消されないが、本発明の様に内部電極3、13、23の周り全てのセラミックス部の体積固有抵抗が大きくすることで内部電極と載置面の間の絶縁を容易に保つことができるとともに内部電極間の絶縁性も優れウェハ支持部材1、11、21の特性が飛躍的に向上することが大きな特徴である。
特に本発明のウェハ支持部材1のひとつである静電チャック1においては、板状セラミックス体2の体積固有抵抗が108〜1012Ω・cmである材料からなるジョンソンラーベック型静電チャックにおいて、内部電極3と載置面4の間の絶縁抵抗が大きくなり、内部電極間3に大きな電圧を印加しても絶縁破壊することがなく、大きな力でウェハWを保持することができることから、載置面4を平精密に平坦度10μm以下で平坦化することで、ウェハWを載置面4に倣わせることでウェハWを平坦に矯正することができることからウェハWの上面に精度良く半導体素子を形成することができる。
以上、本発明の実施形態について示したが、本発明はこれらの実施形態だけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば改良や変更したものでも良いことは言うまでもない。
窒化アルミニウム質焼結体は、出発原料として、アルミナ還元窒化法により製造した、平均粒径1.3μm、酸素含有量0.8重量%、炭素含有量300重量ppmのAlN粉末を用いた。なお、不純物金属量について調べたところ、Caが100〜300重量ppmで、その他にSi,Fe,Na,Ti等の各金属含有量がそれぞれ100重量ppm以下であった。
そして、このAlN粉末に対し、1〜15重量%の酸化セリウムを加えアクリル系バインダー及び溶剤とを混ぜて混練することによりスラリーを製作し、ドクターブレード法を用いて0.3mm厚のAlNグリーンシートを成形した。尚、窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵抗は上記酸化セリウムの添加量を調整して変化させることができる。
次に、このAlNグリーンシートにタングステン粉末とワックスエマルジョンを溶剤で混合しペーストとした。そして、スクリーン印刷法で内部電極となる静電吸着電極、抵抗発熱体電極や高周波電極の形状に印刷した。尚、ペーストに用いたタングステン粉末の酸素量は50質量ppmから9000質量ppmの粉末を選定し使用した。そして、300℃の窒素気流中で加熱処理し、さらに酸化雰囲気中で熱処理してバインダーを除去した後、カーボン発熱体とカーボン断熱材からなる雰囲気焼成炉にAlNグリーンシートをセットし、窒素ガス雰囲気中、1900℃以上の温度で加圧しながら焼成することにより内部電極を埋設した窒化アルミニウム質焼結体からなる直径200mmで厚みが8mmのウェハ支持部材を作製した。
尚、静電吸着用電極の上面は載置面から1mmの位置に埋設し、抵抗発熱体電極の上面は載置面から4mmの位置に埋設した。また、高周波電極は静電電極と同様に載置面から1mmの位置に埋設した。
そして、得られたウェハ支持部材である静電チャック試料No.1〜9は載置面にウェハWを載せランプ加熱方式で80℃に加熱した後、内部電極とウェハ間に1000Vの電圧を印加し内部電極とウェハW間に流れる電流を漏れ電流として測定した。
また、抵抗発熱体電極を埋設したウェハ支持部材資料No.10〜13は別途、抵抗発熱体に通電してウェハWを平均温度400℃に加熱しウェハWの面内温度差を測定した。
また、高周波電極を埋設したウェハ支持部材試料No.14、15は載置面にウェハWを載せランプ加熱方式で400℃に加熱した後、内部電極とウェハ間に1000Vの電圧を印加し内部電極とウェハW間に流れる電流を漏れ電流として測定した。
そして、その後試料を切断加工し内部電極直下で、厚み3mm直径60mmの円板を切り出し、内部電極の周囲の体積固有抵抗を測定する試料とした。また、上記板状セラミックス体の載置面と反対側の面から厚み3mmで直径60mmの円板を切り出し、JIS C 2141に準拠して体積固有抵抗を測定した。
内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗Rsが内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗Rfより小さな試料No.2〜9、11〜15の試料は漏れ電流が745μA以下と小さく、ウェハWを強固に保持できた。
それに対し試料No.1、10はRs/Rfの値が1.0と等しいことから漏れ電流が1560、1784μAと大きく、ウェハW上の超微細な半導体素子を破損する虞があった。
また、試料No.3〜8、No.11〜15はRs/Rfが3〜100の範囲であり、漏れ電流が458μA以下と小さく更に優れた特性を示すことが分かった。
また、試料No.11〜13のセラミックヒータは漏れ電流が21μA以下でありウェハW面内の温度差が3.2℃以下と優れた特性を示した。
実施例1と同様にウェハ支持部材として、静電チャックを作製した。そしてこの静電チャックを真空容器に設置し、載置面をランプ加熱で100℃に加熱した。そして、載置面に表面を酸化処理したウェハWを載せて、内部電極に電圧を印加してウェハWを吸着した。その後、印加電圧を0Vに低下させ、ウェハWを載置面から離脱させた。このウェハWの載置から離脱工程を1サイクルとして、1000サイクル繰り返した後、載置面の0.2μm以上のパーティクル数を測定した。
パーティクル数の測定後に、内部電極の直下で板状セラミックス体を切断し内部電極の下面から100μmの位置で鏡面加工を施し、鏡面の硬度を測定し内部電極の周辺のビッカース硬度とした。
また、上記板状セラミックス体の載置面と反対側の面を鏡面加工し同様にビッカース硬度を測定した。
内部電極の周辺のセラミックス部のビッカース硬度Hvsが内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度Hvfより大きな試料No.22〜27はパーティクル数が1000個以下と少なく優れた特性を示した。
しかし、HvsとHvfの値が同じ試料No.21はパーティクル数が1254個と多く、静電チャックとして使用する場合半導体素子の歩留まりを低下させる虞があった。
また、内部電極の周辺のビッカース硬度HvsがHvfより1.3倍を越えて大きくなると内部電極に電圧を繰り返し印加すると内部電極の周辺に微小なクラックが発生していることが判明した。従って、HvsとHvfの比であるHvs/Hvfの値は1.02〜1.30であることがより好ましいことが分かった。
W:ウェハ
1、11、21:ウェハ支持部材
2、12、22:板状セラミックス体
3、13、23:内部電極
4、14、24:載置面
5、15、25:給電端子
1、11、21:ウェハ支持部材
2、12、22:板状セラミックス体
3、13、23:内部電極
4、14、24:載置面
5、15、25:給電端子
Claims (10)
- 板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、前記内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が前記内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗より大きいことを特徴とするウェハ支持部材。
- 上記内部電極の周囲のセラミックス部の体積固有抵抗が前記内部電極から離れたセラミックス部の体積固有抵抗の3〜100倍であることを特徴とする請求項1に記載のウェハ支持部材。
- 板状セラミックス体の一方の主面を、ウェハを載せる載置面とするとともに、上記板状セラミックス体中に内部電極を備えたウェハ支持部材において、前記内部電極の周辺のセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)が前記内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)より大きいことを特徴とするウェハ支持部材。
- 上記内部電極の周辺のセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)が前記内部電極から離れたセラミックス部のビッカース硬度(Hv0.1)の1.02〜1.3倍であることを特徴とする請求項3に記載のウェハ支持部材。
- 上記板状セラミックス体が窒化物であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のウェハ支持部材。
- 上記内部電極が静電吸着電極であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のウェハ支持部材。
- 上記静電吸着電極と上記載置面との間隔が0.5から5mmであることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のウェハ支持部材。
- 上記内部電極が抵抗発熱体であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のウェハ支持部材。
- 上記内部電極が高周波電極であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のウェハ支持部材。
- 酸素含有量が200〜8000ppmの高融点金属を前記板状セラミックス体の未焼成成形体に埋設した後、焼結して内部電極とすることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のウェハ支持部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003301099A JP2005072321A (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003301099A JP2005072321A (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005072321A true JP2005072321A (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=34405820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003301099A Pending JP2005072321A (ja) | 2003-08-26 | 2003-08-26 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005072321A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173592A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 静電チャック |
WO2009013984A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 化合物半導体気相成長装置用AlN製部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 |
CN110770891A (zh) * | 2017-10-30 | 2020-02-07 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘及其制法 |
-
2003
- 2003-08-26 JP JP2003301099A patent/JP2005072321A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173592A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 静電チャック |
WO2009013984A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 化合物半導体気相成長装置用AlN製部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 |
JP5624317B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 化合物半導体気相成長装置用AlN製部材およびそれを用いた化合物半導体の製造方法 |
CN110770891A (zh) * | 2017-10-30 | 2020-02-07 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘及其制法 |
CN110770891B (zh) * | 2017-10-30 | 2023-04-07 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘及其制法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4476701B2 (ja) | 電極内蔵焼結体の製造方法 | |
JP4467453B2 (ja) | セラミックス部材及びその製造方法 | |
TWI322139B (en) | Yttria sintered body, electrostatic chuck, and manufacturing method of yttria sintered body | |
KR100704220B1 (ko) | 산화이트륨 소결체, 산화 이트륨 소결체를 이용한 세라믹부재, 및 산화이트륨 소결체의 제조 방법 | |
JP4482472B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JPWO2003015157A1 (ja) | セラミック接合体 | |
JP5154871B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
TWI480972B (zh) | A wafer holding body for improving the connection method of the high-frequency electrode, and a semiconductor manufacturing apparatus comprising the same | |
JPH11312729A (ja) | 静電チャック | |
WO2019182104A1 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
JP2005085657A (ja) | セラミックヒータ | |
JP2004253786A (ja) | セラミックスの接合構造 | |
JP3663306B2 (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびそれを用いた静電チャック | |
JP2005072321A (ja) | ウェハ支持部材とその製造方法 | |
JP2003300785A (ja) | セラミック接合体およびセラミック接合体の製造方法 | |
JP4439102B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2001342079A (ja) | セラミック接合体 | |
JP2004128232A (ja) | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 | |
JP2005150370A (ja) | 静電チャック | |
JP3623107B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4683759B2 (ja) | ウエハ支持部材およびその製造方法 | |
JP5042886B2 (ja) | 静電チャック | |
JP3965467B2 (ja) | セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック | |
JP2003188248A (ja) | ウェハ支持部材 | |
JP2004111289A (ja) | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080924 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090309 |