JP2005062761A - 基板装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 微細化に適していると共に低抵抗化が容易であるコンタクトホールを有する基板装置を製造する。
【解決手段】 基板装置の製造方法は、基板上に、下層導電部702を形成する工程と、該下層導電部上に層間絶縁膜704を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホール706を開孔する工程と、コンタクトホール内も含めて層間絶縁膜上に、材料膜を成膜する工程と、材料膜をエッチバックすることで、コンタクトホール外における層間絶縁膜上に形成された材料膜部分を除去すると共に、コンタクトホール内に、コンタクトホールの縁における径より小径であり且つコンタクトホールの底に向かう小穴を規定する側壁膜708を材料膜から形成する工程と、該層間絶縁膜上に、層間絶縁膜上における小穴外から小穴内まで連続的に設けられる上層導電部710を形成する工程とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、半導体装置一般などに用いられる、基板
上の積層構造内にコンタクトホールを有する基板装置の製造方法、及びそのような製造方
法を含む電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。

この種の基板装置では、基板上に、配線や電極等の所定形状にパターニングされた複数
の導電膜が層間絶縁膜を介して積層形成されている。ここで回路設計上、層間絶縁膜を介
して積層された、配線や電極或いは薄膜トランジスタ（以下適宜“ＴＦＴ”と称する）な
どの各種電子素子を構成する二つの上下の導電膜部分を、相互に電気的に接続する場合が
ある。このような場合には、上層側の導電膜部分（本願では適宜、単に“上層導電部”と
称する）と下層側の導電膜部分（本願では適宜、単に“下層導電部”と称する）の間に介
在する層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、両導電部間の電気的な接続をとるのが一
般的である。

より具体的には、例えば、このような基板装置の製造工程中で、パターニングされた下
層導電部の上に層間絶縁膜を形成した後に、これに対してコンタクトホールを開孔する。
更に、層間絶縁膜上に、先ず蒸着、スパッタリング等によって導電膜を、コンタクトホー
ル内も含めて層間絶縁膜上の一面に成膜し、その後、パターニングによってコンタクトホ
ール部分を含む所定パターンの上層導電部を層間絶縁膜上に残す。これらにより、コンタ
クトホール内に形成された上層導電部を構成する導電膜部分を介して、上層導電部と下層
導電部とが電気的に接続された積層構造が得られる（特許文献１及び２参照）。

他方、このようなコンタクトホールを開孔後に、その内部にタングステン等の導電性金
属でプラグを形成することで、上層導電部と下層導電部とを電気的に接続する技術も開発
されている。

特開平８−８３４９号公報 特開平９−６４２９８号公報

しかしながら、上述の如きコンタクトホール内を含めて層間絶縁膜の一面に導電膜を形
成して上層導電部を形成する技術によれば、コンタクトホール内では、蒸着、スパッタリ
ング等を用いた成膜過程においてその性質上、上層導電部を構成する導電膜からなる側壁
部が相対的に薄くなる。しかも、コンタクトホールの径が小さくなると、コンタクトホー
ルの底部における上層導電部を形成する導電膜からなる部分も相対的に薄くなってしまう
。更に、不用意に上層導電部を構成する導電膜の膜厚を増大させたのでは、コンタクトホ
ール内に形成される側壁部は、コンタクトホールの開口付近が肉厚となると共に奥付近が
肉薄になる、所謂「オーバーハング」形状となりやすく、コンタクトホール内の導電膜に
よる電気的な接続がとり難くなる。これらの結果、コンタクトホール内において上層導電
膜の部分により実現される電気抵抗が高くなってしまうという技術的問題点がある。

更に、このようなコンタクトホール内における側壁部や底部における成膜不良に起因し
た電気抵抗の増加は、画素ピッチの微細化や配線ピッチの微細化、特に、これらに伴い必
要とされるコンタクトホールの径の微細化を進めるに連れて、より顕在化してしまう。

他方、上述の如きコンタクトホール内にプラグを形成する場合、その製造途中で、コン
タクトホール開孔後における層間絶縁膜全体にタングステン膜を段差被覆性の良好なメタ
ルＣＶＤ等で成膜した時点で、その応力によって基板に反りが発生してしまう。このため
、基板上における積層構造内に構築された配線等が、クラックにより断線を生じるなど、
プラグを形成するための工程中で諸弊害を起こしかねない。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、微細化に適していると共に低
抵抗化が容易であるコンタクトホールを有する基板装置を製造可能な基板装置の製造方法
、及びそのような方法を含む電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。

本発明の基板装置の第１製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、一の導電膜
からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下層導電部を形成する工程
と、該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、前記下層導電
部にまで至るコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホール内も含めて前記
層間絶縁膜上に、材料膜を成膜する工程と、前記材料膜をエッチバックすることで、前記
コンタクトホール外における前記層間絶縁膜上に形成された前記材料膜部分を除去すると
共に、前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールの縁における径より小径であり
且つ前記コンタクトホールの底に向かう小穴を規定する側壁膜を前記材料膜から形成する
工程と、該層間絶縁膜上に、他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくと
も一部であり、前記層間絶縁膜上における前記小穴外から前記小穴内まで連続的に設けら
れる上層導電部を形成する工程とを備える。

本発明の第１製造方法によれば、基板上には、例えば導電性ポリシリコン膜、金属膜等
の導電膜からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下層導電部が形成
される。その後、この下層導電部上に、層間絶縁膜が形成される。その後、下層導電部に
まで至るコンタクトホールが開孔される。その後、コンタクトホール内も含めて層間絶縁
膜上に、材料膜が成膜される。従って、この段階で、コンタクトホール内に材料膜が成膜
されることになる。尚、材料膜は、単一層膜からなってもよいし、多層膜からなってもよ
い。

その後、材料膜がエッチバックされる。ここに本発明に係る「エッチバック」とは、エ
ッチングすべき膜の表面或いは物体の表面を、マスクなしでエッチングすることにより、
後退させることを意味する。そして、該表面を概ね全域的に後退させることを意味するが
、該表面の一部に何らかのパターン形成用のマスクが設けられ、その部分がエッチバック
後に部分的に残される場合を除外する趣旨ではない。このように材料膜がエッチバックさ
れる際には、コンタクトホール内に成膜された材料膜は、コンタクトホール外における層
間絶縁膜上に形成された材料膜と比べてエッチングされ難い。このため、何らのマスクを
用いることもなく、当該エッチバックをかけることで、コンタクトホール内にのみ材料膜
を残すことが可能となる。これにより、コンタクトホール内に、コンタクトホールの底に
向かう小穴を規定する側壁膜を、材料膜から形成できることになる。他方、コンタクトホ
ール外における層間絶縁膜上に形成された材料膜部分については、エッチバックにより完
全に除去可能である。

尚、この場合の「小穴」は、下層導電部まで貫通する貫通穴でもよいし、非貫通穴でも
よいが、後者の場合には、側壁膜となると共に小穴の底をなす材料膜は、コンタクトホー
ルを介しての電気的接続のために導電膜である必要がある。

その後、このようにコンタクトホール内に側壁膜が形成された状態にある層間絶縁膜上
に、一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である上層導電部が形成される。ここ
では例えば各種配線、各種電極、各種端子、半導体素子の一部等が、スパッタリング、蒸
着等による導電膜の成膜とフォトリソグラフィ等によるパターニングとによって形成され
る。この際、上層導電部は、層間絶縁膜上における小穴外から小穴内まで連続的に設けら
れるので、上層導電部と下層導電部とは、小穴内に設けられた導電膜部分及び側壁膜部分
によって、コンタクトホール内を介して相互に電気的に接続されることになる。そして、
コンタクトホール内に小穴が開いているので、コンタクトホールの入口付近に、コンタク
トホール単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差形状を、コンタクトホール及び小
穴の組合せにより容易に実現できる。従って、上層導電部を構成する導電膜が、例えばそ
のスパッタリング等による成膜の際に、コンタクトホール内でオーバーハング形状やピン
チオフ形状となるのを効果的に防止できる。しかも、上述の如くこのような小穴を規定す
る側壁膜を、マスクを必要とすることなくコンタクトホール内に形成できるので、マスク
による寸法精度や位置精度が落ちることなく且つ簡単な工程により形成できる。これらよ
り、コンタクトホールにより接続される、上層又は下層導電部である配線のピッチを狭め
たり、電子素子等の微細化を進める場合に、大変有利となる。

以上の結果、本発明の第１製造方法によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容
易であるコンタクトホールを有する基板装置を製造可能となる。

本発明の基板装置の第２製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、一の導電膜
からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下層導電部を形成する工程
と、該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、前記下層導電
部にまで至るコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホール内も含めて前記
層間絶縁膜上に、一の材料膜を成膜する工程と、前記一の材料膜をエッチバックすること
で、前記コンタクトホール外における前記層間絶縁膜上に形成された前記一の材料膜部分
を除去すると共に、前記コンタクトホール内に、前記コンタクトホールの縁における径よ
り小径であり且つ前記コンタクトホールの底に向かう一の小穴を規定する第１側壁膜を前
記一の材料膜から形成する工程と、前記一の小穴内及びも含めて前記層間絶縁膜上に、他
の材料膜を成膜する工程と、前記他の材料膜をエッチバックすることで、前記一の小穴外
における前記層間絶縁膜上に形成された前記他の材料膜部分を除去すると共に、前記一の
小穴内に、前記一の小穴の縁における径より小径であり且つ前記一の小穴の底に向かう他
の小穴を規定する第２側壁膜を前記他の材料膜から形成する工程と、該層間絶縁膜上に、
他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部であり、前記層間絶縁
膜上における前記他の小穴外から前記他の小穴内まで連続的に設けられる上層導電部を形
成する工程とを備える。

本発明の第２製造方法によれば、基板上には、下層導電部が形成され、この上に層間絶
縁膜が形成され、これに下層導電部にまで至るコンタクトホールが開孔される。

その後、コンタクトホール内も含めて層間絶縁膜上に、一の材料膜が成膜される。その
後、一の材料膜がエッチバックされると、何らのマスクを用いることもなく、コンタクト
ホール内にのみ一の材料膜を残すことが可能となる。これにより、コンタクトホール内に
、コンタクトホールの底に向かう一の小穴を規定する第１側壁膜を、一の材料膜から形成
できることになる。

その後、一の小穴内も含めて層間絶縁膜上に、他の材料膜が成膜される。係る他の材料
膜は、第１側壁膜を構成する一の材料膜と同一でもよいし、異なってもよい。その後、該
他の材料膜がエッチバックされると、何らのマスクを用いることもなく、一の小穴内にの
み該他の材料膜を残すことが可能となる。これにより、一の小穴内に、一の小穴の底に向
かう他の小穴を規定する第２側壁膜を、該他の材料膜から形成できることになる。

尚、この場合の「一の小穴」及び「他の小穴」は夫々、貫通穴でもよいし、非貫通穴で
もよい。後者の場合には、一又は他の小穴の底をなす材料膜は、コンタクトホールを介し
ての電気的接続のために導電膜である必要がある。

その後、このようにコンタクトホール内に第１及び第２側壁膜が形成された状態にある
層間絶縁膜上に、上層導電部が形成される。この際、上層導電部は、層間絶縁膜上におけ
る、第２側壁膜により規定される他の小穴外から小穴内まで連続的に設けられるので、上
層導電部と下層導電部とは、他の小穴内に設けられた導電膜部分並びに第１及び第２側壁
膜部分によって、コンタクトホール内を介して相互に電気的に接続されることになる。

そして、コンタクトホール内に一の小穴が設けられ更にその内に、他の小穴が開いてい
るので、コンタクトホールの入口付近に、コンタクトホール単独の場合よりも緩やかな傾
斜形状或いは段差形状を、コンタクトホール並びに一及び他の小穴の組合せにより容易に
実現できる。従って、上層導電部を構成する導電膜が、例えばそのスパッタリング等によ
る成膜の際に、コンタクトホール内でオーバーハング形状やピンチオフ形状となるのを効
果的に防止できる。しかも、上述の如くこのような二つの小穴を規定する第１及び第２側
壁膜を夫々、マスクを必要とすることなく形成できるので、マスクによる寸法精度や位置
精度が落ちることなく且つ簡単な工程により形成できる。これらより、コンタクトホール
により接続される、上層又は下層導電部である配線のピッチを狭めたり、電子素子等の微
細化を進める場合に、大変有利となる。

以上の結果、本発明の第２製造方法によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容
易であるコンタクトホールを有する基板装置を製造可能となる。

本発明の第１又は第２製造方法の一態様では、前記エッチバックする工程は、前記小穴
として前記下層導電部に至る貫通穴を規定するように前記側壁膜を形成する。

この態様によれば、側壁膜によって小穴として下層導電部に至る貫通穴が規定されるの
で、貫通穴内に成膜された上層導電部を構成する導電膜部分を介して、上層導電部と下層
導電部との電気的な接続が得られる。また、側壁膜に導電性があれば、これによっても、
コンタクトホール内の導電性材料の膜厚が厚くなり、電気抵抗を低めることができる。ま
た、側壁膜の膜種によりコンタクトＥＭ(Electro Migration)耐性を向上させ、信頼性の
高いコンタクト形成を行なうことが可能となる。

或いは本発明の第１又は第２製造方法の他の態様では、前記エッチバックする工程は、
前記小穴として前記下層導電部に至らない非貫通穴を規定するように前記側壁膜を形成す
る。

この態様によれば、下層導電部及び側壁膜の膜種がエッチバックするのにエッチレート
差が無い場合に有効な手段である。上述したように、小穴が下層導電部に至る貫通穴とし
て規定されている場合には、側壁膜を形成するエッチバックをする際に、下層導電部及び
側壁膜となる材料膜がエッチレート差がない場合、側壁膜と共に下層導電部も一緒に削っ
てしまい、最悪の場合、下層導電部を失ってしまう可能性がある。この態様によれば、小
穴は非貫通穴とされているため、側壁膜となる材料膜と共に下層導電部まで削ってしまう
事態を回避することが可能となる。また、前述のエッチバックの際に下地を層間絶縁膜と
することで下地導電膜を余分に削らない利点も生まれる。

また、この態様によれば、側壁膜によって小穴として非貫通穴が規定されるので、側壁
膜を導電性にすれば、非貫通穴内に成膜された上層導電部を構成する導電膜部分と、これ
に接触する非貫通穴の底部をも構成する側壁膜とにより、上層導電部と下層導電部との電
気的な接続が得られる。また、側壁膜に導電性があれば、これによっても、コンタクトホ
ール内の導電性材料の膜厚が厚くなり、電気抵抗を低めることができる。また、側壁膜の
膜種によりコンタクトＥＭ(Electro Migration)耐性を向上させ、信頼性の高いコンタク
ト形成を行なうことが可能となる。

本発明の基板装置の第３製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、一の導電膜
からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下層導電部を形成する工程
と、該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、前記下層導電
部にまで至らないコンタクトホール上部を開孔する工程と、前記コンタクトホール上部内
も含めて前記層間絶縁膜上に、材料膜を成膜する工程と、前記材料膜をエッチバックする
ことで、前記コンタクトホール上部外における前記層間絶縁膜上に形成された前記材料膜
部分を除去すると共に、前記コンタクトホール上部内に、前記コンタクトホール上部の縁
における径より小径であり且つ前記コンタクトホール上部の底へ向かう小穴を規定する側
壁膜を前記材料膜から形成する工程と、前記小穴内を含む前記層間絶縁膜の一面をエッチ
ングすることで、前記層間絶縁膜に、前記コンタクトホール上部より小径であり且つ前記
小穴の底から前記下層導電部まで至るコンタクトホール下部を開孔する工程と、前記層間
絶縁膜上に、他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部であり、
前記層間絶縁膜上における前記小穴外から前記コンタクトホール下部内まで連続的に設け
られる上層導電部を形成する工程とを備える。

本発明の第３製造方法によれば、基板上には、下層導電部が形成され、この上に層間絶
縁膜が形成され、これに下層導電部にまで至らないコンタクトホール上部が開孔される。
ここに本発明に係る「コンタクトホール上部」とは、最終的に層間絶縁膜に開孔される一
連のコンタクトホールのうち、上半分或いは上寄り部分を意味する。そして、コンタクト
ホール上部よりも小径である「コンタクトホール下部」と連通することで、途中で径が小
さくなると共に上層導電部から下層導電部に至る一連のコンタクトホールが層間絶縁膜内
に構築される。

その後、コンタクトホール上部内も含めて層間絶縁膜上に、材料膜が成膜される。その
後、材料膜がエッチバックされると、何らのマスクを用いることもなく、コンタクトホー
ル上部内にのみ材料膜を残すことが可能となる。これにより、コンタクトホール上部内に
、コンタクトホール上部の底に向かう小穴を規定する側壁膜を、材料膜から形成できるこ
とになる。尚、この場合の「小穴」は、貫通穴であることが望ましい。即ち、貫通穴であ
れば、その底に露出した層間絶縁膜を、次のエッチング工程により掘り進めることが容易
となる。但し「小穴」が非貫通穴であっても、その底部を含めて次のエッチング工程によ
り掘り進めることも可能である。

また、下層導電部及び側壁膜の膜種がエッチバックするのにエッチレート差が無い場合
に有効な手段である。下層導電部及び側壁膜がエッチレート差が無い場合、側壁膜を形成
するエッチバックをする際に下層導電部も一緒に削ってしまい、最悪の場合、下層導電部
を失ってしまう可能性がある。この態様によれば、小穴はコンタクトホール上部の底に向
かって形成されるため、側壁膜となる材料膜と共に下層導電部まで削ってしまう事態を回
避することが可能となる。さらに、前述したエッチバックの際に下地を層間絶縁膜とする
ことで下地導電膜を余分に削らない利点も生まれる。

その後、小穴内を含む層間絶縁膜の一面をエッチングすることで、層間絶縁膜に、小穴
の底から下層導電部まで至るコンタクトホール下部が開孔される。ここに本発明に係る「
コンタクトホール下部」とは、最終的に層間絶縁膜に開孔される一連のコンタクトホール
のうち、下半分或いは下寄り部分を意味する。

このように小穴の底側に位置する層間絶縁膜部分にコンタクトホール下部を開孔する際
には特に、側壁膜がマスクとなってエッチングできるという大きな利益が得られる。即ち
、側壁膜がマスクとなって、側壁膜により規定される小穴とほぼ同径のコンタクトホール
下部を、小穴の底から下層導電部まで至るように開孔できる。

その後、このようにコンタクトホール上部内に側壁膜が形成され、更に小穴から下層導
電部へ至るコンタクトホールが開孔された状態にある層間絶縁膜上に、上層導電部が形成
される。この際、上層導電部は、側壁膜により規定される小穴外からコンタクトホール下
部内まで連続的に設けられるので、上層導電部と下層導電部とは、小穴内及びコンタクト
ホール下部内に設けられた導電膜部分によって、コンタクトホール内を介して相互に電気
的に接続されることになる。また、側壁膜に導電性があれば、これによっても、コンタク
トホール内の電気抵抗を低めることができる。

そして、コンタクトホール上部内に小穴が開いているので、コンタクトホール上部の入
口付近に、コンタクトホール単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差形状を、コン
タクトホール上部及び小穴の組合せにより容易に実現できる。従って、上層導電部を構成
する導電膜が、例えばそのスパッタリング等による成膜の際に、コンタクトホール内でオ
ーバーハング形状やピンチオフ形状となるのを効果的に防止できる。しかも、上述の如く
このような小穴を規定する側壁膜を、マスクを必要とすることなく形成できるので、マス
クによる寸法精度や位置精度が落ちることなく且つ簡単な工程により形成できる。これら
より、コンタクトホールにより接続される、上層又は下層導電部である配線のピッチを狭
めたり、電子素子等の微細化を進める場合に、大変有利となる。

加えて特に、コンタクトホール上部の入り口における径よりも、コンタクトホール下部
における下層導電部と接触する領域の径を、側壁膜の厚みに応じて小さくできる。従って
、下層導電部に対してコンタクトホール上部の平面位置がずれても、小穴内に設けられた
コンタクトホール下部の底は、下層導電部の形成領域内に位置する可能性が高くなる。し
かも、側壁膜を導電膜から形成することで、上層導電部の幅をコンタクトホールの径と比
べて細めても、或いは下層導電部の幅をコンタクトホールの径と比べて細めてもよい。即
ち、このように細めても、コンタクトホールと上層又は下層導電部との間でパターニング
時等における多少のアラインメントずれた場合に、コンタクトホールを介して電気的接続
が取れる可能性が、通常のコンタクトホールによる場合と比較して、格段に高くなる。即
ち、コンタクトホールの大きさに対する、上層及び下層導電膜のパターニング時における
アラインメントマージンが顕著に大きくなる。この結果、配線ピッチや電子素子ピッチを
微細化するのに大変有利となる。

以上の結果、本発明の第３製造方法によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容
易であるコンタクトホールを有する基板装置を製造可能となる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記エッチバックす
る工程は、前記層間絶縁膜の表面に垂直な方向に指向性を持たせた異方位エッチングする
工程を含む。

この態様によれば、例えばドライエッチングなどの異方位エッチングにより、導電膜か
らなる側壁膜に対するエッチングを低減しつつ、層間絶縁膜の一面に形成された導電膜や
、コンタクトホールの底面上に形成された導電膜を効率的に除去できる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記エッチバックす
る工程は、前記小穴の縁に対してテーパを形成する。

この態様によれば、コンタクトホールの入口付近に、一層緩やかな傾斜形状或いは段差
形状を、テーパを有する小穴により容易に実現できる。しかも、このようなテーパを有す
る小穴は、エッチバックで側壁膜を形成する際に、マスクを用いることなく比較的容易に
形成できる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記材料膜は、導電
膜からなる。

この態様によれば、コンタクトホール内において、該導電膜たる材料膜から形成される
側壁膜自体が導電路の一部となる。従って、コンタクトホール内に配置された上層導電部
を構成する導電膜部分と側壁膜との両者により、コンタクトホールによる良好な電気的接
続を実現できる。言換えるとコンタクトホール内の導電性材料の膜厚が厚くなり、電気抵
抗を低めることができる。また、側壁膜の膜種によりコンタクトＥＭ(Electro Migratio
n)耐性を向上させ、信頼性の高いコンタクト形成を行なうことが可能となる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記エッチバックす
る工程の前又は後に、ＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を前記層間絶縁膜の一面に対して施
す工程を更に備える。

この態様によれば、エッチバックする工程の前に、ＣＭＰ処理を層間絶縁膜の一面に対
して施すことにより、該ＣＭＰ処理は該一面に形成された材料膜部分にも施される。この
ようにＣＭＰ処理を行うことにより、コンタクトホール内に成膜された側壁膜となる材料
膜部分を殆ど薄くすること無く、層間絶縁膜の一面に形成された材料膜部分を、ある程度
、殆ど又はほぼ完全に除去できる。そして、後のエッチバック工程では、層間絶縁膜の一
面に形成された材料膜部分を容易に完全除去できると共に、それまでのエッチング量を著
しく少なくできる。このため、エッチング後にコンタクトホール内に残される材料膜であ
る側壁膜の厚みを十分厚く或いは所望の膜厚に確保できる。

尚、前記エッチバックする工程の後に、ＣＭＰ処理を前記層間絶縁膜の一面に対して施
す工程を更に備えてもよい。エッチバックする工程の後に、ＣＭＰ処理を層間絶縁膜の一
面に対して施すことにより、層間絶縁膜の平坦化を図ることができると共に、層間絶縁膜
の一面に形成された材料膜部分の除去を、より完璧に行える。更に、コンタクトホールの
縁の高さと、コンタクトホール内に形成された側壁膜により規定される小穴の縁の高さと
を同じにすることも可能となる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記材料膜は、ポリ
シリコン膜であり、前記上層導電部を構成する他の導電膜は、該ポリシリコン膜よりもド
ープ量が多いポリシリコン膜である。

この態様によれば、コンタクトホール内には、その外周寄りに側壁膜たるドープ量が相
対的に少ないポリシリコン膜が存在し、その中央寄りに小穴内に配置された上層導電部を
構成する導電膜部分である、例えばリン等のドープ量が相対的に多いポリシリコン膜が存
在する。ここで、通常は、下層導電部は、基板面に沿って、コンタクトホールの開孔位置
からいずれかの方向に延在する。このため、本態様の構成を採用すると、側壁膜の膜厚の
分だけ、下層導電部の延在先にドーパントが拡散する可能性或いは該下層導電部の延在先
に至るドーパントの拡散量を低減できる。従って、下層導電部の延在先として、ドーパン
トの拡散が悪影響を及ぼすような半導体層、例えばＴＦＴのチャネル領域やＬＤＤ（Ligh
tly Doped Drain）型のＴＦＴのＬＤＤ領域などが存在する場合に、これに対して、上側
導電部を構成するドープ量が多いポリシリコン膜から、製造工程中の高温化における熱拡
散によりドーパントが伝わることを、側壁膜の存在により低減できる。逆に、ドープ量を
増大させることで、例えば配線、電極等として機能する上層導電部の電気抵抗を低めるこ
とが可能となる。

本発明の基板装置の第１、第２又は第３製造方法の他の態様では、前記側壁膜は、前記
上層導電部を構成する導電膜よりも遮光性に優れた材料からなる。

この態様によれば、光吸収、高反射、低透過率等を有する材料により構成される遮光性
に優れた側壁膜を、コンタクトホール内に形成できるので、当該基板装置におけるコンタ
クトホール付近における遮光性能或いは耐光性能を顕著に向上させられる。従って、例え
ば光リーク電流の発生により性能が劣化するＴＦＴ等の半導体素子が、下層導電部の延在
先に接続されている場合や、下層導電部の更に下層側や近辺に配置されている場合に、非
常に有益である。

本発明の電気光学装置の第１製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明の
基板装置の第１から第３製造方法（但し、その各種態様を含む）のいずれか一つを含む。

本発明の電気光学装置の製造方法は、上述した本発明の基板装置の第１から第３製造方
法のいずれか一つを含むので、画素ピッチや配線ピッチの微細化に適していると共に低抵
抗化が容易であるコンタクトホールを有する、液晶装置、有機ＥＬ装置等の電気光学装置
を製造可能となる。例えば、画素電極と薄膜トランジスタとの間や、配線と薄膜トランジ
スタとの間などの電気的な接続を良好にとることができ、及び遮光性に優れた側壁膜を用
いることにより、フリッカー等の低減された高品位の画層表示が可能な電気光学装置を製
造できる。

本発明の電気光学装置の第２製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明の
基板装置の第１から第３製造方法のいずれかにおけるＣＭＰ処理を行う態様に係る製造方
法を含み、前記上層導電部を形成する工程は、前記上層導電部として、前記コンタクトホ
ールを介して接続された画素電極を形成する。

この態様によれば、画素電極の下地膜となる層間絶縁膜の表面をＣＭＰ処理により平坦
化できる。そして特に、コンタクトホールの入口付近が、側壁膜の存在によってコンタク
トホール単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差形状とされている。このため、画
素電極と、例えば画素スイッチング用ＴＦＴ等の画素スイッチング用素子や画像信号供給
用の配線等とを接続するためのコンタクトホール上に形成される画素電極部分についても
、大きく窪むこと或いは殆ど窪むことがなくなり、平坦化できる。このため、画素電極に
よる電気光学動作を、コンタクトホールの周辺を含めて平坦化された画素電極により良好
に行える。例えば液晶駆動の場合には、平坦化された画素電極を用いることで、段差によ
る液晶の配向不良や、縦電界の乱れによる液晶の配向不良を低減できる。このように、高
品位の画層表示が可能な電気光学装置を製造できる。

本発明の電気光学装置の第３製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明の
基板装置の第１から第３製造方法のいずれかにおける、材料膜がポリシリコン膜である態
様に係る製造方法と、前記基板上に、前記下層導電部にソース又はドレインが接続される
薄膜トランジスタを形成する工程とを含む。

この態様によれば、薄膜トランジスタのチャネル領域やＬＤＤ領域などに対して、上側
導電部を構成するドープ量が多いポリシリコン膜から、製造工程中の高温化における熱拡
散により、例えばリン等のドーパントが伝わることを、ドープ量の少ない側壁膜の存在に
より低減できる。逆に、ドープ量を増大させることで、例えば配線、電極等として機能す
る上層導電部の電気抵抗を低めることが可能となる。これにより、高品位の画層表示が可
能な電気光学装置を製造できる。

尚、特に本発明の基板装置の第３製造方法により薄膜トランジスタ廻りのコンタクト形
成を行えば、コンタクト直下の下層導電膜のポリシリコン層が薄いことから、材料膜であ
るポリシリコンのエッチバック時に下地が無くなってしまう事態を回避することができる
。

本発明の電気光学装置の第４製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明の
基板装置の第１から第３製造方法のいずれかにおける、側壁膜が遮光性に優れた材料から
なる態様に係る製造方法と、前記基板上に、前記下層導電部にソース又はドレインが接続
される薄膜トランジスタを形成する工程と、前記基板上に、平面的に見て前記薄膜トラン
ジスタ、前記下層導電部及び前記コンタクトホールを覆うよう遮光膜を形成する工程とを
備える。

この態様によれば、基板に内蔵された遮光膜によって、薄膜トランジスタ、下層導電部
及びコンタクトホールが覆われており、例えばプロジェクタ用のライトバルブなど、強力
な入射光が入射される型の電気光学装置として構築されている。そして特に、コンタクト
ホール内に遮光性の材料からなる側壁膜が形成されているので、一般に問題となりやすい
コンタクトホール付近における光漏れ或いは遮光性能の低下が効果的に防止されている。
これにより、フリッカー等の低減された高品位の画層表示が可能な電気光学装置を製造で
きる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

＜１：第１実施形態＞
本発明の基板装置に係る第１実施形態について、図１から図４を参照して説明する。

＜１−１；基板装置の構成＞
先ず、本発明の基板装置の構成について、図１を参照して説明する。図１（ａ）は、本
実施形態に係る基板装置の構成例におけるコンタクトホール付近の断面図であり、図１（
ｂ）は、基板装置の上面側から見た平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ’
断面図に相当する。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板装置は、基板７００上に、下層導電部７
０２と上層導電部７１０とが、層間絶縁膜７０４を介して積層形成され、且つ両者間がコ
ンタクトホール７０６により電気的に接続された積層構造を備えている。

よって、下層導電部７０２と上層導電部７１０とを夫々、例えば配線や電子素子の一部
をなす導電膜から構成すれば、基板装置における積層構造内に、各種配線や電子素子を作
り込むことができる。ここに電子素子としては、例えばＴＦＴ等の半導体素子が挙げられ
る。よって、例えば電気光学装置或いは電気光学パネルやその駆動回路等の各種の電気電
子装置を構築できる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）において、コンタクトホール７０６内には、その側壁に沿っ
て側壁膜７０８が形成されている。側壁膜７０８によって、コンタクトホール７０６内に
、該コンタクトホール７０６の縁における径より小径であり且つ上層導電部７１０側から
該コンタクトホール７０６の底に向かう小穴７１２が規定されている。小穴７１２は、コ
ンタクトホール７０６の縁において、層間絶縁膜７０４の表面の高さよりも低い側壁膜７
０８の上端面から下層導電部７０２までに至る貫通穴となる。この貫通穴の底部の周囲に
て下層導電部７０２に接触するように、側壁膜７０８は形成されている。これにより、コ
ンタクトホール７０６の入口付近には、コンタクトホール７０６単独の場合よりも緩やか
な傾斜形状或いは段差形状が、コンタクトホール７０６及び小穴７１２によって形成され
る。

尚、図１（ｂ）中、コンタクトホール７０８及び小穴７１２の輪郭を夫々円形状として
示してあるが、コンタクトホール７０８及び小穴７１２の輪郭は、図１（ａ）に示す形状
に限定されず、例えば矩形、長方形、多角形など、当業者が適宜決め得る設計事項である
。

上層導電部７１０は、層間絶縁膜７０４上における小穴７１２外から小穴７１２内まで
連続的に設けられている。図１（ａ）に示すように、上層導電部７１０は、前述したよう
な貫通穴として形成された小穴７１２を介して下層導電部７０２に接触する。よって、本
実施形態によれば、上層導電部７１０は、該上層導電部７１０における小穴７１２の底部
に形成された一部分によって、コンタクトホール７０６内を介して、下層導電部７０２と
相互に電気的に接続されることになる。

尚、側壁膜７０８を構成する材料膜として導電膜を用いた場合、更に上層導電部７１０
は、該上層導電部７１０における小穴７１２を規定する側壁膜７０８を介して、下層導電
部７０２と相互に電気的に接続されることになる。即ち、側壁膜７０８に導電性があれば
、これによっても、コンタクトホール７１０内の電気抵抗を低めることができる。

＜１−２；基板装置の製造方法＞
次に、上述した基板装置の製造プロセスについて、図２乃至図６を参照して説明する。
ここに図２乃至図６は、製造プロセスの各工程における基板装置の積層構造を、図１（ａ
）の断面図及び図１（ｂ）の平面図に関して、順を追って示す工程図である（前者は図２
〜図６中上方に位置する各図（ａ）に、後者は図２〜図６中下方に位置する各図（ｂ）に
示されている。）。

先ず図２の工程に示すように、同図中に図示しない基板上に、下層導電部７０２が所定
のパターンとして形成される。下層導電部７０２は、例えばスパッタリング、蒸着等によ
る成膜後にフォトリソグラフィ及びエッチング処理を施すことにより、例えば導電性ポリ
シリコン膜、金属膜等の導電膜を用いて構成される。

続いて、図３の工程に示すように、下層導電部上７０２に、例えばスパッタリング、蒸
着等によって、酸化シリコン膜、特殊ガラス膜等の層間絶縁膜７０４が形成される。

その後、図４の工程に示すように、異方位エッチング又は等方性エッチング、或いはド
ライエッチング又はウエットエッチングなどのエッチングによって、下層導電部７０２に
まで至るコンタクトホール７０６が開孔される。

その後、図５の工程に示すように、コンタクトホール７０６内も含めて層間絶縁膜７０
４上に、例えばスパッタリング、蒸着等により、導電性ポリシリコン膜、導電性金属膜、
絶縁膜等の材料膜７０８ａが成膜される。材料膜７０８ａは層間絶縁膜７０４上に、該層
間絶縁膜７０４の上部表面に成膜される。よって、コンタクトホール７０６内にも材料膜
７０８ａが成膜されることになる。

その後、図６の工程に示すように、材料膜７０８ａがエッチバックされる。より具体的
には、層間絶縁膜７０４上に成膜された材料膜７０８ａの表面を、マスクなしでエッチン
グすることにより後退させ、コンタクトホール７０６外における層間絶縁膜７０４上に形
成された材料膜７０８ａ部分を好ましくは完全に除去する。これにより、コンタクトホー
ル７０６内に側壁膜７０８が形成される。側壁膜７０８は、材料膜７０８ａのエッチバッ
ク後、小穴７１２として下層導電部７０２に至る貫通穴を規定するように形成される。ま
た、側壁膜７０８の上端面７１２Ｓは、エッチバックにより、層間絶縁膜７０４の表面よ
りも低くなるように形成されている。尚、図６の工程では、好ましくは、層間絶縁膜７０
４の表面に垂直な方向に指向性を持たせた異方位エッチングが行われる。例えばドライエ
ッチングなどの異方位エッチングにより、導電膜からなる側壁膜７０８に対するエッチン
グを低減しつつ、層間絶縁膜７０４の一面に形成された材料膜７０８ａや、コンタクトホ
ール７０６の底面上に形成された材料膜７０８ａを効率的に除去できる。

その後、コンタクトホール７０６内に側壁膜７０８が形成された状態にある層間絶縁膜
７０４上に、例えば導電性ポリシリコン膜、金属膜等の導電膜からなる上層導電部７１０
が形成される。上層導電部７１０は、スパッタリング、蒸着等による導電膜の成膜とフォ
トリソグラフィ等によるパターニングとによって形成される。これにより、図１に既に示
したように、コンタクトホール７０６の入口付近には、コンタクトホール７０６単独の場
合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差形状が、コンタクトホール７０６及び小穴７１２に
よって形成される。従って、上層導電部７１０を構成する導電膜が、例えばそのスパッタ
リング等による成膜の際に、コンタクトホール７０６内でオーバーハング形状やピンチオ
フ形状となるのを効果的に防止できる。

このように本実施形態によれば、図１に示した基板装置を比較的容易に製造でき、特に
、小穴７１２を規定する側壁膜７０８を、マスクを必要とすることなくコンタクトホール
７０６内に形成できるので、マスクによる寸法精度や位置精度が落ちることなく且つ簡単
な工程により形成できる。よって、コンタクトホール７０６により接続される、上層又は
下層導電部７１０又は７０２である配線のピッチを狭めたり、電子素子等の微細化を進め
る場合に、大変有利となる。

以上の結果、本実施形態によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容易であるコ
ンタクトホール７０６を有する基板装置を実現できる。

＜２：第２実施形態＞
本発明の基板装置に係る第２実施形態について、図５乃至図７を参照して説明する。

＜２−１；基板装置の構成＞
先ず、第２実施形態における基板装置の構成について、図７を参照して説明する。図７
（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の構成例におけるコンタクトホール付近の断面図で
あり、図７（ｂ）は、基板装置の上面側から見た平面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ
）のＢ−Ｂ’断面図に相当する。

第２実施形態において、基板装置の構成は、側壁膜の詳細な構成を除いて、第１実施形
態における図１に示す基板装置と同様である。尚、図５において、第１実施形態との共通
個所には同一符号を付して重複する説明を省略する。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、側壁膜７０８は、第１側壁膜７０８ｂ及び第
２側壁膜７０８ｃを含む多層膜からなる。第１側壁膜７０８ｂは後述する一の材料膜から
形成され、第２側壁膜７０８ｃは、一の材料膜と同一又は異なる他の材料膜から形成され
る。尚、第１側壁膜７０８ｂ及び第２側壁膜７０８ｃの形成について詳細は後述する。

小穴７１２ａは、コンタクトホール７０６の縁において、層間絶縁膜７０４の表面の高
さよりも低い側壁膜７０８ｂの上端面から下層導電部７０２までに至る貫通穴となる。更
に小穴７１２ｂは、側壁膜７０８ｂの上端面の高さよりも更に低い側壁膜７０８ｃの上端
面から下層導電部７０２までに至る貫通穴となる。これにより、コンタクトホール７０６
の入口付近には、コンタクトホール７０６単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差
形状が、コンタクトホール７０６並びに小穴７１２ａ及び７１２ｂによって形成される。

＜２−２；基板装置の製造方法＞
次に、上述した基板装置の製造プロセスについて、図８乃至図１１を参照して説明する
。ここに図８乃至図１１は、製造プロセスの各工程における基板装置の積層構造を、図７
（ａ）の断面図及び図７（ｂ）の平面図に関して、順を追って示す工程図である（前者は
図８〜図１１中上方に位置する各図（ａ）に、後者は図８〜図１１中下方に位置する各図
（ｂ）に示されている。）。

第２実施形態において、基板装置の製造方法は側壁膜７０８の形成を除いて、第１実施
形態と同様である。よって、側壁膜７０８の形成についてのみ以下に説明する。

図８の工程では、第１実施形態における図５の工程と同様の手順により、一の材料膜７
０８ｂｂが成膜される。尚、一の材料膜７０８ｂｂは第１実施形態における図５の工程で
用いられる材料膜７０８ａと同様の材料を用いて構成されるのが好ましい。

その後、図９の工程では、第１実施形態における図６の工程と同様の手順により、コン
タクトホール７０６内に、コンタクトホール７０６の底に向かう一の小穴７１２ａを規定
する第１側壁膜７０８ｂが形成される。

続いて、図１０の工程では、図８の工程と同様に、一の小穴７１２ａ内も含めて層間絶
縁膜７０４上に、他の材料膜７０８ｃｃが成膜される。

その後、図１１の工程では、図９の工程と同様の手順によって、一の小穴７１２ａ内に
のみ他の材料膜７０８ｃｃを残存させて、第２側壁膜７０８ｃを形成する。一の小穴７１
２ａ内において、第２側壁膜７０８ｃによって、一の小穴７１２ａの底に向かう他の小穴
７１２ｂが規定される。尚、他の小穴７１２ｂは、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す小穴
７１２と同様の構成となっている。

その後、層間絶縁膜７０４上に、上層導電部７１０が形成される。上層導電部７１０は
、層間絶縁膜７０４上における、第２側壁膜７０８ｃにより規定される他の小穴７１２ｂ
外から該小穴７１２ｂ内まで連続的に設けられるので、上層導電部７１０は、該上層導電
部７１０における他の小穴７１２ｂの底部に形成された一部分によって、コンタクトホー
ル７０６内を介して、下層導電部７０２と相互に電気的に接続されることになる。これに
より、図７に示した第２実施形態に係る基板装置が得られる。

尚、一の材料膜７０８ｂｂ及び他の材料膜７０８ｃｃとして導電膜を用いた場合、更に
上層導電部７１０は、該上層導電部７１０における他の小穴７１２ｂの側壁部に形成され
た部分によっても、第１及び第２側壁膜７０８ｂ及び７０８ｃを介して、下層導電部７０
２と相互に電気的に接続されることになる。

本実施形態では特に、コンタクトホール７０６の入口付近に、コンタクトホール７０６
単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或いは段差形状を、コンタクトホール７０６並びに一
及び他の小穴７１２ａ及び７１２ｂの組合せにより容易に実現できる。従って、上層導電
部７１０を構成する導電膜が、例えばそのスパッタリング等による成膜の際に、コンタク
トホール７０６内でオーバーハング形状やピンチオフ形状となるのを効果的に防止できる
。しかも、上述の如くこのような二つの小穴７１２ａ及び７１２ｂを規定する第１及び第
２側壁膜７０８ｂ及び７０８ｃを夫々、マスクを必要とすることなく形成できるので、マ
スクによる寸法精度や位置精度が落ちることなく且つ簡単な工程により形成できる。これ
らより、コンタクトホール７０６により接続される、上層又は下層導電部７１０又は７０
２である配線のピッチを狭めたり、電子素子等の微細化を進める場合に、大変有利となる
。

以上の結果、第２実施形態によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容易である
コンタクトホール７０６を有する基板装置を実現できる。

尚、後述する第３実施形態又は第４実施形態と同様の製造方法を更に用いることにより
、特に、側壁膜７０８を構成する多層膜の形成位置や膜厚或いは形状を膜毎に変化させる
ことで、一層緩やかな傾斜形状或いは段差形状を実現することも可能となる。但し、単純
に積層され、同一領域に形成される複数の膜を含む多層膜であってもよい。

＜３：第３実施形態＞
本発明の基板装置に係る第３実施形態について、図１２を参照して説明する。

＜３−１；基板装置の構成＞
先ず、第３実施形態における基板装置の構成について説明する。第３実施形態において
、基板装置の構成は、側壁膜及び上層導電部の詳細な構成を除いて、第１実施形態におけ
る図１に示す基板装置と同様である。ここに、図１２は、第３実施形態における基板装置
のコンタクトホール付近での断面図である。図１２において、第１実施形態との共通個所
には同一符号を付して重複する説明を省略する。

図１２において、側壁膜７０８ｄによって規定される小穴７１２ｃは、下層導電部７０
２までに至る貫通穴とならない点が、図１に示す小穴７１２の構成と異なっている。そし
て、側壁膜７０８ｄは、小穴７１２ｃの底部及びその周辺にて下層導電部７０２に接触す
る。第３実施形態では、側壁膜７０８ｄを構成する材料膜として導電膜が用いられる。

上層導電部７１０は、層間絶縁膜７０４上における小穴７１２ｃ外から小穴７１２ｃ内
まで連続的に設けられている。そして、小穴７１２ｃ内に成膜された上層導電部７１０の
一部分、より具体的には小穴７１２ｃの側壁部及び底部に形成された部分と、これに接触
する小穴７１２ｃの底部をも構成する側壁膜７０８ｄとにより、上層導電部７１０と下層
導電部７０２との電気的な接続が得られる。

＜３−２；基板装置の製造方法＞
次に、上述した基板装置の製造プロセスについて説明する。第３実施形態において、基
板装置の製造方法は側壁膜７０８ｄの形成を除いて、第１実施形態とほぼ同様である。よ
って、側壁膜７０８ｄの形成についてのみ、図５及び図６を参照して以下に説明する。

図５の工程における材料膜７０８の成膜と同様の手順により材料膜が成膜され、続いて
、図６の工程と概ね同様の手順により、コンタクトホール７０６内に側壁膜７０８ｄが形
成される。第３実施形態では、側壁膜７０８ｄは、非貫通穴である小穴７１２ｃを規定す
るように形成される。

よって、第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、微細化に適していると共に
下層導電部との低抵抗化が容易であるコンタクトホール７０６を有する基板装置を実現す
ることができる。

＜４；第４実施形態＞
本発明の基板装置に係る第４実施形態について、図１３乃至図１８を参照して説明する
。

＜４−１；基板装置の構成＞
先ず、第４実施形態における基板装置の構成について、図１３を参照して説明する。図
１３（ａ）は、本実施形態に係る基板装置の構成例におけるコンタクトホール付近の断面
図であり、図１３（ｂ）は、基板装置の上面側から見た平面図である。図１３（ａ）は、
図１３（ｂ）のＢ−Ｂ’断面図に相当する。

第４実施形態において、基板装置の主要な構成は、第１実施形態における図１に示す基
板装置と同様である。尚、図１３において、第１実施形態との共通個所には同一符号を付
して重複する説明を省略する。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、側壁膜７０８によって規定される小穴７
１２ｄは、下層導電部７０２ｄにまで至らない貫通穴として形成されている点が、図１に
示す小穴７１２の構成と異なっている。より具体的には、小穴７１２ｄは、コンタクトホ
ール上部７０６ａ内に、コンタクトホール上部７０６ａの縁における径より小径であり且
つコンタクトホール上部７０６ａの底に向かう貫通穴として形成される。そして、側壁膜
７０８は、小穴７１２ｄの底部の周囲にて下層導電部７０２ｄに接触しないように形成さ
れている。尚、本実施形態に係る下層導電部７０２ｄは、図１３（ａ）から分かるように
、コンタクトホール上部７０６ａの径とほぼ同様の幅を有する。

また、上層導電部７１０は、層間絶縁膜７０４上における小穴７１２ｄ外からコンタク
トホール下部７０６ｂ内まで連続的に設けられている。ここに、コンタクトホール上部７
０６ａと、その内周に側壁膜が形成されていないコンタクトホール下部７０６ｂとは、最
終的に層間絶縁膜を７０４貫通する一連のコンタクトホールとされる。そして、上層導電
部７１０は、小穴７１２ｄ内及びコンタクトホール下部７０６ｂ内に設けられた部分によ
って、下層導電部７０２ｄとコンタクトホール内を介して相互に電気的に接続されること
になる。

尚、側壁膜７０８を構成する材料膜として導電膜を用いた場合、更に上層導電部７１０
は、該上層導電部７１０における小穴７１２ｄ内に形成された部分によっても、側壁膜７
０８を介して、下層導電部７０２ｄと相互に電気的に接続されることになる。即ち、側壁
膜７０８に導電性があれば、これによっても、コンタクトホール内の電気抵抗を低めるこ
とができる。

＜４−２；基板装置の製造方法＞
次に、上述した基板装置の製造プロセスについて、図１４乃至図１７を参照して説明す
る。ここに図１４乃至図１７は、製造プロセスの各工程における基板装置の積層構造を、
図１３（ａ）の断面図及び図１３（ｂ）の平面図に関して、順を追って示す工程図である
（前者は図１４〜図１７中上方に位置する各図（ａ）に、後者は図１４〜図１７中下方に
位置する各図（ｂ）に示されている。）。

第４実施形態において、基板装置の製造方法は第１実施形態と同様の工程を含む。よっ
て、第１実施形態と異なる工程についてのみ以下に説明する。

図１４の工程では、層間絶縁膜７０４に、第１実施形態の場合と異なり（図４参照）、
下層導電部７０２ｄにまで至らないコンタクトホール上部７０６ａが、エッチングにより
開孔される。尚、コンタクトホール上部７０６ａは、予めパターニングされた下層導電部
７０２ｄの幅とほぼ同様の径を有するように開孔される。

続いて、図１５の工程では、コンタクトホール上部７０６ａ内も含めて層間絶縁膜７０
４上に、例えばスパッタリング、蒸着等により、導電性ポリシリコン膜、導電性金属膜、
絶縁膜等の材料膜７０８ａが成膜される。

続いて、図１６の工程では、第１実施形態における図６の工程と同様の手順により、材
料膜７０８ａがエッチバックされる。よって、図１６の工程では、何らのマスクを用いる
こともなく、コンタクトホール上部７０６ａ内にのみ材料膜を残すことが可能となる。こ
れにより、コンタクトホール上部内に側壁膜７０８が形成される。側壁膜７０８は、材料
膜７０８ａのエッチバック後、小穴７１２ｄとしてコンタクトホール上部７０６ａの底に
至る貫通穴を規定するように形成される。このように、小穴７１２ｄを貫通穴として形成
すれば、その底に露出した層間絶縁膜７０４を、次のエッチング工程により掘り進めるこ
とが容易となる。但し小穴７１２ｄが非貫通穴であっても、その底部を含めて次のエッチ
ング工程により掘り進めることも可能である。尚、図１６の工程では、小穴はコンタクト
ホール上部の底に向かって形成されるため、材料膜７０８ａと共に下層導電部７０２ｄま
で削ってしまう事態を回避することが可能となる。

その後、図１７の工程では、ドライエッチング等で、小穴７１２ｄ内を含む層間絶縁膜
７０４の一面をエッチングすることで、層間絶縁膜７０４に、小穴７１２ｄの底から下層
導電部７０２まで至るコンタクトホール下部７０６ｂが開孔される。コンタクトホール下
部７０６ｂは、側壁膜７０８がエッチングの際のマスクとして機能するので、コンタクト
ホール上部７０６ａより小径であり、且つ小穴７１２ｄとほぼ同径となる。

更に本実施形態では好ましくは、図１６（ａ）及び図１７（ａ）に示したように、側壁
膜７０８の上端面と層間絶縁膜７０４の表面との高さ差Δｄ１と、側壁膜７０８の下端面
と下層導電部７０２ｄの表面との高さ差Δｄ２とをほぼ同様にするように、図１６の工程
におけるエッチングを停止しておく。すると、図１７の工程におけるエッチングによって
、コンタクトホール下部７０６ｂが下層導電部７０２ｄに至るとほぼ同時に、側壁膜７０
８の上端面と層間絶縁膜７０４の表面との高さを揃えることが可能となり、側壁膜７０８
の下端面と下層導電部７０２ｄの表面とは、高さ差Δｄ２分だけ離れているので、これに
よりエッチバックの際下層導電部７０２を保護することが可能となる。

このように小穴７１２ｄの底側に位置する層間絶縁膜７０４の一部分にコンタクトホー
ル下部７０６ｂを開孔する際には特に、側壁膜７０８がマスクとなってエッチングできる
という大きな利益が得られる。即ち、側壁膜７０８がマスクとなって、側壁膜７０８によ
り規定される小穴７１２ｄとほぼ同径のコンタクトホール下部７０６ｂを、小穴７１２ｄ
の底から下層導電部７０２まで至るように開孔できる。

その後、第１実施形態と同様の手順により、層間絶縁膜７０４上に上層導電部７１０が
形成される。

以上により、図１４に示した第４実施形態の基板装置が得られる。

第４実施形態では特に、下層導電部７０２ｄとコンタクトホール７０６との間における
アラインメントずれに対するマージンを大きくでき、しかも、上導電部７１０とコンタク
トホール７０６との間におけるアラインメントずれに対するマージンを大きくできるとい
う大きな利点がある。この利点について、次に図１８を参照して説明する。ここに図１８
（ａ）は、便宜上、上層導電部７１０の幅を狭くすると共に下層導電部７０２ｄに対して
コンタクトホール７０６がアラインメントずれを起こした場合における、本実施形態に係
る基板装置の構成例におけるコンタクトホール付近の断面図であり、図１８（ｂ）は、こ
の場合における基板装置の上面側から見た平面図である。図１８（ａ）は、図１８（ｂ）
のＢ−Ｂ’断面図に相当する。

図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、コンタクトホール上部７０６ａの入り口
における径よりも、コンタクトホール下部７０６ｂにおける下層導電部７０２ｄと接触す
る領域の径を、側壁膜７０８の厚みｄに応じて小さくできる。即ち、下層導電部７０２ｄ
に対して、コンタクトホール７０６ａを開孔する際のアラインメントずれがΔＳだけ生じ
ても、これを側壁膜７０８の厚みｄにより吸収できる。言い換えれば、アラインメントず
れΔＳが側壁膜７０８の厚みｄより小さい限り、コンタクトホール７０６による電気的導
通が良好に得られると共に、下層導電部７０２ｄの脇をエッチングが抜けて、その下層側
に位置する不図示の他の配線や電極或いは電子素子等に対して悪影響を及ぼすことを効果
的に回避できる。

しかも、図１８（ｂ）に示したように、側壁膜７０８を導電膜から形成することで、上
層導電部７１０の幅をコンタクトホール上部７０６ａの径と比べて細めても、上層導電部
７１０のコンタクトホール７０６を介しての電気的導通を良好に得られる。或いは、コン
タクトホール７０６に対して上層導電部７１０がアラインメントずれしても、側壁膜７０
８の厚みｄより小さければ、コンタクトホール７０６による電気的導通が良好に得られる
と共に、上層導電部７１０の脇を抜けて、コンタクトホール７０６内にエッチングが進行
する事態についても未然防止可能となる。これらにより、配線ピッチや電子素子ピッチを
微細化するのに大変有利となる。

以上の結果、第４実施形態によれば、微細化に適していると共に低抵抗化が容易である
コンタクトホールを有する基板装置を実現することができる。

＜５；基板装置及びその製造方法の変形形態＞
次に以上説明した第１から第４実施形態における基板装置の変形形態及びそれらの製造
方法についての変形形態について説明する。

先ず、図１９を参照して基板装置の変形形態について説明する。ここに、図１９は、変
形形態における基板装置のコンタクトホール付近での断面図である。図１９において、第
１実施形態との共通個所には同一符号を付して重複する説明を省略する。尚、本変形形態
が第２から第４実施形態いずれかに適用される場合についても、第１実施形態と同様であ
る。

図１９において、小穴７１２の縁にはテーパが形成されている。よって、コンタクトホ
ール７０６の入口付近に、一層緩やかな傾斜形状或いは段差形状を、テーパを有する小穴
により容易に実現できる。このようなテーパを有する小穴７１２は、例えば、ウエットエ
ッチングにより若しくはこれとドライエッチングとの組合せにより、比較的容易に形成で
きる。

更に基板装置の他の変形形態として、側壁膜７０８は遮光性に優れた材料から構成され
てもよい。このように構成すれば、遮光性に優れた側壁膜７０８を、コンタクトホール７
０６内に形成できるので、当該基板装置におけるコンタクトホール７０６付近における遮
光性能或いは耐光性能を顕著に向上させられる。従って、例えば光リーク電流の発生によ
り性能が劣化するＴＦＴ等の半導体素子が、下層導電部７０２の延在先に接続されている
場合や、下層導電部７０２の更に下層側や近辺に配置されている場合に、非常に有益であ
る。

更に基板装置の製造方法の変形形態として、図６の工程の前又は後に、ＣＭＰ（化学的
機械研磨）処理を層間絶縁膜７０４の一面に対して施す工程が行われても良い。図６の工
程の前にＣＭＰ処理を施すことにより、コンタクトホール７０６内に成膜された側壁膜７
０８となる材料膜７０８ａ部分を殆ど薄くすること無く、層間絶縁膜７０４の一面に形成
された材料膜７０８ａ部分を、ある程度、殆ど又はほぼ完全に除去できる。そして、後の
図６の工程では、層間絶縁膜７０４の一面に形成された材料膜７０８ａ部分を容易に完全
除去できると共に、それまでのエッチング量を著しく少なくできる。このため、エッチン
グ後にコンタクトホール７０６内に残される材料膜７０８ａである側壁膜７０８の厚みを
十分厚く或いは所望の膜厚に確保できる。また、図６の工程の後に、ＣＭＰ処理を施すこ
とにより、層間絶縁膜７０４の平坦化を図ることができると共に、層間絶縁膜７０４の一
面に形成された材料膜７０８ａ部分の除去を、より完璧に行える。更に、コンタクトホー
ル７０６の縁の高さと、コンタクトホール７０８内に形成された側壁膜７０８により規定
される小穴７１２の縁の高さとを同じにすることも可能となる。

更にまた、基板装置の製造方法の他の変形形態として、図５の工程において、材料膜７
０８ａとしてポリシリコン膜を成膜すると共に、その後、上層導電部７１０として、側壁
膜７０８たるポリシリコン膜よりもドープ量が多いポリシリコン膜から構成される導電膜
を形成するようにしてもよい。このように材料膜７０８ａ及び上層導電部７１０を形成す
れば、コンタクトホール７０６内には、その外周寄りに側壁膜７０８たるドープ量が相対
的に少ないポリシリコン膜が存在し、その中央寄りに小穴内に配置された上層導電部７１
０を構成する導電膜部分である、例えばリン等のドープ量が相対的に多いポリシリコン膜
が存在する。ここで、通常は、下層導電部７０２は、図１には図示しない基板面に沿って
、コンタクトホール７０６の開孔位置からいずれかの方向に延在する。上述したように材
料膜７０８ａ及び上層導電部７１０を形成すると、側壁膜７０８の膜厚の分だけ、下層導
電部７０２の延在先にドーパントが拡散する可能性或いは該下層導電部７０２の延在先に
至るドーパントの拡散量を低減できる。従って、下層導電部７０２の延在先として、ドー
パントの拡散が悪影響を及ぼすような半導体層、例えばＴＦＴのチャネル領域やＬＤＤ（
Lightly Doped Drain）型のＴＦＴのＬＤＤ領域などが存在する場合に、これに対して、
上側導電部７１０を構成するドープ量が多いポリシリコン膜から、製造工程中の高温化に
おける熱拡散によりドーパントが伝わることを、側壁膜７０８の存在により低減できる。
逆に、ドープ量を増大させることで、例えば配線、電極等として機能する上層導電部７１
０の電気抵抗を低めることが可能となる。

＜６；第６実施形態＞
次に、第６実施形態として、本発明に係る基板装置を含んでなる、本発明の電気光学装
置に係る実施形態を、図２０から図２５を参照して説明する。尚、以下の実施形態は、本
発明の電気光学装置を、駆動回路内臓型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装
置に適用したものである。

＜６−１；電気光学装置の全体構成＞
先ず図２０及び図２１を参照して電気光学装置の全体構成について説明する。ここに、
図２０は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見
た電気光学装置の平面図であり、図２１は、図２０のＨ−Ｈ’断面図である。

図２０及び図２１において、第６実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示
領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着され
ている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等
からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、
加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或
いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディ
スプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャ
ップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領
域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、この
ような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設
けられてもよい。

シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１
０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている
。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光
膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両
側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残
る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設け
られている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する
上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー
部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２１において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線
、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方
、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更に
は最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類の
ネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態を
とる。

なお、図２０及び図２１に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動
回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリング
してデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャ
ージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該
電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

＜６−２；画素部における構成＞
以下では、本発明の第６実施形態における電気光学装置の画素部における構成について
、図２２から図２５を参照して説明する。ここに図２２は、電気光学装置の画像表示領域
を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路で
あり、図２３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接
する複数の画素群の平面図であり、図２４は、図２３のうち特に走査線、ＴＦＴ、及び該
ＴＦＴに対して形成されるコンタクトホールの配置関係を示すためこれらの要素を抜き出
して描いた平面図である。図２５は、図２３のＡ−Ａ´断面図である。なお、図２５にお
いては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ご
とに縮尺を異ならしめてある。

＜６−２−１；画素部の回路構成＞
図２２において、第６実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリ
クス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイ
ッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線
６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像
信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミ
ングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを
、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレ
インに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけその
スイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持さ
れる。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより
、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単
位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモード
であれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全
体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との
間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線
１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電
極３００を含んでいる。

＜６−２−２；画素部の具体的構成＞
以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による
、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的の構成について、図２３乃
至図２５を参照して説明する。

まず、図２３において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に
複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１
１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構
造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線
１１ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対
向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該
ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａ
とデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに
含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられて
いる。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａ
との間に存在するような形態となっている。

次に、電気光学装置は、図２５に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコ
ン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石
英基板からなる対向基板２０とを備えている。

ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図２５に示すように、前記の画素電極９ａが設けられ
ており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けら
れている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板
２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビン
グ処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上
述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシー
ル材５２（図２０及び図２１参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入さ
れ、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていな
い状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これら
を含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図２５に示すよ
うに、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含
む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等
を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。
また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁
膜４１が、第３層及び第４間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層
間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられてお
り、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４
１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域
１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以
下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。

（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少な
くとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層し
たもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。該走査線
１１ａは下側遮光膜としても機能する。

図２３及び図２４において、走査線１１ａは、平面的にみて、同図中のＸ方向に沿うよ
うに、ストライプ状にパターニングされている。より具体的には、図２３及び図２４にお
いて、ストライプ状の走査線１１ａは、同図中のＸ方向に沿うように延びる本線部と、デ
ータ線６ａ或いは容量配線４００が延在する同図中のＹ方向に延びる突出部とを備えてい
る。なお、図２４に示すように、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続さ
れることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。

（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０
は、図２５に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成
要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａ
からの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極
３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度
ドレイン領域１ｅを備えている。

また、第６実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電
極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図２３及び図２４に
示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形
成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、
後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリ
シリコン膜等からなる。

なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図２５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低
濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセッ
ト構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己
整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴ
であってもよい。

（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等
からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ
３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、
ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチ
ング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａ
に沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃ
ｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲ
ート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール
１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲー
ト電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。
これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２４によく示されているように、平面的に
みて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制され
るようになっている。

また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されて
いるとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線
１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲー
ト電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。

（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７
０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容
量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電
体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば
、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、第６実施
形態に係る蓄積容量７０は、図２３及び図２４の平面図を見るとわかるように、画素電極
９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言
すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口
率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。

より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容
量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層
膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の
ほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ
。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。

容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。第６実施形態
において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００
（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００
は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単
体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくは
タングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側か
ら入射しようとする光を遮る機能を有している。

誘電体膜７５は、図２５に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨ
ＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリ
コン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。

第６実施形態において、この誘電体膜７５は、図２５に示すように、下層に酸化シリコ
ン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなってい
る。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサ
イズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。

なお、第６実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場
合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というよう
な三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層
構造としてもよい。

（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容
量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガ
ラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）
等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳ
Ｇからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。

そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述する
データ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を
貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイ
ン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホー
ル８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成す
る画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するため
のコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中
継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホー
ル８８２が、後記第２層間絶縁膜を貫通しつつ開孔されている。

本実施形態では特に図２５において、コンタクトホール８３内には、その側壁に沿って
側壁膜８５が形成されている。即ち、コンタクトホール８３は、図１に示したコンタクト
ホール７０６と同様に構成されている。蓄積容量７０における下部電極７１は、側壁膜８
５によって規定される小穴８４外から小穴８４内まで連続的に設けられている。そして、
下部電極７１は、該下部電極７１における小穴８４の底部に形成された一部分によって、
コンタクトホール８３内を介して、半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅと相互
に電気的に接続されることになる。尚、側壁膜８５を構成する材料膜として導電膜を用い
た場合、更に下部電極７１は、該下部電極７１における小穴８４の側壁部に形成された部
分によっても、側壁膜８５を介して、高濃度ドレイン領域１ｅと相互に電気的に接続され
ることになる。

また、好ましくは、側壁膜８５はポリシリコン膜として形成されており、下部電極７１
は側壁膜８５たるポリシリコン膜よりもドープ量が多いポリシリコン膜から構成される。

このように構成すれば、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅなどに
対して、下部電極７１を構成するポリシリコン膜から、製造工程中の高温化における熱拡
散により、例えばリン等のドーパントが伝わることを、ドープ量の少ない側壁膜８５の存
在により低減できる。逆に、ドープ量を増大させることで、下部電極７１の電気抵抗を低
めることが可能となる。
更に、図２４に示すように、下側遮光膜としても機能する走査線１１ａは、ＴＦＴ３０
、半導体層１ａ、及びコンタクトホール８３を覆うように形成されている。また、側壁膜
８５をポリシリコン膜として形成すれば遮光性が確保される。よって、コンタクトホール
８３付近における光漏れ或いは遮光性能の低下が効果的に防止されている。従って、ＴＦ
Ｔ３０における光リーク電流の発生を防止することが可能となる。

よって、当該電気光学装置では、高品位の画層表示を行うことが可能となる。

（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ
線６ａは、図２５に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図２５におけ
る符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図２５における符号４１ＴＮ参照）、窒化
シリコン膜からなる層(図２５における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成
されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように
少し大きなサイズにパターニングされている

また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第
２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図２３に示すように、平面的に見ると、
データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパ
ターニング上分断されるように形成されている。

ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと
同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チ
タンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。

（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ
，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、ある
いは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁
膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されてい
るとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００
とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁
膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記の
コンタクトホール８８２が形成されている。

（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。この容量
配線４００は、平面的にみると、図２３に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに
延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在す
る部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に
形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０
２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有
している。

さらには、図２３中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部に
おいては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４
００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ
に対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め
上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導
体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ
等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９
ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続さ
れることで、固定電位とされている。

また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が
形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を
介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。
なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成さ
れているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。

他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる
層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。

（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あ
るいは好ましくは、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法で形成された第３層間絶縁膜
４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線
用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電
極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそ
れぞれ開孔されている。

（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素
電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、
ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等
、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層
間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するた
めのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、この
コンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第
２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、
下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。

本実施形態では特に図２５において、コンタクトホール８９は、図１に示したコンタク
トホール７０６と同様に構成されてもよい。更に、コンタクトホール８９に係る構成を、
例えば第１実施形態と同様の製造方法を用いて形成する場合、第４層間絶縁膜４４に対し
て、既に説明した変形例と同様のＣＭＰ処理が行われるのが好ましい。これにより、第４
層間絶縁膜４４の表面を平坦化できる。そして特に、コンタクトホール８９の入口付近が
、側壁膜８７の存在によってコンタクトホール８９単独の場合よりも緩やかな傾斜形状或
いは段差形状とされている。このため、画素電極９ａと、該画素電極９ａにおける小穴８
８の底部に形成された一部分についても、大きく窪むこと或いは殆ど窪むことがなくなり
、平坦化できる。

従って、画素電極９ａによる電気光学動作を、コンタクトホール８９の周辺を含めて平
坦化された該画素電極９ａにより良好に行える。より具体的には、平坦化された画素電極
９ａを用いることで、段差による液晶５０の配向不良や、縦電界の乱れによる液晶５０の
配向不良を低減できる。このように、高品位の画層表示が可能な電気光学装置を製造でき
る。

＜６−３；電気光学装置の製造方法＞
次に、図２９を参照して上述した電気光学装置の製造方法について説明する。図２９に
は、電気光学装置の製造方法における一連の工程をフローチャートによって示してある。

本実施形態によれば、先ず第１層間絶縁膜４１の下層側に位置する、走査線１１ａ、Ｔ
ＦＴ３０等が、スパッタリング、パターニング処理等を用いて形成され（ステップＳ１）
、その後、これらの上に第１層間絶縁膜４１が形成される（ステップＳ２）。その後、図
１等を参照して既に詳細に説明したように、側壁膜８５を有するコンタクトホール８３が
形成される（ステップＳ３）。その後、第１層間絶縁膜４１の上層側に位置する、データ
線６ａ、画素電極９ａ等が、スパッタリング、パターニング処理等を用いて形成され（ス
テップＳ４）、基板装置の完成後に、対向基板２０との貼り合わせ、液晶の真空吸引等が
行われて、当該電気光学装置が完成する。

以上の結果、本製造方法によれば、画素ピッチや配線ピッチの微細化に適していると共
に低抵抗化が容易であるコンタクトホールを有する電気光学装置を比較的容易にして製造
可能となる。

＜７；電子機器＞
次に、以上詳細に説明した電気光学装置を各種の電子機器に適用される場合について説
明する。

＜７−１；プロジェクタ＞
まず、この電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて
説明する。図２６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるよう
に、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニッ
ト１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ラ
イトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミ
ラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとして
の液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。液晶装置１１１０Ｒ
、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した電気光学装置と同等であり、画像信号
処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして
、これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向
から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９
０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投
射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

＜７−２；モバイル型コンピュータ＞
次に、この電気光学装置たる液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用し
た例について説明する。図２７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４
と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は
、先に述べた電気光学装置にバックライトを付加することにより構成されている。

＜７−３；携帯電話＞
さらに、この電気光学装置たる液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図
２８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複
数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この
反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けら
れる。

尚、図２６から図２８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューフ
ァインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ
、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、
タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可
能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更
を伴う基板装置及び電気光学装置、並びにその製造方法もまた本発明の技術的範囲に含ま
れるものである。

本発明の第１実施形態に係る基板装置の構成例を示す断面図（図１（ａ））及び平面図（図１（ｂ））である。 第１実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その１）である。 第１実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その２）である。 第１実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その３）である。 第１実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その４）である。 第１実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その５）である。 本発明の第２実施形態に係る基板装置の構成例を示す断面図（図７（ａ））及び平面図（図７（ｂ））である。 第２実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その１）である。 第２実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その２）である。 第２実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その３）である。 第２実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その４）である。 本発明の第３実施形態に係る基板装置の構成例を示す断面図である。 本発明の第４実施形態に係る基板装置の構成例を示す断面図（図１３（ａ））及び平面図（図１３（ｂ））である。 第４実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その１）である。 第４実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その２）である。 第４実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その３）である。 第４実施形態に係る基板装置の製造方法を、順を追って示す製造工程図（その４）である。 第４実施形態において、下層導電部に対してコンタクトホールがアラインメントずれを起こした場合における、基板装置の構成例を示す断面図（図１８（ａ））及び平面図（図１８（ｂ））である。 本変形例に係る一の構成を示す断面図である。 電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図２０のＨ−Ｈ’断面図である。 電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図２３のうち、特に走査線、ＴＦＴ、及び該ＴＦＴに対して形成されるコンタクトホールの配置関係を示すためこれらの要素を抜き出して描いた平面図である。 図２３のＡ−Ａ´断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す図である。 電気光学装置の製造方法における一連の工程を示すフローチャートである。

符号の説明

７０２…下層導電部、７０４…層間絶縁膜、７０６…コンタクトホール、７０８…側壁
膜、７１０…上層導電部

Claims (15)

1. 基板上に、一の導電膜からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下
   層導電部を形成する工程と、
   該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記層間絶縁膜に、前記下層導電部にまで至るコンタクトホールを開孔する工程と、
   前記コンタクトホール内も含めて前記層間絶縁膜上に、材料膜を成膜する工程と、
   前記材料膜をエッチバックすることで、前記コンタクトホール外における前記層間絶縁
   膜上に形成された前記材料膜部分を除去すると共に、前記コンタクトホール内に、前記コ
   ンタクトホールの縁における径より小径であり且つ前記コンタクトホールの底に向かう小
   穴を規定する側壁膜を前記材料膜から形成する工程と、
   該層間絶縁膜上に、他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部
   であり、前記層間絶縁膜上における前記小穴外から前記小穴内まで連続的に設けられる上
   層導電部を形成する工程と
   を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。
2. 基板上に、一の導電膜からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下
   層導電部を形成する工程と、
   該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記層間絶縁膜に、前記下層導電部にまで至るコンタクトホールを開孔する工程と、
   前記コンタクトホール内も含めて前記層間絶縁膜上に、一の材料膜を成膜する工程と、
   前記一の材料膜をエッチバックすることで、前記コンタクトホール外における前記層間
   絶縁膜上に形成された前記一の材料膜部分を除去すると共に、前記コンタクトホール内に
   、前記コンタクトホールの縁における径より小径であり且つ前記コンタクトホールの底に
   向かう一の小穴を規定する第１側壁膜を前記一の材料膜から形成する工程と、
   前記一の小穴内及びも含めて前記層間絶縁膜上に、他の材料膜を成膜する工程と、
   前記他の材料膜をエッチバックすることで、前記一の小穴外における前記層間絶縁膜上
   に形成された前記他の材料膜部分を除去すると共に、前記一の小穴内に、前記一の小穴の
   縁における径より小径であり且つ前記一の小穴の底に向かう他の小穴を規定する第２側壁
   膜を前記他の材料膜から形成する工程と、
   該層間絶縁膜上に、他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部
   であり、前記層間絶縁膜上における前記他の小穴外から前記他の小穴内まで連続的に設け
   られる上層導電部を形成する工程と
   を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。
3. 前記エッチバックする工程は、前記小穴として前記下層導電部に至る貫通穴を規定する
   ように前記側壁膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置の製造方
   法。
4. 前記エッチバックする工程は、前記小穴として前記下層導電部に至らない非貫通穴を規
   定するように前記側壁膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板装置の
   製造方法。
5. 基板上に、一の導電膜からなる一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部である下
   層導電部を形成する工程と、
   該下層導電部上に、層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記層間絶縁膜に、前記下層導電部にまで至らないコンタクトホール上部を開孔する工
   程と、
   前記コンタクトホール上部内も含めて前記層間絶縁膜上に、材料膜を成膜する工程と、
   前記材料膜をエッチバックすることで、前記コンタクトホール上部外における前記層間
   絶縁膜上に形成された前記材料膜部分を除去すると共に、前記コンタクトホール上部内に
   、前記コンタクトホール上部の縁における径より小径であり且つ前記コンタクトホール上
   部の底へ向かう小穴を規定する側壁膜を前記材料膜から形成する工程と、
   前記小穴内を含む前記層間絶縁膜の一面をエッチングすることで、前記層間絶縁膜に、
   前記コンタクトホール上部より小径であり且つ前記小穴の底から前記下層導電部まで至る
   コンタクトホール下部を開孔する工程と、
   前記層間絶縁膜上に、他の導電膜からなる他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一
   部であり、前記層間絶縁膜上における前記小穴外から前記コンタクトホール下部内まで連
   続的に設けられる上層導電部を形成する工程と
   を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。
6. 前記エッチバックする工程は、前記層間絶縁膜の表面に垂直な方向に指向性を持たせた
   異方位エッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載
   の基板装置の製造方法。
7. 前記エッチバックする工程は、前記小穴の縁に対してテーパを形成することを特徴とす
   る請求項１から６のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
8. 前記材料膜は、導電膜からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載
   の基板装置の製造方法。
9. 前記エッチバックする工程の前又は後に、ＣＭＰ（化学的機械研磨）処理を前記層間絶
   縁膜の一面に対して施す工程を更に備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一
   項に記載の基板装置の製造方法。
10. 前記材料膜は、ポリシリコン膜であり、前記上層導電部を構成する他の導電膜は、該ポ
    リシリコン膜よりもドープ量が多いポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１から
    ９のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法。
11. 前記側壁膜は、前記上層導電部を構成する導電膜よりも遮光性に優れた材料からなるこ
    とを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板装置。
12. 請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板装置の製造方法を含むことを特徴とする
    電気光学装置の製造方法。
13. 請求項９に記載の基板装置の製造方法を含み、
    前記上層導電部を形成する工程は、前記上層導電部として、前記コンタクトホールを介
    して前記下層導電部と接続された画素電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製
    造方法。
14. 請求項１０に記載の基板装置の製造方法と、
    前記基板上に、前記下層導電部にソース又はドレインが接続される薄膜トランジスタを
    形成する工程と
    を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
15. 請求項１１に記載の基板装置の製造方法と、
    前記基板上に、前記下層導電部にソース又はドレインが接続される薄膜トランジスタを
    形成する工程と、
    前記基板上に、平面的に見て前記薄膜トランジスタ、前記下層導電部及び前記コンタク
    トホールを覆うよう遮光膜を形成する工程と
    を備えたことを特徴とする基板装置の製造方法。

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