JP2005062384A - 波長可変光フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 静電ギャップを高精度で形成し、低い駆動電圧で駆動し、製造時及び使用時のスティッキングを防止する。
【解決手段】 本発明による波長可変光フィルタは、上面に高反射膜２３が形成され、自在に上下動する可動体２１ａを支持する可動部２と、可動体２１ａと静電ギャップＥＧを隔てて対向した駆動電極１２が形成された駆動電極部１と、高反射膜２３と光学ギャップＯＧを隔てて対向した高反射膜３２が形成された光学ギャップ部３とが互いに接合されて構成されている。
【選択図】 図１
【解決手段】 本発明による波長可変光フィルタは、上面に高反射膜２３が形成され、自在に上下動する可動体２１ａを支持する可動部２と、可動体２１ａと静電ギャップＥＧを隔てて対向した駆動電極１２が形成された駆動電極部１と、高反射膜２３と光学ギャップＯＧを隔てて対向した高反射膜３２が形成された光学ギャップ部３とが互いに接合されて構成されている。
【選択図】 図１
Description
本発明は、波長分割多重化（ＷＤＭ：Wavelegth Division Multiplexing）光通信網等において、光ファイバ中を伝送される異なる波長を有する複数の光の中から所望の波長を有する光を取り出すために光を波長選択的に透過させる波長可変光フィルタ及びその製造方法に関する。
従来の波長可変光フィルタは、ファブリ・ペロー干渉計の原理を利用したものであり、基板上に形成された固定鏡と、固定鏡との間に静電ギャップを形成した状態で固定鏡に対向配置された可動鏡とを有し、可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極との間に駆動電圧を印加して可動鏡を固定鏡に対して変位させることにより静電ギャップの長さを可変としている。この静電ギャップは、マイクロマシーニング技術を用いて、固定鏡と可動鏡との間に予め所定の形状及び大きさの犠牲層を設けた後、この犠牲層をエッチングによりすべて、あるいは一部を除去することによって形成されている（例えば、特許文献１参照。）。以下、この技術を第１の従来例と呼ぶ。
また、従来の波長可変光フィルタには、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハの二酸化シリコン（ＳｉＯ2）層を犠牲層として用いて、上記静電ギャップを形成しているものもある（例えば、特許文献２参照。）。以下、この技術を第２の従来例と呼ぶ。
波長可変光フィルタでは、可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極との間に形成される平行板コンデンサに駆動電圧を印加することにより可動鏡と固定鏡との間に静電引力を発生させ、可動鏡を固定鏡に対して変位させている。ここで、面積Ｓ、間隔ｄの２枚の極板が誘電率εの誘電体を隔てて対向して構成される平行板コンデンサに駆動電圧Ｖを印加した場合、２枚の極板に働く静電引力Ｆは、周知の通り、式（１）で表される。
Ｆ＝（１／２）・ε・（Ｖ／ｄ）2・Ｓ ・・・（１）
Ｆ＝（１／２）・ε・（Ｖ／ｄ）2・Ｓ ・・・（１）
上記した第１の従来例では、上記間隔ｄに相当する上記静電ギャップの長さは犠牲層の膜厚だけで決定されるが、製造時の製膜条件を厳密に設定したとしても犠牲層の膜厚にバラツキが生じるおそれがある。このバラツキが生じた場合には、可動電極と駆動電極との間に、ある駆動電圧Ｖを印加しても設計時にその駆動電圧Ｖに対して想定した静電引力Ｆを発生させることができないため、設計通りに可動鏡を変位させることができない。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要があるため、使い勝手が悪いという課題があった。さらに、上記犠牲層の膜厚のバラツキが大きい場合には、光ファイバ中を伝送される異なる波長を有する複数の光のうち、短い波長帯域の光又は長い波長帯域の光を取り出すことができない波長可変光フィルタが製造されてしまうおそれがある。
一方、上記した第２の従来例では、可動鏡と駆動電極との間が絶縁されていないため、何らかの原因で可動電極と駆動電極との間に大きな駆動電圧が印加された場合には、上記静電引力により可動鏡が駆動電極に張り付くスティッキング（sticking）と呼ばれる現象が発生し、上記駆動電圧を取り除いても可動鏡が駆動電極から離れなくなる場合がある。この場合には、その波長可変光フィルタはそれ以後使用することができない。
さらに、上記した第１及び第２の従来例のいずれの場合も、一旦形成された犠牲層は最終的に除去される。この犠牲層を完全に除去するために、通常、犠牲層の上面に形成されている可動鏡や可動電極等に、リリースホールと呼ばれ、犠牲層をウエットエッチングするエッチング液を犠牲層の形成領域全体に行き渡らせるための孔が形成される。したがって、このリリースホールが形成された分だけ可動電極の面積が減少するので、上記した式（１）から分かるように、所定の静電引力Ｆを発生させるためには、駆動電圧Ｖを高くする必要があり、その分消費電力が増大する。また、上記した第１及び第２の従来例のいずれの場合も、静電ギャップの長さを短く形成した場合には、上記犠牲層を除去する際に、水の表面張力に起因するスティッキングが発生してしまう。このスティッキングが発生した波長可変光フィルタは不良品となる。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、静電ギャップを高精度で形成することができ、低い駆動電圧で駆動することができ、しかも製造時及び使用時のスティッキングを防止することができる波長可変光フィルタ及びその製造方法を得るものである。
本発明に係る波長可変光フィルタでは、一方の面に可動鏡が形成され、自在に上下動する可動体を支持する可動部と、上記可動体と所定の静電ギャップを隔てて対向した駆動電極が形成された駆動電極部と、上記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡が形成された光学ギャップ部とが互いに接合されている。
本発明によれば、静電ギャップが高精度で形成されているとともに、可動体にリリースホールが形成されていないので、低い駆動電圧で駆動することができる。
本発明によれば、静電ギャップが高精度で形成されているとともに、可動体にリリースホールが形成されていないので、低い駆動電圧で駆動することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記駆動電極の上記可動体に対向した領域と、上記可動体の上記駆動電極に対向した領域とのいずれか一方又は両方に絶縁膜が形成されている。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができる。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記可動体の他方の面に形成される反射防止膜が上記絶縁膜を兼ねている。
本発明によれば、少ない製造工程で安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
本発明によれば、少ない製造工程で安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタでは、上記可動部はシリコンからなり、上記駆動電極部又は上記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、上記可動部と上記駆動電極部又は、上記可動部と上記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方は、陽極接合により接合されている。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、第１の基板に第１の凹部を形成した後、上記第１の凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする。また、第２の基板に第２の凹部を形成した後、上記第２の凹部に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする。次に、導電性を有する活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板と上記駆動電極部とを、上記駆動電極と上記活性層とを対向させて接合した後、上記ベース層及び上記絶縁層を順次除去し、上記活性層に可動体を形成した後、上記可動体に可動鏡を形成する。そして、上記第３の工程で製造された構造体と上記光学ギャップ部とを、上記可動鏡と上記固定鏡とを対向させて接合することにより、波長可変光フィルタを製造する。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、第１の基板に第１の凹部を形成した後、上記第１の凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする。また、第２の基板に第２の凹部を形成した後、上記第２の凹部に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする。次に、導電性を有し可動鏡が形成された活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板と上記光学ギャップ部とを、上記可動鏡と上記固定鏡とを対向させて接合した後、上記ベース層及び上記絶縁層を順次除去し、上記活性層に可動体を形成する。そして、上記第３の工程で製造された構造体と上記駆動電極部とを、上記可動体と上記駆動電極とを対向させて接合する。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
本発明によれば、犠牲層を形成することなく、駆動電極と可動体とのギャップが形成される。したがって、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動体等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体が得られる。したがって、製造された波長可変光フィルタを低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第１の工程では、上記駆動電極の、後に上記可動体に対向する領域に絶縁膜を形成する。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記活性層の、後に上記可動体として上記駆動電極に対向する領域に絶縁膜を形成した後、上記駆動電極と上記活性層とを対向させて接合する。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記可動体を形成する前に、後に上記可動体となる領域であって、上記駆動電極に対向することになる領域に絶縁膜を形成する。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記活性層の、後に上記可動体として上記駆動電極に対向する領域に絶縁膜を形成した後、上記駆動電極と上記活性層とを対向させて接合する。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記可動体を形成する前に、後に上記可動体となる領域であって、上記駆動電極に対向することになる領域に絶縁膜を形成する。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記活性層の、後に上記可動体となる領域に反射防止膜とともに上記絶縁膜を形成する。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記可動体を形成する前に、後に上記可動体となる領域に反射防止膜とともに上記絶縁膜を形成する。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができるとともに、少ない製造工程で安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記第３の工程では、上記可動体を形成する前に、後に上記可動体となる領域に反射防止膜とともに上記絶縁膜を形成する。
本発明によれば、製造時及び使用時のスティッキングを防止することができるとともに、少ない製造工程で安価に波長可変光フィルタを構成することができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法では、上記活性層はシリコンからなり、上記第１の基板又は上記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、上記第３の工程又は上記第４の工程のいずれか一方又は両方では、上記接合を陽極接合により行う。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
本発明によれば、極めて高精度で静電ギャップが形成される。したがって、可動体と駆動電極との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体を変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
図１は、本発明の実施の形態における波長可変光フィルタを示す断面図である。なお、図１は、波長可変光フィルタの中央からややずれた位置における断面図である（図２のＡ−Ａ'参照）。
この実施の形態の波長可変光フィルタは、駆動電極部１と、可動部２と、光学ギャップ部３とから構成されており、駆動電極部１と可動部２との間にはその長さが約４μｍの静電ギャップＥＧが、可動部２と光学ギャップ部３との間にはその長さが約３０μｍの光学ギャップＯＧがそれぞれ形成されている。駆動電極部１は、断面略コ字状のガラス基板１１の略中央部に形成された凹部１１ａ上に略リング状の駆動電極１２及び絶縁膜１３が形成されて構成されている。ガラス基板１１は、例えば、ナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）等のアルカリ金属を含有したガラスからなる。この種のガラスとしては、例えば、アルカリ金属を含有したホウケイ酸ガラス、具体的には、コーニング社製のパイレックス（登録商標）・ガラスがある。ガラス基板１１を構成するガラスは、駆動電極部１と可動部２とを陽極接合（後述）により接合する場合には、ガラス基板１１を加熱するため、可動部２を構成するシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことが要求されることから、上記パイレックス（登録商標）・ガラスのうち、コーニング＃７７４０（商品名）が好ましい。
この実施の形態の波長可変光フィルタは、駆動電極部１と、可動部２と、光学ギャップ部３とから構成されており、駆動電極部１と可動部２との間にはその長さが約４μｍの静電ギャップＥＧが、可動部２と光学ギャップ部３との間にはその長さが約３０μｍの光学ギャップＯＧがそれぞれ形成されている。駆動電極部１は、断面略コ字状のガラス基板１１の略中央部に形成された凹部１１ａ上に略リング状の駆動電極１２及び絶縁膜１３が形成されて構成されている。ガラス基板１１は、例えば、ナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）等のアルカリ金属を含有したガラスからなる。この種のガラスとしては、例えば、アルカリ金属を含有したホウケイ酸ガラス、具体的には、コーニング社製のパイレックス（登録商標）・ガラスがある。ガラス基板１１を構成するガラスは、駆動電極部１と可動部２とを陽極接合（後述）により接合する場合には、ガラス基板１１を加熱するため、可動部２を構成するシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことが要求されることから、上記パイレックス（登録商標）・ガラスのうち、コーニング＃７７４０（商品名）が好ましい。
駆動電極１２は、例えば、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属、あるいは透明導電性材料からなる。透明導電性材料としては、例えば、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、あるいは錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等がある。また、駆動電極１２の膜厚は、例えば、０．１〜０．２μｍである。なお、駆動電極１２は、図示しないが、ガラス基板１１の外部に設けられた端子に配線を介して接続されている。絶縁膜１３は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）又は窒化シリコン（ＳｉＮx）からなり、駆動電極１２と後述する可動体２１ａとのスティッキングを防止するために形成されている。
可動部２は、可動部基板２１と、反射防止膜２２と、高反射膜２３とから構成されている。可動部基板２１は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなり、約４μｍの膜厚を有し、図２に示すように、可動体２１ａと、４個のヒンジ２１ｂと、支持部２１ｃとが一体に形成されて構成されている。可動体２１ａは、略円盤状であり、可動部基板２１の略中央に形成されている。可動体２１は、その周縁部に形成された４個のヒンジ２１ｂを介して支持部２１ｃに支持され、自在に上下動する。４個のヒンジ２１ｂは、可動体２１ａの周縁に、隣接するもの同士が約９０度の角度をなして位置している。
反射防止膜２２は、可動体２１ａの下面のほぼ全域に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。反射防止膜２２は、図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射された光が図中下方に反射されるのを防止するとともに、一旦反射防止膜２２の上方に透過された後高反射膜２３で反射された光が図中上方に再度反射されるのを防止する。高反射膜２３は、可動体２１ａの上面のほぼ全域に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。高反射膜２３は、図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射され、一旦その上方に透過された光を、光学ギャップ部３を構成するガラス基板３１の下面に形成された高反射膜３２との間で複数回にわたって反射させるためのものである。反射防止膜２２及び高反射膜２３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜の各膜厚を変更することにより形成される。
光学ギャップ部３は、ガラス基板３１と、高反射膜３２と、反射防止膜３３とから構成されている。ガラス基板３１は、ガラス基板１１と同一の材質のガラスからなり、その略中央部に凹部３１ａが形成された断面略両持ち梁状である。高反射膜３２は、光学ギャップ部３の凹部３１ａの下面に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。高反射膜３２は、図１において可動部２の略中央下方から入射され、一旦その上方に透過された光を、可動部２を構成する高反射膜２３との間で複数回にわたって反射させるためのものである。反射防止膜３３は、光学ギャップ部３の略中央上面に略円盤状に形成され、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。反射防止膜３３は、図１において光学ギャップ部３を構成するガラス基板３１を透過した光が図中下方に反射されるのを防止する。高反射膜３２及び反射防止膜３３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜及び五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜の各膜厚を変更することにより形成される。
次に、上記構成の波長可変光フィルタの製造方法について、図３〜図８を参照して説明する。まず、駆動電極部１を製造するために、コーニング＃７７４０のパイレックス（登録商標）・ガラスからなるガラス基板１４（図３（１）参照）の上面に、図３（２）に示すように、化学的蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置や物理的蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）装置を使用して、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜１５を形成する。ＰＶＤ装置としては、例えば、スパッタリング装置、真空蒸着装置、あるいはイオンプレーティング装置等がある。金属膜１５の膜厚は、例えば、０．１μｍとする。具体的には、クロム（Ｃｒ）膜の場合にはその膜厚を０．１μｍとすれば良いが、金（Ａｕ）膜の場合にはガラス基板１４との密着性が良好でないことから、膜厚が例えば０．０３μｍであるクロム（Ｃｒ）膜を形成した後、膜厚が例えば０．０７μｍである金（Ａｕ）膜を形成する。
次に、金属膜１５の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布し、マスクアライナーで金属膜１５の上面全面に塗布されたフォトレジストを露光した後、現像液で現像するフォトリソグラフィ（photolithography）技術を使用して、ガラス基板１４のうち、後にガラス基板１１の凹部１１ａ（図１参照）となる部分を形成するために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、塩酸又は硫酸（クロム膜の場合）、あるいは王水又は酸素や水の存在下でシアン化物イオンを含む溶液（金膜の場合）（以下、金属エッチング液と呼ぶ。）により金属膜１５のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図３（３）に示すエッチングパターン１６を得る。
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）によりガラス基板１４のうち不要な部分を除去して図３（４）に示す凹部１１ａを形成した後、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液によりエッチングパターン１６を除去して、図３（５）に示すように、約４μｍの深さを有する凹部１１ａが形成されたガラス基板１１を得る。次に、ガラス基板１１の上面に、図３（６）に示すように、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜１７を形成する。金属膜１７の膜厚は、例えば、０．１〜０．２μｍとする。次に、金属膜１７の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、金属膜１７のうち、後に駆動電極１２となる部分を残すために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液により金属膜１７のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図４（１）に示すように、駆動電極１２を得る。次に、ＣＶＤ装置を使用して、図４（２）に示すように、駆動電極１２上に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）又は窒化シリコン（ＳｉＮx）からなる絶縁膜１３を形成する。以上説明した製造工程により、図１に示す駆動電極部１が製造される。
次に、可動部２を製造するために、図５（１）に示すＳＯＩ基板２４を用いる。ＳＯＩ基板２４は、ベース層２５と、絶縁層２６と、活性層２７とから構成されている。ベース層２５は、シリコン（Ｓｉ）からなり、その膜厚は例えば、５００μｍである。絶縁層２６は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなり、その膜厚は例えば、４μｍである。活性層２７はシリコン（Ｓｉ）からなり、その膜厚は例えば、１０μｍである。活性層２７の上面の略中央部に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図５（２）に示す反射防止膜２２を形成する。
次に、図４（２）に示す駆動電極部１と、図５（２）に示す反射防止膜２２が形成されたＳＯＩ基板２４とを、略円盤状の反射防止膜２２が略リング状の駆動電極１２のリング部分に対向するように接合する。この接合には、例えば、陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合を用いる。このうち、陽極接合は、以下に示す工程を経て行われる。まず、駆動電極部１の上面に、反射防止膜２２が形成されたＳＯＩ基板２４を、反射防止膜２２が駆動電極１２のリング部分に対向するように載置した状態において、図示せぬ直流電源のマイナス端子をガラス基板１１に接続するとともに、上記直流電源のプラス端子を活性層２７に接続する。次に、ガラス基板１１を例えば、数百℃程度に加熱しつつ、ガラス基板１１と活性層２７との間に直流電圧を例えば、数百Ｖ程度印加する。ガラス基板１１を加熱することにより、ガラス基板１１内のアルカリ金属のプラスイオン、例えば、ナトリウムイオン（Ｎａ+）が移動しやすくなる。このアルカリ金属のプラスイオンがガラス基板１１内を移動することにより、相対的に、ガラス基板１１の活性層２７との接合面がマイナスに帯電する一方、活性層２７のガラス基板１１との接合面がプラスに帯電する。この結果、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とが電子対を共有する共有結合により、図６に示すように、ガラス基板１１と活性層２７とは強固に接合される。
次に、図６に示す構造体からベース層２５を除去することにより、図７（１）に示す構造体とする。このベース層２５の除去には、ウエットエッチング、ドライエッチング、あるいは研磨を用いる。いずれの除去法においても絶縁層２６が活性層２７に対するエッチングのストッパーの役割を果たすために、駆動電極１２に対向している活性層２７がダメージを受けず、歩留まりの高い波長可変光フィルタを製造することができる。以下、ウエットエッチング除去法及びドライエッチング除去法について説明する。なお、研磨除去法については、半導体製造分野において用いられている周知の研磨除去法を用いることができるので、その説明を省略する。
（１）ウエットエッチング除去法
図６に示す構造体を例えば、１〜４０重量％（好ましくは、１０重量％前後）の濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬することにより、式（２）に示す反応式に基づいてベース層２５を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ→Ｋ2ＳｉＯ3＋２Ｈ2 ・・・（２）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。
図６に示す構造体を例えば、１〜４０重量％（好ましくは、１０重量％前後）の濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬することにより、式（２）に示す反応式に基づいてベース層２５を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
Ｓｉ＋２ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ→Ｋ2ＳｉＯ3＋２Ｈ2 ・・・（２）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。
なお、この場合に用いるエッチング液としては、上記した水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液の他、半導体表面処理剤やフォトリソグラフィ用のポジレジスト用現像液として広く使用されている水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Tetramethyl ammonium hydroxide）水溶液、エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン（ＥＰＤ：Ethylenediamine Pyrocatechol Diazine）水溶液又は、ヒドラジン（Hydrazine）水溶液などがある。このウエットエッチング除去法を用いれば、図６に示す構造体の一団を、生産条件等をほぼ等しくして一括して処理するバッチ処理を行うことができるので、生産性を向上させることができる。
（２）ドライエッチング除去法
図６に示す構造体をドライエッチング装置のチャンバー内に載置し、真空状態にした後、チャンバー内に例えば、圧力３９０Ｐａの二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を６０秒間導入することにより、式（３）に示す反応式に基づいてベース層２５を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
２ＸｅＦ2＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ4 ・・・（３）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。また、この場合のドライエッチングは、プラズマエッチングではないので、ガラス基板１１や絶縁層２６がダメージを受けにくい。なお、上記した二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いたドライエッチングの他、四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化硫黄（ＳＦ6）を用いたプラズマエッチングがある。
図６に示す構造体をドライエッチング装置のチャンバー内に載置し、真空状態にした後、チャンバー内に例えば、圧力３９０Ｐａの二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を６０秒間導入することにより、式（３）に示す反応式に基づいてベース層２５を構成するシリコン（Ｓｉ）がエッチングされる。
２ＸｅＦ2＋Ｓｉ→２Ｘｅ＋ＳｉＦ4 ・・・（３）
この場合のシリコン（Ｓｉ）のエッチングレートは、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）のエッチングレートよりも非常に大きいので、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる絶縁層２６がシリコン（Ｓｉ）からなる活性層２７に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。また、この場合のドライエッチングは、プラズマエッチングではないので、ガラス基板１１や絶縁層２６がダメージを受けにくい。なお、上記した二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を用いたドライエッチングの他、四フッ化炭素（ＣＦ4）や六フッ化硫黄（ＳＦ6）を用いたプラズマエッチングがある。
次に、図７（１）に示す構造体について、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）により、図７（２）に示すように、絶縁層２６をすべて除去する。次に、活性層２７の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、活性層２７のうち、後に可動部基板２１となる部分を残すために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、図７（２）に示す構造体に図示せぬフォトレジストパターンが形成されたものをドライエッチング装置のチャンバー内に載置した後、例えば、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ6）を流量１３０ｓｃｃｍで６秒間、デポジション（堆積）ガスとして八フッ化シクロブタン（Ｃ4Ｆ8）を流量５０ｓｃｃｍで７秒間交互にチャンバー内に導入することにより、活性層２７のうち不要な部分を異方性エッチングで除去する。ここで、ドライエッチング技術を使用して異方性エッチングを行うのは、以下に示す理由による。まず、ウェットエッチング技術を使用した場合、エッチングが進むに従ってエッチング液が可動部基板２１に形成された孔から下方の駆動電極部１側に侵入し、駆動電極１２や絶縁膜１３を除去してしまうが、ドライエッチング技術を使用した場合はそのような危険性がない。また、等方性エッチングを使用した場合には、活性層２７が等方的にエッチングされ、サイドエッチングが発生する。特に、ヒンジ２１ｂにサイドエッチングが発生した場合には、強度が弱くなり、耐久性が劣化してしまう。これに対し、異方性エッチングを使用した場合には、サイドエッチングが発生せず、エッチング寸法の制御に優れており、ヒンジ２１ｂの側面も垂直に形成されるため、強度が弱くなることはない。
次に、上記異方性エッチング後の構造体について、図示せぬフォトレジストパターンを、例えば、酸素プラズマを使用して除去して、図７（３）に示すように、可動部基板２１を得る。ここで、酸素プラズマを使用して図示せぬフォトレジストパターンを除去するのは、以下に示す理由による。すなわち、剥離液や硫酸その他の酸性の溶液を用いて図示せぬフォトレジストパターンを除去した場合、剥離液や酸性の溶液が可動部基板２１に形成された孔から下方の駆動電極部１側に侵入し、駆動電極１２や絶縁膜１３を除去してしまうが、酸素プラズマを使用した場合はそのような危険性がないからである。
次に、可動部基板２１の上面の略中央部に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図７（４）に示す高反射膜２３を形成する。以上説明した製造工程により、図１に示す可動部２が製造される。
次に、光学ギャップ部３を製造するために、コーニング７７４０のパイレックス（登録商標）・ガラスからなるガラス基板３４（図８（１）参照）の上面に、図８（２）に示すように、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、金（Ａｕ）やクロム（Ｃｒ）等の金属膜３５を形成する。金属膜３５として金（Ａｕ）を用いた場合、その膜厚は例えば、０．０７μｍ、金属膜３５としてクロム（Ｃｒ）を用いた場合、その膜厚は例えば、０．０３μｍとする。
次に、金属膜３５の上面全面にフォトレジスト（図示略）を塗布し、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、ガラス基板３４のうち、後にガラス基板３１の凹部３１ａ（図１参照）となる部分を形成するために、フォトレジストパターン（図示略）を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液により金属膜３５のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図８（３）に示すエッチングパターン３６を得る。
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）によりガラス基板３４のうち不要な部分を除去して図８（４）に示す凹部３１ａを形成した後、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液によりエッチングパターン３６を除去して、図８（５）に示すように、凹部３１ａが形成されたガラス基板３１を得る。なお、ガラス基板３１が図８（５）に示すように、断面略両持ち梁状となるのは、フッ化水素酸（ＨＦ）により等方的にエッチングされるためである。次に、ガラス基板３１の凹部３１ａの上面及び略中央下面に、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置を使用して、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の薄膜と五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の薄膜とを交互に、例えば、１０〜２０層程度積層することにより、図８（６）に示す高反射膜３２及び反射防止膜３３を形成する。以上説明した製造工程により、図１に示す光学ギャップ部３が製造される。
次に、図７（４）に示す構造体と、図８（６）に示す光学ギャップ部３とを、略円盤状の高反射膜２３が略円盤状の高反射膜３２に対向するように接合する。この接合には、例えば、上記した陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合を用いる。この接合の際、内部を真空にしたり（真空封止）、内部を最適圧力として（減圧封止）も良い。以上説明した製造工程により、図１に示す波長可変光フィルタが製造される。
次に、上記構成の波長可変光フィルタの動作について、図１を参照して説明する。駆動電極１２と可動体２１ａとの間には駆動電圧を印加する。この駆動電圧は、例えば、６０Ｈｚの交流正弦波電圧やパルス状の電圧であり、駆動電極１２にはガラス基板１１の外部に設けられた端子及び配線（ともに図示略）を介して印加する一方、可動体２１ａには支持部２１ｃ及びヒンジ２１ｂ（図２参照）を介して印加する。この駆動電圧による電位差のため、駆動電極１２と可動体２１ａとの間に静電引力が発生し、可動体２１ａが駆動電極１２側に変位する、すなわち、静電ギャップＥＧ及び光学ギャップＯＧが変化する。このとき、ヒンジ２１ｂが弾性を有しているため、可動体２１ａは弾性的に変位する。
この波長可変光フィルタに、複数（例えば、６０〜１００個）の赤外の波長を有する光が図１において駆動電極部１の略中央下方（図１の矢印参照）から入射し、ガラス基板１１を透過する。この光は、反射防止膜２２によりほとんど反射されず、かつ、シリコンからなる可動体２１ａを透過して、下方に高反射膜２１が、上方に高反射膜３２がそれぞれ形成された空間（反射空間）に進入する。上記反射空間に進入した光は、高反射膜２３と高反射膜３２との間で反射を繰り返し、最終的に高反射膜３２及びガラス基板３１を透過してこの波長可変光フィルタの上方から出射する。このとき、ガラス基板３１の上面に反射防止膜３３が形成されているため、光がガラス基板３１と空気の界面でほとんど反射されずに出射する。
上記の高反射膜３２（固定鏡）と高反射膜２３（可動鏡）との間で光が反射を繰り返す過程において、高反射膜３２と高反射膜２３との間の距離（光学ギャップＯＧ）に対応する干渉条件を満たさない波長の光は急激に減衰し、この干渉条件を満たした波長の光だけが残って最終的にこの波長可変光フィルタから出射する。これがファブリ・ペロー干渉計の原理であり、この干渉条件を満たした波長の光が透過することとなるため、駆動電圧を変更することにより、可動体２１ａが変位して光学ギャップＯＧが変更されると、透過する光の波長を選択することが可能となる。
このように、この実施の形態による波長可変光フィルタは、ガラス基板１１を有する駆動電極部１と、シリコン（Ｓｉ）からなる可動部２と、ガラス基板３１を有する光学ギャップ部３とを接合して構成されているので、静電ギャップＥＧが高精度で形成される。特に、陽極接合を用いた場合には、極めて高精度で静電ギャップＥＧが形成される。したがって、可動体２１ａと駆動電極１２との間に、ある駆動電圧を印加すれば、設計時にその駆動電圧に対して想定した静電引力を発生させることができ、設計通りに可動体２１ａを変位させることができる。この結果、各波長可変光フィルタごとに、各波長を有する光を取り出すための駆動電圧を調整して設定する必要がないため、使い勝手が良く、また光ファイバ中を伝送される異なる波長を有するすべての光を取り出すことができる。
また、この実施の形態による波長可変光フィルタでは、犠牲層を形成することなく、静電ギャップＥＧが形成されているとともに、駆動電極１２上に絶縁膜１３が形成されている。したがって、たとえ静電ギャップＥＧの長さを短く形成したとしても、上記した第１及び第２の従来例とは異なり、製造時及び使用時のいずれの場合にも、スティッキングを防止することができる。この結果、歩留まり及び耐久性を向上させることができる。さらに、この実施の形態による波長可変光フィルタでは、製造過程で犠牲層が形成されないため、その犠牲層を除去するためのリリースホールを可動部基板２１等に形成する必要がなく、その分設計通りの面積を有する可動体２１ａが得られる。したがって、上記した第１及び第２の従来例と比べて、低い駆動電圧で駆動することができ、その分消費電力を削減することができる。
また、この実施の形態による波長可変光フィルタでは、ガラス基板３４に高精度のガラスエッチングを施すことにより凹部３１ａを形成するとともに、光学ギャップ部３と可動部２とを接合、特に、陽極接合しているので、光学ギャップＯＧも高精度に形成することができる。このため、波長可変光フィルタを安定的に駆動することができる。さらに、この実施の形態による波長可変光フィルタでは、透明なガラス基板３１が封止キャップをも兼ねているので、波長可変光フィルタの動作をモニタすることができる。
また、この実施の形態による波長可変光フィルタでは、ＳＯＩ基板２４から可動部２を形成しているので、高精度な膜厚を有する可動体２１ａを形成することができる。また、ＳＯＩ基板２４として、一般に市販されているものを用いた場合には、既にその製造メーカによって活性層２７の表面が鏡面に仕上げられているので、それを利用して高精度な反射防止膜２２及び高反射膜２３を形成することができる。
以上、この実施の形態を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
例えば、上述の実施の形態においては、可動部２を製造するのにＳＯＩ基板２４を用いる例を示したが、これに限定されず、ＳＯＳ（Silicon on Sapphire）基板を用いてもよく、またその上面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜が形成されたシリコン基板と、他のシリコン基板とを上面同士を重ねて張り合わせたものを用いても良い。
また、上述の実施の形態においては、駆動電極部１及び光学ギャップ部３の両方をガラス基板で構成する例を示したが、これに限定されず、駆動電極部１及び光学ギャップ部３は、赤外等の所望の透過波長帯域の光を透過する材料、例えば、シリコン、サファイヤ、ゲルマニウムなどでも良い。
例えば、上述の実施の形態においては、可動部２を製造するのにＳＯＩ基板２４を用いる例を示したが、これに限定されず、ＳＯＳ（Silicon on Sapphire）基板を用いてもよく、またその上面に二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜が形成されたシリコン基板と、他のシリコン基板とを上面同士を重ねて張り合わせたものを用いても良い。
また、上述の実施の形態においては、駆動電極部１及び光学ギャップ部３の両方をガラス基板で構成する例を示したが、これに限定されず、駆動電極部１及び光学ギャップ部３は、赤外等の所望の透過波長帯域の光を透過する材料、例えば、シリコン、サファイヤ、ゲルマニウムなどでも良い。
また、上述の実施の形態においては、ヒンジ２１ｂは４個である例を示したが、これに限定されず、ヒンジの数は、３個、５個、６個以上でも良い。この場合、隣接するヒンジは、可動体２１ａの周辺部に等距離となる位置に形成する。また、上述の実施の形態においては、駆動電極部１と図５（２）に示す構造体を接合した後に可動部２を形成し、その後図７（４）に示す構造体と光学ギャップ部３とを接合する例を示したが、これに限定されない。例えば、まず、光学ギャップ部３と活性層２７に高反射膜２３が形成されたＳＯＩ基板２４とを接合した後に可動部２を形成し、その後これらと駆動電極部１とを接合しても良い。このように、この実施の形態による波長可変光フィルタは、製造工程に自由度がある。
また、上述の実施の形態においては、駆動電極１２上に絶縁膜１３を形成する例を示したが、これに限定されず、可動体２１ａの下面であって、少なくとも駆動電極１２に対向した領域に絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜の形成方法としては、例えば、シリコンを酸化性雰囲気中で加熱する熱酸化や、ＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）−ＣＶＤ装置を使用して、それぞれ二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜を形成する。また、可動体２１ａの略中央下面に形成される反射防止膜２２を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜も五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）膜もともに絶縁体である。そこで、反射防止膜２２を可動体２１ａの下面全面に形成して、上記した絶縁膜として兼用しても良い。この場合、可動体２１ａの下面の周辺部については、反射防止膜２２として機能するだけの層数を形成する必要はなく、絶縁膜として機能するだけの層数形成すれば良い。さらに、上記絶縁膜１３と、可動体２１ａの下面に形成する絶縁膜との両方を形成しても良い。このように、反射防止膜２２を絶縁膜として兼用すれば、少ない製造工程で上述の実施の形態と同様の効果を得ることができ、安価に波長可変光フィルタを構成することができる。また、上述の実施の形態においては、光学ギャップ部３の下面全面に高反射膜３２を形成する例を示したが、これに限定されず、高反射膜３２は、光学ギャップ部３の下面のうち、高反射膜２３に対向した領域だけに形成しても良い。
１ 駆動電極部、２ 可動部、３ 光学ギャップ部、１１，１４，３１，３４ ガラス基板、１１ａ，３１ａ 凹部、１２ 駆動電極、１３ 絶縁膜、１５，１７，３５ 金属膜、１６，３６ エッチングパターン、２１ 可動部基板、２１ａ 可動体、２１ｂ ヒンジ、２１ｃ 支持部、２２，３３ 反射防止膜、２３，３２ 高反射膜、２４ ＳＯＩ基板、２５ ベース層、２６ 絶縁層、２７ 活性層、ＥＧ 静電ギャップ、ＯＧ 光学ギャップ。
Claims (12)
- 一方の面に可動鏡が形成され、自在に上下動する可動体を支持する可動部と、
前記可動体と所定の静電ギャップを隔てて対向した駆動電極が形成された駆動電極部と、
前記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡が形成された光学ギャップ部と
が互いに接合されていることを特徴とする波長可変光フィルタ。 - 前記駆動電極の前記可動体に対向した領域と、前記可動体の前記駆動電極に対向した領域とのいずれか一方又は両方に絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の波長可変光フィルタ。
- 前記可動体の他方の面に形成される反射防止膜が前記絶縁膜を兼ねることを特徴とする請求項２記載の波長可変光フィルタ。
- 前記可動部はシリコンからなり、前記駆動電極部又は前記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、前記可動部と前記駆動電極部又は、前記可動部と前記光学ギャップ部のいずれか一方又は両方は、陽極接合により接合されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の波長可変光フィルタ。
- 第１の基板に第１の凹部を形成した後、前記第１の凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする第１の工程と、
第２の基板に第２の凹部を形成した後、前記第２の凹部に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする第２の工程と、
導電性を有する活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板と前記駆動電極部とを、前記駆動電極と前記活性層とを対向させて接合した後、前記ベース層及び前記絶縁層を順次除去し、前記活性層に可動体を形成した後、前記可動体に可動鏡を形成する第３の工程と、
前記第３の工程で製造された構造体と前記光学ギャップ部とを、前記可動鏡と前記固定鏡とを対向させて接合する第４の工程と
を有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。 - 第１の基板に第１の凹部を形成した後、前記第１の凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする第１の工程と、
第２の基板に第２の凹部を形成した後、前記第２の凹部に固定鏡を形成して光学ギャップ部とする第２の工程と、
導電性を有し可動鏡が形成された活性層、絶縁層及びベース層が順次積層された第３の基板と前記光学ギャップ部とを、前記可動鏡と前記固定鏡とを対向させて接合した後、前記ベース層及び前記絶縁層を順次除去し、前記活性層に可動体を形成する第３の工程と、
前記第３の工程で製造された構造体と前記駆動電極部とを、前記可動体と前記駆動電極とを対向させて接合する第４の工程と
を有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。 - 前記第１の工程では、前記駆動電極の、後に前記可動体に対向する領域に絶縁膜を形成することを特徴とする請求項５又は６記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 前記第３の工程では、前記活性層の、後に前記可動体として前記駆動電極に対向する領域に絶縁膜を形成した後、前記駆動電極と前記活性層とを対向させて接合することを特徴とする請求項５又は７記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 前記第３の工程では、前記活性層の、後に前記可動体となる領域に反射防止膜とともに前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項８記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 前記第３の工程では、前記可動体を形成する前に、後に前記可動体となる領域であって、前記駆動電極に対向することになる領域に絶縁膜を形成することを特徴とする請求項６又は７記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 前記第３の工程では、前記可動体を形成する前に、後に前記可動体となる領域に反射防止膜とともに前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１０記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 前記活性層はシリコンからなり、前記第１の基板又は前記第２の基板のいずれか一方又は両方はアルカリ金属を含有したガラスからなり、前記第３の工程又は前記第４の工程のいずれか一方又は両方では、前記接合を陽極接合により行うことを特徴とする請求項５乃至１１のいずれか１に記載の波長可変光フィルタの製造方法。
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