JP2005062380A - 波長可変光フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 エアダンピング対策を施した構成の波長可変フィルタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】 ある波長の光を反射する高反射膜23が一方の面に形成され、一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体21aを有する可動部2と、所定の静電ギャップEGを隔てて可動体21aと対向する駆動電極12を有する駆動電極部1と、高反射膜23と所定の光学ギャップOGを隔てて対向した高反射膜32を有する光学ギャップ部3とが互いに接合された波長可変光フィルタであって、静電ギャップEG及び光学ギャップOGにより形成される空間と外部とを通じてエアダンピングを防止するためのダンピング防止穴18が開口されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 ある波長の光を反射する高反射膜23が一方の面に形成され、一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体21aを有する可動部2と、所定の静電ギャップEGを隔てて可動体21aと対向する駆動電極12を有する駆動電極部1と、高反射膜23と所定の光学ギャップOGを隔てて対向した高反射膜32を有する光学ギャップ部3とが互いに接合された波長可変光フィルタであって、静電ギャップEG及び光学ギャップOGにより形成される空間と外部とを通じてエアダンピングを防止するためのダンピング防止穴18が開口されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、波長分割多重化(WDM:Wavelegth Division Multiplexing )光通信網等において、光ファイバ中を伝送する異なる波長を有する複数の光の中から所望の波長を有する光を取り出すために光を波長選択的に透過させる波長可変光フィルタ及びその製造方法に関するものである。
従来の波長可変光フィルタは、ファブリ・ペロー干渉計の原理を利用したものである。基板上に固定鏡を形成し、その固定鏡と所定の間隔(以下、静電ギャップという)で平行に可動鏡を対向配置する。可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極との間に駆動電圧を印加することで、可動鏡が固定鏡に対して静電ギャップの範囲内で相対的に変化する。この静電ギャップは、マイクロマシーニング技術を用いて、固定鏡と可動鏡との間に予め所定の形状及び大きさの犠牲層を設けた後、この犠牲層をエッチングによりすべて、あるいは一部を除去することによって形成する(例えば、特許文献1参照)。
また、従来の波長可変光フィルタには、SOI(Silicon on Insulator)ウェハの二酸化シリコン(SiO2 )層を犠牲層として用いて、上記静電ギャップを形成しているものもある(例えば、特許文献2参照)。
特開2002−174721公報([請求項9],[0005],[0018],[0037],[0049]〜[0056]、図6)
米国特許6341039号明細書(第6欄〜第7欄、図4A〜図4I)
このように、波長可変光フィルタでは可動鏡に設けられた可動電極と固定鏡に設けられた固定電極とにより形成される平行板コンデンサに駆動電圧を印加することにより可動鏡と固定鏡との間に静電引力を発生させ、可動鏡を固定鏡に対して変化させている。
ここで、上記のような波長可変光フィルタにおいては、可動電極となり、可動鏡を変化させる可動体の厚さはマイクロメートルのオーダであり、その可動体の変化(振動)もマイクロメートルのオーダで行われる。このオーダのデバイスが振動すると、慣性力よりも粘性力が支配的となる。可動体を保護する等の目的で可動体をパッケージ(封止)してしまう場合もあるが、その際、何の対策も行わず、可動体と共に空気を閉じ込めてしまうと、可動体の駆動時(変化時)に、空気の粘性によりエアダンピングが発生し、振動が減衰してしまう。エアダンピングが発生すると、可動体の変化量も少なくなり、また、駆動周波数も低下する。にもかかわらず、エアダンピング対策に言及した文献は存在せず、対策がなされていないのが現状である。
本発明は、上記のような課題を解決するためにエアダンピング対策を施した構成の波長可変フィルタ及びその製造方法を得ることを目的とする。
本発明に係る波長可変光フィルタは、所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、その一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、所定の静電ギャップを隔てて可動体と対向する駆動電極と、可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間と外部とを通じてエアダンピングを防止するための穴が開口されている。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、その構造上生じ得るエアダンピングの問題を、穴を開口することによって、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、その構造上生じ得るエアダンピングの問題を、穴を開口することによって、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタは、エアダンピングを防止するための穴は、駆動電極を有する基板に設けられている。
本発明によれば、構造上、開口しやすいので、形成を簡単に行うことができる。また、外部からの光が入射する側に位置するので、駆動電極を有する基板の一部を開口することにより、入射する光から可動体までの間には障害物がなくなる。
本発明によれば、構造上、開口しやすいので、形成を簡単に行うことができる。また、外部からの光が入射する側に位置するので、駆動電極を有する基板の一部を開口することにより、入射する光から可動体までの間には障害物がなくなる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタは、エアダンピングを防止するための穴は、外部から可動体に入射する光の方向に沿って開口している。
本発明によれば、入射する光から可動体までの間には障害物となる駆動電極を有する基板の一部がないので、入射する光を減衰させてしまうことはない。また、駆動電極を有する基板の一部があった場合には設けなくてはならない反射防止膜を成膜する必要がなく、プロセスの簡素化を図ることができる。
本発明によれば、入射する光から可動体までの間には障害物となる駆動電極を有する基板の一部がないので、入射する光を減衰させてしまうことはない。また、駆動電極を有する基板の一部があった場合には設けなくてはならない反射防止膜を成膜する必要がなく、プロセスの簡素化を図ることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタは、所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、その一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、所定の静電ギャップを隔てて可動体と対向する駆動電極と、可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間が真空状態である。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を真空状態にすることによって、空気(気体)の粘性力を無くしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態を保っているので、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を真空状態にすることによって、空気(気体)の粘性力を無くしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態を保っているので、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタは、所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、その一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、所定の静電ギャップを隔てて可動体と対向する駆動電極と、可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間の圧力が大気圧より低い状態である。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を大気圧より低い状態にすることによって、空気(気体)の粘性力を少なくしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態であるため、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製することができ、その各部を接合することにより、設計通りの精度の高い波長可変光フィルタを得ることができる。そして、静電ギャップ及び光学ギャップにより形成される空間を大気圧より低い状態にすることによって、空気(気体)の粘性力を少なくしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態であるため、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタは、少なくとも駆動電極を有する基板をガラス基板で構成する。
本発明によれば、少なくとも駆動電極部にガラス基板を用いることにより、穴を開口する加工方法の選択幅を広げることができる。
本発明によれば、少なくとも駆動電極部にガラス基板を用いることにより、穴を開口する加工方法の選択幅を広げることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法は、固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を移動させ、固定鏡と可動鏡との間で反射する光から所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、第1の基板に第1の凹部を形成し、その凹部の底面に駆動電極を形成する第1の工程と、第2の基板に第2の凹部を形成し、その凹部の底面に固定鏡を形成する第2の工程と、第3の基板と第1の基板を接合し、可動体、支持体及び可動体と厚さが異なる吊り手段を第3の基板に一体形成し、可動体上に可動鏡を形成し、さらに第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する第3の工程と、可動鏡と固定鏡とを対向させて第3の基板を接合する第4の工程とを少なくとも有するものである。この第1の工程と第2の工程との手順の順序は任意でよい。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、その製造工程において、駆動電極を有する第1の基板に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する工程を有することにより、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、その製造工程において、駆動電極を有する第1の基板に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する工程を有することにより、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法は、固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を垂直方向に移動させ、固定鏡と可動鏡との間で反射する光から所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、第1の基板に第1の凹部を形成し、その凹部に駆動電極を形成し、さらに第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する第1の工程と、第2の基板に第2の凹部を形成し、その凹部に固定鏡を形成する第2の工程と、可動鏡が形成された第3の基板と固定鏡とを対向させて接合し、可動体、支持体及び可動体と厚さが異なる吊り手段を第3の基板に形成する第3の工程と、第3の工程で製造された構造体と駆動電極とを対向させて接合する第4の工程とを少なくとも有するものである。この第1の工程と第2の工程との手順の順序は任意でよい。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、その製造工程において、駆動電極部に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する工程を有することにより、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。しかも、その手順において、あらかじめ駆動電極部に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口しておいて他の部材と接合することができるので、穴の開口時に他の部材を損傷させる危険がなく、歩留まりを高くすることができる。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、その製造工程において、駆動電極部に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する工程を有することにより、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。しかも、その手順において、あらかじめ駆動電極部に第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口しておいて他の部材と接合することができるので、穴の開口時に他の部材を損傷させる危険がなく、歩留まりを高くすることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法は、レーザ光による加工又は機械を用いた加工によりエアダンピング防止用の穴を開口する。
本発明によれば、レーザ光による加工又は機械を用いた加工により、簡単に穴をあけることができる。また、駆動電極部の材料、厚さ等に応じた選択幅を広く採ることができる。
本発明によれば、レーザ光による加工又は機械を用いた加工により、簡単に穴をあけることができる。また、駆動電極部の材料、厚さ等に応じた選択幅を広く採ることができる。
また、本発明に係る波長可変光フィルタの製造方法は、固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を垂直方向に移動させ、固定鏡と可動鏡との間で所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、第1の基板に第1の凹部を形成し、その凹部の底面に駆動電極を形成して駆動電極部とする第1の工程と、第2の基板に第2の凹部を形成し、その凹部の底面に固定鏡を形成する第2の工程と、第3の基板と駆動電極部とを接合し、可動体、支持体及び可動体と厚さが異なる吊り手段を第3の基板に一体形成し、可動体上に可動鏡を形成する第3の工程と、第3の工程で製造された接合体と固定鏡とを対向させ、真空又は大気圧より低い圧力の雰囲気内で接合する第4の工程とを少なくとも有するものである。
また、上記の工程において、第3の工程において可動体等が形成される第3の基板と光学ギャップ部とを接合した後に、第4の工程において、第3の工程で製造された接合体と駆動電極部とを接合する方法もある。この第1の工程と第2の工程との手順の順序は任意でよい。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、第4の工程において、真空又は大気圧より低い圧力の雰囲気内で接合するようにしたので、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を真空状態又は大気圧より低い圧力の状態にすることにより、空気の粘性力により生じるエアダンピングを防止できる。そのため、密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態にすることができるため、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
また、上記の工程において、第3の工程において可動体等が形成される第3の基板と光学ギャップ部とを接合した後に、第4の工程において、第3の工程で製造された接合体と駆動電極部とを接合する方法もある。この第1の工程と第2の工程との手順の順序は任意でよい。
本発明によれば、各部を高精度(特に厚さ方向において)に作製した後、接合して波長可変光フィルタを製造するようにし、そして、第4の工程において、真空又は大気圧より低い圧力の雰囲気内で接合するようにしたので、第1の凹部及び第2の凹部によって形成される空間(可動体が駆動する空間)を真空状態又は大気圧より低い圧力の状態にすることにより、空気の粘性力により生じるエアダンピングを防止できる。そのため、密封しないようにしたので、調整を行わなくても所定の電圧印加で設計通りの動作を行う品質のよい波長可変光フィルタを得ることができる。また、密封状態にすることができるため、空間内にパーティクルや水分が侵入せず、品質劣化を少なくすることができる。
実施の形態1.
図1は本発明の第1の実施の形態における波長可変光フィルタを示す断面図である。本実施の形態の波長可変光フィルタは、駆動電極部1、可動部2及び光学ギャップ部3で構成されている。非駆動時においては、駆動電極部1の駆動電極12(電極絶縁膜13)と可動部2の可動体21aとの間ではその間隔が約4μmの静電ギャップEGが、可動部2の可動体21aと光学ギャップ部3の高反射膜32との間ではその間隔が約30μmの光学ギャップOGがそれぞれ形成されている。なお、図1は、波長可変光フィルタの中央からややずれた位置における断面図である(図2のA−A'断面参照)。
図1は本発明の第1の実施の形態における波長可変光フィルタを示す断面図である。本実施の形態の波長可変光フィルタは、駆動電極部1、可動部2及び光学ギャップ部3で構成されている。非駆動時においては、駆動電極部1の駆動電極12(電極絶縁膜13)と可動部2の可動体21aとの間ではその間隔が約4μmの静電ギャップEGが、可動部2の可動体21aと光学ギャップ部3の高反射膜32との間ではその間隔が約30μmの光学ギャップOGがそれぞれ形成されている。なお、図1は、波長可変光フィルタの中央からややずれた位置における断面図である(図2のA−A'断面参照)。
駆動電極部1は、断面略コ字状のガラス基板11の略中央部に形成された凹部11a上に略リング状の駆動電極12及びその駆動電極上に電極絶縁膜13が形成され、構成されている。第1の基板となるガラス基板11は、例えば、ナトリウム(Na)やカリウム(K)等のアルカリ金属を含有したガラスを材料とする。この種のガラスとしては、例えば、アルカリ金属を含有したホウケイ酸ガラスがある。ここで、後述するように駆動電極部1と可動部2とを陽極接合により接合する場合には、ガラス基板11を加熱するため、ガラス基板11となるガラスは可動部2となるシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいことが要求される。この要求に応えるガラスとしては、例えばコーニング社製#7740(商品名)が好ましい。本実施の形態では、ガラス基板11で構成しているが、例えばシリコン等の他の材料で代用することもできる。
駆動電極12は、例えば、金(Au)やクロム(Cr)等の導電性金属又は透明導電性材料からなる。透明導電性材料としては、例えば、酸化錫(SnO2 )、酸化インジウム(In2 O3 )、あるいは錫ドープ酸化インジウム(ITO:Indium Tin Oxide)等がある。駆動電極12の厚さは例えば0.1〜0.2μmとする。なお、駆動電極12はガラス基板11の外部に設けられた端子(図示せず)と配線を介して電気的に接続されている。絶縁膜13は、例えば二酸化シリコン(SiO2 )、窒化シリコン(SiNx )等からなり、駆動電極12と可動体21aとのスティッキング(貼り付き)を防止するために成膜されている。18はダンピング防止穴である。後述する可動体21aを密封させないための空気穴となる。ダンピング防止穴18の大きさ、形状等は特に定めないが、エアダンピングが生じない大きさにするのはもちろん、外部から入射される光を遮る、反射させる等の影響を与えてはいけないので、それらを考慮した大きさ、形状等にする。なお、通常、外部の端子(図示略)と駆動電極12とを電気的に接続し、電圧を印加させる必要がある。本実施の形態における波長可変光フィルタは、駆動電極12として形成した金属膜がガラス基板11に密着してフィルタ外部に取り出されるので、特に溝や穴を設ける必要がない。したがって、ダンピング防止穴18を設けなければ、密封状態となる。
図2は波長可変光フィルタを構成する可動部基板21の上面図である。可動部2は、可動部基板21、反射防止膜22及び高反射膜23とから構成されている。第3の基板となる可動部基板21は、例えばシリコン(Si)からなり、約10μmの厚さを有している。図2に示すように、本実施の形態では、可動体21aと、吊り手段となる4個のヒンジ21bと、支持部21cとが一体形成されて構成されており、開口部21dとなる空間により仕切られて各部に分かれている。ヒンジ21b及び支持部21cとで支持体を構成する。可動体21aは、略円盤状であり、可動部基板21の略中央に形成されている。可動体21aは、その周縁部に形成された4個のヒンジ21bを介して支持部21cに支持されており、可動部基板21が成す面と垂直な方向に移動することができる。
4個のヒンジ21bは、可動体21aの周縁に、隣接するもの同士が約90度の角度をなして位置している。ここで、本実施の形態では可動体21aを円盤状にしているが、形状は円盤状に限るものではない。例えば、正多角形等、可動体21aが高反射膜32(可動部基板21面)に対して垂直に移動し、所定の光学ギャップOGを保てるような形状であればよい。また、ヒンジ21bの形状やその数については、可動体21aの重量を支えられ、所定の駆動電圧で所望する可動体21aの変位が行えるのであれば、本実施の形態で示した形状、数に限らず、任意でよい。
反射防止膜22は、可動体21aの下面(駆動電極部1側)のほぼ全域に、可動体21aの形状に合わせ、略円盤状に形成される。反射防止膜22は、例えば二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。また、窒化シリコン(SiNx )、シリコンオキシナイトライド(SiON)薄膜を積層して反射防止膜22を形成することもできる。反射防止膜22は、図1において駆動電極部1の略中央下方(図1の矢印参照)から入射された光が図中下方に反射されるのを防止するとともに、一旦反射防止膜22の上方に透過された後、高反射膜23で反射された光が図中上方に再度反射されるのを防止する。可動鏡となる高反射膜23は、可動体21aの上面(光学ギャップ部3側)のほぼ全域に、可動体21aの形状に合わせて略円盤状に形成され、反射防止膜22と同様に二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に積層した多層膜(約2〜40層)からなる。反射防止膜22と高反射膜23とは薄膜の膜厚が異なり、膜厚を調整することにより、所定の波長の光に対して反射膜ともなり得るし、反射防止膜ともなり得る。高反射膜23は、図1において駆動電極部1の略中央下方(図1の矢印参照)から入射され、一旦その上方に透過された光を、光学ギャップ部3を構成するガラス基板31の下面(可動部2側)に形成された高反射膜32との間で複数回にわたって反射させるためのものである。ここで高反射膜とは、例えば反射率95%以上の反射膜をいうものとする。本実施の形態の多層膜では反射率は98%以上である。
光学ギャップ部3は、ガラス基板31、高反射膜32及び反射防止膜33で構成されている。第2の基板となるガラス基板31は、ガラス基板11と同一の材質のガラスからなり、その略中央部に凹部31aが形成された断面略両持ち梁状である。高反射膜32は、光学ギャップ部3の凹部31aの下面(可動部2側)に、高反射膜23と同様、例えば略円盤状に形成され、二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。固定鏡となる高反射膜32は、図1において可動部2の略中央下方から入射され、一旦その上方に透過された光を、可動部2を構成する高反射膜23との間で複数回にわたって反射させるためのものである。反射防止膜33は、光学ギャップ部3の略中央上面に略円盤状に形成され、二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に積層した多層膜からなる。反射防止膜33は、図1において光学ギャップ部3を構成するガラス基板31を透過した光がガラス31界面で反射されるのを防止する。
図3〜図8は第1の実施の形態に係る波長可変光フィルタの製造工程を表す図である。図3及び図4は第1の工程となる駆動電極部1の作製工程を表す。図5は可動部2となるSOI基板24の処理工程を表す。図6及び図7は第3の工程が含まれる、可動部2となるSOI基板24と駆動電極部1との接合体の作製工程を表す。図8は第2の工程となる光学ギャップ部3の作製工程を表す。
まず、駆動電極部1の作製工程を図3及び図4に基づいて説明する。駆動電極部1を製造するために、前述したコーニング社製#7740からなるガラス基板14(図3(1)参照)の一方の面に、図3(2)に示すように、金(Au)やクロム(Cr)等の金属膜15を形成する。金属膜15の形成には、化学的蒸着(CVD:Chemical Vapor Deposition )装置や物理的蒸着(PVD:Physical Vapor Deposition )装置を使用する。ここで、PVD装置としては、例えば、スパッタリング装置、真空蒸着装置、イオンプレーティング装置等がある。
次に、金属膜15上の全面にフォトレジスト(図示略)を塗布する。フォトリソグラフィ(Photolithography)法を用いて、マスクアライナーで金属膜15上の全面に塗布されたフォトレジストを露光した後、現像液で現像し、ガラス基板14のうち、後にガラス基板11の凹部11a(図1参照)となる部分を形成するためのフォトレジストパターン(図示略)を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、塩酸又は硫酸(クロム膜の場合)、あるいは王水又は酸素や水の存在下でシアン化物イオンを含む溶液(金膜の場合)(以下、金属エッチング液と呼ぶ。)により金属膜15のうち不要な部分を除去した後、前述したフォトレジストパターンを除去して、図3(3)に示すエッチングパターン16を得る。
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えばフッ化水素酸(HF)によりガラス基板14のうち不要な部分を除去して図3(4)に示す凹部11aを形成する。その後、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液によりエッチングパターン16を除去して、図3(5)に示すように、約4μmの深さを有する凹部11aが形成されたガラス基板11を得る。
さらに凹部11aが形成された面に、図3(6)に示すように、CVD装置やPVD装置を使用して、金(Au)、クロム(Cr)等の金属膜17を形成する。金属膜17の膜厚は、例えば、0.1〜0.2μmとする。次に、金属膜17上の全面にフォトレジスト(図示略)を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を使用して、金属膜17のうち、後に駆動電極12となる部分を残すためのフォトレジストパターン(図示略)を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液により金属膜17のうち不要な部分を除去した後、前述したフォトレジストパターンを除去して、図4(1)に示すように、駆動電極12を得る。次に、CVD装置を使用して、図4(2)に示すように、駆動電極12上に二酸化シリコン(SiO2 )又は窒化シリコン(SiNx )からなる絶縁膜13を形成する。
ここで、後述するようにSOI基板24をガラス基板11と接合してから、その活性層27をエッチング処理等をし、可動部基板21として形成する。形成を行う際、ウェットエッチングを行うとエッチング液により駆動電極12等を損傷させるおそれがあるため、ここではダンピング防止穴18を形成しない。
次に図5に基づいてSOI基板の処理工程について説明する。本実施の形態では、可動部2を製造するために、図5(1)のようなSOI基板24を用いる。SOI基板24は、ベース層25と、絶縁層26と、活性層27とから構成されている。ベース層25はシリコン(Si)からなり、その膜厚は例えば500μmである。絶縁層26は、二酸化シリコン(SiO2 )からなり、その膜厚は例えば4μmである。活性層27はシリコン(Si)からなり、その膜厚は例えば10μmである。可動部2の可動部基板21は他の基板に比べると薄く、そのまま接合するには困難である。そこで、ベース層25が厚く、安定したSOI基板24を用いて他の基板と接合した後に、ベース層25及び絶縁層26を除去する。したがって、本実施の形態の波長可変光フィルタでは、活性層27が最終的に可動部2となる。また、SOI基板24の絶縁層26がエッチングのストッパの役割を果たすため、厚さ精度の高い可動部基板21を得られる。
活性層27上の略中央部に、CVD装置、PVD装置等を使用して、二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に積層する(ここでは例えば10〜20層程度とする)ことにより、図5(2)に示す反射防止膜22を形成する。ここではマスクを用いて所望の個所だけに膜が積層されるようにする。ただ、この膜は絶縁性を有しているため、光を反射させる部分以外にも形成し、絶縁膜としての機能を果たさせることもできる。
次に、駆動電極部1と図5(2)に示す反射防止膜22が形成されたSOI基板24とを、略円盤状の反射防止膜22が略リング状の駆動電極12のリング部分に対向するように接合する。接合方法としては、例えば、陽極接合(表面活性化接合)、接着剤による接合を用いることができる。このうち、陽極接合は、以下に示す工程を経て行われる。まず、駆動電極部1の上面(凹部11aを有する面)に、反射防止膜22が形成されたSOI基板24を、反射防止膜22が駆動電極12のリング部分に対向して載置した状態において、図示せぬ直流電源のマイナス端子をガラス基板11に接続するとともに、上記直流電源のプラス端子を活性層27に接続する。次にガラス基板11を例えば、数百℃程度に加熱しつつ、ガラス基板11と活性層27との間に、例えば数百V程度の直流電圧を印加する。ガラス基板11を加熱することにより、ガラス基板11に含まれるアルカリ金属のプラスイオン、例えば、ナトリウムイオン(Na+ )が移動しやすくなる。このアルカリ金属のプラスイオンがガラス基板11内を移動することにより、相対的に、ガラス基板11の活性層27との接合面がマイナスに帯電する一方、活性層27のガラス基板11との接合面がプラスに帯電する。この結果、シリコン(Si)と酸素(O)とが電子対を共有する共有結合により、図6のようにガラス基板11と活性層27とが接合される。なお、本実施の形態で用いているガラス基板はいわゆる低融点ガラスを材料とはしていないが、ガラス基板にいわゆる低融点ガラスを用いた場合には、ガラス界面を融着させて接合する、低融点ガラス接合を用いることもできる。
次に、図6に示す構造体からベース層25を除去することにより、図7(1)に示す構造体とする。このベース層25の除去には、ウエットエッチング若しくはドライエッチング又は研磨を用いる。エッチングによる除去法においては、絶縁層26が活性層27に対するエッチングのストッパーの役割を果たすために、駆動電極12に対向している活性層27がダメージを受けず、歩留まりの高い波長可変光フィルタを製造することができる。以下、ウエットエッチング除去法及びドライエッチング除去法について説明する。なお、研磨除去法については、半導体製造分野において用いられている周知の研磨除去法を用いることができるのでその説明を省略する。
(1)ウエットエッチング除去法
図6に示す構造体を例えば、1〜40重量%(好ましくは、10重量%前後)の濃度の水酸化カリウム(KOH)水溶液に浸漬することにより、ベース層25を構成するシリコン(Si)がエッチングされる。この場合、絶縁層26が、シリコン(Si)からなる活性層27に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。
図6に示す構造体を例えば、1〜40重量%(好ましくは、10重量%前後)の濃度の水酸化カリウム(KOH)水溶液に浸漬することにより、ベース層25を構成するシリコン(Si)がエッチングされる。この場合、絶縁層26が、シリコン(Si)からなる活性層27に対するエッチングのストッパーの役割を果たす。
なお、この場合に用いるエッチング液としては、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH:TetraMethyl Ammonium Hydroxide)水溶液、エチレンジアミン−ピロカテコール−ジアジン(EPD:Ethylenediamine Pyrocatechol Diazine)水溶液、ヒドラジン(Hydrazine )水溶液などもある。ここで、ウェハ単位で複数形成されている場合には、生産条件等をほぼ等しくしつつ、一括した処理(バッチ処理)を行うことができ、生産性を向上させることができる。
(2)ドライエッチング除去法
図6に示す構造体をドライエッチング装置のチャンバー内に載置し、真空状態にした後、チャンバー内に例えば、圧力390Paの二フッ化キセノン(XeF2 )を60秒間導入することにより、ベース層25を構成するシリコン(Si)がエッチングされる。なお、四フッ化炭素(CF4 )や六フッ化硫黄(SF6 )を用いたプラズマエッチング法を用いることもできる。
図6に示す構造体をドライエッチング装置のチャンバー内に載置し、真空状態にした後、チャンバー内に例えば、圧力390Paの二フッ化キセノン(XeF2 )を60秒間導入することにより、ベース層25を構成するシリコン(Si)がエッチングされる。なお、四フッ化炭素(CF4 )や六フッ化硫黄(SF6 )を用いたプラズマエッチング法を用いることもできる。
次に、図7(1)に示す構造体について、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸(HF)により、図7(2)に示すように、絶縁層26をすべて除去する。
そして、活性層27全面にフォトレジスト(図示略)を塗布した後、上記したフォトリソグラフィ技術により、可動部基板21となる部分を残すためのフォトレジストパターン(図示略)を活性層27上に形成する。
異方性ドライエッチングの方法としては、例えばドライエッチング装置のチャンバー(容器)内に載置した後、例えば、エッチングガスとして六フッ化硫黄(SF6 )を流量130cm3 /min(sccm)で6秒間、デポジション(堆積)ガスとして八フッ化シクロブタン(C4F8)を流量50cm3 /min(sccm)で7秒間交互にチャンバー内に導入し、不要な部分を除去する。このような異方性ドライエッチングを行うのは以下に示す理由による。まず、ウェットエッチング技術を使用した場合、開口部21dとなる穴からエッチング液が駆動電極部1側に侵入してしまい、駆動電極12や絶縁膜13を除去してしまうが、ドライエッチング技術を使用した場合はそのような危険性がない。また、等方性エッチングでは、活性層27が等方的にエッチングされ、サイドエッチングが発生する。特に、ヒンジ21bにサイドエッチングが発生した場合には、強度が弱くなり、耐久性が劣化してしまう。本実施の形態のように、ヒンジ21bを薄くするための処理を施している場合は、最悪の場合、ヒンジ21bとして残しておくべき部分もエッチングされてしまうおそれがある。これに対し、異方性エッチングを使用した場合には、サイドエッチングが発生せず、エッチング寸法の制御に優れており、ヒンジ21bの側面も略垂直に形成されるため、強度が弱くなることはない。
エッチングをした後、図示せぬフォトレジストパターンを、例えば、酸素プラズマを使用して除去して、図7(3)に示すように、可動部基板21を得る。ここで、酸素プラズマを使用して図示せぬフォトレジストパターンを除去するのは、剥離液や硫酸その他の酸性の溶液を用いた場合には、可動部基板21に形成された穴から液が侵入し、駆動電極12や絶縁膜13を除去してしまうからである。
次に、可動部基板21の上面(光学ギャップ部3と対向する面)の略中央部に、CVD装置やPVD装置を使用して、二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に、例えば、10〜20層程度積層することにより、図7(4)に示す高反射膜23を形成する。
そして、図7(5)に示すダンピング防止穴18を形成する。ダンピング防止穴18の形成には、例えばレーザ加工、機械加工等を用いる。ここで、レーザの種類としては、CO2 レーザ、半導体レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等がある。本実施の形態で必要とするレーザは、ガラス基板11に穴をあけ、可動体21a、反射防止膜22を損傷しない加工ができるレーザである。したがって、シリコンが透過してガラスが透過しない波長のレーザを出射する又は解析レンズ等を用いてガラス基板11だけを加工できるようにすることが必要となる。また、機械加工は、ドリル等を用いて穴をあけるものである。以上説明した工程により駆動電極部1と可動部2とを有する構造体が作製される。
次に、光学ギャップ部3を製造するために、例えば、前述したコーニング社製#7740からなるガラス基板34(図8(1)参照)の一方の面に、図8(2)に示すように、CVD装置やPVD装置を使用して、金(Au)やクロム(Cr)等の金属膜35を形成する。
次に、金属膜35上の全面にフォトレジスト(図示略)を塗布し、上記したフォトリソグラフィ技術を使用して、ガラス基板34のうち、後にガラス基板31の凹部31a(図1参照)となる部分を形成するために、フォトレジストパターン(図示略)を形成する。次に、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液により金属膜35のうち不要な部分を除去した後、図示せぬフォトレジストパターンを除去して、図8(3)に示すエッチングパターン36を得る。
次に、ウエットエッチング技術を使用して、例えば、フッ化水素酸(HF)によりガラス基板34のうち不要な部分を除去して図8(4)に示す凹部31aを形成した後、ウエットエッチング技術を使用して、上記した金属エッチング液によりエッチングパターン36を除去して、図8(5)に示すように、凹部31aが形成されたガラス基板31を得る。
次に、ガラス基板31の凹部31aの上面(外側となる面)及び略下面(可動部2側)中央に、CVD装置やPVD装置を使用して、二酸化シリコン(SiO2 )の薄膜と五酸化タンタル(Ta2 O5 )の薄膜とを交互に、例えば10〜20層程度積層することにより、図8(6)に示す高反射膜32及び反射防止膜33を形成する。以上説明した製造工程により、図1に示す光学ギャップ部3が作製される。
そして、高反射膜23と高反射膜32とが平行して対向するように、図7(4)に示す構造体と、光学ギャップ部3とを接合する。この接合には、例えば、上記した陽極接合、表面活性化接合、接着剤による接合を用いる。
波長可変光フィルタとなる接合体をウェハ単位で複数一体作製している場合には、ダイシングを行って各波長可変光フィルタに切り離す。以上のような工程により、図1に示す波長可変光フィルタが製造される。
次に、上記構成の波長可変光フィルタの動作について、図1を参照して説明する。駆動電極12と可動体21aとの間には駆動電圧を印加する。この駆動電圧は、例えば60Hzの交流正弦波電圧やパルス状の電圧である。駆動電極12にはガラス基板11の外部に設けられた端子、配線(図示略)を介して印加し、一方、可動体21aには支持部21c及びヒンジ21b(図2参照)を介して駆動電極12と反対の極性を有する電圧を印加する。駆動電圧による電位差のため、駆動電極12と可動体21aとの間に静電力が発生し、可動体21aが駆動電極12側に変化する、すなわち、静電ギャップEG及び光学ギャップOGが変化する。このとき、ヒンジ21bが弾性を有しているため、可動体21aは弾性的に変化する。
この波長可変光フィルタに、複数(例えば、60〜100)に分かれた赤外の波長帯域を有する光(それぞれの波長帯域には信号が含まれている)が図1において駆動電極部1のダンピング防止穴18から入射する。この光は、反射防止膜22によりほとんど反射されずに、かつ、シリコンからなる可動体21aを透過して、下方に高反射膜23が、上方に高反射膜32がそれぞれ形成された空間(反射空間)に進入する。上記反射空間に進入した光は、高反射膜23と高反射膜32との間で反射を繰り返し、最終的に高反射膜32及びガラス基板31を透過してこの波長可変光フィルタの上方から出射する。このとき、ガラス基板31の上面に反射防止膜33が形成されているため、光がガラス基板31と空気の界面でほとんど反射されずに出射する。
上記の高反射膜32(固定鏡)と高反射膜23(可動鏡)との間で光が反射を繰り返す過程において、高反射膜32と高反射膜23との間の距離(光学ギャップOG)に対応する干渉条件を満たさない波長の光は急激に減衰し、この干渉条件を満たした波長の光だけが最終的にこの波長可変光フィルタから出射する。これがファブリ・ペロー干渉計の原理であり、この干渉条件を満たした波長の光が透過することとなるため、駆動電圧を変更することにより、可動体21aが変化して光学ギャップOGが変更されると、透過する光の波長を選択することが可能となる。
このように、本実施の形態による波長可変光フィルタは、ガラス基板11を有する駆動電極部1と、シリコン(Si)からなる可動部2と、ガラス基板31を有する光学ギャップ部3とを高精度(特に厚み方向)に作製し、接合して構成されているので、静電ギャップEG及び光学ギャップOGが高精度で形成される。そして、この構成によって空気と共に可動体21aが密封されてしまうことにより生じうるエアダンピングを解消するためにダンピング防止穴18を設けるようにして、密封しないようにしたので、エアダンピングを生じない。したがって、設計通りに可動体21aを変位させることができる。また、ダンピング防止穴18を設けなければ、ガラス基板11と空間との反射を防ぐために両面2個所の反射防止膜を設ける必要があるが、ダンピング防止穴18が光の入射口となるため反射防止膜22まで障害となるものはなく、反射防止膜を設けなくてもよい。そのため、成膜工程分のプロセスの簡素化を図ることができる。また、ダンピング防止穴18に金属膜を成膜して駆動電極12とを電気的に接続することで、電極取りだし用の穴としても機能させることもできる。さらに、本実施の形態では、高反射膜23形成後にダンピング防止穴18を形成したが、活性層27を加工して可動部基板21を形成した後であれば、例えば、光学ギャップ部3との接合工程の後など、いずれの工程で行ってもよいので、プロセスの自由度が高い。
実施の形態2.
上述した第1の実施の形態においては、駆動電極部1とSOI基板24とを接合した後に可動部2を形成し、その後、光学ギャップ部3とを接合する例を示したが、本発明はこの手順に限定するものではない。ここでは、まず、光学ギャップ部3と活性層27に高反射膜23を形成したSOI基板24とを接合した後に可動部2を形成し、その後駆動電極部1と接合する。
上述した第1の実施の形態においては、駆動電極部1とSOI基板24とを接合した後に可動部2を形成し、その後、光学ギャップ部3とを接合する例を示したが、本発明はこの手順に限定するものではない。ここでは、まず、光学ギャップ部3と活性層27に高反射膜23を形成したSOI基板24とを接合した後に可動部2を形成し、その後駆動電極部1と接合する。
本実施の形態では、あらかじめダンピング防止穴18を形成した駆動電極部1を作製することができるので、第1の実施の形態のようにダンピング防止穴18を形成する際に、可動体21a又は反射防止膜22を損傷する可能性がないし、そのため、例えば選択できるレーザの種類が増えるなど、ダンピング防止穴18の形成方法の自由度が高くなる。
実施の形態3.
上述した実施の形態では、ガラス基板11について可動体21aの直下の位置を開口し、ガラス基板11にダンピング防止穴18を形成した。これはダンピング防止穴18の個所を限定するものではなく、可動体21aを空気と共に密封しないという目的であればこの個所でなくてもよい。ただ、前述したように、この個所は光が入射される部分であるため、光の入射に障害物となるガラスをあらかじめ除いておけるし、反射防止膜を設ける必要もない。また、通常、波長可変光フィルタをウェハ単位で複数一体作製するため、ダイシングを行って切り離す前の段階では、ガラス基板11又はガラス基板31(可動部基板21)の面しか露出していない。ガラス基板31の凹部31a底面に高反射膜32が設けられる関係から、穴を開けることはできないので、図1のように可動体21aの直下の位置を開口してダンピング防止穴18を形成するのが最も都合がよい。
上述した実施の形態では、ガラス基板11について可動体21aの直下の位置を開口し、ガラス基板11にダンピング防止穴18を形成した。これはダンピング防止穴18の個所を限定するものではなく、可動体21aを空気と共に密封しないという目的であればこの個所でなくてもよい。ただ、前述したように、この個所は光が入射される部分であるため、光の入射に障害物となるガラスをあらかじめ除いておけるし、反射防止膜を設ける必要もない。また、通常、波長可変光フィルタをウェハ単位で複数一体作製するため、ダイシングを行って切り離す前の段階では、ガラス基板11又はガラス基板31(可動部基板21)の面しか露出していない。ガラス基板31の凹部31a底面に高反射膜32が設けられる関係から、穴を開けることはできないので、図1のように可動体21aの直下の位置を開口してダンピング防止穴18を形成するのが最も都合がよい。
実施の形態4.
上述の実施の形態では、ダンピング防止穴18を形成してエアダンピングの防止を図った。本実施の形態では、例えば、図7(5)に示すようなダンピング防止穴18を形成しない。その代わりに、ガラス基板11、可動部基板21及びガラス基板31を最終的に接合する工程において、真空チャンバーで接合し、静電ギャップEG及び光学ギャップOGが真空状態のまま封止されるようにする。または気体の密度が空気圧(大気圧)よりも小さい(減圧状態)チャンバー内で接合し、減圧状態のまま諷刺されるようにする。
上述の実施の形態では、ダンピング防止穴18を形成してエアダンピングの防止を図った。本実施の形態では、例えば、図7(5)に示すようなダンピング防止穴18を形成しない。その代わりに、ガラス基板11、可動部基板21及びガラス基板31を最終的に接合する工程において、真空チャンバーで接合し、静電ギャップEG及び光学ギャップOGが真空状態のまま封止されるようにする。または気体の密度が空気圧(大気圧)よりも小さい(減圧状態)チャンバー内で接合し、減圧状態のまま諷刺されるようにする。
このようにすれば、空気(気体)の粘性力がなくなる又は少なくなるため、可動体21aが変化する場合のエアダンピングを防止することができる。また、静電ギャップEG及び光学ギャップOGを密封してしまっているので、外気と触れることがなく、空気中に存在するパーティクル(塵)等により、駆動電極12と可動部2とが短絡してしまったり、空気中の水分による波長可変光フィルタの劣化(特に可動体21a、高反射膜23及び32)の劣化を防ぐことができる。
実施の形態5.
上述の実施の形態では図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
上述の実施の形態では図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
例えば、上述の実施の形態においては、可動部2を作製するのにSOI基板24を用いる例を示したが、これに限定されず、SOS(Silicon On Sapphire :Al2 O3 )基板を用いてもよい。また、一方の面に二酸化シリコン(SiO2 )膜が形成されたシリコン基板と、他のシリコン基板とを上面同士を重ねて張り合わせたものを用いても良い。そして、可動部基板21の厚さを高精度にできるのであれば、シリコン基板を他の基板と接合した後に研磨したり、エッチングしたりして可動部基板21(可動部2)を得るようにしてもよい。
また、上述の実施の形態においては、駆動電極部1及び光学ギャップ部3の両方をガラス基板で構成する例を示したが、これに限定されず、駆動電極部1及び光学ギャップ部3は、赤外等の所望の透過波長帯域の光を透過する材料、例えば、シリコン、サファイヤ、ゲルマニウムなどを基板材料としても良い。また、シリコン基板を用いてもよい。また、上述の構造に特に限定されない。
1 駆動電極部、2 可動部、3 光学ギャップ部、11,14,31,34 ガラス基板、11a,31a 凹部、12 駆動電極、13 絶縁膜、15,17,35 金属膜、16,36 エッチングパターン、18 ダンピング防止穴、21 可動部基板、21a 可動体、21b ヒンジ、21c 支持部、21d 開口部、22,33 反射防止膜、23,32 高反射膜、24 SOI基板、25 ベース層、26 絶縁層、27 活性層、EG 静電ギャップ、OG 光学ギャップ。
Claims (11)
- 所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、該一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、
所定の静電ギャップを隔てて前記可動体と対向する駆動電極と、
前記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、
前記静電ギャップ及び前記光学ギャップにより形成される空間と外部とを通じてエアダンピングを防止するための穴が開口されていることを特徴とする波長可変光フィルタ。 - 前記エアダンピングを防止するための穴は、前記駆動電極を有する基板に設けられていることを特徴とする請求項1記載の波長可変光フィルタ。
- 前記エアダンピングを防止するための穴は、外部から前記可動体に入射する光の方向に沿って開口していることを特徴とする請求項1又は2記載の波長可変光フィルタ。
- 所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、該一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、
所定の静電ギャップを隔てて前記可動体と対向する駆動電極と、
前記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、
前記静電ギャップ及び前記光学ギャップにより形成される空間が真空状態であることを特徴とする波長可変光フィルタ。 - 所定の光を反射する可動鏡が一方の面に形成され、該一方の面と垂直方向に駆動可能な可動体と、
所定の静電ギャップを隔てて前記可動体と対向する駆動電極と、
前記可動鏡と所定の光学ギャップを隔てて対向した固定鏡を有する波長可変光フィルタであって、
前記静電ギャップ及び前記光学ギャップにより形成される空間の圧力が大気圧より低い状態であることを特徴とする波長可変光フィルタ。 - 少なくとも前記駆動電極を有する基板をガラス基板で構成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の波長可変光フィルタ。
- 固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を移動させ、前記固定鏡と可動鏡との間で反射する光から所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、
第1の基板に第1の凹部を形成し、該凹部の底面に駆動電極を形成する第1の工程と、
第2の基板に第2の凹部を形成し、該凹部の底面に前記固定鏡を形成する第2の工程と、
第3の基板と前記第1の基板を接合し、可動体、支持体及び該可動体と厚さが異なる吊り手段を前記第3の基板に一体形成し、前記可動体上に前記可動鏡を形成し、さらに前記第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する第3の工程と、
前記可動鏡と前記固定鏡とを対向させて前記第3の基板を接合する第4の工程と
を少なくとも有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。 - 固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を垂直方向に移動させ、前記固定鏡と可動鏡との間で反射する光から所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、
第1の基板に第1の凹部を形成し、該凹部に駆動電極を形成し、さらに前記第1の凹部と連通するエアダンピング防止用の穴を開口する第1の工程と、
第2の基板に第2の凹部を形成し、該凹部に前記固定鏡を形成する第2の工程と、
前記可動鏡が形成された第3の基板と前記固定鏡とを対向させて接合し、可動体、支持体及び該可動体と厚さが異なる吊り手段を前記第3の基板に形成する第3の工程と、
前記第3の工程で製造された構造体と前記駆動電極とを対向させて接合する第4の工程と
を少なくとも有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。 - レーザ光による加工又は機械を用いた加工により前記エアダンピング防止用の穴を開口することを特徴とする請求項7又は8記載の波長可変光フィルタの製造方法。
- 固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を垂直方向に移動させ、前記固定鏡と可動鏡との間で所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、
第1の基板に第1の凹部を形成し、該凹部の底面に駆動電極を形成して駆動電極部とする第1の工程と、
第2の基板に第2の凹部を形成し、該凹部の底面に前記固定鏡を形成する第2の工程と、
第3の基板と前記駆動電極部とを接合し、可動体、支持体及び該可動体と厚さが異なる吊り手段を前記第3の基板に一体形成し、前記可動体上に前記可動鏡を形成する第3の工程と、
前記第3の工程で製造された接合体と前記固定鏡とを対向させ、真空又は大気圧より低い圧力の雰囲気内で接合する第4の工程と
を少なくとも有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。 - 固定鏡が形成された面に対し、静電力により可動体を垂直方向に移動させ、前記固定鏡と可動鏡との間で所定波長の光を透過させる波長可変光フィルタの製造方法であって、
第1の基板に第1の凹部を形成し、該凹部に駆動電極を形成して駆動電極部とする第1の工程と、
第2の基板に第2の凹部を形成し、該凹部に前記固定鏡を形成して光学ギャップ部とする第2の工程と、
導電性を有し前記可動鏡が形成された第3の基板と前記固定鏡とを対向させて接合し、可動体、支持体及び該可動体と厚さが異なる吊り手段を前記第3の基板に形成する第3の工程と、
前記第3の工程で製造された構造体と前記駆動電極部とを、前記可動体と前記駆動電極とを対向させ、真空又は大気圧より低い圧力の雰囲気内で接合する第4の工程と
を少なくとも有することを特徴とする波長可変光フィルタの製造方法。
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