JP2005062157A - 自動伝送ラインパルスシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】伝送ラインパルス(TLP)技術を用いて静電放電(ESD)を3点以上の測定点に増やすことができるようにする。
【解決手段】ESDスケールパルスを発生する少なくとも1つのパルス発生器と、そのパルス発生装置から第1のESDスケールパルスを受取る半導体装置上の第1の点と、パルス発生装置から第1のESDスケールパルスを受取る半導体装置上の第2の点と、パルス発生装置から第2のESDスケールパルスを受取る半導体装置上の第3の点と、半導体装置のESD特性についてのデータを収集するデータ収集装置とを備え、多端子装置の静電放電(ESD)を測定可能とする。
【選択図】図4
Description
1)米国特許第5,410,254号
2)米国特許第5,519,327号
3)米国特許第5,804,977号
4)米国特許第6,429,674号
5)バース(Barth) 電子会社によるバースパルス曲線トレーサ
6)CMOS技術の静電放電(ESD)頑強性基準のための試験構造
Sematech Technology Transfer Document TT98013452A- TR 1998年2月
(www.sematech.org/public/docubase/abstructs/wrapper29 .htm)
7)オリックス(Oryx)インスツルメント社によるTLP Celeasron 1
8)US2002/0145432A1,2002年10月
半導体集積回路(IC)は一般的に静電放電(以下“ESD”という)事故を受けやすく、それはICを損傷または破壊する可能性がある。ESD事故は短時間の電流(正または負)の放電であり、大量の電流がICに与えられる。大きな電流は人体や機械のような種々のソースから成長する可能性があり、それぞれ人体モデル(“HBM”)および機械モデル(“MM”)と呼ばれている。ICは特に製造中、輸送中、または取扱い中に生成されるHBMおよびMMを受ける。
本発明の付加的な特徴および利点は以下説明する本発明の実施形態から明らかにされるであろう。本発明の目的よびその他の利点は添付図面を参照にした以下の説明および特許請求の範囲の記載により特に指摘された装置および方法により実現されることができるであろう。
図2は本発明の1実施形態による半導体装置60のESD特性を測定するシステム50の概略図である。図2を参照すると、システム50は半導体装置60および1以上のパルス発生器70を備えている。半導体装置60は少なくとも第1の端子62と、第2の端子64と、第3の端子66とを備えた多端子装置である。1実施形態では、半導体装置60は、金属・酸化物・半導体(MOS)トランジスタ、シリコン制御整流器(SCR)、低電圧トリガーSCR(LVTSCR)、フィールド酸化物装置(FOD)、またはバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の1つである。パルス発生器70はESD現象を模擬する信号を発生する。例えば、パルス発生器70は、ESD電流または電圧と同じ立上がり時間、期間および大きさを有する方形波パルス信号を発生する。1実施形態では、パルス発生器70によって出力されるESDスケール信号は約2ナノ秒(ns)乃至500ナノ秒の時間幅を有している。
再度図2を参照すると、パルス発生器70はESDスケール信号を生成するために設けられている。第1のESDスケール信号は半導体装置60の第1の点62と第2の点64に与えられる。第2のESDスケール信号は半導体装置60の第3の点66に与えられる。1実施形態では、第2のESDスケール信号は半導体装置60の第3および第4の点の少なくとも1つに与えられる。別の実施形態では、第2のESDスケール信号は半導体装置60の第5の点に与えられる。
Claims (35)
- 半導体装置の静電放電(ESD)特性を測定するシステムにおいて、
ESDスケールパルスを発生する少なくとも1つのパルス発生装置と、
前記少なくとも1つのパルス発生装置から第1のESDスケールパルスを受取る半導体装置における第1の点と、
前記少なくとも1つのパルス発生装置から第1のESDスケールパルスを受取る半導体装置における第2の点と、
前記少なくとも1つのパルス発生装置から第2のESDスケールパルスを受取る半導体装置における第3の点と、
半導体装置のESD特性についてのデータを収集するデータ収集装置とを具備している測定システム。 - 半導体装置は、金属・酸化物・半導体(MOS)トランジスタ、シリコン制御整流器(SCR)、低電圧トリガーSCR(LVTSCR)、フィールド酸化物装置(FOD)、およびバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の1つを含んでいる請求項1記載の補償システム。
- 前記少なくとも1つのパルス発生装置は、ESDスケールパルスを発生するために伝送ラインパルス(TLP)発生器を備えている請求項1記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのパルス発生装置は、第1のESDスケールパルスを発生するために伝送ラインパルス(TLP)発生器を備えている請求項1記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのパルス発生装置は、第2のESDスケールパルスを発生するためにバイアスソースを備えている請求項1記載のシステム。
- MOSトランジスタは第1のESDスケールパルスを受取るためのソースおよびドレインと、第2のESDスケールパルスを受取るためのゲートおよび基板少なくとも一方とを備えている請求項2記載のシステム。
- SCRおよびLVTSCRの1つは、第1のESDスケールパルスを受取るためのアノードおよびカソードと、第2のESDスケールパルスを受取るための基板および半導体ウエル領域の少なくとも一方とを備えている請求項2記載のシステム。
- LVTSCRは、第2のESDスケールパルスを受取るためのゲートを備えている請求項2記載のシステム。
- FODおよびBJTの1つは、第1のESDスケールパルスを受取るためのエミッタおよびコレクタと、第2のESDスケールパルスを受取るためのベースとを備えている請求項2記載のシステム。
- さらに、半導体装置中の漏洩電流を検出するための検出器を備えている請求項1記載のシステム。
- さらに、前記少なくとも1つのパルス発生装置と検出器とに結合されて前記少なくとも1つのパルス発生装置と検出器との間の接続を切換えるスイッチング装置を具備している請求項1記載のシステム。
- 多端子装置の静電放電(ESD)特性を測定するシステムにおいて、
第1のESDスケールパルスを出力する第1のパルス発生装置と、
第2のESDスケールパルスを出力する第2のパルス発生装置と、
前記第1のパルス発生装置に結合されて第1のESDスケールパルスを受取る多端子装置の第1の端子と、
前記第1のパルス発生装置に結合されて第1のESDスケールパルスを受取る多端子装置の第2の端子と、
前記第1のパルス発生装置に結合されて第2のESDスケールパルスを受取る多端子装置の第3の端子と、
多端子半導体装置の漏洩電流を検出する検出器とを具備し、
多端子装置のESD特性は、検出器が多端子装置の漏洩電流を検出することにより決定される測定システム。 - 第1および第2のパルス発生装置は、第1および第2のESDスケールパルスを発生する伝送ラインパルス(TLP)発生器を備えている請求項12記載のシステム。
- 第1のパルス発生装置は、第1のESDスケールパルスを発生するTLP発生器を備えている請求項12記載のシステム。
- 第2のパルス発生装置は、第2のESDスケールパルスを発生するバイアスソースを備えている請求項12記載のシステム。
- さらに、前記第1および第2のパルス発生装置と検出器とに結合されて前記第1および第2のパルス発生装置と検出器との間で多端子装置の接続を切換えるスイッチング装置を具備している請求項12記載のシステム。
- 多端子装置は、金属・酸化物・半導体(MOS)トランジスタ、シリコン制御整流器(SCR)、低電圧トリガーSCR(LVTSCR)、フィールド酸化物装置(FOD)、およびバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の1つを含んでいる請求項12記載の補償システム。
- 半導体装置の静電放電(ESD)特性を測定する方法において、
ESDスケール信号を発生する少なくとも1つのパルス発生装置を設け、
半導体装置上の第1の点を識別し、
半導体装置上の第2の点を識別し、
半導体装置上の第3の点を識別し、
半導体装置上の第1および第2の点に第1のESDスケール信号を供給し、
半導体装置上の少なくとも第3の点に第2のESDスケール信号を供給することにより半導体装置の静電放電特性を測定する測定方法。 - さらに、第1および第2のESDスケール信号を発生する伝送ラインパルス(TLP)発生器を設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号を発生するTLP発生器を設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、第2のESDスケール信号を発生するためのバイアスソースを設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、半導体装置として機能するために、金属・酸化物・半導体(MOS)トランジスタ、シリコン制御整流器(SCR)、低電圧トリガーSCR(LVTSCR)、フィールド酸化物装置(FOD)、およびバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の1つを設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号をMOSトランジスタのソースおよびドレインに供給し、第2のESDスケール信号をMOSトランジスタのゲートおよび基板の少なくとも一方に供給するステップを含んでいる請求項22記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号をSCRのアノードおよびカソードに供給し、第2のESDスケール信号をSCRの基板および半導体ウエル領域の少なくとも一方に供給するステップを含んでいる請求項22記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号をLVTSCRのアノードとカソードに供給し、第2のESDスケール信号をLVTSCRの基板と半導体ウエル領域の少なくとも一方に供給するステップを含んでいる請求項22記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号をFODのエミッタおよびコレクタに供給し、第2のESDスケールパルスをFODのベースに供給するステップを含んでいる請求項22記載の方法。
- さらに、第1のESDスケール信号をBJTのエミッタおよびコレクタに供給し、第2のESDスケールパルスをBJTのベースに供給するステップを含んでいる請求項22記載の方法。
- さらに、半導体装置のESD特性についてのデータを収集するデータ収集装置を設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、半導体装置中の漏洩電流を検出するための検出器を設けるステップを含んでいる請求項18記載の方法。
- さらに、前記少なくとも1つのパルス発生装置と検出器とに結合されて前記少なくとも1つのパルス発生装置と検出器との間で半導体装置の接続を切換えるスイッチング装置を具備している請求項18記載の方法。
- 静電放電(ESD)試験方法において、
多端子装置を設け、
少なくとも1つのESDスケールパルスを発生し、
多端子装置の第1および第2の端子に少なくとも1つのESDスケールパルスの第1のESDスケールパルスを供給し、
多端子装置の少なくとも第3の端子に少なくとも1つのESDスケールパルスの第2のESDスケールパルスを供給し、
第1および第2のESDスケールパルス下の多端子装置のESD特性を収集し、
多端子半導体装置に漏洩電流が流れているか否かを検出する試験方法。 - さらに、多端子装置として機能するために、金属・酸化物・半導体(MOS)トランジスタ、シリコン制御整流器(SCR)、低電圧トリガーSCR(LVTSCR)、フィールド酸化物装置(FOD)、およびバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の1つを設けるステップを含んでいる請求項31記載の方法。
- さらに、第1のESDスケールパルスを第1および第2の端子に供給する前に第2のESDスケールパルスを供給するステップを含んでいる請求項31記載の方法。
- さらに、第1および第2のESDスケールパルスを供給する前に漏洩電流が多端子装置中を流れるか否かを検出するステップを含んでいる請求項31記載の方法。
- さらに、第1および第2のESDスケールパルスを伝送ラインパルス(TLP)発生器によって発生させる請求項34記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49335503P | 2003-08-08 | 2003-08-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005062157A true JP2005062157A (ja) | 2005-03-10 |
JP4194969B2 JP4194969B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=34375231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004105541A Expired - Lifetime JP4194969B2 (ja) | 2003-08-08 | 2004-03-31 | 自動伝送ラインパルスシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7138804B2 (ja) |
JP (1) | JP4194969B2 (ja) |
CN (1) | CN100378464C (ja) |
TW (1) | TWI243912B (ja) |
Cited By (1)
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CN104483585B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-06-13 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 自动传输线脉冲测试系统 |
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- 2004-03-29 US US10/810,645 patent/US7138804B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-31 JP JP2004105541A patent/JP4194969B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-29 TW TW093119193A patent/TWI243912B/zh active
- 2004-07-02 CN CNB2004100628708A patent/CN100378464C/zh active Active
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---|---|
TW200506396A (en) | 2005-02-16 |
TWI243912B (en) | 2005-11-21 |
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CN1601292A (zh) | 2005-03-30 |
JP4194969B2 (ja) | 2008-12-10 |
CN100378464C (zh) | 2008-04-02 |
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