JP2005056957A - 発光素子の製造方法および仮支持貼り合わせ体 - Google Patents

Abstract

【課題】 発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができ、また、化合物半導体層と光取出面側電極との接触抵抗を十分低減でき、しかも接合金属層の合金化熱処理による金属層の反射率低下も生じにくい発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 成長用基板１の第一主表面上に化合物半導体層２４をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層２４の第一主表面に仮支持基板１１０を、高分子結合材１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板１を化学エッチング等により除去する。成長用基板１が除去された化合物半導体層２４の第二主表面に接合金属層３１を形成した後、合金化熱処理をまず行ない、その後、該化合物半導体層２４の第二主表面に金属層１０を介して素子基板７を貼り合せる。また、光取出面側接合金属層９ａ’と化合物半導体層５０とを合金化する光取出側合金化熱処理が、素子基板貼り合わせ工程の前に実施される。
【選択図】 図３

Description

この発明は発光素子の製造方法と、それに用いる仮支持貼り合わせ体に関する。

特開平７−６６４５５号公報 特開２００２−２１７４５０号公報

発光ダイオードや半導体レーザー等の発光素子に使用される材料及び素子構造は、長年にわたる進歩の結果、素子内部における光電変換効率が理論上の限界に次第に近づきつつある。従って、一層高輝度の素子を得ようとした場合、素子からの光取出し効率が極めて重要となる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ混晶により発光層部が形成された発光素子は、薄いＡｌＧａＩｎＰ（あるいはＧａＩｎＰ）活性層を、それよりもバンドギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とによりサンドイッチ状に挟んだダブルへテロ構造を採用することにより、高輝度の素子を実現できる。このようなＡｌＧａＩｎＰダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＩｎＰ混晶がＧａＡｓと格子整合することを利用して、ＧａＡｓ単結晶基板上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなる各層をエピタキシャル成長させることにより形成できる。そして、これを発光素子として利用する際には、通常、ＧａＡｓ単結晶基板をそのまま基板として利用することも多い。しかしながら、発光層部を構成するＡｌＧａＩｎＰ混晶はＧａＡｓよりもバンドギャップが大きいため、発光した光がＧａＡｓ基板に吸収されて十分な光取出し効率が得られにくい難点がある。この問題を解決するために、半導体多層膜からなる反射層を基板と発光素子との間に挿入する方法（例えば特許文献１）も提案されているが、積層された半導体層の屈折率の違いを利用するため、限られた角度で入射した光しか反射されず、光取出し効率の大幅な向上は原理的に期待できない。

そこで、特許文献２には、成長用のＧａＡｓ基板を、電流拡散層と発光層部とからなる化合物半導体層から除去し、代わって、Ｓｉなどからなる補強用の素子基板を、反射率の高い金属層を介して化合物半導体層に貼り合わせる技術が開示されている。具体的には、その段落００４１に記載されているごとく、ＧａＡｓ基板上にダブルへテロ構造のＡｌＧａＩｎＰ発光層部を成長し、さらにＧａＰよりなる電流拡散層をＭＯＶＰＥ法により成長し、次いでＧａＡｓ基板を機械研磨及び化学エッチングにより除去している。

また、発光層部と金属層とのオーミックコンタクトを取るために、両者の間には接合金属層（コンタクト層）を分散配置して熱処理により合金化する工程が必須である。特許文献２においては、成長用のＧａＡｓ基板を化合物半導体層から剥離した後、その発光層部の剥離面にコンタクト層を形成して合金化熱処理を行ない、その後、該コンタクト層を反射用の金属層にて覆う工程が採用されている。反射用の金属層の形成後ひいては素子基板の貼り合わせ後に合金化熱処理を行なうと、コンタクト層の合金成分が反射面を形成する金属層の面内方向に拡散し、反射率を低下させることになるが、上記の工程により、金属層の形成前に合金化熱処理を終了させ、拡散による反射率低下を抑制する意図があったものと思われる。

電流拡散層は、面内方向に電流を十分に拡げるために、層厚をある程度大きく設定すること、例えば発光層部より大きな厚みで形成するのが一般的である。特に、特許文献２の工程では、ＧａＡｓ基板を除去後に金属層を介して素子基板を貼り合せるようにしているから、発光層部が通常、発光効率向上のため非常に薄く形成される（例えば全厚で１０μｍ未満）ことを考慮すると、貼り合わせ時の発光層部のハンドリング性改善のため、電流拡散層は少なくとも５０μｍ程度までは厚膜に成長させる必要がある。

しかし、ＭＯＶＰＥ法は高温処理であり、しかも十分な厚さの電流拡散層を成長させるには非常な長時間を要する。その結果、上に電流拡散層を形成する発光層部は、該電流拡散層成長時の高温の熱履歴に長時間曝されることになり、ｐ−ｎ接合を形成するためのｐ型ドーパントやｎ型ドーパントの層厚方向の濃度プロファイルが熱拡散によって崩れ、発光層部の内部量子効率低下につながる問題を生ずる。特に、ダブルへテロ構造を採用した発光層部の場合、ノンドープにて形成した活性層に両側のクラッド層からのドーパントが拡散により浸透すると、電子／正孔の発光再結合の確率が減少し、発光強度の劣化が著しくなる。すなわち、発光層部に金属層を形成しても、発光層部自体の内部量子効率が劣化したのでは、素子全体の発光性能向上は望むべくもない。

当然、こうした問題が生じないよう、電流拡散層の厚みを減じた場合、該電流拡散層と発光層部とを含む化合物半導体層の全厚が小さくなり、成長用基板を除去した後では、素子基板貼り合わせのためのハンドリングが困難になる。化合物半導体層の厚さが特に小さい場合（例えば１０μｍ以上３０μｍ以下）は、エッチング液中で成長用基板を除去するに伴い、支えを失った化合物半導体層の機械的強度が極度に小さいために、エッチング反応で発生した泡のアタックを受けて、液中で浮きながら藻屑のごとく粉々に破壊されてしまう問題がある。

さらに、特許文献２においては、該文献中の図１２及び図１３に示されているごとく、金属層を介して素子基板を発光層部に貼り合わせた後、反対側の電流拡散層上に光取出面側電極（アノード電極膜）を形成する工程を採用している。このような工程を採用すると、次のような問題を生ずる。
(1) 光取出面側電極を形成後、接触抵抗低減のための合金化熱処理を行うと、金属層を貼り合わせた後なので、コンタクト層の合金成分が反射面を形成する金属層の面内方向に拡散し、反射率を低下させることになる。これでは、金属層を介して素子基板を貼り合せる工程を、ＧａＡｓ基板を除去後に苦労して行なう意味がなくなる。
(2) 接触抵抗低減のための合金化熱処理を行なわなければ、光取出面側電極と電流拡散層との間の接触抵抗を十分に低減できず、素子の順方向電圧が増加する不具合につながる。なお、特許文献２においては、ＣｒとＡｕとの積層構造の電極を形成しているが、Ｃｒ膜と電流拡散層との合金化を行なわなければ接触抵抗の十分な低減は望めない。

本発明の課題は、発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができ、また、化合物半導体層と光取出面側電極との接触抵抗を十分低減でき、しかも接合金属層の合金化熱処理による金属層の反射率低下も生じにくい発光素子の製造方法と、それに用いる仮支持貼り合わせ体とを提供することにある。

課題を解決するための手段及び発明の効果

本発明の発光素子の製造方法は、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、金属層と化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するためのものであり、上記課題を解決するため、
成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層をエピタキシャル成長する化合物半導体層成長工程と、
化合物半導体層の第一主表面側に光取出面側電極を形成する光取出面側電極形成工程と、
化合物半導体層の第二主表面側に成長用基板が付随した状態で、光取出面側電極が形成された化合物半導体層の第一主表面に仮支持基板を貼り合わせ、その後、成長用基板を除去することにより、化合物半導体層と仮支持基板とが貼り合わされた仮支持貼り合わせ体を形成する仮支持貼り合わせ体形成工程と、
成長用基板の除去により露出した化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成する貼り合わせ側接合金属層形成工程と、
貼り合わせ側接合金属層を化合物半導体層と合金化させて貼り合わせ側接合合金化層とする貼り合わせ側合金化熱処理を、仮支持貼り合わせ体の状態で行なう貼り合わせ側合金化熱処理工程と、
該貼り合わせ側合金化熱処理の終了後に、仮支持貼り合わせ体の状態で化合物半導体層をハンドリングしつつ、貼り合わせ側合金化熱処理工程よりも低温で貼り合わせ処理を行なうことにより、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合せた素子基板貼り合わせ体を作成する素子基板貼り合わせ工程と、
素子基板貼り合わせ体から仮支持基板を分離する仮支持基板分離工程と、
がこの順序にて実施され、かつ、光取出面側電極と化合物半導体層との接触抵抗を低減するために、光取出面側電極自身又は該光取出面側電極と化合物半導体層との間に配置された光取出面側接合金属層と化合物半導体層とを合金化する光取出側合金化熱処理が、素子基板貼り合わせ工程の前に実施されることを特徴とする。

また、本発明の仮支持貼り合わせ体は、発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、金属層と化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するために使用され、
第二主表面側から成長用基板が除去された化合物半導体層の第一主表面側に光取出面側電極が形成され、さらに、該光取出面側電極が形成された前記第一主表面に仮支持基板が貼り合わされてなり、
他方、成長用基板の除去により露出した化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層が形成されてなることを特徴とする。

上記本発明によると、成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層をエピタキシャル成長した後、さらにその第一主表面側に光取出面側電極を形成する。そして、該光取出面側電極が形成された化合物半導体層の第一主表面に、仮支持基板を高分子材料結合層を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。仮支持基板が貼り合わされていることにより、成長用基板が除去されても化合物半導体層には仮支持基板が補強体として随伴しているので、エッチング中の泡アタック等により化合物半導体層が破損する不具合を効果的に防止できる。また、本発明の仮支持貼り合わせ体を用いると、成長用基板を除去した後において、化合物半導体層を以降の貼り合わせ工程等に供する際にも、仮支持基板が貼り合わされていることで化合物半導体層のハンドリングが極めて容易になり、ハンドリング失敗による化合物半導体層の破損確率が減じられ、ひいては発光素子の製造歩留まり向上に寄与する。仮支持貼り合わせ体に組み込む化合物半導体層の全厚が７μｍ以上３０μｍ以下と薄い場合は、上記仮支持基板を用いる効果が特に顕著に発揮される。

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の場合、接合金属層は、例えばＡｕ、ＡｇあるいはＡｌを主成分（５０質量％以上）とし、コンタクト用合金成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｂｅ及びＺｎの１種又は２種以上を含有したものを使用することができる。ＡｕＧｅ、ＡｕＧｅＮｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｂはｎ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れ、ＡｕＺｎ及びＡｕＢｅはｐ型半導体層との接触抵抗低減効果に優れる。このような接合金属層に対する合金化熱処理は一般に、３００℃以上４５０℃以下の温度で行なわれている。合金化熱処理温度が３００℃未満では化合物半導体層と接合金属層との合金化が十分に進まず、接触抵抗増大につながる。他方、４５０℃より高温では合金化の効果は飽和し、むしろ、発光層部への合金成分拡散や発光層部内のドーパント濃度プロファイルの拡散劣化などを防止する観点からは、温度を不必要に高く設定することは得策でないので、合金化熱処理の温度の上限は４５０℃に設定する。また、合金化熱処理温度は比較的高温であるため、化合物半導体層の酸化劣化等を防止するために、その処理はアルゴンや窒素などの不活性ガス雰囲気中で行なう。

本発明においては、成長用基板が除去された化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成した後、合金化熱処理をまず行ない、その後、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合せる。これにより、貼り合わせ側接合金属層と接した状態で貼り合わせ用の金属層に合金化熱処理の熱履歴が加わることがなくなり、貼り合わせ側接合金属層の成分が金属層面内に拡散して反射率を落とす不具合を効果的に防止できる。

また、光取出面側電極自身又は該光取出面側電極と化合物半導体層との間に配置された光取出面側接合金属層と、化合物半導体層とを合金化するための光取出側合金化熱処理を、上記素子基板貼り合わせ工程の前に実施する。その結果、光取出面側電極と化合物半導体層との接触抵抗を十分に低減できる。そして、光取出面側電極側の合金化熱処理もまた素子基板の貼り合わせ前に行なわれるので、その熱履歴により貼り合わせ側接合金属層の成分が金属層面内に拡散して反射率を落とす不具合を防止できる。また、化合部半導体層の第二主表面側と、反射金属層の反射面側との合金化も抑制されるため、これも反射率向上に寄与する。

光取出側合金化熱処理前の実施のタイミングは、素子基板貼り合わせ工程の前であればよく、以下のような種々のパターンから選択できる：
(1)仮支持基板の貼り合わせ前に実施する;
(2)仮支持基板の貼り合わせ後、貼り合わせ側合金化熱処理工程前に別途実施する；
(3)貼り合わせ側合金化熱処理工程を光取出側合金化熱処理に兼用する。
このうち、(3)の工程が工数削減に最も寄与することは明らかである。

仮支持貼り合わせ体形成工程においては、仮支持基板を高分子材料結合層を介して化合物半導体層に貼り合わせることができる。この場合、仮支持基板分離工程において、高分子材料結合層を加熱して軟化させることにより、素子基板貼り合わせ体から仮支持基板を分離することができる。高分子材料結合層は、化合物半導体層上への塗布も容易であり、また、仮支持基板が工程上不要となった場合は、高分子材料結合層を加熱軟化させることにより容易に化合物半導体層から分離することができる。ただし、高分子材料結合層に代えて低融点合金等からなる金属結合剤を用いることも可能である。

この場合、本発明においては、化合物半導体層に高分子材料結合層を介して仮支持基板を貼り合わせた仮支持貼り合わせ体の状態で、上記の貼り合わせ側合金化熱処理が行われることになる。また、光取出側合金化熱処理に関しても、前述の(2)又は(3)を採用する場合は、仮支持貼り合わせ体の状態で行なわれる。従って、使用する高分子材料結合層として、合金化熱処理が行われる温度範囲（３００℃以上４５０℃以下）における蒸気圧が１０ｔｏｒｒ（１．３３×１０^３Ｐａ）以下であるものを選定することが望ましい。これにより、高分子材料結合層が介在した状態で合金化熱処理を施しても、該熱処理中における高分子材料結合層の急速な気化が起こらないので、高分子材料結合層の蒸気により仮支持貼り合わせ体から化合物半導体層が分離したり、あるいは破損したりする、といった不具合を効果的に抑制でき、高歩留まりにて発光素子を製造することが可能となる。

上記温度範囲における高分子材料結合層の蒸気圧が１０ｔｏｒｒを超えると、気化した高分子材料結合層の蒸気により仮支持貼り合わせ体から化合物半導体層が分離したり、あるいは破損したりする不具合につながる場合がある。なお、仮支持貼り合わせ体形成時に適度な温度で軟化可能な高分子材料であれば、上記温度範囲における高分子材料結合層の蒸気圧は低ければ低いほどよい。

なお、高分子材料にはガラス転移温度が存在し、該ガラス転移温度を超えると高分子材料には軟化を生ずる。上記の合金化熱処理温度範囲（３００℃以上４５０℃以下）は、通常の高分子材料のガラス転移温度（例えば８０〜９０℃程度）よりもはるかに高く、液状に近い状態になっていることも多い。この場合、仮支持貼り合わせ体を不用意に傾けたりすると、仮支持基板と化合物半導体層とが相対的に滑って両者が分離したり、あるいは薄い化合物半導体層に破損を生じたりすることもある。従って、仮支持基板と化合物半導体層との面内方向の相対移動が生じないように仮支持貼り合わせ体を保持しつつ、合金化熱処理を行なう必要がある。この場合、例えば、次のような方法が有効である：
(1) 仮支持貼り合わせ体をなるべく水平に保持して熱処理を行なう；
(2)面内方向の相対移動を阻止するようなホルダに仮支持貼り合わせ体を収容した状態で熱処理を行なう；
(3)仮支持基板と化合物半導体層との密着力を補強する荷重付与体を仮支持貼り合わせ体上に載置して熱処理を行なう。

次に、スパッタリングや蒸着等の周知の手法を用いて、貼り合わせ側あるいは光取出面側の接合金属層を形成する場合は、基板冷却を行なっても一定の温度上昇は避け難いし、成膜容器中の吸着水分等を蒸発・除去する観点から、６０℃以上の温度に昇温して接合金属層を形成することが望ましい。他方、水分除去の効果は１５０℃で概ね飽和し、それ以上の不要な昇温を行なうことは必ずしも得策ではない。他方、スパッタリングや蒸着などの気相成膜法による金属被膜の形成は、被膜の品質確保のため、当然、真空雰囲気下で行なわれる。この場合、仮支持貼り合わせ体に使用する高分子材料結合層は、上記６０℃以上１５０℃以下の温度での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−４Ｐａ）以下のものを使用することが望ましい。該温度域での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ以上の高分子材料結合層を用いると、真空雰囲気下において高分子材料結合層から発生するガスにより、形成する金属層の品質が低下する場合がある。なお、良好な接合金属層を形成するには、使用する真空雰囲気の圧力を１×１０^−４ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−２Ｐａ）以下に設定して行なうことが望ましい。

次に、化合物半導体層への金属層を介した素子基板の貼り合わせは、次のようにして簡便に行なうことができる。すなわち、仮支持貼り合わせ体の状態で、化合物半導体層の第二主表面に金属層の一部となるべき第一Ａｕ系金属層を形成し、他方、素子基板の貼り合わせ面に金属層の一部となるべき第二Ａｕ系金属層を形成し、素子基板貼り合わせ工程において、第一Ａｕ系金属層と第二Ａｕ系金属層とを貼り合せる。このようにすると、Ａｕ系金属層同士の親和力が強いために、比較的低温でも十分な貼り合わせ強度を容易に得られる利点がある。しかし、この場合、仮支持貼り合わせ体側に形成する第一Ａｕ系金属層はスパッタリングや蒸着等により形成されるが、成膜容器中の吸着水分等を蒸発・除去の観点から、接合金属層と同様に、６０℃以上１５０℃以下の温度の真空雰囲気下で形成することが望ましく、高分子材料結合層としては、６０℃以上１５０℃以下の温度での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ（１．３３×１０^−４Ｐａ）以下のものを使用することが望ましい。

以下、本発明に係る発光素子の製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。図１は、本発明の適用対象となる発光素子の概念図である。該発光素子１００は、素子基板としてのシリコン単結晶よりなるシリコン基板７（本実施形態ではｎ型であるがｐ型でもよい）の第一主表面上に、金属層としてのＡｕ系金属層１０を介して発光層部２４が貼り合わされた構造を有してなる。本実施形態において各層及び基板の主表面は、図１のごとく、発光素子１００の光取出面ＰＦを上側にした状態を正置状態として、該正置状態における図面上側に表れる面を第一主表面、下側に表れる面を第二主表面として統一的に記載する。従って、工程説明の都合上、上記正置状態に対し上下を反転した転置状態にて図示を行なう場合は、該図示における第一主表面と第二主表面の上下関係も反転する。

発光層部２４は、ノンドープの（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦０．５５、０．４５≦ｙ≦０．５５）混晶からなる活性層５を、第一導電型クラッド層、本実施形態ではｐ型（Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層６と、第一導電型クラッド層とは異なる第二導電型クラッド層、本実施形態ではｎ型（Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただしｘ＜ｚ≦１）からなるｐ型クラッド層４とにより挟んだ構造を有し、活性層５の組成に応じて、発光波長を、緑色から赤色領域（発光波長（ピーク発光波長）が５５０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下）にて調整できる。

発光層部２４の第一主表面上には、ＡｌＧａＡｓ（ＡｌＩｎＰあるいはＧａＩｎＰでもよい）からなる電流拡散層２０が形成され、発光層部２４とともに化合物半導体層５０を構成している。電流拡散層２０の第一主表面の略中央には、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための光取出面側電極９（例えばＡｕ電極）が形成されている。該光取出面側電極９と電流拡散層２０との間には、光取出側接合合金化層としてのＡｕＢｅ接合合金化層９ａ（例えばＢｅ：２質量％）が配置されている。そして、電流拡散層２０の第一主表面における光取出面側電極９の周囲の領域が、発光層部２４からの光取出領域ＰＦを形成している。なお、光取出面側電極９の全体をＡｕＢｅ合金にて構成することも可能である。また、本実施形態では、ｐ型クラッド層６が光取出面側に位置する積層形態としているが、ｎ型クラッド層４が光取出面側に位置する積層形態としてもよい（この場合、電流拡散層２０はｎ型にする必要があり、また、接合合金化層９ａはＡｕＧｅＮｉ等で構成する）。

ｎ型クラッド層４及びｐクラッド層６の厚さは、例えばそれぞれ０．８μｍ以上４μｍ
以下（望ましくは０．８μｍ以上２μｍ以下）であり、活性層５の厚さは例えば０．４μｍ以上２μｍ以下（望ましくは０．４μｍ以上１μｍ以下）である。発光層部２４全体の厚さは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下（望ましくは２μｍ以上５μｍ以下）である。さらに、電流拡散層２０の厚さは、例えば５μｍ以上２８μｍ以下（望ましくは８μｍ以上１５μｍ以下）である。従って、化合物半導体層５０の厚さは、例えば７μｍ以上３０μｍ以下（望ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。電流拡散層２０の厚さが５μｍ未満では面内の電流拡散効果が低下して光取出し効率の低下を招く場合がある。他方、電流拡散層２０の厚さが２８μｍを超えると、該電流拡散層２０をエピタキシャル成長する際の熱履歴により発光層部２４の活性層５へのドーパント拡散が進み、発光効率の低下につながる場合がある。なお、本実施形態では、ｐ型クラッド層６が光取出面側に位置する積層形態としているが、ｎ型クラッド層４が光取出面側に位置する積層形態としてもよい（この場合、電流拡散層２０はｎ型にする必要があり、また、接合合金化層９ａはＡｕＧｅＮｉ等で構成する）。

他方、シリコン基板７の裏面には、その全体を覆うように裏面電極（例えばＡｕ電極である）１５が形成されている。該裏面電極１５とシリコン基板７との間には基板側接合合金化層として、ＡｕＳｂ接合合金化層１６が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層１６に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を基板側接合合金化層として用いてもよい。

シリコン基板７は、Ｓｉ単結晶インゴットをスライス・研磨して製造されたものであり、その厚みは例えば１００μｍ以上５００μｍ以下である。そして、発光層部２４に対し、Ａｕ系金属層１０を挟んで貼り合わされている。Ａｕ系金属層１０は、化合物半導体層５０と接する第一Ａｕ系金属層１０ａと、シリコン基板７と接する第二Ａｕ系金属層１０ｂとが貼り合わせにより一体化したものであり、見かけ上は単一のＡｕ系金属層である。これら第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂ（ひいてはＡｕ系金属層１０）は、純ＡｕもしくはＡｕ含有率が９５質量％以上のＡｕ合金よりなる。

発光層部２４と第一Ａｕ系金属層１０ａとの間には、貼り合わせ側接合合金化層としてＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１（例えばＧｅ：１５質量％、Ｎｉ：１０質量％）が形成されており、素子の直列抵抗低減に貢献している。ＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１は、第一Ａｕ系金属層１０ａの第一主表面上に分散形成され、その形成面積率（第一Ａｕ系金属層１０ａの第一主表面全面積に対するＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１の合計面積の比率で表す）は１％以上２５％以下である。また、シリコン基板７と第二Ａｕ系金属層１０ｂとの間には、基板側接合合金化層としてＡｕＳｂ接合合金化層３２（例えばＳｂ：５質量％）が介挿されている。なお、ＡｕＳｂ接合合金化層３２に代えてＡｕＳｎ接合合金化層を用いてもよい。

また、本実施形態においては、該ＡｕＳｂ接合金属層３２の全面が、後述の貼り合わせ熱処理時においてシリコン基板７からのＳｉ成分がＡｕ系金属層１０へ拡散するのを防ぐ拡散阻止層（具体的にはＴｉ層である）１０ｃにより覆われている。拡散阻止層１０ｃの厚さは１ｎｍ以上１０μｍ以下（本実施形態では２００ｎｍ）である。なお、拡散阻止層はＴｉ層に代えてＮｉ層又はＣｒ層にて構成してもよい。また、Ａｕ系金属層１０（第二Ａｕ系金属層１０ｂ）は、該拡散阻止層１０ｃの全面を覆う形でこれと接するように配置されている。

金属層をなすＡｕ系金属層１０は、本実施形態では反射層も兼ねるものとなっている。発光層部２４からの光は、光取出面側に直接放射される光に、Ａｕ系金属層１０による反射光が重畳される形で取り出される。Ａｕ系金属層１０の厚さは、反射効果を十分に確保するため、８０ｎｍ以上とすることが望ましい。また、厚さの上限には制限は特にないが、反射効果が飽和するため、コストとの兼ね合いにより適当に定める（例えば１μｍ以下）。なお、反射層も兼ねる金属層としてはＡｇ系層の使用も可能である。例えば、第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂに代え、第一Ａｇ系金属層及び第二Ａｇ系金属層を形成して両者を貼り合せることができる。この場合、貼り合わせ側接合合金化層は、ＡｇＧｅＮｉなどのＡｇ系材料にて構成することもできる。

以下、上記発光素子１００の製造方法の具体例について説明する。
まず、図２の工程１に示すように、成長用基板をなすＧａＡｓ単結晶基板１の主表面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２を例えば０．５μｍ、ＡｌＡｓからなる剥離層３を例えば０．５μｍ、この順序にてエピタキシャル成長させる。その後、発光層部２４として、ｎ型クラッド層４（厚さ：例えば１μｍ）、ＡｌＧａＩｎＰ活性層（ノンドープ）５（厚さ：例えば０．６μｍ）、及びｐ型クラッド層６（厚さ：例えば１μｍ）を、この順序にエピタキシャル成長させる。発光層部２４の全厚は２．６μｍである。また、さらにｐ型ＡｌＧａＡｓよりなる電流拡散層２０を例えば５μｍエピタキシャル成長させる。これら各層のエピタキシャル成長は、公知のＭＯＶＰＥ法により行なうことができる。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ及びＡｓの各成分源となる原料ガスとしては以下のようなものを使用できる；
・Ａｌ源ガス；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など；
・Ｇａ源ガス；トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など；
・Ｉｎ源ガス；トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ｐ源ガス；ターシャルブチルホスフィン（ＴＢＰ）、ホスフィン（ＰＨ_３）など。
・Ａｓ源ガス；ターシャルブチルアルシン（ＴＢＡ）、アルシン（ＡｓＨ_３）など。

また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる；
（ｐ型ドーパント）
・Ｍｇ源：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）など。
・Ｚｎ源：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
（ｎ型ドーパント）
・Ｓｉ源：モノシランなどのシリコン水素化物など。

これによって、ＧａＡｓ単結晶基板１上に発光層部２４及び電流拡散層２０からなる化合物半導体層５０が形成される。該化合物半導体層５０の厚さは７．６μｍであり、ＧａＡｓ単結晶基板１を除去した場合、これを単独で無傷にハンドリングすることは事実上不可能である。なお、化合物半導体層５０の第一主表面には、この段階でＡｕＢｅ接合金属層９ａ’（光取出面側接合合金化層）とこれを覆う光取出面側電極９をパターニング形成する。このあと引き続き光取出側合金化熱処理を行ってＡｕＢｅ接合金属層９ａ’を接合合金化層９ａとしてもよいが、本実施形態では該光取出側合金化熱処理を、後述の第一Ａｕ系金属層１０ａ側のＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１を形成する際の、貼り合わせ側合金化熱処理に兼用させている。

次に、工程２に示すように、化合物半導体層５０の第一主表面に高分子材料結合層１１１を、光取出面側電極９を覆う形態で塗付形成し、工程３に示すように、高分子材料結合層１１１を加熱軟化させた状態で、別途用意した仮支持基板１１０を重ね合わせて密着させ、その後冷却して該高分子材料結合層１１１を硬化させることにより、化合物半導体層５０と仮支持基板１１０とを高分子材料結合層１１１を介して貼り合わせた仮支持貼り合わせ体１２０を作成する（工程３）。この時点では、化合物半導体層５０の第二主表面側には、成長用基板であるＧａＡｓ単結晶基板１が付随した状態となっている。

仮支持基板１１０の材質は、後述の合金化熱処理時においても剛性を保ち、かつ、ガス発生等が少ない材料で構成する。具体的には、シリコン基板やセラミック板（例えばアルミナ板）、あるいは金属板等で構成することができる。その厚さは、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下であるが、もっと厚くてもよい。他方、高分子材料結合層１１１としては、ホットメルト型接着剤やワックス類を用いることができ、具体的には、不活性ガス雰囲気中にて３００℃以上４５０℃以下の温度範囲で後述の合金化熱処理を行なう際に、該３００℃以上４５０℃以下の温度域での蒸気圧（定容積条件で測定した平衡蒸気圧とする）が１０ｔｏｒｒ以下のものを使用する。

例えば、ホットメルト型接着剤を用いる場合、硬化状態にて高分子材料結合層１１１の保形性を確保する基材樹脂と、昇温により軟化した基材樹脂に、貼り合わせに必要な粘着力を付与する粘着付与高分子材とを配合したものを使用する。基材樹脂の材質としては、設定される合金化熱処理温度よりも熱分解温度が高いものを使用する必要があり、該合金化熱処理温度が３００℃以上４５０℃以下に設定されることを考慮すれば、ポリプロピレンないしポリエチレン（熱分解温度：３３０℃以上４５０℃以下）、ポリスチレン（熱分解温度：３００℃以上４００℃以下）、ナイロン（熱分解温度：３１０℃以上３８０℃以下）などを例示でき、この他、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂などの使用も可能である。他方、粘着付与高分子材としては、種々のテルペン系樹脂（テルペン重合体、芳香族変性テルペン重合体、テルペン系水素添加樹脂、テルペンフェノール共重合体など）やαピネン樹脂、βピネン樹脂などを使用できる。接着剤全体としての熱処理温度での蒸気圧を低く保つには、粘着付与高分子材として分子量のなるべく大きいものを使用することが望ましいが、反面、分子量が大きくなりすぎると粘着性付与力が低くなり、高分子材料結合層１１１としての機能に支障をきたす。従って、使用する粘着付与高分子材の分子量と基材樹脂に対する配合量は、蒸気圧と粘着力とのバランスを考慮して適性に選定する必要がある。高分子材料結合層に対し、貼り合わせに必要な適度な粘着力を付与するには、粘着付与高分子材として基材樹脂よりも熱分解温度が低いものを選定しなければならないことも多く、この場合、基材樹脂と粘着付与高分子材との合計量に対する粘着付与高分子材の含有比率を必要最小限（例えば１質量％以上３０質量％以下）に留めることが望ましい。

本発明に適した高分子材料結合層１１１を形成するためのワックスの市販品としては、アピエゾン・ワックスＷ（M&I Materials Ltd.社製）、スペースリキッド（日化精工社製）あるいはプロテクトワックス等を例示することができる。これらのワックスは、いずれもガラス転移温度が８０℃以上９０℃以下（例えば８５℃）である。

次に、図３の工程４に示すように、仮支持貼り合わせ体１２０に付随している成長用基板としてのＧａＡｓ単結晶基板１を除去する。該除去は、例えば仮支持貼り合わせ体１２０（工程３参照）をＧａＡｓ単結晶基板１とともにエッチング液（例えば１０％フッ酸水溶液）に浸漬し、バッファ層２と発光層部２４との間に形成したＡｌＡｓ剥離層３を選択エッチングすることにより、該ＧａＡｓ単結晶基板１を仮支持貼り合わせ体１２０から剥離する形で実施することができる。なお、ＡｌＡｓ剥離層３に代えてＡｌＩｎＰよりなるエッチストップ層を形成しておき、ＧａＡｓに対して選択エッチング性を有する第一エッチング液（例えばアンモニア／過酸化水素混合液）を用いてＧａＡｓ単結晶基板１をＧａＡｓバッファ層２とともにエッチング除去し、次いでＡｌＩｎＰに対して選択エッチング性を有する第二エッチング液（例えば塩酸：Ａｌ酸化層除去用にフッ酸を添加してもよい）を用いてエッチストップ層をエッチング除去する工程を採用することもできる。なお、高分子材料結合層１１１は、上記のエッチング液に対し耐腐食性を有したものを用いることが望ましく、前述の市販品は該耐腐食性の観点でも本発明に好適に採用可能である。

このようにして、ＧａＡｓ単結晶基板１が除去された化合物半導体層５０は、高分子材料結合層１１１を介して仮支持基板１１０と貼り合わされ、仮支持貼り合わせ体１２０を形成している。従って、化合物半導体層５０がごく薄いにもかかわらず、ＧａＡｓ単結晶基板１のエッチング除去時に泡等の衝撃で破壊される不具合を生じにくく、かつ、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去後も仮支持貼り合わせ体１２０の形で補強されているために、以降の工程に供する際のハンドリングを容易に行なうことが可能となる。

次に、工程５に示すように、上記仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、ＧａＡｓ単結晶基板１の除去により露出した化合物半導体層５０の第二主表面にＡｕＧｅＮｉ接合金属層を分散形成し、さらに該ＡｕＧｅＮｉ接合金属層をＡｕＧｅＮｉ接合合金化層３１とするための貼り合わせ側合金化熱処理を行なう。このとき、光取出面側電極９に対するＡｕＢｅ接合金属層９ａ’の合金化も同時に行なうことができる（つまり、光取出側合金化熱処理にも兼用されている）。

ＡｕＧｅＮｉ接合金属層の成膜は、真空雰囲気にてスパッタリングあるいは真空蒸着等により行なわれる。具体的には該成膜を、温度６０℃以上１５０℃以下、真空度（圧力）１×１０^−６ｔｏｒｒ以上１×１０^−４ｔｏｒｒ以下の条件下で行なう（必要であれば、仮支持貼り合わせ体１２０を図示しないヒータにより加熱することができる）。高分子材料結合層１１１として、上記温度範囲での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ以下のものを採用することで（前述の市販品はこの条件も満たす）、高分子材料結合層１１１からのガスにより、成膜される接合金属層の品質が低下する不具合を効果的に防止できる。

また、合金化熱処理は、３００℃以上４５０℃以下の温度の不活性ガス雰囲気下で実施され、具体的には、大気圧と同程度のＮ_２等の不活性ガス雰囲気下で行なうことができる。使用する高分子材料結合層１１１は、上記温度範囲での蒸気圧が１０ｔｏｒｒ以下であるので、高分子材料結合層１１１の急激な気化により化合物半導体層５０が破損する不具合を効果的に防止できる。なお、合金化熱処理の上記温度は、高分子材料結合層１１１のガラス転移温度（８０〜９０℃程度）よりも高いので、処理中に高分子材料結合層１１１は軟化する。そこで、合金化熱処理中においては滑り防止のため、仮支持貼り合わせ体１２０を、化合物半導体層５０側を上側、仮支持基板１１０側を下側となるように（つまり、図３の工程５とは上下反対の状態）水平配置し、さらに、セラミック基板やシリコン基板などの荷重付与体を載置することが望ましい。

また、シリコン基板７を別途用意し、その両主表面にＡｕＳｂ接合金属層を形成して、さらに２５０℃以上３６０℃以下の温度域で合金化熱処理を行なうことにより、それぞれＡｕＳｂ接合合金化層３２，１６とする。このうち、ＡｕＳｂ接合合金化層３２上には、続く素子基板貼り合わせ工程においてシリコン基板７の成分が第二Ａｕ系金属層１０ｂへ拡散するのを阻止する拡散阻止層１０ｃを形成しておく。他方、ＡｕＳｂ接合合金化層１６上には裏面電極１５を形成する。

次に、素子基板貼り合わせ工程を行なう。具体的には、図３の工程６に示すように、仮支持貼り合わせ体１２０の状態で、化合物半導体層５０の第二主表面に第一Ａｕ系金属層１０ａを形成し、他方、素子基板７の第一主表面側に第二Ａｕ系金属層１０ｂを形成する。なお、各Ａｕ系金属層の形成は、真空雰囲気（スパッタリングあるいは真空蒸着等により）にて行なうことができる。具体的には、温度６０℃以上１５０℃以下、真空度（圧力）１×１０^−６ｔｏｒｒ以上１×１０^−４ｔｏｒｒ以下の条件にて成膜を行なう。仮支持貼り合わせ体１２０側の第一Ａｕ系金属層１０ａを形成する場合は、高分子材料結合層１１１として、上記温度域での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ以下のものを採用することにより、高分子材料結合層１１１からのガスにより、成膜されるＡｕ系金属層の品質が低下する不具合を効果的に防止できる。

次に、図４の工程７に示すように、化合物半導体層５０側に形成された第一Ａｕ系金属層１０ａを、シリコン基板７側に形成された第二Ａｕ系金属層１０ｂに重ね合わせて圧迫し、１８０℃以上３６０℃以下（前述の合金化熱処理よりも低温とする）、例えば２５０℃にて貼り合わせ熱処理する。これにより、第一Ａｕ系金属層１０ａと第二Ａｕ系金属層１０ｂとが十分な強度にて貼り合わされ、Ａｕ系金属層１０となる。また、化合物半導体層５０とシリコン基板７とは、Ａｕ系金属層１０を介して貼り合わされ、貼り合わせ結合体１３０となる。第一Ａｕ系金属層１０ａ及び第二Ａｕ系金属層１０ｂとは、いずれも酸化しにくいＡｕを主体に構成されているので、上記貼り合わせ熱処理は、例えば大気中でも問題なく行なうことができる。この段階で既に光取出側及び貼り合わせ側の各合金化熱処理が既に終わっており、貼り合わせ熱処理がそれよりも低温で実施されることにより、接合合金化層からの合金成分がＡｕ系金属層１０からなる反射面の面内に拡散することが効果的に抑制され、ひいてはより反射率の高い反射面を得ることができる。

貼り合わせ熱処理が完了したら仮支持基板分離工程を行なう。仮支持基板分離工程は、図４の工程８に示すように、高分子材料結合層１１１を加熱・軟化させ、仮支持基板１１０を分離・除去する。なお、この分離は、工程７の貼り合わせ熱処理の際に同時に行なうことも可能である。その後、工程９に示すように、化合物半導体層５０の第一主表面上に残存している高分子材料結合層１１１を、トルエンやメチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の有機溶剤を用いて溶解・除去する。

以上においては、理解を容易にする便宜上、貼り合わせ結合体１３０を作る工程を素子単体の積層形態にて図示しつつ説明していたが、実際は、複数の素子チップがマトリックス状に配列した形で一括形成された貼り合わせウェーハが作成される。そして、この貼り合わせウェーハを通常の方法によりダイシングして素子チップとし、これを支持体に固着してリード線のワイヤボンディング等を行った後、樹脂封止をすることにより最終的な発光素子が得られる。

なお、図５に示すように、Ａｕ系金属層１０（第一Ａｕ系金属層１０ａ＋第二Ａｕ系金属層１０ｂ）を専ら貼り合わせに用い、Ａｕ系金属層１０とは別の反射用金属層１０ｒを、Ａｕ系金属層１０と化合物半導体層５０との間に設けることもできる。このような反射用金属層１０ｒとしては、Ａｇを主成分とするＡｇ系反射層や、Ａｌを主成分とするＡｌ系反射層を用いることができる。この場合、貼り合わせ側接合合金化層は、Ａｇ系反射層の場合はＡｇＧｅＮｉなどのＡｇ系材料にて、また、Ａｌ系反射層の場合はＡｌＧｅＮｉなどのＡｌ系材料にて構成することもできる。製造工程は略同じであるが、接合合金化層３１を反射用金属層１０ｒで覆った後、さらに第一Ａｕ系金属層１０ａで覆う点が相違する。

また、発光層部２４は、活性層及びクラッド層が、ＩｎＡｌＧａＮあるいはＭｇＺｎＯにて構成されたダブルへテロ構造を有するものとして構成することもできる。

本発明の適用対象となる発光素子の一例を示す模式図。 本発明の発光素子の製造方法の一例を示す工程説明図。 図２に続く工程説明図。 図３に続く工程説明図。 本発明の適用対象となる発光素子の別例を示す模式図。

符号の説明

１ ＧａＡｓ単結晶基板（成長用基板）
７ シリコン基板（素子基板）
９ 光取出側電極
９ａ’ ＡｕＢｅ接合金属層（光取出側接合金属層）
９ａ ＡｕＢｅ接合合金化層（光取出側接合合金化層）
１０ Ａｕ系金属層（金属層）
１０ａ 第一Ａｕ系金属層
１０ｂ 第二Ａｕ系金属層
２０ 電流拡散層
２４ 発光層部
３２ ＡｕＧｅＮｉ接合合金化層（貼り合わせ側接合合金化層）
５０ 化合物半導体層
１００ 発光素子
１１０ 仮支持基板
１１１ 高分子材料結合層
１２０ 仮支持貼り合わせ体
１３０ 貼り合わせ結合体

Claims (8)

1. 発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、前記金属層と前記化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するために、
   成長用基板の第一主表面上に前記化合物半導体層をエピタキシャル成長する化合物半導体層成長工程と、
   前記化合物半導体層の第一主表面側に前記光取出面側電極を形成する光取出面側電極形成工程と、
   前記化合物半導体層の第二主表面側に前記成長用基板が付随した状態で、前記光取出面側電極が形成された前記化合物半導体層の前記第一主表面に仮支持基板を貼り合わせ、その後、前記成長用基板を除去することにより、前記化合物半導体層と前記仮支持基板とが貼り合わされた仮支持貼り合わせ体を形成する仮支持貼り合わせ体形成工程と、
   前記成長用基板の除去により露出した前記化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層を形成する貼り合わせ側接合金属層形成工程と、
   前記貼り合わせ側接合金属層を前記化合物半導体層と合金化させて前記貼り合わせ側接合合金化層とする貼り合わせ側合金化熱処理を、前記仮支持貼り合わせ体の状態で行なう貼り合わせ側合金化熱処理工程と、
   該貼り合わせ側合金化熱処理の終了後に、前記仮支持貼り合わせ体の状態で前記化合物半導体層をハンドリングしつつ、前記貼り合わせ側合金化熱処理工程よりも低温で貼り合わせ処理を行なうことにより、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合せた素子基板貼り合わせ体を作成する素子基板貼り合わせ工程と、
   前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持基板を分離する仮支持基板分離工程と、
   がこの順序にて実施され、かつ、前記光取出面側電極と前記化合物半導体層との接触抵抗を低減するために、前記光取出面側電極自身又は該光取出面側電極と前記化合物半導体層との間に配置された光取出面側接合金属層と前記化合物半導体層とを合金化する光取出側合金化熱処理が、前記素子基板貼り合わせ工程の前に実施されることを特徴とする発光素子の製造方法。
2. 前記仮支持貼り合わせ体に組み込む前記化合物半導体層の全厚が７μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
3. 前記貼り合わせ側合金化熱処理工程が前記光取出側合金化熱処理に兼用されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子の製造方法。
4. 前記仮支持貼り合わせ体形成工程において、前記仮支持基板を高分子材料結合層を介して前記化合物半導体層に貼り合わせ、前記仮支持基板分離工程において、前記高分子材料結合層を加熱して軟化させることにより、前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持基板を分離することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
5. 前記貼り合わせ側合金化熱処理を、不活性ガス雰囲気中にて３００℃以上４５０℃以下の温度範囲にて行なうとともに、前記仮支持貼り合わせ体に使用する前記高分子材料結合層として、３００℃以上４５０℃以下の温度での蒸気圧が１０ｔｏｒｒ以下のものを使用することを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記仮支持貼り合わせ体の状態にて前記貼り合わせ側接合金属層の形成を、６０℃以上１５０℃以下の温度の真空雰囲気下で行なうとともに、前記高分子材料結合層として、６０℃以上１５０℃以下の温度での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ以下のものを使用することを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方法。
7. 前記仮支持貼り合わせ体の状態で、前記化合物半導体層の前記第二主表面に前記金属層の一部となるべき第一Ａｕ系金属層を形成し、他方、前記素子基板の貼り合わせ面に前記金属層の一部となるべき第二Ａｕ系金属層を形成し、前記素子基板貼り合わせ工程において、前記第一Ａｕ系金属層と前記第二Ａｕ系金属層とを貼り合せるとともに、
   前記第一Ａｕ系金属層を６０℃以上１５０℃以下の温度の真空雰囲気下で形成し、前記高分子材料結合層として６０℃以上１５０℃以下の温度での蒸気圧が１×１０^−６ｔｏｒｒ以下のものを使用することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の製造方法。
8. 発光層部を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる化合物半導体層の、光取出面となる第一主表面の一部を覆う形で光取出面側電極が形成される一方、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、前記金属層と前記化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための貼り合わせ側接合合金化層を配置した発光素子を製造するために使用され、
   第二主表面側から前記成長用基板が除去された前記化合物半導体層の第一主表面側に前記光取出面側電極が形成され、さらに、該光取出面側電極が形成された前記第一主表面に仮支持基板が貼り合わされてなり、
   他方、前記成長用基板の除去により露出した前記化合物半導体層の第二主表面に貼り合わせ側接合金属層が形成されてなることを特徴とする仮支持貼り合わせ体。
   

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