JP2005045260A - リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスクレス・リソグラフ用の放射システムのパルス−パルス線量再現性が、複数のレーザを提供することと、及び各々によって生成された放射ビームを結合して放射の単一投影ビームを形成することによって改善される。
【選択図】図4
Description
放射の投影ビームを供給する放射システムと、
投影ビームの断面にパターンを付与する働きをする、個々に制御可能な要素のアレイと、
基板を支持するための基板テーブルと、
基板の目標部にパターン形成されたビームを投影するための投影システムとを含むリソグラフ装置が提供され、
前記放射システムは、各々放射の副投影ビームを生成する複数の放射発生ユニットと、副投影ビームの各々を結合して前記放射の投影ビームを形成する結合ユニットとを含み、
複数の前記放射発生ユニットは、共通のレーザ発生媒体を共有する、単一筐体中に含まれたレーザである。
基板を提供すること、
放射システムを使用して放射の投影ビームを提供すること、
投影ビームの断面にパターンを付与するために、個々に制御可能な要素のアレイを使用すること、
基板の目標部にパターン形成された放射のビームを投影することを含む、デバイスの製造方法が提供され、
前記放射システムは複数の放射発生ユニットを含み、前記方法は、複数の放射の副投影ビームを提供するために前記放射発生ユニットを使用することと、前記放射の投影ビームを提供するためにそれらを結合することを含み、
前記複数の放射発生ユニットは、共通のレーザ発生媒体を共有する、単一筐体に含まれたレーザである。
プログラム可能なミラー・アレイ。これは、粘弾性制御層と反射表面を有する、マトリックスでアドレス呼び出し可能な表面を含むことができる。それらの装置の背景となる基本的な原理は、(例えば)反射表面の呼び出された領域が入射光を回折光として反射し、一方呼び出されない領域は入射光を非回折光として反射する。適切な空間フィルターを使用することによって、前記非回折光は反射されたビームから濾波して除かれ、回折光だけが基板に届く。このようにして、ビームはマトリックス呼び出し可能な表面の呼び出されるパターンに従ってパターン形成される。代替として、フィルターは回折光を濾波して除き、基板に届く非回折光を残すことができることが認識されよう。また、回折光学MEMSデバイスのアレイも同じようにして用いることができる。各回折光学MEMSデバイスは、入射光を回折光として反射する格子を形成するために互いに変形させることのできる、複数の反射リボンからなる。プログラム可能なミラー・アレイのさらに他の実施形態は微小ミラーのマトリックス配置を使用し、その各々は、適切な局部電界を印加することによって、又は圧電作動手段を用いることによって、個々に軸の周りに傾斜させることができる。再び、ミラーは、呼び出されたミラーが入射放射ビームを呼び出されなかったミラーへ異なる方向に反射するように、マトリックスで呼び出し可能である。このようにして、反射されたビームは、マトリックスで呼び出し可能なミラーの呼び出しパターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス呼び出しは適切な電子手段によって行うことができる。上述した両方の状況において、個々に制御可能な要素のアレイは1個又は複数のプログラム可能なミラー・アレイを含むことができる。本明細書で参照したミラー・アレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、及びPCT特許出願第WO98/38597号及び第WO98/33096号から収集することができ、これらは参照して本明細書に組み込まれている。
プログラム可能なLCDアレイ。その構造の一例は米国特許第5,229,872号に与えられ、それは参照して本明細書に組み込まれている。
放射(例えばUV放射)の投影ビームPBを提供するための照明システム(照明機)ILと、
パターンを投影ビームに加えるための個々に制御可能な要素PPMのアレイ(例えばプログラム可能なミラー・アレイ)(一般に個々に制御可能な要素のアレイの位置は部品PLに対して固定されるであろう、しかし、それは代りにそれを部品PLに対して正確に位置決めするための位置決め手段に接続することができる。)と、
基板(例えばレジストを被覆したウェーハ)Wを支持するための、基板を部品PLに対して正確に位置決めするための位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハ・テーブル)WTと、
個々に制御可能な要素のアレイPPMによって投影ビームPBに与えられたパターンを基板Wの目標部C(例えば1個又は複数のダイを含む)に像形成するための投影システム(「レンズ」)PLとを含む。投影システムは個々に制御可能な要素のアレイの像を基板上に形成することができる。代替として、投影システムは個々に制御可能な要素のアレイの要素がそのためのシャッターとして働く二次源の像を形成することができる。また、投影システムは、例えば二次源を形成し基板上に微小点の像を形成するために、微小レンズ・アレイ(MLAとして知られている)又はフレネル・レンズ・アレイなどの焦点合わせ要素のアレイを含むこともできる。
1.ステップ・モード。個々に制御可能な要素のアレイはパターン全体を投影ビームに与え、これは一工程で目標部Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動して、異なる目標部Cを露光する。ステップ・モードでは、露光分野の最大サイズが単一静的露光で像形成された目標部Cのサイズを制限する。
2.走査モード。個々に制御可能な要素のアレイは速度vで所定の方向(いわゆる「走査方向」、例えばY方向)に移動可能なので、投影ビームPBは個々に制御可能な要素のアレイの上を走査することになる。同時に、基板テーブルWTを速度V=Mvで同時に同じ方向又は反対方向に動かす。MはレンズPLの拡大率である。走査モードでは、露光分野のサイズが単一動的露光における目標部の幅(非走査方向)を制限し、一方、走査の動きの長さが目標部の高さ(走査方向の)を決定する。
3.パルス・モード。個々に制御可能な要素のアレイは本質的に静止状態に保たれ、パターン全体がパルス放射源を使用して基板の目標部C上に投影される。基板テーブルWTは本質的に一定の速度で、投影ビームPBが基板Wを横切る線を走査するように動かされる。個々に制御可能な要素のアレイ上のパターンは放射システムのパルスの間に必要に応じて更新され、パルスは後続の目標部Cが基板上の必要な場所で露光されるように調時される。したがって、投影ビームは基板Wを横切って走査し、基板の一片に完全なパターンを露光することができる。プロセスは基板が線毎に完全に露光されるまで繰り返される。
4.連続走査モード。実質上一定の放射源が用いられることを除き、実質上パルス・モードと同じことを用い、個々に制御可能な要素のアレイ上のパターンは投影ビームが基板を横切って走査しそれを露光するときに更新される。
IL 照明システム(照明機)
PPM 個々に制御可能な要素
PL 投影システム(「レンズ」)
WT 基板テーブル
SO 放射源
BD 送達システム
AM 調節手段
IN 集積機
CO コンデンサ
W 基板
C 目標部
PW 位置決め手段
IF 干渉測定手段
1 ガスレーザ
10 筐体
11 レーザ・ガス
12、13 一対の放電電極
14 送風機
15 温度制御装置
16 線幅縮小ユニット
17 半透明ミラー
18 レーザ放射のビーム
21、22、23、24、25、26 一対の放電電極
27 電極
Claims (12)
- 放射の投影ビームを供給する放射システムと、
投影ビームの断面にパターンを付与する働きをする、個々に制御可能な要素のアレイと、
基板を支持するための基板テーブルと、
基板の目標部にパターン形成されたビームを投影するための投影システムとを含むリソグラフ装置であって、
前記放射システムが、各々放射の副投影ビームを生成する複数の放射発生ユニットと、副投影ビームの各々を結合して前記放射の投影ビームを形成する結合ユニットとを含み、
複数の前記放射発生ユニットが、共通のレーザ発生媒体を共有する、単一筐体中に含まれたレーザである、装置。 - 前記放射発生ユニットが、全て実質上同じ波長の放射を発生する請求項1に記載のリソグラフ投影装置。
- 単一筐体中に含まれた前記放射発生ユニットが、他の放射発生ユニットのそれと独立に各々一対の放電電極要素を含む請求項1又は2に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記筐体中に含まれた前記放射発生ユニットが、共通の放電電極を共有し、各々が、他の放射発生ユニットのそれと独立にさらに他の放電電極も含む請求項1又は2に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記筐体が、前記筐体中のレーザ・ガスを混合するための少なくとも1個の送風機と、前記筐体中のレーザ・ガスの温度を制御する温度制御装置をさらに含む請求項1から4までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記放射システムが、複数の筐体を含み、各々が共通のレーザ・ガスを共有する複数の前記放射発生ユニットを含む請求項1から5までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 複数の前記放射発生ユニットが独立のレーザである請求項1から6までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 複数の前記放射発生ユニットが共通の制御装置を共有する請求項1から7までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記結合ユニットが回折要素又は微小レンズ・アレイである請求項1から8までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記放射システムが少なくとも100個の放射発生ユニットを含む請求項1から9までのいずれか一項に記載のリソグラフ投影装置。
- 前記放射源が、各々放射の副投影ビームを生成する複数の放射発生ユニットと、副投影ビームを結合して放射の投影ビームを形成する結合ユニットとを含む、リソグラフ装置用の投影ビームを提供するように構成された放射源であって、
複数の前記放射発生ユニットが、共通のレーザ発生媒体を共有する、単一筐体中に含まれたレーザである、線源。 - 基板を提供すること、
放射システムを使用して放射の投影ビームを提供すること、
投影ビームの断面にパターンを付与するために、個々に制御可能な要素のアレイを使用すること、
前期基板の目標部にパターン形成された放射のビームを投影することを含む、デバイスの製造方法であって、
前記放射システムが複数の放射発生ユニットを含み、前記方法が、複数の放射の副投影ビームを提供するために前記放射発生ユニットを使用することと、前記放射の投影ビームを提供するためにそれらを結合することを含み、
前記複数の放射発生ユニットが、共通のレーザ発生媒体を共有する、単一筐体に含まれたレーザである、製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03254630A EP1500981A1 (en) | 2003-07-23 | 2003-07-23 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008242731A Division JP2009065173A (ja) | 2003-07-23 | 2008-09-22 | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005045260A true JP2005045260A (ja) | 2005-02-17 |
Family
ID=33484035
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004213702A Pending JP2005045260A (ja) | 2003-07-23 | 2004-07-22 | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
JP2008242731A Pending JP2009065173A (ja) | 2003-07-23 | 2008-09-22 | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008242731A Pending JP2009065173A (ja) | 2003-07-23 | 2008-09-22 | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7161661B2 (ja) |
EP (1) | EP1500981A1 (ja) |
JP (2) | JP2005045260A (ja) |
KR (1) | KR100622095B1 (ja) |
CN (1) | CN100465785C (ja) |
SG (1) | SG108995A1 (ja) |
TW (1) | TWI269122B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7259829B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7728955B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method |
JP5283928B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN105176733A (zh) * | 2015-09-10 | 2015-12-23 | 南宁隆盛农业科技有限公司 | 一种菠萝蜜果酒及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622678A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Toshiba Corp | ガスレ−ザ発振装置 |
US4719640A (en) * | 1985-08-01 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multiple parallel RF excited CO2 lasers |
JPS6235588A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Toshiba Corp | レ−ザ発振器 |
JP2728761B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1998-03-18 | 株式会社東芝 | ガスレーザ発振装置 |
JPH07221000A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Sony Corp | レーザ露光描画装置 |
JP2718379B2 (ja) * | 1994-10-20 | 1998-02-25 | 日本電気株式会社 | エキシマレーザ装置 |
JPH08334803A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nikon Corp | 紫外レーザー光源 |
US6312134B1 (en) * | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
JP3821324B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2006-09-13 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム及び素子製造方法 |
US6233039B1 (en) * | 1997-06-05 | 2001-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Optical illumination system and associated exposure apparatus |
DE19935404A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
US6717973B2 (en) * | 1999-02-10 | 2004-04-06 | Lambda Physik Ag | Wavelength and bandwidth monitor for excimer or molecular fluorine laser |
JP2001135562A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Hitachi Ltd | リソグラフィ装置 |
US20020126479A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-12 | Ball Semiconductor, Inc. | High power incoherent light source with laser array |
JP2002318364A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Ricoh Co Ltd | 照明装置 |
US20030219094A1 (en) | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Basting Dirk L. | Excimer or molecular fluorine laser system with multiple discharge units |
-
2003
- 2003-07-23 EP EP03254630A patent/EP1500981A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-07-22 TW TW093121913A patent/TWI269122B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-22 CN CNB2004100545122A patent/CN100465785C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-22 US US10/895,999 patent/US7161661B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-22 KR KR1020040057063A patent/KR100622095B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-22 SG SG200404364A patent/SG108995A1/en unknown
- 2004-07-22 JP JP2004213702A patent/JP2005045260A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242731A patent/JP2009065173A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI269122B (en) | 2006-12-21 |
TW200527143A (en) | 2005-08-16 |
KR100622095B1 (ko) | 2006-09-13 |
SG108995A1 (en) | 2005-02-28 |
CN100465785C (zh) | 2009-03-04 |
KR20050011720A (ko) | 2005-01-29 |
JP2009065173A (ja) | 2009-03-26 |
US7161661B2 (en) | 2007-01-09 |
CN1577093A (zh) | 2005-02-09 |
EP1500981A1 (en) | 2005-01-26 |
US20050024615A1 (en) | 2005-02-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070927 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080410 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080527 |