JP3821324B2 - リソグラフィシステム及び素子製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ装置、露光装置、リソグラフィシステム及び素子製造方法に係り、更に詳しくは混合ガスをレーザ媒質とするレーザ装置、このレーザ装置からのレーザ光を用いてウエハ等の基板上のレジストに微細なパターンの焼き付けを行う露光装置及びリソグラフィシステム、並びに混合ガスをレーザ媒質とするレーザ光源からの光を露光光としてマスクパターンの投影露光を行うリソグラフィ工程を含む素子製造方法に関する。本発明に係るレーザ装置は、露光装置、レーザリペア装置等の半導体製造装置やレーザ加工装置等に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
大出力のレーザ光源としてガスをレーザ媒質にしたガスレーザが様々な分野で用いられ、特に、大出力のパルスレーザ光が得られるものとしてエキシマレーザが知られている。このエキシマレーザのような大出力のパルスレーザ装置は、レーザ加工やIC、LSIなどの半導体素子の製造工程、特にリソグラフィ工程で用いられている。
【0003】
かかる用途に用いられるエキシマレーザでは、レーザ媒質としてKrF(クリプトンフッ素,ArF(アルゴンフッ素)などの混合ガスが用いられている。また、このエキシマレーザでは、Kr(クリプトン)やF2 (フッ素),Ar(アルゴン)やF2 は、それぞれ数パーセントずつ混合され、バッファガスとしてNe(ネオン)が用いられている。これらの混合比率は製造メーカに応じた最適な濃度になっているが、レーザを使用しているうちに濃度が変化してくる。そのため、レーザのガス寿命を延ばすとともに、ガスの消費量を少なくしてガス交換のダウンタイムを減らすために、特に反応性が強く、レーザ発振器内の金属や水素や炭素と容易に反応して減少し易いフッ素について、フッ素の微量注入(F2 インジェクション)が行われていた。このフッ素の微量注入は、具体的には2種混合のF2 /Ne(フッ素/ネオン)を注入することにより行われる。
【0004】
最近では更に開発が進み、ガスの劣化が減少し更にレーザの長寿命化が可能になってきた。しかし、フッ素の微量注入を行う際には内部圧力の異常上昇を防止するため、一旦レーザ光源内部の混合ガスを抜き取りその後にフッ素の微量注入を行う必要があることから、例えばKrFエキシマレーザの場合、フッ素の微量注入の度毎にクリプトン(Kr)の濃度が下がり、フッ素とともにクリプトン(Kr)も同時に注入する必要が生じてきた。そこで、従来フッ素微量注入で用いていた2種混合のF2 /Neから3種混合のF2 /Kr/Ne(フッ素/クリプトン/ネオン)に変更してガス注入を行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
エキシマレーザのような混合ガスをレーザ媒質とするレーザでは、レーザ媒質に用いる混合ガスの最適な混合比(濃度)はメーカ毎に異なったものになっている。また、レーザ媒質がKrF,ArFである場合のように、一部に同じ種類のガスが含まれていたとしても、KrとF2 の濃度、ArとF2 の濃度はそれぞれ違ったものになっている。このため、例えば、KrFレーザの場合には、Krを含むガスボンベ、例えば、Kr/Ne(クリプトン/ネオン)とF2 を含むガスボンベ、例えば、F2 /Neを用意し、これらのボンベからのガスをレーザへ供給するガス設備を設ける必要があり、しかもKr、F2 の濃度がメーカー毎に異なるため、それぞれに対応した供給設備を設ける必要があった。ArFレーザの場合も全く同様である。
【0006】
このように、メーカーやレーザ媒質の異なるレーザを用いる場合、ガスを供給するための複数のボンベ及び供給ラインといったガス供給装置(ガス供給設備)をレーザ毎に設置していたので、場所やコストの面で効率的でなかった。特に、フッ素の場合、有毒ガスなので厳しい管理が要求され、有毒ガス対応のガス供給設備をレーザ毎に設ける必要があるとともにその管理負担が大きくなっていた。
【0007】
ところで、例えば半導体素子等の製造におけるリソグラフィ工程では、同一の製造ラインにおいて、krFエキシマレーザを用いた露光装置(ステッパ等)とArFエキシマレーザを用いた露光装置(ステッパ等)とを用いて露光を行うミックス・アンド・マッチの必要性が近い将来必要になる可能性が高い。かかる場合にも、従来の如く、上記の有毒ガス対応のガス供給設備を露光装置毎に用意するのでは、スペース効率が悪く、コストが掛かり過ぎるという不都合があり、このことがミックス・アンド・マッチ導入の障害となるおそれがあった。
【0008】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、第1の目的は、管理上の負担の軽減、コストの低減等を図ることが可能なリソグラフィシステムを提供することにある。
【0011】
また、第2の目的は、素子製造コストを低減することができる素子製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1の観点からすると、混合ガスをレーザ媒質とする複数のエキシマレーザ光源(36a,36b,36c,36d)と;前記各エキシマレーザ光源からの光によりマスクを照明し、該マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する複数の露光装置本体と;前記複数のエキシマレーザ光源のそれぞれに前記混合ガスの組成を成すガスを含む複数種類のガスの各々を供給可能な複数のガス供給源(34a,34b,34c,34d)と;前記複数のエキシマレーザ光源毎に設けられ、各エキシマレーザ光源に所定の組成の混合ガスが供給されるように、前記複数のガス供給源からのガスの流量を各々調整するガス流量調整系(38a,38b,38c,38d)と;を備えるリソグラフィシステムである。
【0013】
これによれば、複数のエキシマレーザ光源毎に設けられたガス流量調整系により複数のガス供給源からのガスの流量を各々調整して各エキシマレーザ光源に供給することができるので、媒質ガス、バッファガス等の単独ガス、あるいはこれら媒質ガスとバッファガスの混合ガスのガス供給源の適宜の組み合わせによりレーザ光源にとって最適なガス濃度を実現でき、各エキシマレーザ光源は、長時間に渡り良好なレーザ発振が可能となる。このため、各露光装置本体では、このレーザ光源からの光によりマスクを照明し、該マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光することにより、高精度な露光を維持することが可能になる。それぞれのレーザ光源の媒質である混合ガスの組成ガスが異なっていたとしても、光源毎に設けられたガス流量調整系によりそれぞれの光源毎に最適な組成の混合ガスを所望の濃度で供給することができる。また、同じ種類のガスであれば同じガス供給源から異なるレーザ光源に供給できるので、ガス供給設備の構成を簡略化することができ、特に媒質ガスの中に有毒ガス(例えばフッ素)等が含まれている場合には、当該有毒ガスの供給源を最少にすることができるので、管理上の負担の軽減、コストの低減等を図ることが可能になる。
【0015】
この場合において、エキシマレーザ光源(36a,36b,36c,36d)はその種類を問わず複数設けられていれば良く、例えば、前記複数のエキシマレーザ光源(36a,36b,36c,36d)は、KrFエキシマレーザとArFエキシマレーザの少なくとも2種類の光源を含んでいても良い。この場合、フッ素のガス供給源を同じにすることができる。
【0020】
本発明は、第2の観点からすると、複数のガス供給源(34a,34b,34c,34d)からの混合ガスの組成成分を成す各々のガスの流量を個別に調整して複数のレーザ光源の各々に供給するとともに、前記流量調整された混合ガスをレーザ媒質とする各レーザ光源からの光により複数のマスクの各々を個別に照明して、該各マスクにそれぞれ形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に各々投影露光するリソグラフィ工程を含む素子製造方法である。
【0021】
これによれば、リソグラフィ工程で、複数のガス供給源からの混合ガスの組成成分を成す各々のガスの流量を個別に調整して複数のレーザ光源の各々に供給するので、常に最適なガス濃度にすることができ、レーザ光源は長時間良好なレーザ発振ができるようになる。前記流量調整された混合ガスをレーザ媒質とする各レーザ光源からの光により複数のマスクの各々を個別に照明して投影露光を行うので、良好なリソグラフィを長時間維持できる。また、同じ種類のガスであれば同じガス供給源から異なるレーザ光源に供給できるので、製造に用いる設備をより簡素な構成にすることができ、ひいては素子製造コストを低減させることが可能になる。
【0022】
【発明の実施の形態】
《第1の実施形態》
以下、本発明の第1の実施形態を図1及び図2に基づいて説明する。
【0023】
図1には、本発明に係るレーザ装置を露光光源として用いた複数台の露光装置を含む第1の実施形態のリソグラフィシステム10の全体構成が概略的に示されている。
【0024】
このリソグラフィシステム10は、複数の露光装置本体20a,20b,20c,20dと、これらの露光装置本体20a,20b,20c,20dの露光光源であるレーザ装置30と、このレーザ装置30からの露光光を露光装置本体20a,20b,20c,20dにそれぞれ導くためのビーム・マッチング・ユニット(以下、「BMU」と略述する)11a,11b,11c,11dとを備えている。この場合、露光装置本体20aとBMU11aとレーザ装置30とによって露光装置が構成され、同様に露光装置本体20b、BMU11b及びレーザ装置30、露光装置本体20cとBMU11c及びレーザ装置30、露光装置本体20d、BMU11d及びレーザ装置30によってそれぞれ露光装置が構成される。
【0025】
露光装置本体20a,20b,20c,20dは、使用される露光光の波長が異なり、露光装置本体20a,20bではKrFレーザ光(波長:248nm)が使用され、露光装置本体20c,20dではArFレーザ光(波長:193nm)が用いられる。これらの露光装置本体20a,20b,20c,20dは、露光光源としてのレーザ装置30からBMU11a,11b,11c,11dをそれぞれ介して露光装置本体内に導かれた露光光によりマスクとしてのレチクルRを照明する照明光学系IOPと、レチクルRを保持するマスクステージとしてのレチクルステージRSTと、レチクルRに形成されたパターンを基板としてのウエハW上に投影する投影光学系PLと、ウエハWを保持して水平面内を2次元移動するウエハステージWSTと、コンピュータを用いて装置全体の動作を制御するための制御系(図示省略)とを備えている。本実施形態では、露光装置本体20a,20b,20c,20dとしては、BMU11a,11b,11c,11dによってそれぞれ導かれたレーザ装置30からの露光光により照明光学系IOPを介してレチクルRを照明し、投影光学系PLによってレチクルR上のパターンをウエハW上に投影露光する動作と、ウエハステージWSTのステッピング動作とを交互に繰り返し、ステップ・アンド・リピート方式でレチクルパターンをウエハ上のショット領域に順次露光する縮小投影露光装置(ステッパー)が用いられている。これらの露光装置本体20a,20b,20c,20dの構成等は、通常のステッパーと同様であるので、詳細な説明については省略する。
【0026】
前記レーザ装置30は、エキシマレーザ装置32a,32b,32c,32dと、これらのエキシマレーザ装置32a,32b,32c,32dに必要なガスを供給するガス供給源としてのガスボンベ34a,34b,34c,34dと、各エキシマレーザ装置に必要なガスをガスボンベからエキシマレーザ装置に供給するための配管系L1〜L4とを含んで構成されている。
【0027】
前記エキシマレーザ装置32a,32b,32c,32dは、それぞれレーザ管及び高圧電源部(いずれも図示省略)を含むレーザ光源36a,36b,36c,36dと、ガス流量調整系としてのマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dと、不図示の制御系とを備えている。
【0028】
前記ガスボンベ34aには高圧のKrガスが貯えられ、このガスには100%Krが用いられている。ガスボンベ34aとエキシマレーザ装置32a,32bのマスフローコントローラ38a,38bと間に配管系L1が接続され、この配管系L1を介してKrガスがマスフローコントローラ38a,38bに供給されるようになっている。
【0029】
ガスボンベ34bにはフッ素が1%の2種混合のF2 /Neの高圧ガスが貯えられている。このガスボンベ34bのF2 /Ne混合ガスとしては、フッ素が2.5%あるいは5%のガスでもよいが、安全管理の面から言えばフッ素濃度が低いことが望ましい。ガスボンベ34bとエキシマレーザ装置32a,32b,32c,32dのマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dとの間に配管系L2が接続され、配管系L2を介してF2 /Neガスがマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dに供給されるようになっている。ここで、この配管系L2は、有毒ガスであるフッ素を含む混合ガスの経路となっているため、この配管系L2には緊急遮断弁やガスセンサ等の有毒ガス管理のための機器(図示省略)が設けられている。
【0030】
ガスボンベ34cには高圧のバッファガスとして用いられるNeガスが貯えられ、ここでは100%Neが用いられているが、これに代えてバッファガスとしてHe(ヘリウム)ガスを用いても良い。このガスボンベ34cとエキシマレーザ装置32a,32b,32c,32dのマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dとの間に配管系L3が接続され、この配管系L3を介してNeガスがマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dに供給されるようになっている。
【0031】
ガスボンベ34dには高圧のArガスが貯えられ、ここでは100%Arが用いられている。このガスボンベ34dとエキシマレーザ装置32c,32dのマスフローコントローラ38c,38dとの間に配管系L4が接続され、この配管系L4を介してArガスがマスフローコントローラ38c,38dに供給されるようになっている。
【0032】
マスフローコントローラ38a,38b,38c,38dは、配管系L1〜L4を介して供給された上記ガスボンベ34a,34b,34c,34dからのガスのを流量を各々調節してレーザ光源36a,36b,36c,36dに供給するためのものである。この内、マスフローコントローラ38a,38bはそれぞれ、ボンベ34aからのKrガス及びボンベ34bからのF2 /Neガスを混合してレーザ媒質として最適な濃度の混合ガスにしてレーザ光源36a,36bに供給するとともに、ガスボンベ34c内のバッファガスであるNeガスも適量混合して供給する。また、マスフローコントローラ38c,38dはそれぞれ、ガスボンベ34d内のArガスとガスボンベ34b内のF2 /Ne混合ガスとを混合してレーザ媒質として最適な濃度の混合ガスにしてレーザ光源36c,36dに供給するとともに、ガスボンベ34c内のNeガスも適量混合して供給する。
【0033】
マスフローコントローラ38a,38b,38c,38dによる各ガスの流量調整は、各レーザー光源に対応してそれぞれ行われるようになっており、所望の最適な濃度及び量で混合ガスをそれぞれレーザ光源36a,36b,36c,36dに供給できるようになっている。
【0034】
前記レーザ光源36a,36bは、Kr(希ガス)と微小量のF2 (ハロゲン)の混合ガスをレーザ媒質とする希ガス−ハロゲン(エキシマ)レーザの一種であるKrFエキシマレーザであり、マスフローコントローラ38a,38bで各ガスの流量が調整された最適な濃度のKrとF2 の混合ガスを短パルス大電流放電によって励起することによりレーザ発振して、KrFレーザ光を出力する。
【0035】
また、レーザ光源36c,36dはAr(希ガス)と微小量のF2 (ハロゲン)の混合ガスをレーザ媒質とする希ガス−ハロゲン(エキシマ)レーザの一種であるArFエキシマレーザであり、マスフローコントローラ38c,38dで各ガスの流量が調整された最適な濃度のArとF2 の混合ガスを短パルス大電流放電によって励起することによりレーザ発振して、ArFレーザ光を出力する。
【0036】
本実施形態では、マスコントローラ38a,38b,38c,38dにより常に最適な濃度のKrとF2 の混合ガス又はArとF2 の混合ガスを、レーザ光源36a,36b又は36c,36dにインジェクションすることができるようになっているので、レーザ光源36a,36b,36c,36dは最適なレーザ発振状態を長時間に渡って維持できる。
【0037】
上記のようにして構成されたリソグラフィシステム10の動作を簡単に説明すると次のようになる。
【0038】
ガスボンベ34a,34b,34c,34dに貯えられたガスのうち、各レーザ光源に必要なものが、配管系L1〜L4を介してマスフローコントローラ38a,38b,38c,38dに供給される。マスフローコントローラ38a,38b,38c,38dでは、配管系L1〜L4を介してそれぞれ供給されたガスの流量を各々調節して、レーザ光源36a,36bにKrFエキシマレーザ媒質として最適な濃度及び量の混合ガスをそれぞれ供給し、また、レーザ光源36c,36dにArFエキシマレーザ媒質として最適な濃度及び量の混合ガスをそれぞれ供給する。そして、レーザ光源36a,36bではマスフローコントローラで混合されたガスをレーザ媒質として前述した如くしてKrFエキシマレーザ発振を行い、レーザ光源36c,36dではマスフローコントローラで混合されたガスをレーザ媒質として前述した如くしてArFエキシマレーザ発振を行う。
【0039】
レーザ光源36a,36bからのエキシマレーザ光がBMU11a,11bをそれぞれ介して露光装置本体20a,20bにそれぞれ導かれ、レーザ光源36c,36dからのエキシマレーザ光がBMU11c,11dをそれぞれ介して露光装置本体20c,20dにそれぞれ導かれる。露光装置本体20a,20bでは、KrFエキシマレーザ光を用いて投影露光が行われ、レチクルR上のパターンがウエハW上に転写される。また、露光装置本体20c,20dでは、ArFエキシマレーザ光を用いて投影露光が行われ、レチクルR上のパターンがウエハW上に転写される。
【0040】
なお、図示は省略したが、各レーザ光源の発振器外の光学系、各BMU(11a、11b、11c、11d)、各露光装置本体内の照明光学系IOP及び投影光学系PL内をパージするためのHeやN2 ガスを供給する配管も各露光装置に接続されている。
【0041】
次に本実施形態のリソグラフィシステム10を用いて露光が行われる露光工程を含む半導体素子の製造方法について、図2の半導体素子の製造工程の流れ図に沿って説明する。
【0042】
まず、図2のステップ100において、論理回路設計およびパターン設計が行われる。次に、ステップ102で設計図をもとに、各層ごとの回路パターンを刻んだレチクルRが製作される。このレチクルの製作工程と並行して、ステップ104では高純度のシリコン等の材料でウエハWが製造され、ステップ106でそのウエハWの上にフォトレジスト(感光性樹脂)が塗布される。ここで、半導体素子はウエハ上に多数層の回路パターンを積み重ねて形成されるので、レチクルRは、各層に対応したものが複数製作される。
【0043】
以下においては、説明を簡略化するために単一のウエハの処理工程について説明する。
【0044】
次に、ステップ108の露光工程(この露光工程と現像工程とを含んで通常フォトリソグラフィ工程と称される)において、上記工程で製作されあるいはフォトレジストが塗布されたレチクルRとウエハWが図1の4つの露光装置本体のいずれか、例えば露光装置本体20aにセットされ、露光装置本体20aではKrFエキシマレーザ光を用いて、レチクルRに形成されているパターンをウエハW上にステップ・アンド・リピート方式で順次露光、転写する。このとき、露光装置本体20aのレーザ光源36aには、複数のガスボンベ34a,34b,34cからのガスが、マスフローコントローラ38aによって流量が各々調整・制御されて供給される。
【0045】
次のステップ110では、露光された各ウエハWが恒温槽に入れられた後、現像液に浸される。これにより、ポジ型レジストの場合は、露光光により感光されたレジスト部分が溶け、非感光のレジスト部が残り(ネガ型レジストの場合は、この反対)、レジスト像が形成される。
【0046】
次のステップ112では、エッチング溶液によりウエハW上のフォトレジストが洗い流された部分の酸化膜(例えば、Si3N4)が食刻される。
【0047】
次のステップ114ではトランジスタやダイオード等の素子を形成するためウエハ中のレジストの無い領域にリンやヒ素等の物質を染み込ませるドーピングが行われる。このドーピング後、用済みのレジストが例えばプラズマ・アッシャー(灰化装置)で取り除かれる、すなわちすべてのフォトレジストが取り除かれる。
【0048】
その後、ステップ106〜ステップ114までの工程を繰り返すことにより、ウエハ表面に何層もの回路パターンが形成される。この場合において、ウエハWに対する複数層の露光を全て同一の露光装置本体20aを用いてレチクルRを交換しながら行っても良いが、4つの露光装置本体20a〜20dを順番に用いて露光を行っても良く、あるいは適宜の2つ又は3つの露光装置本体を用いて適宜な順番で露光を行っても良い。すなわち、同一のウエハに対する各層の露光を如何なる露光装置本体の組み合わせで如何なる順序で行っても良い。
【0049】
何れにしろ、露光装置本体20a(又は20b)と露光装置本体20c及び20dのいずれかとの組み合わせにより同一ウエハに対して露光が行われれば、KrFエキシマレーザ露光とArFエキシマレーザ露光とによるミックス・アンド・マッチが行われることとなる。
【0050】
上記のようにして、ステップ106〜ステップ114までの工程を繰り返すことにより、ウエハ表面に何層もの回路パターンが形成された後、次のステップ116では回路パターン形成済みのウエハを用いてチップの組み立てが行われる。具体的には、ウエハにアルミニウム電極を蒸着し、各素子を回路として結び付けた後チップ化し組立てる。ダイシング、ボンディング、モールディング等の工程も含まれる。
【0051】
次のステップ118ではステップ116で製作された半導体素子の電気的特性試験、構造検査および信頼性試験等が行われる。これらの製造工程を経ることによって半導体素子が完成する(ステップ120)。
【0052】
以上説明したように、本実施形態のリソグラフィシステム10によると、マスフローコントローラ38a,38b,38c,38dによって、複数のガスボンベ34a,34b,34c,34dからのガスの流量を各々調整してそれぞれレーザ光源36a,36b,36c,36dに供給することができるので、Kr、Ar等の媒質ガス、Ne等のバッファガス等の単独ガス、あるいは媒体ガスとバッファガスの混合ガス(F2 /Ne等)の適宜の組み合わせによりそれぞれのレーザ光源36a,36b,36c,36dにとって最適なガス濃度を実現できる。従って、同じKrFレーザであってもレーザ光源36aと36bのレーザ媒質である混合ガス中のKrやF2 の組成割合は全く異なるものであっても特に不都合が生じることがなく、ガス供給源としては、ガスボンベ34a、34d、34b、34cに限らず、Kr/NeやAr/Neが貯蔵されたガスボンベを用いることも可能である。
【0053】
また、レーザ光源36a,36bのように同じKrFレーザに対しては、同じ種類の混合ガスがレーザ媒質として用いられるので、同じガス供給源から異なるレーザ光源にそれぞれの成分ガスを供給でき、ガス供給設備の構成を簡略化することができる。
【0054】
特に、本実施形態の場合は、マスフローコントローラが、レーザ光源毎に設けられているので、レーザ光源36a,36b、レーザ光源36c,36dのようにレーザ媒質である混合ガスの組成ガスが異なっていたとしても、各マスフローコントローラによりそれぞれのレーザ光源に応じた最適な組成の混合ガスを所望の濃度で供給することができる。これに加え、レーザ光源36a,36b、レーザ光源36c,36dのようにそれぞれのレーザ媒質中に同じ成分ガス(この場合フッ素F2 )が含まれている場合に、同一のガスボンベ34bからそれぞれのレーザ光源36a,36b,36c,36dにフッ素を供給できる。特に、このフッ素F2 のような有毒でかつ腐蝕性が強く、取り扱いに特別の注意を要するガスの供給源を、同一のフッ素混合ガスのボンベであるガスボンベ34bのみ(若しくはこれに加え予備のボンベ)にすることができることは、ガス供給設備の構成を簡略化することができ、また、監視のためのガスセンサなどの保安設備が少なくて済む等、管理面の負担軽減、コストの低減という面で大きなメリットがある。
【0055】
また、最適なガス濃度で各レーザ光源36a,36b,36c,36dを動作させるので、長時間使用していても安定で良好なレーザ発振が可能となり、各レーザ光源36a,36b,36c,36dからの光を用いて投影露光が行われるため、露光装置本体20a,20b,20c,20dでは、高精度な露光を長時間に渡って維持することが可能になる。
【0056】
更に、上述した半導体素子の製造方法では、リソグラフィ工程で、各レーザ光源36a,36b,36c,36dは長時間使用していても安定で良好なレーザ発振ができるようになり、これらのレーザ光源からの光によりマスクを照明して投影露光が行われるので良好なリソグラフィを実現できるのみならず、上述したKrFレーザ(レーザ光源36a又は36b)とArFレーザ(レーザ光源36c又は36d)とを用いたミックス・アンド・マッチを最小限の用力設備(ガス供給設備)で容易に実現することができ、ひいては素子製造コストを低減させることが可能になる。
【0057】
《第2の実施形態》
次に本発明の第2の実施形態について、図3に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし若しくは省略するものとする。
【0058】
図3には、第2の実施形態に係るレーザ装置を用いた露光装置を含むリソグラフィシステムの全体構成が概略的に示されている。
【0059】
このリソグラフィシステムは、3つの露光装置本体20a,20b,20cと、これらの露光光源を構成する3つのエキシマレーザ装置32a、32b、32cを含むレーザ装置30とを備えている。エキシマレーザ装置32a、32b、32cは、それぞれレーザ光源36a,36b,36cと、マスフローコントローラ38a,38b,38cとを備えている。
【0060】
露光装置本体20a,20bではKrFレーザ光を、露光装置本体20cではArFレーザ光を用い、レーザ光源36a,36bはKrFエキシマレーザ、レーザ光源36cはArFエキシマレーザである。
【0061】
ガスボンベ34bには、図1と同様のF2 /Neガスが貯えられ、ガスボンベ34bとマスフローコントローラ38a,38b,38cとの間に配管系L7が接続され、配管系L7を介してF2 /Neガスがマスフローコントローラ38a,38b,38cに供給されるようになっている。ガスボンベ34fには2種混合のKr/Neガスが貯えられ、ガスボンベ34fとマスフローコントローラ38a,38bとの間に配管系L6が接続され、配管系L6を介してKr/Neガスがマスフローコントローラ38a,38bに供給されるようになっている。ガスボンベ34gには、2種混合のAr/Neガスが貯えられ、ガスボンベ34gとマスフローコントローラ38cとの間に配管系L8が接続され、配管系L8を介してAr/Neガスがマスフローコントローラ38cに供給されるようになっている。
【0062】
マスフローコントローラ38a,38bには、配管系L7からF2 /Neガス、配管系L6からKr/Neガスが供給され、マスフローコントローラ38cには、配管系L7からF2 /Neガス、配管系L8からAr/Neガスが供給される。各マスフローコントローラに供給されるガスは、すべてバッファガスNeを含むものにしている点に特徴がある。メンテナンス時に使用するHeガスのボンベは省略されている。
【0063】
レーザ光源36aと36bとではレーザ媒質は同じであるが、その成分ガスの組成割合が異なり、また、レーザ光源36a、36bと36cとではレーザ媒質の組成ガスの種類が異なっているが、マスフローコントローラ38a,38b,38cで、各ガスボンベから供給されたガスの流量を各々調節して、前述した第1の実施形態の場合と同じガスの組成にしてレーザ光源36a,36b,36cにインジェクションをおこなっている。そのため、レーザ光源36a,36bにそれぞれKrFエキシマレーザ媒質として最適な濃度及び量の混合ガスが供給され、また、レーザ光源36cにArFエキシマレーザ媒質として最適な濃度及び量の混合ガスが供給される。そして、レーザ光源36a,36bではそれぞれ、マスフローコントローラ38a,38bで各ガスの流量が調整された最適な濃度のKrとF2 の混合ガスを短パルス大電流放電によって励起することによりレーザ発振して、KrFレーザ光を出力し、このKrFレーザ光がBMU11a、11bをそれぞれ介して露光装置本体20a、20bにそれぞれ導かれ、第1の実施形態と同様に露光が行われる。また、レーザ光源36cでは、マスフローコントローラ38c,38dで各ガスの流量が調整された最適な濃度のArとF2 の混合ガスを短パルス大電流放電によって励起することによりレーザ発振して、ArFレーザ光を出力し、このArFレーザ光がBMU11cをそれぞれ介して露光装置本体20cに導かれ、第1の実施形態と同様に露光が行われる。
【0064】
以上説明した本第2の実施形態によると、前述した第1の実施形態と同等の効果が得られる他、バッファガス(Ne)供給専用のボンベを省略することができるので、システム構成が一層簡略化される。
【0065】
なお、上記第1、第2の実施形態では、レーザ光源がKrF、ArFエキシマレーザである場合について説明したが、これに限らず、混合ガスをレーザ媒質とするレーザ光源であれば良く、例えばF2 、krCl(クリプトン塩素)、XeF(キセノンフッ素)、XeCl(キセノン塩素)などをレーザ媒質とするレーザ光源であっても良い。
【0066】
また、レーザ光源の数、ガス供給源の数も上記実施形態で説明したものに限定されないことは勿論であり、レーザ光源及びガスボンベの予備を設けておいても良い。かかる場合にレーザ光源やガスボンベの交換や予備の配置は容易に行うことができ、光源及びガスボンベをある一定の条件を満足するのであれば、異なる種類(あるいは異なるメーカーのもの)に交換しても特に不都合が生じないのでメンテナンスが容易となる。
【0067】
更に、上記実施形態では、本発明に係るレーザ装置をステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(ステッパー)の露光光源として用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されるものではなく、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置は勿論、その他の装置、例えばレーザ加工装置の光源として用いても良い。また、素子の製造方法として半導体素子の製造方法についてのみ説明したが、これに限らず、液晶表示素子の製造方法にも本発明は適用可能である。
【0068】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のリソグラフィシステムによれば、特に、媒質ガスの中に有毒ガス等が含まれている場合には、当該有毒ガスの供給源を最少にすることができるので、管理上の負担の軽減、コストの低減等を図ることが可能になる。
【0071】
また、本発明の素子製造方法によれば、製造に用いる設備をより簡素な構成にすることができ、ひいては素子製造コストを低減させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態のリソグラフィシステムの全体構成を概略的に示す図である。
【図2】半導体素子の製造工程を示す流れ図である。
【図3】第2の実施形態のリソグラフィシステムの全体構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
20a,20b,20c,20d 露光装置本体
30 レーザ装置
34a,34b,34c,34d,34f,34g ガスボンベ(ガス供給源)
36a,36b,36c,36d レーザ光源
38a,38b,38c,38d マスフローコントローラ(流量調整系)
R レチクル(マスク)
W ウエハ(基板)
PL 投影光学系
Claims (3)
- 混合ガスをレーザ媒質とする複数のエキシマレーザ光源と;
前記各エキシマレーザ光源からの光によりマスクを照明し、該マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影露光する複数の露光装置本体と;
前記複数のエキシマレーザ光源のそれぞれに前記混合ガスの組成を成すガスを含む複数種類のガスの各々を供給可能な複数のガス供給源と;
前記複数のエキシマレーザ光源毎に設けられ、各エキシマレーザ光源に所定の組成の混合ガスが供給されるように、前記複数のガス供給源からのガスの流量を各々調整するガス流量調整系と;を備えるリソグラフィシステム。 - 前記複数のエキシマレーザ光源は、KrFエキシマレーザとArFエキシマレーザの少なくとも2種類の光源を含むことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィシステム。
- 複数のガス供給源からの混合ガスの組成成分を成す各々のガスの流量を個別に調整して複数のレーザ光源の各々に供給するとともに、前記流量調整された混合ガスをレーザ媒質とする各レーザ光源からの光により複数のマスクの各々を個別に照明して、該各マスクにそれぞれ形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に各々投影露光するリソグラフィ工程を含む素子製造方法。
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