TWI269122B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1269122 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一種微影裝置及元件製造方法。 【先前技術】 /種微影裝置係-種將所要求圖案施加於—基板之目標 一刀之上的機器。微影裝置可用以例如製造積體電路 =:)、平面顯示器及其他含有精細結構之元件。在傳統微 /衣置中圖案化構件，或者可稱之為遮罩或主光罩， 1 、產& %路圖案，該電路圖案係對應於該ic(或其他 為件)之個別層，及該圖案可以映像到一基板(例如一矽晶圓 或玻璃板)之目標部分(例如包含一個或數個晶粒的部幻之 f ’該基板具有—層_敏感純料（光阻液）。取代遮罩， 該圖案化構件係、包含-個別可控制元件（element)之陣列， 其用以產生該電路圖案。 般來祝，一單一基板為一含有被連續曝光之鄰近目標 部=之網狀系統。已知的微影裝置包含所謂的步進機，其 :每個目標部分係在—次行程中，藉由將整個圖案曝光到 邊目標部分之上來被照射；及所謂的掃描器，#中每個目 軚部分係藉由在一規定方向（該"掃描"方向）上，透過該投影 光束掃描該圖案的方式來被照射，而同時平行於該方向$ 反平行方向地掃描該基板。 當使用具有-個別可控制元件之陣列的裝置來執行” 時’所謂的無料微影，很重要的是要確保該輻射系統所 產生之輻射強度在一連串曝光期間並不會顯著地變化。例 94630.doc 1269122 如，所要求的脈衝到脈衝間劑量之再現性大約為1%。然 而，目則用於微影之雷射並無法達到脈衝到脈衝間劑量之 再現性的水準。特別地，目前使用的準分子雷射所具有的 脈衝到脈衝間劑量之再現性大約只有1〇%。 【發明内容】 、本發明之目的是要提供一種用於無遮罩微影之輻射光 源，其具有已改良的脈衝到脈衝間劑量之再現性。 根據本發明之一方面，提供一種微影裝置，其包含： 輻射系統，用以提供一投影輻射光束； -一具有個別可控制元件之陣列，作為賦予該投影光束 在其橫斷面中具有一圖案； -一基板平台，用以支撐一基板；及 ^ -投n统’用以將該圖案化光束投影到該基板之目 標部分之上，其中該輻射系統包含複數個輻射產生單元， 每:固單元產生-次投影輻射光束；及-結合單元，其結合 邊寻次投影光束之每個光束以形成該投影輻射光束；及 _複數個㈣輻射產生單&，其係為含在一單一外殼内 之田射，遠等雷射共享一共同雷射媒體。 結果’即使該等輻射產生單元之每個單元的脈衝到脈衝 =量之再現性並非好到足以用在無遮罩微影上，然而該 寺=化平均之後，該完整輕射系統之輸出便成為具有足夠 在無遮罩微影中使用之脈衝到脈衝間劑 輕射光束。再者，雖然在該外殼内之該等㈣產生單元又： 母個早70係獨立產生—雷射脈衝’但是整體來說，該輻射 94630.doc 1269122 糸統之複雜性係降到最低。 較佳地，該等輻射逄& @ ^, 屋生早70之母個皁元所產生的輻射實 質上為相同波長以產、 生具有狹乍頻譜之投影輻射光束。 、在X外/V又内之幸田射產生單元包含一對獨立的放電電極。 或者k二‘射產生單疋係共享_共同放電電極，而每單 元也都具有一獨立放電電極。 為了方便起見，含有數個輻射產生單元之外殼也包含一 風相，用以混合該外殼内 兩私 ^ 田射乳體’及/或一溫度控制 器，用以調節該雷射氣體之、、w洚 #丄以> 田和虱粒之/皿度。猎由共享該等功用，便 可以進一步降低該輻射系統之複雜性。 該㈣系統包含複數個外殼，每個外殼包含複數個輻射 f生單元，共享某些或所有功用。這允許大量的輻射產生 早元併入到該輻射系統内，而每個外殼的複雜性並沒有增 加太多。 此外，該輻㈣統可以包含複數個輻射產生單元，立都 是獨立的雷射。控制該等獨立雷射之時序較為複雜。缺而， 因為該等雷射係完全地獨立，每個雷射之輻射強度也是完 全地獨立，因此整體夾為'，# 。/ 體；°兄s亥輻射系統之脈衝到脈衝吸收 劑量之再現性係獲得改良。 為了減少該輻射系統之複雜性 抑一/ 银嘁性某些或所有的輻射產生 單元係共享一共同控制系統。 該等輻射產生單元之每個輩斧邮太丄 母1 U早兀所產生之次投影光束可以 使用繞射元件或微透鏡陣列爽έ士人 早夕合，以形成該投影輻射光 束0 94630.doc 1269122 一般來說，使用的輻射產生單元數量越多，則該脈衝到 脈衝間劑量之再現性的改良程度會越大。使用傳統準分子 雷射，較佳地係使用100個或更多個輻射產生單元。 根據本發明之另一方面，提供一輻射光源，其配置用以 提供一微影裝置一投影輻射光束，該輻射源包含複數個輻 射產生單7L，每個單元產生一次投影輻射光束；及一結合 單元，其結合該等次投影光束之每個光束，以形成一投影 輻射光束； ~ 其中複數個該等輻射產生單元係為含在一單一外殼内之 雷射，其共享同一雷射媒體。 根據本發明之另一方面，提供一種元件製造方法，其包 含： -提供一基板； -使用一輻射系統，提供一投影輻射光束； -使用一個別可控制元件之陣列，以賦予該投影光束在 其橫斷面上具有一圖案；及 -將該圖案化輻射光束投影到該基板之目標部分上， 其中該輻射系統包含複數個輻射產生單元，而該方法包 各使用Θ *幸§射產生單元，以提供複數個二欠投影輕射光 束然後將它們結合以提供該投影轄射光束； 及複數個輻射產生單元係為含在一單一外殼内之雷射， 其共享同一雷射媒體。 ”在所知用之術垂”個別可控制元件之陣列，，應該廣泛地 ”、睪成才曰任何可用以賦予一入射輻射光束一圖案化橫斷面 94630.doc 1269122 的構件，所以可在該基板之目標部分上產生所要求的圖 案；該等術語π光閥"及π空間光調變器11 (SLM)也可以使用在 本文中。該等圖案化構件之範例包含： - 一可程式化鏡面陣列。這包含一矩陣可定址表面，其 具有一黏彈（viscoelastic)控制層及一反射表面。該裝置之基 本原理係（例如）該反射表面之定址區域會反射入射光成為 繞射光，而未定址區域則會反射入射光成為未繞射光。使 用適當空間過濾器，該未繞射光可以從該反射光過濾出 來，而只留下該繞射光抵達該基板；以該方式，該光束係 根據該矩陣可定址表面之定址圖案變成圖案化。應了解的 是作為另一選擇，該過濾器可以過濾出該繞射光，而留下 該未繞射光抵達該基板。一陣列的繞射光學MEMS元件也 可以利用對應方式來使用。每個繞射光學MEMS元件係構 成複數個反射帶，其可以相對於彼此而變形以形成一光 柵，該光柵可以將人射光反射成繞射光…可程式化鏡面 之另-實施例係採用一矩陣配置的微細鏡面，每個微細鏡 面可以藉由施加一適當局部化電場或藉此採用壓電式致動 構件，對-軸獨立傾斜4次地，料鏡面為料可定址， 使得定址鏡面將可以反射在不同方向上之人射輻射光束到 未疋址鏡面’以該方式，該反射光束係根據該等矩陣可定 址鏡面之定址圖案來圖案化。所要求的矩較址可以 適當的電氣構件來執行。在上述兩種情形下，具有個別可 控制元件之陣列包含—個或更多個可程式化鏡面陣列 此所指的鏡面陣列上更多資訊可以是從例如美國專利 94630.doc 1269122 5,296,891及113 5,523，193及？0：1'專利申請案\¥〇98/3 8597及 WO 98/33096中蒐集而來，這些係在此以參考的方式併入本 文0 -一可程式LCD陣列。該結構之範例可發現於美國專利 US 5,229,872，其在此以參考的方式併入本文。 應了解的是預先偏壓（pre_biasing)的特徵、光學近接修正 的特徵、相位變化技術及多重曝光技術都可以使用，例如 ”已顯示"在該個別可控制元件之陣列上的圖案實質上可以 不同於最後轉移到該基板之一層的圖案，或是不同於在該 基板上一層的圖案。類似地，最後產生在該基板上之圖案 可能並沒有對應於任一瞬間形成在具有該等個別可控制元 件之陣列上的圖案。就像是該範例，在一配置中，在該基 板之每一部分上所形成之最後圖案係在一規定期間或一規 定次數的曝光期間建立，在其期間，在具有個別可控制元 件之陣列及/或該基板之相對位置上的圖案係會變化。 雖然在該本文中特別地參考製造ICs之微影裝置的使 用，應了解的是在此所描述之微影裝置可以具有其他的應 用，像是製造該積體光學系統、磁疇記憶體之傳導及檢測 圖案、平面顯示H、薄膜磁頭等等。熟悉該項技藝者應了 解的是在該等其他應料f景下，任何在此有關該等術語，， 晶圓”或’f晶粒π的使用係分別^目炎彳七々々 丨又川冰刀别視為與該等更為一般的術語，， 基板’’或11目標部分”具有相因咅# .. 丁 I刀八，祁问思義。在此所指的基板可以在 曝光之如後’在例如一執道("血开丨】士> Λ Ά KL· G、U、型^加一層的光阻到一基板 而顯影该已曝光光阻的工呈\^ ^ U W工具）或一度量衡或檢驗工具中被 94630.doc -10- 1269122 處理。在可應用的地方’在此所揭示的文件可以施加於該 荨及其他基板處理工具。再者，該基板可以被處理超過一 次以上’例如’以創造出多層ic，使得在此所使用之術語 基板也可以指已經含有多重處理層之基板。 在此所使用之術語π輕射”及11光束”係含有所有類型的電 磁輻射，包含紫外線（UV)輻射（例如具有一波長為4〇8、 355、365、248、193、157 或 126 奈米）及超紫外線（Ευν)輕 射（例如具有一波長的範圍為5-20奈米），還有粒子束，像是 離子束或電子束。 在此所使用之術語”投影系統，，應該廣泛地解釋成包含各 種類型的投影系統’其包含折射光學系統、反射光學系統 及反射折射混合式光學系統，作為適合被使用的曝光輻 射，或其他諸如使用浸沒液體或真空之類的參數。在此任 何有關該術語”透鏡π的使用可以視為與該更為一般術語，， 投影系統’’具有相同意義。 該輻射系統也可以包含各種類型的光學組件，其包含折 射式、反射式及反射折射混合式組件，用以引導、塑形或 控制該投影輻射光束，而該等組件也可以參考下文，集體 地或單一地當作一 ”透鏡π。 該微影裝置可以是具有兩個（雙階）或更多個基板平台。 在该’’多階π機器中，該等額外平台可以平行地使用，或準 備步驟可以在一或更多平台上實行，而一或更多其他平台 可以被用於曝光。 该微影裝置也可以是一種裝置，其中該基板係浸沒在具 94630.doc -11 - 1269122 有相當高的折射率的液體内，例如水，以填滿在該投影系 統之最後元件與該基板之間的空間。浸沒液體也可以施加 於該微影裝置内之其他空間，例如在該個別可控制元件之 陣列與該投影系統之第一元件之間。浸沒技術在用以增加 投景^系統之數值孔徑的技藝中係相當為人所熟知。 【實施方式】 圖1概略地說明一種根據本發明之一特定實施例之微影 投射裝置。該裝置包含： -一照明系統（照明器）IL，用以提供一投影輻射光束 P B (例如U V輻射）； 一一個別可控制元件之陣列PPM(例如一可程式化鏡面陣 列），用以將一圖案施加於該投影光束；一般來說，該個別 可控制το件之陣列的位置相對於該項凡係固定；然而，它 卻也可以連接到一定位構件，用以相對於該項PL準確地定 位； -一基板平台（例如一晶圓平台）WT，用以支撐一基板（例 如一塗佈光阻液的晶圓）w，而連接到定位構件pw，用以相 對於該項PL準確地定位該基板；及 投影系統（“透鏡”）PL，用以藉由該個別可控制元件之 陣列PPM,映像一已賦予給該投影光束pB之圖案到該基板 W之目標部分c(例如包含一或更多晶粒）；該投影系統可以 映像該個別可控制元件之陣列到該基板上；或者，該投影 系統可以映像次要光源，對於該次要光源，該個別可控制 元件之陣列的元件作用就像是快門（sh加t^);該投影系統也 94630.doc -12- 1269122 可以包含-聚焦元件之陣列，像是一微細透鏡陣列( -MLA)mesnelit鏡陣列，例如以形成該等次要4 將微細點映像到該基板上。 如同在此所說明，該裝置屬於反射式（即具有_個別可控 制元件之反射式陣列）。然而，_般來說，它也可以是例如 傳遞式（即具有一個別可控制元件之傳遞式陣列卜 該照明HIL接收來自一輻射源s〇之輻射光束。該光源及 該微影裝置可以是獨立個體，例如當該光源為一準分：雷 射時。在該等範例中，該光源並不視同形成該微影裝置的 一部分，而該輻射光束係在一光束遞送系統BD的幫助下從 該光源so被傳送到該照明器IL，該光束遞送系統耶包含例 如適當的引導鏡面及/或一光束擴展器。在其他範例中，該 光源可以為該裝置之整合部分，例如當光源為一水銀燈 時。該光源so及該照明器IL，假如有要求的話，還有該光 束遞送系統BD可以一起被稱作為一輻射系統。 泫照明器IL包含調整構件AM，用以調整該光束之角度強 度分佈。一般地，在該照明器之瞳孔（pupU)平面上強度分 佈之至少外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱作為外部 及内ΰ卩）可以被調整。此外，該照明器IL 一般包含各種其 他組件，像是積分器IN及一聚光器C0。該照明器提供一處 理過的輻射光束，稱做為該投影光束PB，其在橫斷面上具 有所要求的均一性及強度分佈。 4光束PB連續地相交該個別可控制元件之陣列ppM。在 該光束PB經過該個別可控制元件之陣列ppM反射後通過該 94630.doc -13 - 1269122 投影系統PL，該投影系統將該光束PB聚焦到該基板w之目 標部分C之上。在該定位構件PW(及干涉量測構件IF)之幫助 下’該基板平台WT可以準確地移動，例如以便將不同目標 部分C尤位在該光束PB之路徑上。在所使用的地方，該個 別可控制元件之陣列之定位構件可用以準確地修正該個別 可控制元件之陣列PPM相對於該光束PB之路徑的位置，例 如在一掃描期間。一般來說，該物體平台WT之移動係藉由 一長程模組（粗略定位）及一短程模組（精細定位）來實現，這 並沒有明確地說明在圖1中。一類似系統也可用以定位該個 別可控制元件之陣列。應了解的是該投影光束另一選擇/額 外地疋可移動，當该物體平台及/或該個別可控制元件之陣 列具有一固定位置，以提供所要求的相對移動。作為另一 %擇’這可以特別地應用於在平面顯示器的製造，該基板 平台及違投影系統之位置可以係固定，而該基板可配置成 月b夠相對於遠基板平台移動。例如，該基板平台可以配置 一系統，用以實質上為固定大小的速度掃描該基板。 雖然根據本發明之微影裝置在此所描述係作為用以曝光 基板上的光阻液，應了解的是本發明並沒有受限於該使 用，而該裝置可用以投影一圖案化投影光束，用以在無光 阻液微影中使用。 该說明裝置可在四種較佳模式中使用： 1·步進模式：該等個別可控制元件之陣列提供一整個圖案 給该投影光束，其在某一行程中（即一單一靜態曝光）投 射到一目標部分C之上。該基板平台貿了則係在該χ及/或 94630.doc -14- 1269122 y方向上偏移，所以可以曝光不同的目標部分c。在步進 模式中’該曝光場域之最大尺寸限制該目標部分c在一單 一靜態曝光中所映像的大小。 2·掃描模式··該個別可控制元件之陣列在一規定方向（該所 明的掃描方向”，即該γ方向）上可以以速度v來移動，所 以造成該投影光束PB能夠在該個別可控制元件之陣列上 掃描；同步地，該基板平台WT係同時在該相同或相反方 向上以速度V=Mv移動，其中μ為該透鏡PL之放大倍率。 在掃描模式中，該曝光場域之最大尺寸限制該目標部分 在一單一動態曝光中的寬度（在該非掃描方向上），而該 掃描運動之長度決定該目標部分之高度（在該掃描方向 上）。 3.脈衝模式：該個別可控制元件之陣列基本上係保持不 動’而該整個圖案係使用一脈衝式輻射光源，投射到該 f板之一目標部分C之上。該基板平台WT係以實質上固 疋的速度來移動，使得造成該投影光束pB掃描一線條， 橫跨該基板W。在該個別可控制元件之陣列上之圖荦係 按照在該輻射系統之脈衝之間所要求的更新，而該等脈 衝係被定時，使得該等連續的目標部分C係在該基板之所 要求的位置上曝光。結果，該投影光束係掃描在該基板 ’以針對該基板之—條，曝光該完全圖案。該過程 係一直重複到該完全基板已經線條接著線條 止。 句 •連、貝W田核式·基本上與脈衝模式相同，除了使用一實 94630.doc -15- 1269122 質上固定的輻射光源，以及在該個別可控制元件之陣列 上的圖案係更新於當該投射光束掃描在該基板上而將之 曝光時。 該等上述模式之使用的組合及/或變化或全然不同模式 的使用也可以採用。 圖2及3分別說明一傳統氣體放電雷射1之橫斷面及側面 圖’例如一準分子雷射。該氣體雷射1具有一外殼1〇,其中 έ有4雷射氣體1 1 (在準分子雷射之範例中，該雷射氣體可 以是例如XeF)。在該雷射氣體内有一對放電電極12、u ; 一風箱14 ’用以在該外殼1〇内混合該氣體雷射^，使得該 雷射氣體能夠均勻地分布；及溫度控制器15，以調節該雷 射氣體之溫度。在該雷射丨之某一端，有一鏡面或線寬的窄 化單元16，而在相對另一端，有一半穿透鏡面17，該雷射 輻射18之光束可以從該鏡面投射。 在本發明之輻射系統中，配置著複數個輻射產生單元， 每個單元產生一次投影輻射光束。該次投影輻射光束之每 一光束則會結合以形成該投影輻射光束，用以曝光該基板。 該等輻射產生單元之某些單元可能是獨立、傳統的雷 射。然而，在本發明之配置中，該等輻射產生單元之某些 單元係共享同一外殼及同一雷射媒體。圖4及5以橫斷面方 式說明該配置之範例。 在圖4中所示之配置中，三輻射產生單元係封藏在一單一 共同外殼10之内，該外殼包含一雷射氣體u，而該等輻射 產生單元在彼此之間共享該雷射氣體。該外殼也包含一氣 94630.doc -16- 1269122 箱14及溫度控制元件15。每個輻射產生單元係包含一對放 電電極21、22、23、24、25、26。每對放電電極產生一雷 射輻射光束，其係從一半穿透式鏡面，在該外殼之一端處 投射。應了解的是可以有獨立的半穿透式鏡面，其與每對 放電電極有關（因此每個次投影雷射輻射光束），或另一選擇 疋S 4成對的放電電極的某些或所有電極係透過同一半穿 透式鏡面，投射它們的相關雷射輻射光束。 在圖5中所不之配置係對應於圖4之配置，除了該等輻射 產生單7L之每個單π的放電電極之一係以一共同放電電極 27取代之外。結果，每輻射產生單元包含一獨立放電電極 21、23、25，及該共同放電電極27之一部份。 圖4及5皆顯示三輻射產生單元係包含在一單一外殼1 〇之 内的配置。然而’應、了解的是該外殼包含任何實際數目的 輻射產生單元。再者，本發明之完整輻射系統可以由任何 數量的該等外殼所構成。一般來說，該輻射系統可以包含 一或更多該等外殼，每個外殼包含一或更多輻射產生單 元，使得該完整輻射系統包含複數個輻射產生單元。此外， 應了解的是在一單一外殼内之輻射產生單元要具備一共同 風箱或共同溫度控制單元並非本發明之必要特徵。 該等輻射產生單元所產生之輻射之脈衝的定時。 為了最小化該輻射系統之複雜性，某坦 產生單元可以共享共同的控制電器裝置， 某些或所有該等輻射 置’其係用以支配由

結合單元内，以形成該投影輻射光束。 這可以藉由將該等 94630.doc -17- 1269122 光束放的靠近彼此，然後使用一繞射元件或一微細透鏡陣 列（已知也稱作楔形陣列）將它們混合在一起。該配置之範例 係說明於圖6中。 當在微影投射裝置中使用雷射輻射光源時，減少該雷射 光束之同調性（coherence)是必須的，因為不然的話該場域 均一性會由於斑點（Speckle)而受到影響。因此傳統上投射 該雷射輻射光束會透過一積分器，如同上文中與圖丨有關之 4田it在本發明中’該結合投射輕射光束係被投射透過一 寺貝分為。或者及/或額外地，該等個別輻射產生單元所產生 之次投射輻射光束之至少一光束在該結合單元中結合到該 投射輻射光束之前先透過一積分器而投射。或者，假如該 輕射系統包含足夠數量的輻射產生單元，則藉由結合來自 該等輻射產生單元之每單元的次投射光束所產生的投射輻 射光束的同調性（c〇herence)本質上就很低，所以並不需要 一積分器。 較佳地，使用至少100輻射產生單元。藉由該數量的輻射 產生單元，在投射輻射光束中之結果的同調性係足夠低而 不需要積分器。再者，相較於所使用類型的一單一輻射產 生單元，該脈衝到脈衝間劑量之再現性係獲得1〇倍的改 ^。這係指例如使用準分子雷射之系統的脈衝到脈衝間劑 里之再現性係相當適合使用在無遮罩微影上。 有必要確保所有該等輻射產生單元會同時產生脈衝，以 避免脈衝時序錯誤及防止_射脈衝會擴展在—較長的時 間期間。為了達到該目的，有必要針對該等輻射產生單元 94630.doc -18- 1269122 之每單元，或至少包含在一單一外 單元要配置著其本身的時序電路 序特试。該等電路將需要校準，而 複執行。 月之将疋霄細例已經描述於上文中，應了解的 疋除了描述之外，本發明係相 制本發明。 -用幻田述亚非意圖限 【圖式簡單說明】 本”之實施例現在將只藉由範例，參考該等伴隨圖例 =來加㈣述’㈣㈣示中’對應的參考符號係指對 應的零件，其中·· 卞 圖1說明根據本發明之一實施例的微影裝置 圖2以橫斷面的方式說明一傳統準分子雷射 圖3說明一傳統準分子雷射之側視圖； 圖4以橫斷面的方式說明根據本發明之 元； 殼内之每群輻射輻射產 ，以補償它本身特定時 δ亥校準需要週期性的重 多重雷射單 -圖5以橫斷面的方式說明 變化；及 圖4中所示之多重雷射單元之 -圖6說明一光束結合單元，其能夠在本發明中使用 【主要元件符號說明】 傳統氣體放電雷射 光源 光束遞送系統 照明系統 94630.doc -19- 1269122

AM

IN

CO

PB

PPM

PL

W

C

IF

WT

PW 10 11 12, 13, 21，2, 23, 24, 13 14 15 16 17 18 27 調整構件 積分器 聚光器 投影光束 個別可控制元件之陣列 投影系統 基板 目標部分 干涉量測構件 基板平台 定物構件 外殼 雷射氣體 ，26 放電電極 放電電極 風箱 溫度控制器 鏡面或線寬窄化單元 半穿透式鏡面 該雷射輻射光束 共同放電電極 94630.doc -20-

Claims (1)

1. 申請專利範圍替換本(95年月)# 成 二第t)pTl 21913號專利申請案 申清專利範圍替換本fQ, 申請專利範圍 1· 一種微影裝置，其包含 -一輻射系統，用以提供一投影輻射光束； -一個別可控制元件之陣列，其用以將該投影光束賦 一圖案在其橫斷面中； -一基板平台，用以支撐一基板；及 -一投影系統，用以投影該圖案化光束到該基板之一目 軚邛为上，其中該輻射系統包含複數個輻射產生單元， 母個單元產生一次投影輻射光束；及一結合單元，其將 母個次投影光束結合，以形成該投影輻射光束；及； ••複數個該等輻射產生單元為含在一單一外殼内之雷 射’其共用一共同雷射媒體。 2.求項丨之微影裝置，其中所有輻射產生單元產生具有 實質上相同波長之輻射。 3 ·如明求項丨或2之微影裝置，其中含在該單一外殼内之每 個輪射產生單元包含—對放電電極，其獨立於該等其他 輪射產生單元之放電電極。 4·如：求項1或2之微影裝置’其中含在該外殼内之輻射產 生單元共用同放電電才虽，而每個輻射產生單元也包 含另一放電電極，其獨立於該等其他輻射產生單元之放 電電極。 5· 2請求項1或2之微影裳置’其中該外殼尚包含至少一風 箱’用以混合在該外般内之雷射氣體，及―溫度控制器， 用以調節在該外殼内之雷射氣體之溫度。 94630-950504.doc 1269122 6·::求項!或2之微影裝置，其中該輻射系統包含複數個 外殼，每個外殼包含複數個該等輻射產生單元，其共用 一共同雷射氣體。 如明求項1或2之微影裝置，其中複數個該等輻射產生單 元為獨立的雷射。 如明求項1或2之微影裝置，其中複數個該等輕射產生單 元共用一共同控制系統。 9·如請求項!或2之微影裝置，其中該結合單元為一繞射元 件或一微透鏡陣列。 10.如请求項1或2之微影裝置，其中該輻射系統 個輻射產生單元。 U·種：射源’其係配置以提供一微影裝置—投影輻射光 士輪射源包含複數個輻射產生單元，每個輻射產生 早凡產生一次投影輻射光束；及一結合單元，且 個次投影光束，以形成一投影輕射光束；—口母 其中複數個該等輻射產生單元為含在一單一外殼之帝 射，其共用一共同雷射媒體。 田 12. —種器件製造方法，其包含： -提供一基板； _使用m統，提供—投影輻射光束； 用-個別可控制元件之陣列，以賦予該投影光束一 圖案在其橫斷面中·，及 _將6亥圖案化輕射光束投影到該基板之目標部分之上， 露土二。:亥輪射糸統包含複，個韓射產生單元’而該方法包 1269122 含使用該等輻射產生單元，以提供複數個次投影輻射光 束，然後結合它們以提供該投影輻射光束； 及複數個該等輻射產生單元為含在一單一外殼内之雷 射，其共用一共同雷射媒體。 94630-950504.doc 3-