JPH07221000A - レーザ露光描画装置 - Google Patents
レーザ露光描画装置Info
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- JPH07221000A JPH07221000A JP1185994A JP1185994A JPH07221000A JP H07221000 A JPH07221000 A JP H07221000A JP 1185994 A JP1185994 A JP 1185994A JP 1185994 A JP1185994 A JP 1185994A JP H07221000 A JPH07221000 A JP H07221000A
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- Japan
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- laser
- drawing apparatus
- exposure drawing
- laser light
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上のレジストに照射するレーザ光の光
強度を大きくすることができるレーザ露光描画装置を提
供することを目的とする。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、光源として複数のレーザ光源１１を用いる。そ
れによって、一度に２箇所以上にレーザ光を照射して露
光描画することができる。
強度を大きくすることができるレーザ露光描画装置を提
供することを目的とする。 【構成】 レーザ光束１２を走査させて被照射体３１の
表面に露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置に
おいて、光源として複数のレーザ光源１１を用いる。そ
れによって、一度に２箇所以上にレーザ光を照射して露
光描画することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子、マスク、レ
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
クチル等の製造においてレーザを利用して微細加工を行
うためのレーザ露光描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、マスク、レクチル等の製造
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系とを有する。
分野では、微細パターンの形成等の微細加工にレーザ露
光描画装置が使用される。斯かるレーザ露光描画装置
は、典型的には、レーザ光源と投影光学系又は縮小光学
系を含む光学系とを有する。
【０００３】例えば、半導体の製造では、レクチル又は
マスクに描画された微細パターンはウエハ上のレジスト
に転写される。斯かる転写法には一括転写方式とステッ
プアンドリピート方式がある。
マスクに描画された微細パターンはウエハ上のレジスト
に転写される。斯かる転写法には一括転写方式とステッ
プアンドリピート方式がある。
【０００４】一括転写方式では１回の照射によって転写
を行う。ステップアンドリピート方式ではウエハを所定
の距離だけ移動させて露光することを繰り返すことによ
って転写を行う。ステップアンドリピート方式は高精度
にて転写を行うことができるが、スループット（装置の
製造能力、通常、単位時間当たりのウエハの処理枚数で
表す。）が小さいこと、ウエハを正確に移動させる装置
が必要である欠点がある。
を行う。ステップアンドリピート方式ではウエハを所定
の距離だけ移動させて露光することを繰り返すことによ
って転写を行う。ステップアンドリピート方式は高精度
にて転写を行うことができるが、スループット（装置の
製造能力、通常、単位時間当たりのウエハの処理枚数で
表す。）が小さいこと、ウエハを正確に移動させる装置
が必要である欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ露光描画
装置では、一括転写方式又はステップアンドリピート方
式のいずれを使用する場合でも、同時に２箇所以上を露
光描画することはできなかった。従って、レーザ露光描
画装置のスループットを向上させるのに限界があった。
装置では、一括転写方式又はステップアンドリピート方
式のいずれを使用する場合でも、同時に２箇所以上を露
光描画することはできなかった。従って、レーザ露光描
画装置のスループットを向上させるのに限界があった。
【０００６】一度に２箇所以上にレーザ光を照射して露
光描画するためには、従来のように１つの光源では不充
分である。１つの光源からのレーザ光を分割してウエハ
上のレジストの複数の点に照射すると、必要な最小露光
強度が得られなかった。
光描画するためには、従来のように１つの光源では不充
分である。１つの光源からのレーザ光を分割してウエハ
上のレジストの複数の点に照射すると、必要な最小露光
強度が得られなかった。
【０００７】更に、従来のレーザ露光描画装置では、一
括転写方式又はステップアンドリピート方式のいずれを
使用する場合でも、同時に１箇所に露光描画する場合、
レーザ光の照射面積を大きくすることができなかった。
括転写方式又はステップアンドリピート方式のいずれを
使用する場合でも、同時に１箇所に露光描画する場合、
レーザ光の照射面積を大きくすることができなかった。
【０００８】レーザ光の照射面積を大きくするには、従
来のように１つの光源では不充分である。照射面積を大
きくすると、必要な最小露光強度が得られなかった。
来のように１つの光源では不充分である。照射面積を大
きくすると、必要な最小露光強度が得られなかった。
【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、一括転写方式又
はステップアンドリピート方式のいずれを使用する場合
でも、ウエハ上のレジストに照射するレーザ光の光強度
を大きくすることができるレーザ露光描画装置を提供す
ることを目的とする。
はステップアンドリピート方式のいずれを使用する場合
でも、ウエハ上のレジストに照射するレーザ光の光強度
を大きくすることができるレーザ露光描画装置を提供す
ることを目的とする。
【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、一度に２箇所以
上にレーザ光を照射して露光描画することができるレー
ザ露光描画装置を提供することを目的とする。
上にレーザ光を照射して露光描画することができるレー
ザ露光描画装置を提供することを目的とする。
【００１１】本発明は斯かる点に鑑み、一度に１箇所に
レーザ光を照射する場合、照射面積を大きくすることが
できるレーザ露光描画装置を提供することを目的とす
る。
レーザ光を照射する場合、照射面積を大きくすることが
できるレーザ露光描画装置を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
光束１２を走査させて被照射体の表面に露光描画を形成
するためのレーザ露光描画装置において、光源として複
数のレーザ光源１１を用いたことを特徴とする。
光束１２を走査させて被照射体の表面に露光描画を形成
するためのレーザ露光描画装置において、光源として複
数のレーザ光源１１を用いたことを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、上記複数のレーザ光源１１より出力された複数の
レーザ光束の光軸を一致させてより少ないレーザ光束を
得るための同軸化手段を設けたことを特徴とする。
いて、上記複数のレーザ光源１１より出力された複数の
レーザ光束の光軸を一致させてより少ないレーザ光束を
得るための同軸化手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、上記複数のレーザ光源１１の数より少ないレクチ
ル又はマスク１５を設けたことを特徴とする。
いて、上記複数のレーザ光源１１の数より少ないレクチ
ル又はマスク１５を設けたことを特徴とする。
【００１５】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、上記複数のレーザ光源１１の数と同数のレクチル
又はマスク１５を設けたことを特徴とする。
いて、上記複数のレーザ光源１１の数と同数のレクチル
又はマスク１５を設けたことを特徴とする。
【００１６】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、コンタクト方式又はプロキシミティ方式によって
露光し描画するように構成されていることを特徴とす
る。
いて、コンタクト方式又はプロキシミティ方式によって
露光し描画するように構成されていることを特徴とす
る。
【００１７】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、ウエハ３１上の複数の領域を同時に露光し描画す
るように構成されていることを特徴とする。
いて、ウエハ３１上の複数の領域を同時に露光し描画す
るように構成されていることを特徴とする。
【００１８】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、上記レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎ
ｍの紫外線レーザを発生することを特徴とする。
いて、上記レーザ光源１１は波長λ＝１００〜３００ｎ
ｍの紫外線レーザを発生することを特徴とする。
【００１９】本発明によれば、レーザ露光描画装置にお
いて、上記レーザ光源１１は連続発振型レーザを発生す
ることを特徴とする。
いて、上記レーザ光源１１は連続発振型レーザを発生す
ることを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明によれば、光源として複数のレーザ光源
１１を含むから、ウエハ３１上のレジストに照射される
レーザ光の光強度が大きい。従って、ウエハ３１上のレ
ジストの広い領域に又は複数の領域にレーザ光を照射さ
せることができる。
１１を含むから、ウエハ３１上のレジストに照射される
レーザ光の光強度が大きい。従って、ウエハ３１上のレ
ジストの広い領域に又は複数の領域にレーザ光を照射さ
せることができる。
【００２１】
【実施例】以下に図１〜図９を参照して本発明の実施例
について説明する。図１〜図９に示す本発明のレーザ露
光描画装置はいずれもレーザ光源１１と光学系とを有
し、ウエハ３１上のレジストに所定のパターンを露光描
画するように構成されている。通常、レーザ光の光路に
沿って、レクチル又はマスク１５が配置されており、斯
かるレクチル又はマスク１５の像がウエハ３１上のレジ
ストに転写される。
について説明する。図１〜図９に示す本発明のレーザ露
光描画装置はいずれもレーザ光源１１と光学系とを有
し、ウエハ３１上のレジストに所定のパターンを露光描
画するように構成されている。通常、レーザ光の光路に
沿って、レクチル又はマスク１５が配置されており、斯
かるレクチル又はマスク１５の像がウエハ３１上のレジ
ストに転写される。
【００２２】ウエハ３１はウエハステージ３２によって
光軸に垂直に支持されている。斯かるウエハステージ３
２はウエハ３１をＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って移動さ
せることができるように構成されている。
光軸に垂直に支持されている。斯かるウエハステージ３
２はウエハ３１をＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って移動さ
せることができるように構成されている。
【００２３】本例によるとレーザ光源１１は複数のレー
ザ光源１１ａ、１１ｂ、１１ｃ等を含む。レーザ光源１
１は任意の形式のものであってよいが、好ましくは連続
発振型が使用される。しかしながら、より好ましくは、
ＹＡＧレーザの第２高調波（波長λ＝２６６ｎｍ）が使
用される。
ザ光源１１ａ、１１ｂ、１１ｃ等を含む。レーザ光源１
１は任意の形式のものであってよいが、好ましくは連続
発振型が使用される。しかしながら、より好ましくは、
ＹＡＧレーザの第２高調波（波長λ＝２６６ｎｍ）が使
用される。
【００２４】図１は本発明によるレーザ露光描画装置の
第１の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と照明光学系１４と凹レンズ１３Ａとレク
チル又はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６と
を有する。照明光学系１４はレーザ光束の強度分布を均
一化するためのホモジナイザ１４Ａと各レーザ光束を収
束するための収束化手段１４Ｂとを含む。ホモジナイザ
１４Ａは例えばハエの目レンズであってよく、収束化手
段１４Ｂは例えばコンデンサーレンズ又はＦシータレン
ズであってよい。
第１の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と照明光学系１４と凹レンズ１３Ａとレク
チル又はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６と
を有する。照明光学系１４はレーザ光束の強度分布を均
一化するためのホモジナイザ１４Ａと各レーザ光束を収
束するための収束化手段１４Ｂとを含む。ホモジナイザ
１４Ａは例えばハエの目レンズであってよく、収束化手
段１４Ｂは例えばコンデンサーレンズ又はＦシータレン
ズであってよい。
【００２５】レーザ光源１１より発生した複数のレーザ
光束１２は照明光学系１４に導かれ、それによってレー
ザ強度分布が均一化され、レーザ強度が最適化され、最
適形状に成形される。
光束１２は照明光学系１４に導かれ、それによってレー
ザ強度分布が均一化され、レーザ強度が最適化され、最
適形状に成形される。
【００２６】凹レンズ１３Ａによって全てのレーザ光束
１２はその光軸が同軸化される。従って、凹レンズ１３
Ａから出力されるレーザ光束１２は単一の光軸を有し、
光強度が大きいレーザ光となる。
１２はその光軸が同軸化される。従って、凹レンズ１３
Ａから出力されるレーザ光束１２は単一の光軸を有し、
光強度が大きいレーザ光となる。
【００２７】凹レンズ１３Ａによって同軸化されたレー
ザ光はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６を経
由してウエハ３１上に導かれる。レーザ光束１２は、斯
かる投影光学系又は縮小光学系１６によってその球面収
差及び非点収差が補正される。
ザ光はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６を経
由してウエハ３１上に導かれる。レーザ光束１２は、斯
かる投影光学系又は縮小光学系１６によってその球面収
差及び非点収差が補正される。
【００２８】図２は本発明によるレーザ露光描画装置の
第２の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と照明光学系１４とレク
チル又はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６と
を有し、これらは光学系を形成する。本例のレーザ露光
描画装置は図１の第１の例と比較して、凹レンズ１３Ａ
の代わりに光ファイバ４８が使用されている点が異な
る。即ちこの例では、複数のレーザ光束１２を同軸化す
るために光ファイバ４８が使用されている。
第２の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と照明光学系１４とレク
チル又はマスク１５と投影光学系又は縮小光学系１６と
を有し、これらは光学系を形成する。本例のレーザ露光
描画装置は図１の第１の例と比較して、凹レンズ１３Ａ
の代わりに光ファイバ４８が使用されている点が異な
る。即ちこの例では、複数のレーザ光束１２を同軸化す
るために光ファイバ４８が使用されている。
【００２９】レーザ光源１１より発生した複数のレーザ
光束１２は光ファイバ４８に導かれ、それによって複数
のレーザ光束１２は同軸化される。光ファイバ４８は入
力側の複数の光ファイバとそれに接続された出力側の単
一の光ファイバとを有する。入力側の複数の光ファイバ
はレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各々に
接続されている。出力側の単一の光ファイバの他端は照
明光学系１４に接続されており、光ファイバ４８によっ
て同軸化されたレーザ光は照明光学系１４に導かれる。
光束１２は光ファイバ４８に導かれ、それによって複数
のレーザ光束１２は同軸化される。光ファイバ４８は入
力側の複数の光ファイバとそれに接続された出力側の単
一の光ファイバとを有する。入力側の複数の光ファイバ
はレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各々に
接続されている。出力側の単一の光ファイバの他端は照
明光学系１４に接続されており、光ファイバ４８によっ
て同軸化されたレーザ光は照明光学系１４に導かれる。
【００３０】斯かる照明光学系１４によって、レーザ光
束１２は、レーザエネルギ強度が最適化され、エネルギ
強度分布が均一化され、最適形状に成形される。
束１２は、レーザエネルギ強度が最適化され、エネルギ
強度分布が均一化され、最適形状に成形される。
【００３１】図３は本発明によるレーザ露光描画装置の
第３の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と凸レンズ１３Ｂとアパ
ーチャ１３Ｃと照明光学系１４とマスク１５と投影光学
系又は縮小光学系１６とを有し、これらは光学系を形成
する。本例のレーザ露光描画装置は図１の第１の例と比
較して、光ファイバ４８と凸レンズ１３Ｂとアパーチャ
１３Ｃが付加的に設けられている点が異なる。
第３の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と凸レンズ１３Ｂとアパ
ーチャ１３Ｃと照明光学系１４とマスク１５と投影光学
系又は縮小光学系１６とを有し、これらは光学系を形成
する。本例のレーザ露光描画装置は図１の第１の例と比
較して、光ファイバ４８と凸レンズ１３Ｂとアパーチャ
１３Ｃが付加的に設けられている点が異なる。
【００３２】レーザ光源１１より発生した複数のレーザ
光束１２は光ファイバ４８に導かれる。光ファイバ４８
は複数の光ファイバ４８を含む。入力側の複数の光ファ
イバはレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各
々に接続されており、出力側の光ファイバは小さく束ね
られている。光ファイバ４８によって収束されたレーザ
光はレーザ強度が均一化されている。
光束１２は光ファイバ４８に導かれる。光ファイバ４８
は複数の光ファイバ４８を含む。入力側の複数の光ファ
イバはレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各
々に接続されており、出力側の光ファイバは小さく束ね
られている。光ファイバ４８によって収束されたレーザ
光はレーザ強度が均一化されている。
【００３３】凸レンズ１３Ｂは光ファイバ４８に対応し
て複数の凸レンズを含む。光ファイバ４８の各々より出
力されたレーザ光は対応して配置された凸レンズに入射
され、それによって拡散される。凸レンズ１３Ｂより出
たレーザ光は合成されて、アパーチャ１３Ｃに導かれ
る。アパーチャ１３Ｃを通過するのは、レーザ光の光束
の中心部のみであり、従って、レーザ光の光束の中心部
より外側の部分は除去される。
て複数の凸レンズを含む。光ファイバ４８の各々より出
力されたレーザ光は対応して配置された凸レンズに入射
され、それによって拡散される。凸レンズ１３Ｂより出
たレーザ光は合成されて、アパーチャ１３Ｃに導かれ
る。アパーチャ１３Ｃを通過するのは、レーザ光の光束
の中心部のみであり、従って、レーザ光の光束の中心部
より外側の部分は除去される。
【００３４】アパーチャ１３Ｃを通過したレーザ光束１
２は照明光学系１４に導かれ、それによって、レーザエ
ネルギ強度が最適化され、エネルギ強度分布が均一化さ
れ、最適形状に成形される。
２は照明光学系１４に導かれ、それによって、レーザエ
ネルギ強度が最適化され、エネルギ強度分布が均一化さ
れ、最適形状に成形される。
【００３５】図４は本発明によるレーザ露光描画装置の
第４の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と照明光学系１４とマス
ク１５と投影光学系又は縮小光学系１６とを有する。本
例のレーザ露光描画装置は図２の第２の例と比較して、
光ファイバ４８の形状が異なる。
第４の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と光ファイバ４８と照明光学系１４とマス
ク１５と投影光学系又は縮小光学系１６とを有する。本
例のレーザ露光描画装置は図２の第２の例と比較して、
光ファイバ４８の形状が異なる。
【００３６】レーザ光源１１より発生した複数のレーザ
光束１２は光ファイバ４８に導かれる。光ファイバ４８
は複数の光ファイバを含む。入力側の複数の光ファイバ
はレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各々に
接続されており、出力側の光ファイバはランダムに小さ
く束ねられている。即ち、複数の光ファイバ４８は出力
側にてランダムに再配置されて束ねられており、それに
よってガウシアン型分布のレーザ強度は均一化される。
光束１２は光ファイバ４８に導かれる。光ファイバ４８
は複数の光ファイバを含む。入力側の複数の光ファイバ
はレーザ光源１１に含まれる複数のレーザ光源の各々に
接続されており、出力側の光ファイバはランダムに小さ
く束ねられている。即ち、複数の光ファイバ４８は出力
側にてランダムに再配置されて束ねられており、それに
よってガウシアン型分布のレーザ強度は均一化される。
【００３７】光ファイバ４８によってレーザ強度が均一
されたレーザ光は照明光学系１４に導かれる。斯かる照
明光学系１４を経由したレーザ光束１２は、レーザエネ
ルギ強度が最適化され、エネルギ強度分布が均一化さ
れ、最適形状に成形される。
されたレーザ光は照明光学系１４に導かれる。斯かる照
明光学系１４を経由したレーザ光束１２は、レーザエネ
ルギ強度が最適化され、エネルギ強度分布が均一化さ
れ、最適形状に成形される。
【００３８】図５は本発明によるレーザ露光描画装置の
第５の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と照明光学系１４と凹レンズ１３Ａとビー
ム圧縮器５１と偏向ミラー５２とビームスプリッタ５３
とブラシリレーレンズ５４と音響光変調器５５とドープ
プリズム５６とリレーレンズ５７とステアリング鏡５８
とズームレンズ５９と回転多角形鏡６０とＦシータレン
ズ６１と投影レンズ６２とを有する。
第５の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はレ
ーザ光源１１と照明光学系１４と凹レンズ１３Ａとビー
ム圧縮器５１と偏向ミラー５２とビームスプリッタ５３
とブラシリレーレンズ５４と音響光変調器５５とドープ
プリズム５６とリレーレンズ５７とステアリング鏡５８
とズームレンズ５９と回転多角形鏡６０とＦシータレン
ズ６１と投影レンズ６２とを有する。
【００３９】本例のレーザ露光描画装置の第５の例は図
１に示した第１の例と比較すると、第１の例のマスク１
５及び投影光学形成１６の代わりに、ビーム圧縮器５１
と偏向ミラー５２とビームスプリッタ５３とブラシリレ
ーレンズ５４と音響光変調器５５とドーププリズム５６
とリレーレンズ５７とステアリング鏡５８とズームレン
ズ５９と回転多角形鏡６０とＦシータレンズ６１と投影
レンズ６２とが配置されている点が異なる。
１に示した第１の例と比較すると、第１の例のマスク１
５及び投影光学形成１６の代わりに、ビーム圧縮器５１
と偏向ミラー５２とビームスプリッタ５３とブラシリレ
ーレンズ５４と音響光変調器５５とドーププリズム５６
とリレーレンズ５７とステアリング鏡５８とズームレン
ズ５９と回転多角形鏡６０とＦシータレンズ６１と投影
レンズ６２とが配置されている点が異なる。
【００４０】更に、本例ではレクチル又はマスクを設け
る代わりに、回転多角形鏡６０が設けられており、それ
によって、ウエハ３１上のレジストに照射されたレーザ
光が走査される。
る代わりに、回転多角形鏡６０が設けられており、それ
によって、ウエハ３１上のレジストに照射されたレーザ
光が走査される。
【００４１】凹レンズ１３Ａによって同軸化されたレー
ザ光束１２はビーム圧縮器５１によって成形圧縮され、
偏向ミラー５２によって偏向され、ビームスプリッタ５
３によって分割される。斯かるレーザ光束１２はブラシ
リレーレンズ５４と音響光変調器５５とドーププリズム
５６とリレーレンズ５７とを経由してステアリング鏡５
８に導かれ、それによって偏向される。
ザ光束１２はビーム圧縮器５１によって成形圧縮され、
偏向ミラー５２によって偏向され、ビームスプリッタ５
３によって分割される。斯かるレーザ光束１２はブラシ
リレーレンズ５４と音響光変調器５５とドーププリズム
５６とリレーレンズ５７とを経由してステアリング鏡５
８に導かれ、それによって偏向される。
【００４２】回転多角形鏡６０によって走査されたレー
ザ光束１２はＦシータレンズ６１を経由して投影レンズ
６２に導かれ、それによって同軸化される。
ザ光束１２はＦシータレンズ６１を経由して投影レンズ
６２に導かれ、それによって同軸化される。
【００４３】図６は本発明によるレーザ露光描画装置の
第６の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はコ
ンタクト又はプロキシミティ方式の露光描画のための装
置である。コンタクト又はプロキシミティ方式ではレク
チル又はマスク１５はウエハ３１に密着して又はウエハ
３１に対して所定の小さな距離だけ隔置して配置され
る。斯かる距離はマスクの像の解像度に対して光の回折
効果の影響が生じないように充分小さい値、例えば、１
０〜２０μｍに設定される。
第６の例の外観を示す。本例のレーザ露光描画装置はコ
ンタクト又はプロキシミティ方式の露光描画のための装
置である。コンタクト又はプロキシミティ方式ではレク
チル又はマスク１５はウエハ３１に密着して又はウエハ
３１に対して所定の小さな距離だけ隔置して配置され
る。斯かる距離はマスクの像の解像度に対して光の回折
効果の影響が生じないように充分小さい値、例えば、１
０〜２０μｍに設定される。
【００４４】本例のレーザ露光描画装置はレーザ光源１
１と照明光学系１４とマスク１５ととを有する。レーザ
光源１１は複数のレーザ光源１１を含み、照明光学系１
４は複数の照明光学系１４を含み、マスク１５は複数の
マスク１５を含む。複数のレーザ光源１１の各々に対し
て、各照明光学系１４及び各マスク１５はそれぞれ対応
して１つの光軸に沿って配置されている。
１と照明光学系１４とマスク１５ととを有する。レーザ
光源１１は複数のレーザ光源１１を含み、照明光学系１
４は複数の照明光学系１４を含み、マスク１５は複数の
マスク１５を含む。複数のレーザ光源１１の各々に対し
て、各照明光学系１４及び各マスク１５はそれぞれ対応
して１つの光軸に沿って配置されている。
【００４５】各レーザ光源１１より出力されたレーザ光
束１２は、各照明光学系１４及び各マスク１５を経由し
てウエハ３１に照射される。即ち、各レーザ光源１１よ
り出力されたレーザ光束１２は、同軸化されたり収束さ
れることなく、互いに独立的に自身の光軸に沿って導か
れる。
束１２は、各照明光学系１４及び各マスク１５を経由し
てウエハ３１に照射される。即ち、各レーザ光源１１よ
り出力されたレーザ光束１２は、同軸化されたり収束さ
れることなく、互いに独立的に自身の光軸に沿って導か
れる。
【００４６】図７及び図８に本発明によるレーザ露光描
画装置の第７の例及び第８の例の外観をそれぞれ示す。
これらの例では、レーザ露光描画装置はレーザ光源１１
と照明光学系１４とマスク１５と投影光学系１６とを有
する。レーザ光源１１は複数のレーザ光源１１を含み、
照明光学系１４は複数の照明光学系１４を含み、マスク
１５は複数のマスク１５を含む。第７の例の投影光学系
１６は単一の投影光学系１６であるが第８の例の投影光
学系１６は複数の投影光学系よりなる組立体である。
画装置の第７の例及び第８の例の外観をそれぞれ示す。
これらの例では、レーザ露光描画装置はレーザ光源１１
と照明光学系１４とマスク１５と投影光学系１６とを有
する。レーザ光源１１は複数のレーザ光源１１を含み、
照明光学系１４は複数の照明光学系１４を含み、マスク
１５は複数のマスク１５を含む。第７の例の投影光学系
１６は単一の投影光学系１６であるが第８の例の投影光
学系１６は複数の投影光学系よりなる組立体である。
【００４７】図９に本発明によるレーザ露光描画装置の
第９の例の外観を示す。この例では、レーザ露光描画装
置はレーザ光源１１と照明光学系１４とマスク１５と投
影光学系１６とを有する。レーザ光源１１は複数のレー
ザ光源１１を含み、照明光学系１４は複数のホモジナイ
ザ１４Ａと１つの収束化手段１４Ｂとを含む。マスク１
５は単一のマスク１５よりなる。従って、レーザ光束１
２は複数の照明光学系部分１４Ａを通過して同軸化手段
１４Ｂによって同軸化される。こうして同軸化された単
一のレーザ光束１２は単一のマスク１５に導かれる。
第９の例の外観を示す。この例では、レーザ露光描画装
置はレーザ光源１１と照明光学系１４とマスク１５と投
影光学系１６とを有する。レーザ光源１１は複数のレー
ザ光源１１を含み、照明光学系１４は複数のホモジナイ
ザ１４Ａと１つの収束化手段１４Ｂとを含む。マスク１
５は単一のマスク１５よりなる。従って、レーザ光束１
２は複数の照明光学系部分１４Ａを通過して同軸化手段
１４Ｂによって同軸化される。こうして同軸化された単
一のレーザ光束１２は単一のマスク１５に導かれる。
【００４８】レーザ光束１２はマスク１５によって拡散
されて、投影光学系１６に導かれる。こうして投影光学
系１６より出力されたレーザ光束１２はウエハ３１上に
照射される。
されて、投影光学系１６に導かれる。こうして投影光学
系１６より出力されたレーザ光束１２はウエハ３１上に
照射される。
【００４９】本発明によるレーザ露光描画装置の第１〜
第９の例に示したレーザ露光描画装置は一括転写方式の
ものであってよく又はステップアンドリピート方式のも
のであってもよい。
第９の例に示したレーザ露光描画装置は一括転写方式の
ものであってよく又はステップアンドリピート方式のも
のであってもよい。
【００５０】本発明によるレーザ露光描画装置の第１〜
第５の例では、レーザ光はウエハ３１上のレジストにて
同時に１つの領域に照射され、本発明によるレーザ露光
描画装置の第６〜第９の例では、レーザ光はウエハ３１
上のレジストにて同時に複数の領域に照射される。
第５の例では、レーザ光はウエハ３１上のレジストにて
同時に１つの領域に照射され、本発明によるレーザ露光
描画装置の第６〜第９の例では、レーザ光はウエハ３１
上のレジストにて同時に複数の領域に照射される。
【００５１】本発明によるレーザ露光描画装置は光源と
して複数のレーザ光源１１を含むから、レーザ光束の光
強度が大きい。従って、同時に１つの点に照射する場合
には、照射面積を大きくすることができる、また１つの
照射面積が所定の大きさである場合には、同時に複数の
点に照射することができる。
して複数のレーザ光源１１を含むから、レーザ光束の光
強度が大きい。従って、同時に１つの点に照射する場合
には、照射面積を大きくすることができる、また１つの
照射面積が所定の大きさである場合には、同時に複数の
点に照射することができる。
【００５２】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００５３】
【発明の効果】本発明のレーザ露光描画装置によると、
光源として複数のレーザ光源１１を含むから、ウエハ３
１上のレジストに照射するレーザ光の光強度を大きくす
ることができる利点がある。
光源として複数のレーザ光源１１を含むから、ウエハ３
１上のレジストに照射するレーザ光の光強度を大きくす
ることができる利点がある。
【００５４】本発明のレーザ露光描画装置によると、ウ
エハ３１上のレジストに照射するレーザ光束の光強度が
大きいから、１つの照射面積が所定の大きさである場合
には、同時に複数の点に照射することができる利点があ
る。
エハ３１上のレジストに照射するレーザ光束の光強度が
大きいから、１つの照射面積が所定の大きさである場合
には、同時に複数の点に照射することができる利点があ
る。
【００５５】本発明のレーザ露光描画装置によると、ウ
エハ３１上のレジストに照射するレーザ光束の光強度が
大きいから、同時に１つの点に照射する場合には、照射
面積を大きくすることができる利点がある。
エハ３１上のレジストに照射するレーザ光束の光強度が
大きいから、同時に１つの点に照射する場合には、照射
面積を大きくすることができる利点がある。
【図１】本発明によるレーザ露光描画装置の第１の例を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明によるレーザ露光描画装置の第２の例を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明によるレーザ露光描画装置の第３の例を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明によるレーザ露光描画装置の第４の例を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明によるレーザ露光描画装置の第５の例を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明によるレーザ露光描画装置の第６の例を
示す図である。
示す図である。
【図７】本発明によるレーザ露光描画装置の第７の例を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明によるレーザ露光描画装置の第８の例を
示す図である。
示す図である。
【図９】本発明によるレーザ露光描画装置の第９の例を
示す図である。
示す図である。
１１ 光源 １２ レーザ光束 １３Ａ 凹レンズ １３Ｂ 凸レンズ １３Ｃ アパーチャ １４ 照明光学系 １４Ａ ホモジナイザ １４Ｂ 収束化手段 １５ レクチル又はマスク １６ 投影光学系又は縮小光学系 ３１ ウエハ ３２ ウエハステージ ４８ 光ファイバ ５１ ビーム圧縮器 ５２ 偏向ミラー ５３ ビームスプリッタ ５４ ブラシリレーレンズ ５５ 音響光変調器 ５６ ドーププリズム ５７ リレーレンズ ５８ ステアルング鏡 ５９ ズームレンズ ６０ 回転多角形鏡 ６１ Ｆシータレンズ ６２ 投影レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０５ ５２１ (72)発明者 赤尾 茂 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 田中 宏明 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】レーザ光束を走査させて被照射体の表面に
露光描画を形成するためのレーザ露光描画装置におい
て、光源として複数のレーザ光源を用いたことを特徴と
するレーザ露光描画装置。 - 【請求項２】請求項１記載のレーザ露光描画装置におい
て、上記複数のレーザ光源より出力された複数のレーザ
光束の光軸を一致させてより少ないレーザ光束を得るた
めの同軸化手段を設けたことを特徴とするレーザ露光描
画装置。 - 【請求項３】請求項１又は２記載のレーザ露光描画装置
において、上記複数のレーザ光源の数より少ないレクチ
ル又はマスクを設けたことを特徴とするレーザ露光描画
装置。 - 【請求項４】請求項１記載のレーザ露光描画装置におい
て、上記複数のレーザ光源の数と同数のレクチル又はマ
スクを設けたことを特徴とするレーザ露光描画装置。 - 【請求項５】請求項４記載のレーザ露光描画装置におい
て、コンタクト方式又はプロキシミティ方式によって露
光し描画するように構成されていることを特徴とするレ
ーザ露光描画装置。 - 【請求項６】請求項１記載のレーザ露光描画装置におい
て、ウエハ上の複数の領域を同時に露光し描画するよう
に構成されていることを特徴とするレーザ露光描画装
置。 - 【請求項７】請求項１、２、３、４、５又は６記載のレ
ーザ露光描画装置において、上記レーザ光源は波長λ＝
１００〜３００ｎｍの紫外線レーザを発生することを特
徴とするレーザ露光描画装置。 - 【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６又は７記載
のレーザ露光描画装置において、上記レーザ光源は連続
発振型レーザを発生することを特徴とするレーザ露光描
画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185994A JPH07221000A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | レーザ露光描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185994A JPH07221000A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | レーザ露光描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221000A true JPH07221000A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11789462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185994A Pending JPH07221000A (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | レーザ露光描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221000A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6398872B1 (en) * | 1998-07-01 | 2002-06-04 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Circuit forming apparatus of semiconductor device |
| JP2003255552A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Nec Corp | レーザ照射装置並びに走査レーザ光を用いた露光方法及び走査レーザ光を用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2008210814A (ja) * | 2008-04-28 | 2008-09-11 | Hitachi Ltd | 変調器 |
| JP2009065173A (ja) * | 2003-07-23 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2009244913A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-10-22 | Dainippon Printing Co Ltd | プロキシミティ露光装置及びこのプロキシミティ露光装置を用いた露光方法 |
| JP2009301066A (ja) * | 2004-03-31 | 2009-12-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | パターン露光方法およびパターン露光装置 |
| JP2013134353A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 照明装置、投射装置および露光装置 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP1185994A patent/JPH07221000A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6398872B1 (en) * | 1998-07-01 | 2002-06-04 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Circuit forming apparatus of semiconductor device |
| JP2003255552A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Nec Corp | レーザ照射装置並びに走査レーザ光を用いた露光方法及び走査レーザ光を用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2009065173A (ja) * | 2003-07-23 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置及びデバイスの製造方法 |
| JP2009301066A (ja) * | 2004-03-31 | 2009-12-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | パターン露光方法およびパターン露光装置 |
| JP2008210814A (ja) * | 2008-04-28 | 2008-09-11 | Hitachi Ltd | 変調器 |
| JP2009244913A (ja) * | 2009-07-29 | 2009-10-22 | Dainippon Printing Co Ltd | プロキシミティ露光装置及びこのプロキシミティ露光装置を用いた露光方法 |
| JP2013134353A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 照明装置、投射装置および露光装置 |
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