JP2005045105A - モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 優れた放熱特性と耐久性を有し、構造が簡素で小型化が可能な、パワーモジュールとして最適なモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板(1a)に回路金属(1b)及び放熱板(1c)が形成されてなる回路基板と、冷却ユニット(2)とが、放熱部材(3)を介在させてネジ(4)止めされてなるものであって、このネジ止めが、上記セラミックス基板の縁部上面を囲周する圧接用部材(5)を介して行われているものであることを特徴とするモジュール。
【選択図】 図1
【解決手段】セラミックス基板(1a)に回路金属(1b)及び放熱板(1c)が形成されてなる回路基板と、冷却ユニット(2)とが、放熱部材(3)を介在させてネジ(4)止めされてなるものであって、このネジ止めが、上記セラミックス基板の縁部上面を囲周する圧接用部材(5)を介して行われているものであることを特徴とするモジュール。
【選択図】 図1
Description
本発明は、パワーモジュール等に最適なモジュールに関する。
パワーモジュールの高出力化が進む中、小型軽量化モジュールにおいて、半導体素子等の電子部品から発生した熱をいかに効率よく速やかに系外に逃がすかが、重要課題の一つとなっている。
従来のモジュールは、図2に示されるように、セラミックス基板1aの表面に回路金属1bが、また裏面には放熱板1cが形成されてなる回路基板を、半田10を用いてベース板(ヒートシンク板)9に半田付けし、それを冷却ユニット2に冷却ユニット用半田11を用いて取り付けされていた。回路金属1bには、Siチップ等の半導体素子7が半導体素子用半田6により半田付けされる。
ベース板(ヒートシンク板)としては、熱伝導性に優れ、安価材料である銅板が一般に使用されているが、回路基板との熱膨張差により半田10に半田クラックを生じることがあった。これを解決するため、Al含浸SiCのようにセラミックス基板1aと同程度の熱膨張係数を有するベース板を使用することが提案されているが、これは極めて高価であるので特殊用途にしか普及していない。
このような状況下、ベース板(ヒートシンク板)を用いずに、直接、回路基板を冷却ユニットに取り付けるタイプのモジュール、いわゆるベースレス型モジュールが注目されている(特許文献1)。このモジュールでは、回路基板のセラミックス基板の4隅に穴を設け、そこからネジを通し、回路基板の放熱板面を、グリースを介して、直接、冷却ユニットにネジ止めする構造であるので、従来構造のような半田クラックが発生する余地がなく、しかもベース板を用いないので部品点数の削減によるモジュールの簡素化、低コスト化の利点がある。
特開2000−196270号公報
しかしながら、ベースレス型モジュールには次のような問題点が指摘されている。すなわち、回路基板の多くは、回路金属と放熱板の接合されている面積、厚みが異なるために反りを生じることが多い。とくに、セラミックス基板に複数の回路が形成されたような構造では、回路金属と放熱板の接合面積が異なり、放熱板の接合面積が回路金属の接合面積に比べて著しく大きくなるので、回路基板は表面側に凸形の大きな反りを生じることになる。この状態で、回路基板を冷却ユニットにネジ止めすると、反りに起因する隙間を生じ、モジュールの放熱を阻害することになる。
回路基板の反りを矯正して冷却ユニットに取り付けるには、セラミックス基板又は回路基板に多数の穴を設けネジ止めすることが考えられるが、穴加工に費用が嵩むばかりでなく、モジュールが熱衝撃を受けたときに、穴部に局所的な熱応力が掛かり、亀裂が生じやすくなる。一方、回路金属と放熱板の厚みを調整して回路基板の反りを極力小さくすることの提案もあるが、この方法ではバランス良く反りを小さくするのに限界がある上に、折角反りを小さくしても、半導体素子が発熱した際に生じる回路基板の厚み方向の温度分布によって、熱変形を生じてしまい、ヒートサイクルを受けて徐々に隙間を生じ、熱抵抗を増大させた。
本発明の目的は、上記に鑑み、構造が簡素で小型化ができ、しかも放熱性及び耐久性の改善されたモジュール、とくにベースレス型モジュールを提供することである。本発明の目的は、回路基板と冷却ユニットを、圧接用部材を用い、回路基板に均一な締め付け力を付与して固定することによって達成することができる。
すなわち、本発明は、セラミックス基板1aに回路金属1b及び放熱板1cが形成されてなる回路基板と、冷却ユニット2とが、放熱部材3を介在させてネジ4止めされてなるものであって、このネジ止めが、上記セラミックス基板の縁部上面を囲周する圧接用部材5を介して行われているものであることを特徴とするモジュールである。この場合において、圧接用部材5が、セラミックス基板1aに接合されていることが好ましい。また、ベース板(ヒートシンク板)9を有しないベースレス型モジュールであることが好ましい。
本発明によれば、優れた放熱特性と耐久性を有するモジュールが提供される。本発明のモジュールは、例えば電気自動車用、電鉄用等、厳しい条件で用いられるモジュールとして好適となる。また、モジュールの構造が簡素化でき、部品点数を削減することが可能となるため、製造コストが大幅に低減されるとともに小型化が可能となる。
図面を参照しながら本発明を更に詳しく説明する。図1は、本発明のモジュールの一例を示す概略断面図である。図において、回路基板は、セラミックス基板1aと、回路金属1bと、放熱板1cとから構成されている。2は冷却ユニット、3はグリース等の放熱部材、4はネジ、5は圧接用部材、6は半導体素子用半田、7は半導体素子、8はモジュールケース、9はベース板(ヒートシンク板)、10は半田、11は冷却ユニット用半田である。
セラミックス基板の表面に回路金属を形成させるには、種々の方法があるが、本発明においては、導電性ペーストを回路パターンに描いた後、乾燥・焼結する厚膜ペースト法、金属回路パターンをセラミックス基板に接合するパターン搭載法、金属板をセラミックス基板に接合した後、回路パターンをエッチングによって形成させるエッチング法、などを採用することができる(例えば国際公開WO91/16805公報参照)が、作業性及び生産性の点からエッチング法が好ましい。
エッチングによって回路金属及び放熱板となる金属板と、セラミックス基板とを接合するには、硫化銅を用いる方法、セラミックス基板をメタライズしてから接合する方法、表面を酸化処理した窒化アルミニウム基板と銅板とを直接接触させ共晶を形成させるDBC法(例えば特開昭56−163093号公報)、活性金属と呼ばれているチタン、ジルコニウム、ハフニウム等のIV族元素金属を銅、銀、銀−銅合金等のろう材に含有させた接合材を用いる活性金属ろう付け法(例えば特開昭60−177634号公報)、などによって行うことができる。
セラミックス基板の材質としては、炭化ケイ素、アルミナ、ベリリア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等をあげることができるが、中でも高出力モジュールの場合には、放熱特性に対する信頼性を十分にしておくため、熱伝導率150W/mK以上で厚みが1.5〜4mmの窒化アルミニウムが好適となる。この理由は、ベース板の役割である熱の放散をセラミックス基板に担わせること、及び回路基板に生じる反りを軽減させるためである。熱伝導率が150W/m・K未満、又は厚みが1.5mm未満では、熱の放散効果が不足するか、回路基板の変形が大きくなり、厚みが4mmよりも大きくなると、回路基板の熱抵抗が大きくなる。セラミックス基板の曲げ強度は400MPa以上であることが好ましい。400MPa未満では、熱履歴による熱応力によってセラミックス基板に割れやクラックを生じることがある。
回路金属及び放熱板の材質は、銅又はその合金、アルミニウム又はその合金が一般的であるが、高い信頼性が要求される高出力モジュールでは、アルミニウム又はその合金が好ましい。この理由としては、銅又は銅合金では、セラミックス基板や半田との熱膨張差に起因する熱応力の発生が避けられないので、長期的な信頼性が不十分であるのに対し、アルミニウム又はアルミニウム合金では、熱伝導性や電気伝導性ではやや銅又は銅合金よりも劣るが、熱応力を受けても容易に塑性変形するので、応力が緩和され、信頼性が飛躍的に向上するからである。
本発明の特徴は、回路基板と冷却ユニットの固定方法にある。本発明においては、図1に示されるように、セラミックス基板1aの外周縁面に例えばリング状の圧接用部材5を設置して、ネジ4による締め付け力を回路基板全体に伝えることができるようにし、反りを矯正して回路基板1を冷却ユニット2に圧接固定される。圧接用部材は必ずしも一体物(リング)である必要はなく、セラミックス基板の外周縁面を均一に圧接できる程度に複数個に分割されたものであってもよいし、またメッシュ板であってもよい。図1には、ネジ4による締め付け力が、モジュールケース8を介してリング状の圧接用部材5に伝達される例が示されている。
圧接用部材の材質は、セラミックス、金属等の剛性材質が用いられるが、中でも放熱板と同材質、具体的には銅、アルミニウム又はそれらの合金であることが好ましい。これらの材質は、適度な剛性と良熱伝導性を有しているので、回路基板の反りを矯正して固定することができ、しかも半導体素子からの熱を系外に容易に放散させるので、回路基板が熱変形する恐れが極めて少なくなる。
圧接用部材は、セラミックス基板に接合されていることが好ましく、これによってセラミック基板との界面における抵抗が低減されるために熱抵抗が一段と小さくなる、部品点数が削減される、回路金属や放熱板と同時形成が可能となる、などの利点がある。圧接用部材をセラミックス基板に接合する方法としては、セラミックス基板と、回路金属となる金属板との接合体を製造しておき、縁部を囲周させるとともに、回路金属パターンにエッチングレジストを塗布し、エッチングを行って不要金属部分を除去し、回路金属と圧接用部材とを形成させる方法が好適である。
回路金属を、圧接用部材を介して冷却ユニットに固定するには、ネジ4とモジュールケース8が使用される。すなわち、ネジの締め付け力が回路基板に伝達できるように、モジュールケースの一部が圧接用部材に係合するように配置される。モジュールケースの材質は、銅、アルミニウム又はそれらの合金、ステンレス等の金属である。
本発明のモジュールにおいては、ベース板(ヒートシンク材)9がなくても耐久性が高まるので、簡素かつ小型化の点から、それがない方が好ましい。回路基板と冷却ユニットをしっかりと接面させるために、グリース等の放熱部材3が使用される。
冷却ユニットとしては、銅、アルミニウム又はそれらの合金、ステンレス等の筒型、箱型、フィン状、平板が用いられる。内部に冷却水を通すことができるように、通水の出口と入口を設けることもできる。
実施例1〜4
窒化アルミニウム基板(大きさ100×50mm角、厚さ2mm、熱伝導率170W/mK)と金属板の接合体を活性金属ろう付け法によって製造し、その表面には回路金属(大きさ20×20mm角を3個、厚さ0.4mm、回路間隔20mm)、裏面には放熱板(98×48mm角、厚さ0.4mm)をエッチングによって形成させた。なお、実施例2、4では、表面縁部にリング状の圧接用部材(幅5mm)を同時に形成した。
窒化アルミニウム基板(大きさ100×50mm角、厚さ2mm、熱伝導率170W/mK)と金属板の接合体を活性金属ろう付け法によって製造し、その表面には回路金属(大きさ20×20mm角を3個、厚さ0.4mm、回路間隔20mm)、裏面には放熱板(98×48mm角、厚さ0.4mm)をエッチングによって形成させた。なお、実施例2、4では、表面縁部にリング状の圧接用部材(幅5mm)を同時に形成した。
実施例1、2で用いた金属板はアルミニウムであり、実施例3、4では銅板である。実施例1、2の接合方法はAl−Cu合金箔を用いたろう付け法であり、実施例3、4は銀−銅合金にチタンを含有させたペーストを用いた活性金属ろう付け法である。
得られた回路基板の回路金属に半導体素子(13mm×13mm)を半田付けし、ワイヤボンディングをした。また、放熱板にグリース(厚さ20μm)を塗ってから冷却ユニット(アルミニウム製、縦150mm×横100mm×幅40mm、厚さ5mmの箱型)に配置した。その後、実施例1、3ではモジュールケース(縦100mm×横50mm×幅5mm、厚さ2mm)を介して、ネジで締め付けて回路基板と冷却ユニットを圧接固定した。モジュールケースの材質は、実施例1がアルミニウム、実施例3が銅である。実施例2、4では、モジュールケースを用いないで、エッチングにより形成した圧接用部材を直接ネジで締め付けることによって回路基板と冷却ユニットを圧接固定した。
比較例1、2
実施例1、3で製造された回路基板の窒化アルミニウム基板の4角に穴(直径5mm)を設け、圧接用部材もモジュールケースも用いないで、その穴からネジを通し、グリースを介在させて冷却ユニットと回路基板をネジ止めした。
実施例1、3で製造された回路基板の窒化アルミニウム基板の4角に穴(直径5mm)を設け、圧接用部材もモジュールケースも用いないで、その穴からネジを通し、グリースを介在させて冷却ユニットと回路基板をネジ止めした。
得られたモジュールについて、(1)放熱特性、(2)耐久性、(3)外観観察を以下に従って評価した。また、モジュールの製造過程で得られた(4)回路基板の反り量を測定した。それらの結果を表1に示す。
(1)放熱特性:冷却ユニット内に70℃の冷却水を流速1.5m/sで通水しながら半導体素子に通電(100W)し、半導体素子の表面温度と冷却水温度を熱電対により測定し、熱抵抗を算出した。
(2)耐久性:−40℃で15分保持した後、125℃で15分保持することを1サイクルとするヒートサイクル試験を1000サイクル行ってから、上記に従って熱抵抗を測定した。
(3)外観観察:ヒートサイクル試験終了後に、回路基板を冷却ユニットから取り外し、固定部(実施例においてはモジュールケースの圧接部、比較例においてはネジ止め部)を実体顕微鏡により観察して、クラックの発生有無を調べた。 (4)回路基板の反り量:レーザー変位計により測定した。
(2)耐久性:−40℃で15分保持した後、125℃で15分保持することを1サイクルとするヒートサイクル試験を1000サイクル行ってから、上記に従って熱抵抗を測定した。
(3)外観観察:ヒートサイクル試験終了後に、回路基板を冷却ユニットから取り外し、固定部(実施例においてはモジュールケースの圧接部、比較例においてはネジ止め部)を実体顕微鏡により観察して、クラックの発生有無を調べた。 (4)回路基板の反り量:レーザー変位計により測定した。
表1からわかるように、実施例のモジュールは比較例に比べて優れた放熱特性と耐久性を有し、信頼性が高いものであることが示された。
本発明のモジュールは、例えば電気自動車用、電鉄用等、厳しい条件で用いられるモジュールとして好適となる。
1a セラミックス基板
1b 回路金属
1c 放熱板
2 冷却ユニット
3 放熱部材
4 ネジ
5 圧接用部材
6 半導体素子用半田
7 半導体素子
8 モジュールケース
9 ベース板(ヒートシンク板)
10 半田
11 冷却ユニット用半田
1b 回路金属
1c 放熱板
2 冷却ユニット
3 放熱部材
4 ネジ
5 圧接用部材
6 半導体素子用半田
7 半導体素子
8 モジュールケース
9 ベース板(ヒートシンク板)
10 半田
11 冷却ユニット用半田
Claims (3)
- セラミックス基板(1a)に回路金属(1b)及び放熱板(1c)が形成されてなる回路基板と、冷却ユニット(2)とが、放熱部材(3)を介在させてネジ(4)止めされてなるものであって、このネジ止めが、上記セラミックス基板の縁部上面を囲周する圧接用部材(5)を介して行われているものであることを特徴とするモジュール。
- 圧接用部材(5)が、セラミックス基板(1a)に接合されてなるものであることを特徴とする請求項1記載のモジュール。
- ベース板(9)を有しないものであることを特徴とする請求項1又は2記載のモジュール。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003278986A JP2005045105A (ja) | 2003-07-24 | 2003-07-24 | モジュール |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286754A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合基板 |
WO2016005088A1 (de) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Abb Technology Ag | Halbleitermodul mit federbelasteter basisplatte |
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2003
- 2003-07-24 JP JP2003278986A patent/JP2005045105A/ja active Pending
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