JP2005044387A - Fifo型メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】FIFO型メモリの面積の縮小化を図る。
【解決手段】書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路(151)と、上記アドレス一致検出回路の出力信号に基づいてエンプティフラグを形成する第1ラッチ回路(152)と、上記アドレス一致検出回路の出力信号に基づいてフルフラグを形成する第2ラッチ回路(153)と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理(154,155)とを含んで、フラグ生成回路を構成して、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタを不要とする。
【選択図】 図1
【解決手段】書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路(151)と、上記アドレス一致検出回路の出力信号に基づいてエンプティフラグを形成する第1ラッチ回路(152)と、上記アドレス一致検出回路の出力信号に基づいてフルフラグを形成する第2ラッチ回路(153)と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理(154,155)とを含んで、フラグ生成回路を構成して、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタを不要とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、FIFO(先入れ先出し)型メモリに関し、例えば半導体集積回路に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
データを記憶するデュアルポート型のメモリと、メモリへの書込パルス信号に従ってメモリの書込アドレスを生成する書込カウンタと、メモリへの読出パルス信号に従ってメモリの読出アドレスを生成する読出カウンタと、前記書込パルス信号及び読出パルス信号に従ってアップ/ダウンすることによりデータの記憶数を計数する容量監視カウンタとを備えるFIFO型メモリにおいて、容量監視カウンタへの書込パルス信号又は読出パルス信号をその読出側又は書込側のクロック信号に同期化させることにより、正しいデータ記憶数を計数可能にした技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
【0003】
また、カウントダウンイネーブル信号生成回路が、読み出しアドレスの最下位ビットと読み出しクロックより周波数が高い書き込みクロックから、書き込みクロックに同期し、1回の読み出し毎に書き込みクロックの1周期分アサートされるカウントダウンイネーフ゛ル信号を生成し、アップダウンカウンタに出力する。または、カウントアップイネーブル信号生成回路が、書き込みアドレスの最下位ビットと書き込みクロックより周波数が高い読み出しクロックから、読み出しクロックに同期し、1回の書き込み毎に読み出しクロックの1周期分アサートされるカウントアップイネーブル信号を生成し、アップダウンカウンタに出力するようにした技術が知られている(例えば特許文献2参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−285346号公報(図1)
【特許文献2】
特開2001−307476号公報(図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本願発明者の検討によれば、FIFO型メモリの容量をカウントするにはフリップフロップ回路を用いるようにしており、FIFO型の容量が大きくなればフリップフロップ回路の個数も多くなり、チップ占有面積の増大を招くことが見いだされた。
【0006】
また、アップダウンカウンタは、一つのクロック信号で動作されるため、書き込みクロック信号又は読み出しクロック信号のいずれかしか入力できないため、上記特許文献1記載技術によれば、位相が異なっているクロック信号を片方のクロック信号に同期させる方法を用いている。この場合、サイクルが同じで、位相が異なる場合しかカウントすることができない。
【0007】
また、上記特許文献2記載技術によれば、周波数が高い方のクロック信号で制御するようにしているため、途中で高い方のクロック信号が、低い方のクロック信号よりも遅くなるような場合は使用できないものと考えられる。
【0008】
さらに、「非同期で書き込みと読み出しができる」というFIFO型メモリでも、書き込みアドレスと読み出しアドレスとを数十アドレス離すという条件があり、システム設計の自由度が阻害される。
【0009】
本発明の目的は、FIFO型メモリの面積の縮小化を図ることにある。
【0010】
本発明の別の目的は、FIFO型メモリにおけるシステム設計の自由度の向上を図ることにある。
【0011】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0013】
すなわち、データの書き込み及び読み出しを可能とするメモリと、上記メモリに書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、読み出すデータが上記メモリに無くなったことを示すエンプティフラグとを生成するためのフラグ生成回路とを含んでFIFO型メモリが構成されるとき、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、上記アドレス一致検出回路の出力信号を読み出しクロック信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、上記アドレス一致検出回路の出力信号を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理とを含んで、上記フラグ生成回路を構成する。
【0014】
上記の手段によれば、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出し、上記アドレス一致検出回路の出力信号を読み出しクロック信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成し、上記アドレス一致検出回路の出力信号を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成し、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避する。このことが、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)を不要とし、回路面積の縮小化を達成する。
【0015】
また、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第1論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第2論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理とを含んで、上記フラグ生成回路を構成することができる。
【0016】
さらに、上記フラグ生成回路は、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記エンプティフラグとの論理演算を行うための第1論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことでエンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記フルフラグとの論理演算を行うための第2論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことでフルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理と、を含んで、上記フラグ生成回路を構成することができる。
【0017】
このとき、回路動作の安定化を図るため、上記第1論理回路の出力信号を遅延するための第1遅延回路と、上記第2論理回路の出力信号を遅延するための第2遅延回路とを設けることができる。
【0018】
そして、上記エンプティフラグを次の書き込み動作に同期してクリアし、上記フルフラグを次ぎの読み出し動作に同期してクリアするためのトランスファゲート回路を設けることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図5には本発明にかかるFIFO型メモリの全体的な構成例が示される。
【0020】
図5に示されるFIFO型メモリは、特に制限されないが、公知の半導体集積回路製造技術により、単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。このFIFO型メモリは、特に制限されないが、デュアルポートRAM(ランダム・アクセス・メモリ)10、読み出しアドレス生成回路11、書き込みアドレス生成回路12、フラグ生成回路15とを含む。
【0021】
上記デュアルポートRAM10は、データの読み出しを可能とする読み出しポート13、及びデータの書き込みを可能とする書き込みポート14を含む。
【0022】
読み出しアドレス生成回路11は、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号がアサートされた期間に、読み出しクロック信号に基づいて上記デュアルポートRAM10の読み出しアドレス信号を生成する。
【0023】
書き込みアドレス生成回路12は、書き込みの有効性を示す書き込みイネーブル信号がアサートされた期間に、書き込みクロック信号に基づいて上記デュアルポートRAM10の書き込みアドレス信号を生成する。
【0024】
フラグ生成回路15は、上記デュアルポートRAM10に書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、上記デュアルポートRAM10に、読み出すデータが無くなったことを示すエンプティフラグとを生成する。このフルフラグとエンプティフラグとは、上記デュアルポートRAM10からのデータ読み出しや上記デュアルポートRAM10へのデータ書き込みを行う制御回路に伝達される。
【0025】
図1には、上記フラグ生成回路15の構成例が示される。
【0026】
図1に示されるように、フラグ生成回路15は、アドレス一致検出回路151、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152,153、及びアンドゲート154,155を含む。
【0027】
アドレス一致検出回路151は、特に制限されないが、書き込みアドレス信号と読み出しアドレス信号とが一致するのを確認する。このアドレス一致検出回路151での検出結果は、後段のアンドゲート154,155へ伝達される。
【0028】
立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152は、読み出しクロック信号に同期して上記アンドゲート154の出力信号を取り込むことでエンプティフラグを形成する。このエンプティフラグは、図示されない制御回路へ伝達されるとともに、論理反転されてから上記アンドゲート155へ伝達される。
【0029】
立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153は、書き込みクロック信号に同期して上記アンドゲート155の出力信号を取り込むことで、フルフラグを形成する。このフルフラグは、図示されない制御回路へ伝達されるとともに、論理反転されてから上記アンドゲート154へ伝達される。
【0030】
上記の構成の動作を説明する。
【0031】
ここでまず、FIFO型メモリの一般的な動作を説明する。
【0032】
説明の便宜上、FIFO型メモリの記憶容量を8ビットとする。
【0033】
図3(A)には、記憶容量を8ビットのFIFO型メモリ10に4ビットまで書き込まれた状態が示される。図3(A)の状態から記憶データが1ビット読み出され(図3(B))、さらにその状態で1ビットのデータが書き込まれる(図3(C))場合や、1ビット読み出される場合(図3(D))が考えられる。
【0034】
次に、書き込みアドレスと読み出しアドレスからFIFO内のデータがエンプティであるか、フルであるかを判断する方法について説明する。
【0035】
図4(A)には先にアドレス“6”に書き込みがあった後に、同じアドレス“6”から読み出しが行われる場合が示され、同図(B)には、アドレス“6”から読み出しが行われている最中に、同じアドレス“6”に書き込みが行われる場合が示される。
【0036】
書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致する場合には次のように判断される。
【0037】
(イ)書き込みが行われた後に同アドレスで読み出しが行われる場合は「エンプティ」である。
【0038】
(ロ)読み出しが行われた後に同アドレスに書き込みが行われた場合は「フル」である。
【0039】
(ハ)書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致しない場合は、「エンプティ」でも「フル」でもない。
【0040】
書き込みと読み出しとが同時に行われ、且つ、アドレスが一致しているということは、次の条件が成立する。
【0041】
(ニ)先ず、データの無いFIFO型メモリ(エンプティ=読み出し禁止状態)の指定アドレスから読み出しながら書き込むことである。
【0042】
(ホ)次に、書き込む余地の無いFIFO型メモリ(フル=書き込み禁止)の指定アドレスに書き込みながら読み出すことである。
【0043】
上記(ニ)、(ホ)はそれぞれフラグ発生中の禁止状態である。このため、書き込みと読み出しとが同時に行われるときには書き込みと読み出しとでアドレスは一致しない。つまり、上記(二),(ホ)は生じない。
【0044】
以上のことから、図1に示されるフラグ生成回路15は、アドレスの一致を読み出しクロックで取り込めばエンプティフラグを出力し、書き込みクロックで取り込めばフルフラグを出力するように構成される。
【0045】
図2には、図1に示される回路における主要部の動作タイミングが示される。
【0046】
図2に示されるように、rckは読み出しクロック信号、wckは書き込みクロック信号、fullはフルフラグである。タイミングT1は、読み出しと書き込みとで同一アドレスにアクセスする危険のあるタイミングであるが、フルフラグfullがハイレベルにされることで書き込みが禁止される。すなわち、アドレス一致検出回路151でアドレス一致が検出され、書き込みクロック信号に同期してアンドゲート155の出力信号が立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に取り込まれることにより、フルフラグがハイレベルにされることで、書き込みが禁止される。このとき、アンドゲート154が非活性状態にされることで、エンプティフラグはローレベルの状態とされる。ここで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152が、本発明における第1ラッチ回路の一例とされ、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153が本発明における第2ラッチ回路の一例とされる。また、アンドゲート154,155が本発明における制御論理の一例とされる。
【0047】
上記の例によれば、以下の作用効果を得ることができる。
【0048】
(1)FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)が不要とされるため、回路面積の縮小化を図ることができる。
【0049】
(2)書き込みサイクルと読み出しサイクルとの何れが早くても、それを気にすることなく、一つのフラグ生成回路15においてエンプティフラグとフルフラグとを生成することができる。
【0050】
(3)書き込みサイクルと読み出しサイクルに対して、FIFO型メモリ使用の制限が無くなるため、システム設計の自由度が高くなる。
【0051】
図6には、上記フラグ生成回路15の別の構成例が示される。
【0052】
図6に示されるフラグ生成回路15が図1に示されるのと大きく相違するのは、2入力アンドゲート158,160、遅延段159,161、インバータ162,165、トランスミッションゲート163,164,166,167が設けられている点である。
【0053】
アンドゲート158は、読み出しイネーブル信号renと、読み出しクロック信号rckとのアンド論理を得る。このアンドゲート158の出力信号は後段の遅延段159で遅延されるようになっている。遅延段159の出力信号renck1は、トランスミッションゲート163を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、トランスミッションゲート164を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。トランスミッションゲート163,164は、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153の出力信号によって相補的に導通される。トランスミッションゲート163,164は相補レベルの信号で動作制御されるため、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153の出力信号がインバータ162で反転されてからトランスミッションゲート163,164へ伝達される。
【0054】
アンドゲート160は、書き込みイネーブル信号wenと、書き込みクロック信号wckとのアンド論理を得る。このアンドゲート160の出力信号は後段の遅延段161で遅延されるようになっている。遅延段161の出力信号wenck1は、トランスミッションゲート166を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、トランスミッションゲート167を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。トランスミッションゲート166,167は、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152の出力信号によって相補的に導通される。トランスミッションゲート166,167は相補レベルの信号で動作制御されるため、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152の出力信号がインバータ165で反転されてからトランスミッションゲート166,167へ伝達される。
【0055】
図7には、図6に示される回路における主要部の動作タイミングが示される。
【0056】
尚、図7に示される例では、読み出しクロック信号rckと書き込みクロック信号wckとのサイクルが等しく、読み出しクロック信号rckの位相が書き込みクロック信号wckよりも早いものとし、FIFO型メモリの容量を4ビットとする。
【0057】
図1に示される回路構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合に、読み出しクロックが立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152に直接入力されるために、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされなくても、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになる。また、図1に示される回路構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合に、書き込みクロックが立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に直接入力されるために、書き込みイネーブル信号wenがハイレベルにアサートされなくても、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになる。これに対して、図6に示される回路では、それを回避するために、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152に入力されるクロック信号renck2、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に入力されるクロック信号wenck2を生成するために、それぞれ読み出しイネーブル信号ren、書き込みイネーブル信号wenが考慮されている。すなわち、アンドゲート158において、読み出しイネーブル信号renと読み出しクロック信号rckとのアンド論理が求められ、このアンドゲート158の出力信号が、遅延回路159及びトランスミッションゲート163を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、アンドゲート160において、読み出しイネーブル信号wenと読み出しクロック信号wckとのアンド論理が求められ、このアンドゲート160の出力信号が、遅延回路161及びトランスミッションゲート167を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。このため、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされない限り、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152でのエッジ取り込みは行われないし、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされない限り、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152でのエッジ取り込みは行われない。
【0058】
従って、図6に示される構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合でも、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされずに、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになることと、書き込みイネーブル信号wenがハイレベルにアサートされずに、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになることは無い。
【0059】
読み出しイネーブル信号renがハイレベルとされ、読み出しクロック信号rckがハイレベルとされることで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152によりアンドゲート154の出力信号がラッチされる。このとき、アドレス一致回路151の出力信号compがハイレベルであれば、エンプティフラグemptyがハイレベルにされる。このエンプティフラグemptyは、書き込みクロック信号wckの立ち上がりタイミングに同期してローレベルにされる。つまり、エンプティフラグemptyがハイレベルの場合、アンドゲート155が非活性状態とされ、フルフラグfullはローレベルとされるため、トランスミッションゲート166が導通される。そして、書き込みイネーブル信号wenと書き込みクロック信号wckがハイレベルの場合に、クロック信号renck2がハイレベルにされ、このとき、アドレス不一致によりアドレス一致検出回路151の出力信号compがローレベルにされると、それが立ち上がり取り込みラッチ回路152に取り込まれることでエンプティフラグemptyがローレベルにされる。
【0060】
書き込みイネーブル信号wenがハイレベルとされ、書き込みクロック信号wckがハイレベルとされることで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153によりアンドゲート155の出力信号がラッチされる。このとき、アドレス一致回路151の出力信号compがハイレベルであれば、フルフラグはfullがハイレベルにされる。このフルフラグfullは、読み出しクロック信号rckの立ち上がりタイミングに同期してローレベルにされる。つまり、フルフラグfullがハイレベルの場合、アンドゲート154が非活性状態とされ、エンプティフラグemptygはローレベルとされるため、トランスミッションゲート164が導通される。そして、読み出しイネーブル信号renと書き込みクロック信号wckがハイレベルの場合に、クロック信号wenck2がハイレベルにされ、このとき、アドレス不一致によりアドレス一致検出回路151の出力信号compがローレベルにされると、それが立ち上がり取り込みラッチ回路152に取り込まれることでフルフラグfullがローレベルにされる。
【0061】
図8には上記フラグ生成回路15の別の構成例が示される。
【0062】
図8に示されるフラグ生成回路15が図6に示されるのと大きく相違するのは、アンドゲート158,160が3入力とされ、それぞれエンプティフラグの反転信号、フルフラグの反転信号が伝達される点である。つまり、図8に示される構成では、エンプティフラグの反転信号がハイレベルにならない限りアンドゲート158は活性化されないため、遅延段159からクロック信号renck1が出力されない。同様にフルフラグの反転信号がハイレベルにならない限りアンドゲート160は活性化されないため、遅延段161からクロック信号wenck1が出力されない。かかる構成によれば、エンプティフラグやフルフラグがハイレベルにアサートされるのが間に合わずに、読み出しイネーブルrenや書き込みイネーブル信号wenが不所望にハイレベルにアサートされた場合でも、読み出しクロック信号rckや書き込みクロック信号wckの取り込みを阻止することができるので、FIFO型メモリの保持データの破壊を防止することができる。
【0063】
以上本発明者によってなされた発明を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0064】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体メモリに適用した場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、例えばマイクロコンピュータやその他のデータ処理装置にオンチップされる場合にも適用することができる。
【0065】
本発明は、少なくともフラグ生成化回路を含むことを条件に適用することができる。
【0066】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0067】
すなわち、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)を不要とすることで回路面積の縮小化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の構成例回路図である。
【図2】図1に示される回路における主要部の動作タイミング図である。
【図3】FIFO型メモリの動作説明図である。
【図4】FIFO型メモリの動作説明図である。
【図5】本発明にかかるFIFO型メモリの全体的な構成例ブロック図である。
【図6】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の別の構成例回路図である。
【図7】図6に示される構成における主要部の動作タイミング図である。
【図8】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の別の構成例回路図である。
【符号の説明】
10 デュアルポートRAM
15 フラグ生成回路
151 アドレス一致検出回路
152 立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路
153 立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路
154,155 アンドゲート
158,160 アンドゲート
159,161 遅延段
163,164,166,167 トランスミッションゲート
【発明の属する技術分野】
本発明は、FIFO(先入れ先出し)型メモリに関し、例えば半導体集積回路に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
データを記憶するデュアルポート型のメモリと、メモリへの書込パルス信号に従ってメモリの書込アドレスを生成する書込カウンタと、メモリへの読出パルス信号に従ってメモリの読出アドレスを生成する読出カウンタと、前記書込パルス信号及び読出パルス信号に従ってアップ/ダウンすることによりデータの記憶数を計数する容量監視カウンタとを備えるFIFO型メモリにおいて、容量監視カウンタへの書込パルス信号又は読出パルス信号をその読出側又は書込側のクロック信号に同期化させることにより、正しいデータ記憶数を計数可能にした技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
【0003】
また、カウントダウンイネーブル信号生成回路が、読み出しアドレスの最下位ビットと読み出しクロックより周波数が高い書き込みクロックから、書き込みクロックに同期し、1回の読み出し毎に書き込みクロックの1周期分アサートされるカウントダウンイネーフ゛ル信号を生成し、アップダウンカウンタに出力する。または、カウントアップイネーブル信号生成回路が、書き込みアドレスの最下位ビットと書き込みクロックより周波数が高い読み出しクロックから、読み出しクロックに同期し、1回の書き込み毎に読み出しクロックの1周期分アサートされるカウントアップイネーブル信号を生成し、アップダウンカウンタに出力するようにした技術が知られている(例えば特許文献2参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−285346号公報(図1)
【特許文献2】
特開2001−307476号公報(図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本願発明者の検討によれば、FIFO型メモリの容量をカウントするにはフリップフロップ回路を用いるようにしており、FIFO型の容量が大きくなればフリップフロップ回路の個数も多くなり、チップ占有面積の増大を招くことが見いだされた。
【0006】
また、アップダウンカウンタは、一つのクロック信号で動作されるため、書き込みクロック信号又は読み出しクロック信号のいずれかしか入力できないため、上記特許文献1記載技術によれば、位相が異なっているクロック信号を片方のクロック信号に同期させる方法を用いている。この場合、サイクルが同じで、位相が異なる場合しかカウントすることができない。
【0007】
また、上記特許文献2記載技術によれば、周波数が高い方のクロック信号で制御するようにしているため、途中で高い方のクロック信号が、低い方のクロック信号よりも遅くなるような場合は使用できないものと考えられる。
【0008】
さらに、「非同期で書き込みと読み出しができる」というFIFO型メモリでも、書き込みアドレスと読み出しアドレスとを数十アドレス離すという条件があり、システム設計の自由度が阻害される。
【0009】
本発明の目的は、FIFO型メモリの面積の縮小化を図ることにある。
【0010】
本発明の別の目的は、FIFO型メモリにおけるシステム設計の自由度の向上を図ることにある。
【0011】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0013】
すなわち、データの書き込み及び読み出しを可能とするメモリと、上記メモリに書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、読み出すデータが上記メモリに無くなったことを示すエンプティフラグとを生成するためのフラグ生成回路とを含んでFIFO型メモリが構成されるとき、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、上記アドレス一致検出回路の出力信号を読み出しクロック信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、上記アドレス一致検出回路の出力信号を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理とを含んで、上記フラグ生成回路を構成する。
【0014】
上記の手段によれば、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出し、上記アドレス一致検出回路の出力信号を読み出しクロック信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成し、上記アドレス一致検出回路の出力信号を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成し、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避する。このことが、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)を不要とし、回路面積の縮小化を達成する。
【0015】
また、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第1論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第2論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理とを含んで、上記フラグ生成回路を構成することができる。
【0016】
さらに、上記フラグ生成回路は、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記エンプティフラグとの論理演算を行うための第1論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことでエンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記フルフラグとの論理演算を行うための第2論理回路と、上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことでフルフラグを形成する第2ラッチ回路と、上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理と、を含んで、上記フラグ生成回路を構成することができる。
【0017】
このとき、回路動作の安定化を図るため、上記第1論理回路の出力信号を遅延するための第1遅延回路と、上記第2論理回路の出力信号を遅延するための第2遅延回路とを設けることができる。
【0018】
そして、上記エンプティフラグを次の書き込み動作に同期してクリアし、上記フルフラグを次ぎの読み出し動作に同期してクリアするためのトランスファゲート回路を設けることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図5には本発明にかかるFIFO型メモリの全体的な構成例が示される。
【0020】
図5に示されるFIFO型メモリは、特に制限されないが、公知の半導体集積回路製造技術により、単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。このFIFO型メモリは、特に制限されないが、デュアルポートRAM(ランダム・アクセス・メモリ)10、読み出しアドレス生成回路11、書き込みアドレス生成回路12、フラグ生成回路15とを含む。
【0021】
上記デュアルポートRAM10は、データの読み出しを可能とする読み出しポート13、及びデータの書き込みを可能とする書き込みポート14を含む。
【0022】
読み出しアドレス生成回路11は、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号がアサートされた期間に、読み出しクロック信号に基づいて上記デュアルポートRAM10の読み出しアドレス信号を生成する。
【0023】
書き込みアドレス生成回路12は、書き込みの有効性を示す書き込みイネーブル信号がアサートされた期間に、書き込みクロック信号に基づいて上記デュアルポートRAM10の書き込みアドレス信号を生成する。
【0024】
フラグ生成回路15は、上記デュアルポートRAM10に書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、上記デュアルポートRAM10に、読み出すデータが無くなったことを示すエンプティフラグとを生成する。このフルフラグとエンプティフラグとは、上記デュアルポートRAM10からのデータ読み出しや上記デュアルポートRAM10へのデータ書き込みを行う制御回路に伝達される。
【0025】
図1には、上記フラグ生成回路15の構成例が示される。
【0026】
図1に示されるように、フラグ生成回路15は、アドレス一致検出回路151、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152,153、及びアンドゲート154,155を含む。
【0027】
アドレス一致検出回路151は、特に制限されないが、書き込みアドレス信号と読み出しアドレス信号とが一致するのを確認する。このアドレス一致検出回路151での検出結果は、後段のアンドゲート154,155へ伝達される。
【0028】
立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152は、読み出しクロック信号に同期して上記アンドゲート154の出力信号を取り込むことでエンプティフラグを形成する。このエンプティフラグは、図示されない制御回路へ伝達されるとともに、論理反転されてから上記アンドゲート155へ伝達される。
【0029】
立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153は、書き込みクロック信号に同期して上記アンドゲート155の出力信号を取り込むことで、フルフラグを形成する。このフルフラグは、図示されない制御回路へ伝達されるとともに、論理反転されてから上記アンドゲート154へ伝達される。
【0030】
上記の構成の動作を説明する。
【0031】
ここでまず、FIFO型メモリの一般的な動作を説明する。
【0032】
説明の便宜上、FIFO型メモリの記憶容量を8ビットとする。
【0033】
図3(A)には、記憶容量を8ビットのFIFO型メモリ10に4ビットまで書き込まれた状態が示される。図3(A)の状態から記憶データが1ビット読み出され(図3(B))、さらにその状態で1ビットのデータが書き込まれる(図3(C))場合や、1ビット読み出される場合(図3(D))が考えられる。
【0034】
次に、書き込みアドレスと読み出しアドレスからFIFO内のデータがエンプティであるか、フルであるかを判断する方法について説明する。
【0035】
図4(A)には先にアドレス“6”に書き込みがあった後に、同じアドレス“6”から読み出しが行われる場合が示され、同図(B)には、アドレス“6”から読み出しが行われている最中に、同じアドレス“6”に書き込みが行われる場合が示される。
【0036】
書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致する場合には次のように判断される。
【0037】
(イ)書き込みが行われた後に同アドレスで読み出しが行われる場合は「エンプティ」である。
【0038】
(ロ)読み出しが行われた後に同アドレスに書き込みが行われた場合は「フル」である。
【0039】
(ハ)書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致しない場合は、「エンプティ」でも「フル」でもない。
【0040】
書き込みと読み出しとが同時に行われ、且つ、アドレスが一致しているということは、次の条件が成立する。
【0041】
(ニ)先ず、データの無いFIFO型メモリ(エンプティ=読み出し禁止状態)の指定アドレスから読み出しながら書き込むことである。
【0042】
(ホ)次に、書き込む余地の無いFIFO型メモリ(フル=書き込み禁止)の指定アドレスに書き込みながら読み出すことである。
【0043】
上記(ニ)、(ホ)はそれぞれフラグ発生中の禁止状態である。このため、書き込みと読み出しとが同時に行われるときには書き込みと読み出しとでアドレスは一致しない。つまり、上記(二),(ホ)は生じない。
【0044】
以上のことから、図1に示されるフラグ生成回路15は、アドレスの一致を読み出しクロックで取り込めばエンプティフラグを出力し、書き込みクロックで取り込めばフルフラグを出力するように構成される。
【0045】
図2には、図1に示される回路における主要部の動作タイミングが示される。
【0046】
図2に示されるように、rckは読み出しクロック信号、wckは書き込みクロック信号、fullはフルフラグである。タイミングT1は、読み出しと書き込みとで同一アドレスにアクセスする危険のあるタイミングであるが、フルフラグfullがハイレベルにされることで書き込みが禁止される。すなわち、アドレス一致検出回路151でアドレス一致が検出され、書き込みクロック信号に同期してアンドゲート155の出力信号が立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に取り込まれることにより、フルフラグがハイレベルにされることで、書き込みが禁止される。このとき、アンドゲート154が非活性状態にされることで、エンプティフラグはローレベルの状態とされる。ここで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152が、本発明における第1ラッチ回路の一例とされ、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153が本発明における第2ラッチ回路の一例とされる。また、アンドゲート154,155が本発明における制御論理の一例とされる。
【0047】
上記の例によれば、以下の作用効果を得ることができる。
【0048】
(1)FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)が不要とされるため、回路面積の縮小化を図ることができる。
【0049】
(2)書き込みサイクルと読み出しサイクルとの何れが早くても、それを気にすることなく、一つのフラグ生成回路15においてエンプティフラグとフルフラグとを生成することができる。
【0050】
(3)書き込みサイクルと読み出しサイクルに対して、FIFO型メモリ使用の制限が無くなるため、システム設計の自由度が高くなる。
【0051】
図6には、上記フラグ生成回路15の別の構成例が示される。
【0052】
図6に示されるフラグ生成回路15が図1に示されるのと大きく相違するのは、2入力アンドゲート158,160、遅延段159,161、インバータ162,165、トランスミッションゲート163,164,166,167が設けられている点である。
【0053】
アンドゲート158は、読み出しイネーブル信号renと、読み出しクロック信号rckとのアンド論理を得る。このアンドゲート158の出力信号は後段の遅延段159で遅延されるようになっている。遅延段159の出力信号renck1は、トランスミッションゲート163を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、トランスミッションゲート164を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。トランスミッションゲート163,164は、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153の出力信号によって相補的に導通される。トランスミッションゲート163,164は相補レベルの信号で動作制御されるため、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153の出力信号がインバータ162で反転されてからトランスミッションゲート163,164へ伝達される。
【0054】
アンドゲート160は、書き込みイネーブル信号wenと、書き込みクロック信号wckとのアンド論理を得る。このアンドゲート160の出力信号は後段の遅延段161で遅延されるようになっている。遅延段161の出力信号wenck1は、トランスミッションゲート166を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、トランスミッションゲート167を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。トランスミッションゲート166,167は、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152の出力信号によって相補的に導通される。トランスミッションゲート166,167は相補レベルの信号で動作制御されるため、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152の出力信号がインバータ165で反転されてからトランスミッションゲート166,167へ伝達される。
【0055】
図7には、図6に示される回路における主要部の動作タイミングが示される。
【0056】
尚、図7に示される例では、読み出しクロック信号rckと書き込みクロック信号wckとのサイクルが等しく、読み出しクロック信号rckの位相が書き込みクロック信号wckよりも早いものとし、FIFO型メモリの容量を4ビットとする。
【0057】
図1に示される回路構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合に、読み出しクロックが立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152に直接入力されるために、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされなくても、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになる。また、図1に示される回路構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合に、書き込みクロックが立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に直接入力されるために、書き込みイネーブル信号wenがハイレベルにアサートされなくても、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになる。これに対して、図6に示される回路では、それを回避するために、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152に入力されるクロック信号renck2、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153に入力されるクロック信号wenck2を生成するために、それぞれ読み出しイネーブル信号ren、書き込みイネーブル信号wenが考慮されている。すなわち、アンドゲート158において、読み出しイネーブル信号renと読み出しクロック信号rckとのアンド論理が求められ、このアンドゲート158の出力信号が、遅延回路159及びトランスミッションゲート163を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152へ伝達され、また、アンドゲート160において、読み出しイネーブル信号wenと読み出しクロック信号wckとのアンド論理が求められ、このアンドゲート160の出力信号が、遅延回路161及びトランスミッションゲート167を介して立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153へ伝達される。このため、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされない限り、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152でのエッジ取り込みは行われないし、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされない限り、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152でのエッジ取り込みは行われない。
【0058】
従って、図6に示される構成では、書き込みクロックと読み出しクロックとが同期される場合でも、読み出しイネーブル信号renがハイレベルにアサートされずに、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになることと、書き込みイネーブル信号wenがハイレベルにアサートされずに、エンプティフラグとフルフラグとが同時にハイレベルになることは無い。
【0059】
読み出しイネーブル信号renがハイレベルとされ、読み出しクロック信号rckがハイレベルとされることで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路152によりアンドゲート154の出力信号がラッチされる。このとき、アドレス一致回路151の出力信号compがハイレベルであれば、エンプティフラグemptyがハイレベルにされる。このエンプティフラグemptyは、書き込みクロック信号wckの立ち上がりタイミングに同期してローレベルにされる。つまり、エンプティフラグemptyがハイレベルの場合、アンドゲート155が非活性状態とされ、フルフラグfullはローレベルとされるため、トランスミッションゲート166が導通される。そして、書き込みイネーブル信号wenと書き込みクロック信号wckがハイレベルの場合に、クロック信号renck2がハイレベルにされ、このとき、アドレス不一致によりアドレス一致検出回路151の出力信号compがローレベルにされると、それが立ち上がり取り込みラッチ回路152に取り込まれることでエンプティフラグemptyがローレベルにされる。
【0060】
書き込みイネーブル信号wenがハイレベルとされ、書き込みクロック信号wckがハイレベルとされることで、立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路153によりアンドゲート155の出力信号がラッチされる。このとき、アドレス一致回路151の出力信号compがハイレベルであれば、フルフラグはfullがハイレベルにされる。このフルフラグfullは、読み出しクロック信号rckの立ち上がりタイミングに同期してローレベルにされる。つまり、フルフラグfullがハイレベルの場合、アンドゲート154が非活性状態とされ、エンプティフラグemptygはローレベルとされるため、トランスミッションゲート164が導通される。そして、読み出しイネーブル信号renと書き込みクロック信号wckがハイレベルの場合に、クロック信号wenck2がハイレベルにされ、このとき、アドレス不一致によりアドレス一致検出回路151の出力信号compがローレベルにされると、それが立ち上がり取り込みラッチ回路152に取り込まれることでフルフラグfullがローレベルにされる。
【0061】
図8には上記フラグ生成回路15の別の構成例が示される。
【0062】
図8に示されるフラグ生成回路15が図6に示されるのと大きく相違するのは、アンドゲート158,160が3入力とされ、それぞれエンプティフラグの反転信号、フルフラグの反転信号が伝達される点である。つまり、図8に示される構成では、エンプティフラグの反転信号がハイレベルにならない限りアンドゲート158は活性化されないため、遅延段159からクロック信号renck1が出力されない。同様にフルフラグの反転信号がハイレベルにならない限りアンドゲート160は活性化されないため、遅延段161からクロック信号wenck1が出力されない。かかる構成によれば、エンプティフラグやフルフラグがハイレベルにアサートされるのが間に合わずに、読み出しイネーブルrenや書き込みイネーブル信号wenが不所望にハイレベルにアサートされた場合でも、読み出しクロック信号rckや書き込みクロック信号wckの取り込みを阻止することができるので、FIFO型メモリの保持データの破壊を防止することができる。
【0063】
以上本発明者によってなされた発明を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0064】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体メモリに適用した場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、例えばマイクロコンピュータやその他のデータ処理装置にオンチップされる場合にも適用することができる。
【0065】
本発明は、少なくともフラグ生成化回路を含むことを条件に適用することができる。
【0066】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
【0067】
すなわち、FIFO型メモリの容量をカウントするためのカウンタ(フリップフロップ回路)を不要とすることで回路面積の縮小化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の構成例回路図である。
【図2】図1に示される回路における主要部の動作タイミング図である。
【図3】FIFO型メモリの動作説明図である。
【図4】FIFO型メモリの動作説明図である。
【図5】本発明にかかるFIFO型メモリの全体的な構成例ブロック図である。
【図6】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の別の構成例回路図である。
【図7】図6に示される構成における主要部の動作タイミング図である。
【図8】本発明にかかるFIFO型メモリにおける主要部の別の構成例回路図である。
【符号の説明】
10 デュアルポートRAM
15 フラグ生成回路
151 アドレス一致検出回路
152 立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路
153 立ち上がりエッジ取り込みラッチ回路
154,155 アンドゲート
158,160 アンドゲート
159,161 遅延段
163,164,166,167 トランスミッションゲート
Claims (5)
- データの書き込み及び読み出しを可能とするメモリと、
上記メモリに書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、読み出すデータが上記メモリに無くなったことを示すエンプティフラグとを生成するためのフラグ生成回路と、を含むFIFO型メモリであって、
上記フラグ生成回路は、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、
上記アドレス一致検出回路の出力信号を読み出しクロック信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、
上記アドレス一致検出回路の出力信号を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、
上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理と、を含んで成ることを特徴とするFIFO型メモリ。 - データの書き込み及び読み出しを可能とするメモリと、
上記メモリに書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、読み出すデータが上記メモリに無くなったことを示すエンプティフラグとを生成するためのフラグ生成回路と、を含むFIFO型メモリであって、
上記フラグ生成回路は、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、
読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第1論理回路と、
上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことで上記エンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、
書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号との論理演算を行うための第2論理回路と、
上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことで上記フルフラグを形成する第2ラッチ回路と、
上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理と、を含んで成ることを特徴とするFIFO型メモリ。 - データの書き込み及び読み出しを可能とするメモリと、
上記メモリに書き込む余地が無くなったことを示すフルフラグと、読み出すデータが上記メモリに無くなったことを示すエンプティフラグとを生成するためのフラグ生成回路と、を含むFIFO型メモリであって、
上記フラグ生成回路は、書き込みアドレスと読み出しアドレスとが一致することを検出するためのアドレス一致検出回路と、
読み出しクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記エンプティフラグとの論理演算を行うための第1論理回路と、
上記アドレス一致検出回路での検出結果を上記第1論理回路の出力信号に同期して取り込むことでエンプティフラグを形成する第1ラッチ回路と、
書き込みクロック信号と、読み出しの有効性を示す読み出しイネーブル信号と、上記フルフラグとの論理演算を行うための第2論理回路と、
上記アドレス一致検出回路での検出結果を書き込みクロック信号に同期して取り込むことでフルフラグを形成する第2ラッチ回路と、
上記エンプティフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第2ラッチ回路へ伝達されるのを回避し、上記フルフラグの形成に基づいて上記アドレス一致検出回路の出力信号が上記第1ラッチ回路へ伝達されるのを回避するための制御論理と、を含んで成ることを特徴とするFIFO型メモリ。 - 上記第1論理回路の出力信号を遅延するための第1遅延回路と、上記第2論理回路の出力信号を遅延するための第2遅延回路と、を含む請求項1乃至3の何れか1項記載のFIFO型メモリ。
- 上記エンプティフラグを次の書き込み動作に同期してクリアし、上記フルフラグを次ぎの読み出し動作に同期してクリアするためのトランスファゲート回路を含む請求項4記載のFIFO型メモリ。
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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