JP2005035234A - 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用して、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができるようにする。
【解決手段】 本発明は、基板31の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板31の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように耐キャビテーション層46を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明は、基板31の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板31の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように耐キャビテーション層46を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。本発明は、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように耐キャビテーション層を形成することにより、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができるようにする。
近年、画像処理等の分野において、ハードコピーのカラー化に対するニーズが高まってきている。このニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式及び熱現像銀塩方式等のカラーコピー方式が提案されている。
これらの方式のうちインクジェット方式は、液体吐出ヘッドであるプリンタヘッドに設けられたノズルから記録液(インク)の液滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形成するものであり、簡易な構成により高画質の画像を出力することができる。このインクジェット方式は、ノズルからインク液滴を飛翔させる方法の相違により、静電引力方式、連続振動発生方式(ピエゾ方式)及びサーマル方式に分類される。
これらの方式のうちサーマル方式は、インクの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡によりインクをノズルから押し出して印刷対象に飛翔させる方式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷することができるようになされている。
このようなサーマル方式によるプリンタヘッドは、インクを加熱する発熱素子が発熱素子を駆動するロジック集積回路による駆動回路と共に一体に半導体基板上に形成される。これによりこの種のプリンタヘッドにおいては、発熱素子を高密度に配置して確実に駆動できるようになされている。
すなわちこのサーマル方式のプリンタにおいて、高画質の印刷結果を得るためには、発熱素子を高密度で配置する必要がある。具体的に、例えば600〔DPI〕相当の印刷結果を得るためには、発熱素子を42.333〔μm〕間隔で配置することが必要になるが、このように高密度で配置した発熱素子に個別の駆動素子を配置することは極めて困難である。これによりプリンタヘッドでは、半導体基板上にスイッチングトランジスタ等を作成して集積回路技術により対応する発熱素子と接続し、さらには同様に半導体基板上に作成した駆動回路により各スイッチングトランジスタを駆動することにより、簡易かつ確実に各発熱素子を駆動できるようになされている。
またサーマル方式によるプリンタにおいては、発熱素子への所定電力の印加によりインクに気泡が発生し、ノズルからインクが飛び出すと、この気泡が消滅する。これにより発泡、消泡を繰り返す毎にキャビテーションによる機械的な衝撃を受ける。さらにプリンタは、発熱素子の発熱による温度上昇と温度下降とが、短時間〔数μ秒〕で繰り返され、これにより温度による大きなストレスを受ける。
このためプリンタヘッドは、半導体基板上に発熱素子が形成され、この発熱素子上に窒化シリコン等による絶縁保護層が形成され、この絶縁保護層により絶縁性が確保され、また発熱素子とインクとの直接の接触を防止するようになされている。さらにこの絶縁保護層の上層に、正方晶構造であるβ−タンタルにより耐キャビテーション層が形成され、この耐キャビテーション層によりキャビテーションによる機械的な衝撃が緩和されるようになされている。
ここで耐キャビテーション層に適用されるβ−タンタル膜においては、体心立方晶であるα−タンタル膜に比してインク中の含有物との間で化学反応を起こし難く、これにより酸化され難いことが知られている(IS&T 9th International congress on advance in non-impact printing techonologies,October4-8,1993 Yokohama )。これによりプリンタヘッドにおいては、耐キャビテーション層を保護層として使用して信頼性を確保するようになされている。
図12は、この種のプリンタヘッドにおける発熱素子近傍の構成を示す断面図である。プリンタヘッド1は、半導体素子が作成されてなる半導体基板2上に絶縁層(SiO2 )等が積層された後、タンタル等により発熱素子3が形成される。さらに窒化シリコン(Si3 N4 )による絶縁保護層4が積層された後、アルミニューム等により配線パターン(Al配線)5が形成される。プリンタヘッド1は、この配線パターン5により半導体基板2上に形成されてなる半導体等に発熱素子3が接続され、さらに窒化シリコン(Si3 N4 )による絶縁保護層6が積層され、この上層に、β−タンタルによる耐キャビテーション層7が形成される。プリンタヘッド1は、続いて所定部材を配置することにより、インク液室、インク流路及びノズルが作成される。
プリンタヘッド1は、このようにして作成されたインク流路によりインク液室にインクが導かれた後、半導体素子の駆動により発熱素子3が発熱し、インク液室のインクを局所的に加熱する。プリンタヘッド1は、この加熱により、このインク液室に気泡を発生してインク液室の圧力を増大させ、ノズルよりインクを押し出して印刷対象に飛翔させるようになされている。
このような構成に係るプリンタヘッド1は、絶縁保護層6、耐キャビテーション層7の膜厚を厚くすると、プリンタヘッドとしての信頼性を向上することができるものの、その分、発熱素子の熱を効率良くインクに伝導し得なくなる。このためプリンタヘッド1は、通常、このような絶縁保護層6が厚さ0.2〜0.6〔μm〕により作成され、耐キャビテーション層7が厚さ0.2〜0.3〔μm〕程度により作成されるようになされている。
ところでこのようなプリンタヘッド1においては、β−タンタルによる耐キャビテーション層7が1.0×1010〜2.0×1010〔dynes/cm2 〕の高い圧縮応力を有することにより、耐キャビテーション層7の下層である絶縁保護層6に強い圧縮応力が加わる。
これによりプリンタヘッド1においては、図12において矢印Aにより部分的に拡大して示すように、絶縁保護層6にクラック(亀裂)Bが発生する場合があり、この場合クラックBよりインクが浸入し、このインクにより配線パターン5、発熱素子3が腐食し、ついにはインクを介して配線パターン5がショートし、また発熱素子3が断線してインク液滴を吐出できなくなる問題があった。
プリンタヘッド1においては、このような保護層6の損傷を防止する1つの方法として、耐キャビテーション層7の圧縮応力を低減することが考えられ、例えば特開平6−297713号公報においては、β−タンタルによる耐キャビテーション層を膜厚0.7〜2.0〔μm〕により作成する場合に、耐キャビテーション層の圧縮応力(Compressive stress)を1.0×108 〜1.0×1010〔dynes/cm2 〕に設定してこのようなクラックの発生を防止する方法が提案されるようになされている。しかしながらスパッタリングによる成膜においては、スパッタリングパワー、圧力、キャリアガスの流量等の成膜条件を種々に設定しても、応力はほとんど変化せず、これにより特開平6−297713号公報に提案されている手法の適用にあっては、実用上未だ不十分な欠点がある。
しかしてこのようなクラックBの発生箇所を詳細に観察したところ、クラックBは、矢印Cにより示すように、段差を形成する壁面の根元の部位、矢印Dにより示すように、このような壁面の上端側の部位で発生していることが確認された。このような箇所においては、耐キャビテーション層7による圧縮応力が絶縁保護層6に集中して加わり易く、この圧縮応力の集中によりクラックBが発生するものと考えられる。なおここでプリンタヘッド1は、膜厚0.2〜0.8〔μm〕により配線パターン5が作成され、この配線パターン5と発熱素子3との端部で発熱素子3上に配線パターン5が重なり合うことにより段差が生じ、絶縁保護層6、耐キャビテーション層7は、この段差に沿ってほぼ一様(Conformal )な膜厚により順次作成される。
これによりこのような圧縮応力の集中を低減することができれば、絶縁保護層6の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができると考えられる。
特開平6−297713号公報
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができる液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提案しようとするものである。
かかる課題を解決するため請求項1の発明においては、基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、液室の発熱素子側の面に設けられて発熱素子を保護する保護層が、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚が20〔%〕未満となるように形成されてなるようにする。
また請求項2の発明においては、液体吐出ヘッドより飛び出す液滴を対象物に付着させる液体吐出装置に適用して、液体吐出ヘッドは、基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから液滴を飛び出させ、液室の発熱素子側の面に設けられて発熱素子を保護する保護層が、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚が20〔%〕未満となるように形成されてなるようにする。
また請求項3の発明においては、基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法に適用して、液室の発熱素子側の面に設けられて発熱素子を保護する保護層を、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように形成する。
請求項1の構成により、基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、液室の発熱素子側の面に設けられて発熱素子を保護する保護層が、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚が20〔%〕未満となるように形成されることにより、壁面の部位において圧縮応力が局所的に低減される。これによりこの部位における絶縁保護層への応力集中が防止され、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができる。
これにより請求項2及び請求項3の構成によれば、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができる液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。
本発明によれば、絶縁保護層の損傷を防止して従来に比して信頼性を向上することができる。
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。
(1)実施の形態の構成
図2は、本発明に係るプリンタを示す斜視図である。このラインプリンタ11は、全体が長方形形状の筐体12に収納されて形成され、印刷対象である用紙13を収納した用紙トレイ14をこの筐体12の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙13を給紙できるようになされている。
図2は、本発明に係るプリンタを示す斜視図である。このラインプリンタ11は、全体が長方形形状の筐体12に収納されて形成され、印刷対象である用紙13を収納した用紙トレイ14をこの筐体12の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙13を給紙できるようになされている。
用紙トレイ14は、このようにトレイ出入口よりラインプリンタ11に装着されると、所定の機構により用紙13が給紙ローラ15に押し当てられ、この給紙ローラ15の回転により、矢印Aにより示すように、用紙13が用紙トレイ14よりラインプリンタ11の背面側に向かって送り出される。ラインプリンタ11は、この用紙送りの側に反転ローラ16が配置され、この反転ローラ16の回転等により、矢印Bにより示すように、正面方向に用紙13の送り方向が切り換えられる。
ラインプリンタ11は、このようにして用紙送り方向が矢印Bで示す方向に切り換えられてなる用紙13が用紙トレイ14上を横切るように拍車ローラ17等により搬送され、矢印Cにより示すように、ラインプリンタ11の正面側に配置された排出口より排出される。ラインプリンタ11は、この拍車ローラ17から排出口までの間に、矢印Dにより示すように、ヘッドカートリッジ18が交換可能に配置される。
ヘッドカートリッジ18は、それぞれイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのラインヘッドをそれぞれ配置してなるプリンタヘッド19が所定形状のホルダー20の下面側に配置され、このホルダー20に順次イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)、ブラック(B)のインクカートリッジが交換可能に配置されて形成されるようになされている。これによりラインプリンタ11は、これら各色のインクに対応するラインヘッドより用紙13にインクを付着させて画像を印刷できるようになされている。
ここで図3は、図2の用紙13側より見たプリンタヘッドの配列構成の一部を拡大した平面図である。プリンタヘッド19は、図3に示すように、各色のインクのインク流路22の両側に、交互(千鳥状に)に同一構成によるヘッドチップ21がノズルプレート上に配置して構成される。また、各へッドチップ21においては、それぞれ発熱素子がインク流路22側となるように配置されており、つまりインク流路22側を介して両側のヘッドチップ21は向きが180度回転させた関係となるように配置されている。これによりプリンタヘッド19は、それぞれ各色において1系統のインク流路22で各ヘッドチップ21にインクを供給できるようになされ、その分、簡易な構成により印刷精度を高解像度化することができるようになされている。
また、ヘッドチップ21は、このようにして180度回転して配置した場合でも、微小なインク吐出口であるノズル23の並ぶ方向には接続用パッド24の位置が変化しないように、これらノズル23の並ぶ方向(印刷幅方向)のほぼ中央に接続用パッド24が配置され、これによりプリンタヘッド19では、隣り合うヘッドチップ21の接続用パッド24に接続するフレキシブル配線基板が近接することを防止する、つまりフレキシブル配線基板の一部への集中を防止するようになされている。
なお、このようにしてノズル23をシフトさせた場合、インク流路22の上方及び下方に配置されるヘッドチップ21においては、駆動信号に対して発熱素子の駆動順序が逆転することになる。各ヘッドチップ21は、このような駆動順序に対応するように、駆動回路における駆動順序を切り換えることができるように構成されている。
図1は、このラインプリンタに適用されるプリンタヘッドを示す断面図である。プリンタヘッド19は、シリコン基板によるウエハ上に複数ヘッド分の駆動回路、発熱素子等が作成された後、各ヘッドチップ21にスクライビング処理され、各ヘッドチップ21にインク液室等を作成して形成される。
すなわち図4(A)に示すように、プリンタヘッド19は、ウエハによるシリコン基板31が洗浄された後、シリコン窒化膜(Si3 N4 )が堆積される。続いてプリンタヘッド19は、リソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチング工程によりシリコン基板31が処理され、これによりトランジスタを形成する所定領域以外の領域よりシリコン窒化膜が取り除かれる。これらによりプリンタヘッド19には、シリコン基板31上のトランジスタを形成する領域にシリコン窒化膜が形成される。
続いてプリンタヘッド19は、熱酸化工程によりシリコン窒化膜が除去されている領域に熱シリコン酸化膜が膜厚500〔nm〕により形成され、この熱シリコン酸化膜によりトランジスタを分離するための素子分離領域(LOCOS: Local Oxidation Of Silicon )32が形成される。なおこの素子分離領域32は、その後の処理により最終的に膜厚260〔nm〕に形成される。さらに続いてプリンタヘッド19は、シリコン基板31が洗浄された後、トランジスタ形成領域にタングステンシリサイド/ポリシリコン/熱酸化膜構造のゲートが作成される。さらにソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板31が処理され、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor )型によるトランジスタ33、34等が作成される。なおここでスイッチングトランジスタ33は、18〜25〔V〕程度の耐圧を有するMOS型ドライバートランジスタであり、発熱素子の駆動に供するものである。これに対してスイッチングトランジスタ34は、このドライバートランジスタを制御する集積回路を構成するトランジスタであり、5〔V〕の電圧により動作するものである。なおこの実施の形態においては、ゲート/ドレイン間に低濃度の拡散層が形成され、その部分で加速される電子の電解を緩和することで耐圧を確保してドライバートランジスタ33が形成されるようになされている。
このようにしてシリコン基板31上に、半導体素子であるトランジスタ33、34が作成されると、プリンタヘッド19は、続いてCVD(Chemical Vapor Deposition )法によりリンが添加されたシリコン酸化膜であるPSG(Phosphorus Silicate Glass )膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるBPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)膜35が順次膜厚100〔nm〕、500〔nm〕により作成され、これにより全体として膜厚が600〔nm〕による1層目の層間絶縁膜が作成される。
続いてフォトリソグラフィー工程の後、C4 F8 /CO/O2 /Ar系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層(ソース・ドレイン)上にコンタクトホール36が作成される。
さらにプリンタヘッド19は、希フッ酸により洗浄された後、スパッタリング法により、膜厚30〔nm〕によるチタン、膜厚70〔nm〕による窒化酸化チタンバリアメタル、膜厚30〔nm〕によるチタン、シリコンが1〔at%〕添加されたアルミニューム、または銅が0.5〔at%〕添加されたアルミニュームが膜厚500〔nm〕により順次堆積される。続いてプリンタヘッド19は、反射防止膜である窒化酸化チタン(TiON)が膜厚25〔nm〕により堆積され、これらにより配線パターン材料が成膜される。さらに続いてプリンタヘッド19は、フォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、成膜された配線パターン材料が選択的に除去され、1層目の配線パターン37が作成される。プリンタヘッド19は、このようにして作成された1層目の配線パターン37により、駆動回路を構成するMOS型トランジスタ34を接続してロジック集積回路が形成される。
続いてプリンタヘッド19は、TEOS(テトラエトキシシラン:Si(OC2 H5 )4 )を原料ガスとしたCVD法により層間絶縁膜であるシリコン酸化膜が堆積される。続いてプリンタヘッド19は、SOG(Spin On Glass )を含む塗布型シリコン酸化膜の塗布とエッチバックとにより、シリコン酸化膜が平坦化され、これらの工程が2回繰り返されて1層目の配線パターン37と続く2層目の配線パターンとを絶縁する膜厚440〔nm〕のシリコン酸化膜による2層目の層間絶縁膜38が形成される。
プリンタヘッド19は、続いて図4(B)に示すように、スパッタリング法により膜厚83〔nm〕によるタンタル膜が堆積され、これによりシリコン基板31上に抵抗体膜が形成される。さらに続いてフォトリゾグラフィー工程、BCl3 /Cl2 ガスを用いたドライエッチング工程により、一端を配線パターンにより接続する折り返し形状により成膜した抵抗体膜をパターニングし、100〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子39が作成される。なお発熱素子39においては、このような折り返し形状に代えて、正方形形状により作成してもよく、この場合、膜厚50〔nm〕によるタンタル膜を堆積し、また正方形形状により成膜した抵抗体膜をパターニングし、これにより抵抗値が40〔Ω〕となるようになされている。
このようにして発熱素子39が形成されると、プリンタヘッド19は、図5(C)に示すように、CVD法により膜厚300〔nm〕によるシリコン窒化膜が堆積され、発熱素子39の絶縁保護層41が形成される。続いて図5(D)に示すように、フォトリゾグラフィー工程、CHF3 /CF4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、所定箇所のシリコン窒化膜が除去され、これにより発熱素子39を配線パターンに接続する部位が露出される。さらにCHF3 /CF4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、層間絶縁膜38に開口を形成してビアホール42が作成される。
さらに図6(E)に示すように、プリンタヘッド19は、スパッタリング法により、膜厚200〔nm〕によるチタン、シリコンを1〔at%〕添加したアルミニューム、または銅を0.5〔at%〕添加したアルミニュームが膜厚600〔nm〕により順次堆積される。続いてプリンタヘッド19は、膜厚25〔nm〕による窒化酸化チタンが堆積され、これにより反射防止膜が形成される。これらによりプリンタヘッド19は、シリコン又は銅を添加したアルミニューム等による配線パターン材料層43が成膜される。
続いて図6(F)に示すように、フォトリソグラフィー工程、BCl3 /Cl2 ガスを用いたドライエッチング工程により成膜した配線パターン材料層43が選択的に除去され、2層目の配線パターン44が作成される。プリンタヘッド19は、この2層目の配線パターン44により、電源用の配線パターン、アース用の配線パターンが作成され、またドライバートランジスタ34を発熱素子39に接続する配線パターンが作成される。なお発熱素子39の上層に取り残されたシリコン窒化膜41にあっては、この配線パターン作成の際のエッチング工程において、発熱素子39の保護層として機能する。
続いて図7(G)に示すように、プリンタヘッド19は、CVD法によりインク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜45が膜厚400〔nm〕により堆積される。さらに熱処理炉において、4〔%〕の水素を添加した窒素ガスの雰囲気中で、又は100〔%〕の窒素ガス雰囲気中で、400度、60分間の熱処理が実施される。これによりプリンタヘッド19は、トランジスタ33、34の動作が安定化され、さらに1層目の配線パターン37と2層目の配線パターン45との接続が安定化されてコンタクト抵抗が低減される。
プリンタヘッド19は、続いて図8(H)に示すように、耐キャビテーション材料層が堆積された後、この耐キャビテーション材料層のパターニングにより耐キャビテーション層46が形成される。この実施例においては、図9に示すように、タンタルをターゲットに用いたイオン化スパッタリング法により、β−タンタルによる耐キャビテーション材料層が作成される。なお図9は、イオン化スパッタリング装置内のイオン化スパッタ成膜チェンバーの構成を示す概略断面図であり、イオン化スパッタ成膜チェンバーは、上部側に設けられてなるDCマグネトロン方式のカソードにタンタルを用いたターゲット47が配置され、またカソードと平行となる下部側に試料台が設けられ、この試料台上にシリコン基板31が搭載されるようになされている。またこの試料台とカソードとの間に誘導結合型コイル48が配置され、これらのカソード、試料台及び誘導結合型コイル48がイオン化スパッタリング装置内の電源及び高周波電源(RF電源)に接続されて構成される。
このイオン化スパッタリングによる成膜においては、高周波電源による駆動によりRFコイル48を放電させて高密度のアルゴンプラズマを形成し、ターゲット47から飛び出した成膜種をこのアルゴンプラズマの荷電粒子、活性種との衝突によりイオン化し、基板に印加したバイアス電源による電界によりこのイオン化した成膜種の基板への堆積を加速させるものである。これによりこのイオン化スパッタリングによる成膜においては、基板に対してほぼ垂直方向より成膜種が堆積し、いわゆる垂直指向性を有するようになる。
すなわちこの成膜によれば、成膜種の到来方向に垂直な、シリコン基板31の表面と平行な面においては、多くの成膜種が堆積するのに対し、このような成膜種の到来方向と平行な、シリコン基板31の表面から立ち上がっている壁面においては、成膜種の堆積が少なくなる。
これにより図10に示すように、この成膜によれば、配線パターン44により生じる段差の部分において、この段差を形成する壁面においては、密度の低い疎な膜構造による薄い膜厚で耐キャビテーション層が形成されるのに対し、段差の底面、上端側平坦面においては、密度の高い密な膜構造による厚い膜厚により耐キャビテーション層が形成される。
しかして耐キャビテーション層の表面を詳細に検討したところ、図11において符号aにより示すように、耐キャビテーション層46においては、発熱素子39を構成する抵抗体膜49、50の中央部分、直上の一定範囲において、すなわちこのような段差の底面のほぼ中央部分でのみ、インクとの熱反応が確認され、これにより少なくとも図10について説明した段差の底面の部分を十分な膜厚により作成すれば、発熱素子39に対する保護層としての機能は、十分に確保できることが判った。なお図11は、インクとの熱反応により浸食された耐キャビテーション層46の表面をインク液室側より見た平面図であり、この耐キャビテーション層46の下層においては、所定の間隔を隔てて長方形形状の抵抗体膜49、50を併設し、これらの抵抗体膜49、50の一端が配線パターン44aにより接続されると共に、これら抵抗体膜49、50の他端にそれぞれ配線パターン44b、44cが接続され、これによりこれら抵抗体膜49、50の直列接続により発熱素子39が形成された場合である。
これに対してこのように段差の壁面側の耐キャビテーション層46を、密度の低い疎な膜構造による薄い膜厚により形成し、段差の底面側の耐キャビテーション層46を、密度の高い密な膜構造による厚い膜厚により形成すれば、耐キャビテーション層46の膜応力を、壁面の部分で局所的に低減することができ、これによりこのような壁面の根元部分及び上端側の部位における応力集中を防止し得、これら根元部分等におけるクラックの発生を防止することができるようになされている。
この実施例では、上述したイオン化スパッタリング装置によりβ−タンタルによる耐キャビテーション材料層を成膜し、またこのとき発熱素子39直上の段差の底面部分を膜厚0.1〜0.3〔μm〕により成膜した。なおこの場合、直流パワーは、2〜4〔kW〕、基板温度は、200〜400度、アルゴンガス流量は、5〜25〔sccm〕、高周波電力は、1〜3〔kW〕、基板バイアス電力は0〜0.5〔kW〕であり、成膜された耐キャビテーション材料層においては、段差の底面部分の膜厚Tに対して段差の壁面部分の膜厚T1が10〔%〕程度であった(図10)。また成膜条件を可変して段差の壁面部分の膜厚T1を種々に設定して作成したところ、段差の底面部分の膜厚Tに対してこの段差の壁面部分の膜厚T1が20〔%〕以下の範囲では膜応力が局所的に低減され、クラックの発生を防止できることが確認された。
このようにして耐キャビテーション材料層が作成されると、続いてプリンタヘッド19は、フォトレジスト工程、BCl3 /Cl2 ガスを用いたドライエッチング工程により、耐キャビテーション材料層が所定形状によりパターニングされ、これにより耐キャビテーション層46が形成される。
プリンタヘッド19は、続いて図1に示すように、有機系樹脂によるドライフィルム51が圧着により配置された後、インク液室52、インク流路に対応する部位が取り除かれ、その後硬化され、これによりインク液室52の隔壁、インク流路の隔壁等が作成される。
また続いて各ヘッドチップ21にスクライビングされた後、ノズルプレート53が積層される。ここでノズルプレート53は、発熱素子39の上にノズル23を形成するように所定形状に加工された板状部材であり、ドライフィルム51上に接着により保持される。これによりプリンタヘッド19は、ノズル23、インク液室52、このインク液室52にインクを導くインク流路22等が形成されて作成される。
プリンタヘッド19は、このようなインク液室52が紙面の奥行き方向に連続するように形成され、これによりラインヘッドを構成するようになされている。
(2)実施の形態の動作
以上の構成において、プリンタヘッド19は、半導体基板であるシリコン基板31に素子分離領域32が作成されて半導体素子であるトランジスタ33、34が作成され、絶縁層35により絶縁されて1層目の配線パターン37が作成される。また続いて発熱素子39が作成された後、2層目の配線パターン44が作成される。また続いて絶縁保護層45が作成された後、熱処理により配線パターン37及び44間、配線パターン44と発熱素子39等との間の接続が安定化され、耐キャビテーション層46、インク液室52、ノズル23が順次形成されて作成される(図1、図4〜図8)。
(2)実施の形態の動作
以上の構成において、プリンタヘッド19は、半導体基板であるシリコン基板31に素子分離領域32が作成されて半導体素子であるトランジスタ33、34が作成され、絶縁層35により絶縁されて1層目の配線パターン37が作成される。また続いて発熱素子39が作成された後、2層目の配線パターン44が作成される。また続いて絶縁保護層45が作成された後、熱処理により配線パターン37及び44間、配線パターン44と発熱素子39等との間の接続が安定化され、耐キャビテーション層46、インク液室52、ノズル23が順次形成されて作成される(図1、図4〜図8)。
このラインプリンタ11は、このようにして作成されたプリンタヘッド19のインク液室52にヘッドカートリッジ18に保持されてなるインクがインク流路22により導かれ(図3)、発熱素子39の駆動によりインク液室52に保持したインクが加熱されて気泡が発生し、この気泡によりインク液室52内の圧力が急激に増大する。ラインプリンタ11では、この圧力の増大によりインク液室52のインクがノズル23からインク液滴として飛び出し、ローラ15、16、17等により用紙トレイ14から搬送された印刷対象である用紙13にこのインク液滴が付着する。
ラインプリンタ11では、このような発熱素子39の駆動が間欠的に繰り返され、これにより所望の画像等が用紙13に印刷されて排出口より排出される(図2)。しかしてプリンタヘッド19においては、この発熱素子39の間欠的な駆動により、インク液室52内において、気泡の発生、気泡の消滅が繰り返され、これにより機械的な衝撃であるキャビテーションが発生する。プリンタヘッド19では、インク液室52の発熱素子39側に設けられた保護層である耐キャビテーション層46によりこのキャビテーションによる機械的な衝撃が緩和され、発熱素子39がこの衝撃から保護される。また耐キャビテーション層46、絶縁保護層45により発熱素子39へのインクの直接の接触が防止され、これによっても発熱素子39が保護される。
プリンタヘッド19では、このように発熱素子39を保護する耐キャビテーション層46が高い圧縮応力を有するβ−タンタルにより作成され、この耐キャビテーション層46により下層の絶縁保護層45に強い圧縮応力が加わる。これにより従来のプリンタヘッドにあっては、段差を形成する壁面の根元部分及びこのような壁面の上端側の部分に圧縮応力が集中することになり、ついには耐キャビテーション層の下層に形成された絶縁保護層にクラックが発生して損傷する。
しかしながらこの実施例のように、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように形成された場合にあっては、いわゆる垂直指向性を有する成膜であり、シリコン基板31の表面と平行な、段差の底面及び上端側平坦面の部分が、密度の高い密な膜構造による厚い膜厚により形成され、シリコン基板31の表面から立ち上がっている、段差の壁面部分が、密度の低い疎な膜構造による薄い膜厚により形成される(図10)。これによりプリンタヘッド19では、段差の壁面部分において膜応力が局所的に低減されることにより絶縁保護層45への応力集中が防止され、これにより絶縁保護層45の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができるようになされている。
またこのようにして形成される耐キャビテーション層46においては、発熱素子39の保護層として機能する十分な膜厚により段差の底面部分が形成されることにより、保護層として使用して信頼性を確保することができる。
なおこのようにして形成される耐キャビテーション層46においては、既存の製造プロセスを利用するものであり、これにより製造プロセスにおいて、十分な信頼性を確保することができる。
(3)実施の形態の効果
以上の構成によれば、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように耐キャビテーション層を形成することにより、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができる。
(3)実施の形態の効果
以上の構成によれば、基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように耐キャビテーション層を形成することにより、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができる。
この実施例においては、イオン化スパッタリング法による耐キャビテーション材料層の成膜に代えて、プラズマCVD法により耐キャビテーション材料層を成膜する。なおこの実施例においては、耐キャビテーション材料層の成膜方法が異なる点を除いて、実施例1に係るプリンタヘッド19と同一に構成されることにより、重複した説明は省略する。
すなわちプラズマCVDによる成膜においては、原料ガスと還元ガスとによる混合ガスを励起してプラズマを形成し、このプラズマ中の活性種により原料ガスを還元して成膜種を生成する。またこのときプラズマ中の荷電粒子、活性種により成膜種をイオン化し、基板に印加したバイアス電源による電界によりこのイオン化した成膜種の基板への堆積を加速させるものである。これによりプラズマCVDによる成膜においては、イオン化スパッタリングによる成膜と同様に、基板に対してほぼ垂直方向より成膜種が堆積し、いわゆる垂直指向性を有するようになる。
なおこの実施例において、原料ガスには、塩化タンタル(TaCl5 )ガス又は臭化タンタル(TaBr5 )ガスを適用し、還元ガスには、水素(H2 )ガスを適用した。
この実施例のように、プラズマCVD法により耐キャビテーション材料層を成膜するようにしても、実施例1と同様の効果を得ることができる。
なお上述の実施例においては、β―タンタルによる耐キャビテーション層を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、タンタルとアルミニュームとの合金により耐キャビテーション層を形成する場合に広く適用することができる。なお種々に検討した結果、β−タンタルの結晶粒界の間に、アルミニュームが存在する構造のタンタルとアルミニュームとの合金により耐キャビテーション層を形成すれば、下層の絶縁保護層への圧縮応力が2.0×109 〜6.0×109 〔dynes/cm2 〕になることが判った。これによりこのようにすれば、β−タンタルによる耐キャビテーション層を形成する場合に比して圧縮応力を1桁低減し得、その分、クラックの発生を一段と防止することができる。
また上述の実施例においては、イオン化スパッタリング法により、又はプラズマCVD法により、耐キャビテーション材料層を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、イオンプレーティング法を用いる等、基板に対して成膜種がほぼ垂直方向より堆積する成膜方法であれば、種々の成膜手法を広く適用することができる。
また上述の実施例においては、本発明をプリンタヘッドに適用してインク液滴を飛び出させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、インク液滴に代えて液滴が各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等である液体吐出ヘッド、さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種のパターン描画装置等に広く適用することができる。
本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。
1、19……プリンタヘッド、2、31……基板、3、39……発熱素子、4、6、41、45絶縁保護層、5、37、44……配線パターン、7、46……耐キャビテーション層、11……プリンタ、33、34……トランジスタ
Claims (3)
- 基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、
前記液室の前記発熱素子側の面に設けられて前記発熱素子を保護する保護層が、
前記基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、前記基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚が20〔%〕未満となるように形成された
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。 - 液体吐出ヘッドより飛び出す液滴を対象物に付着させる液体吐出装置において、
前記液体吐出ヘッドは、
基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから前記液滴を飛び出させ、
前記液室の前記発熱素子側の面に設けられて前記発熱素子を保護する保護層が、
前記基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、前記基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚が20〔%〕未満となるように形成された
ことを特徴とする液体吐出装置。 - 基板上に形成した発熱素子の駆動により液室に保持した液体を加熱して所定のノズルから前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記液室の前記発熱素子側の面に設けられて前記発熱素子を保護する保護層を、
前記基板の表面と平行な部位における膜厚に対して、前記基板の表面から立ち上がっている壁面での膜厚を20〔%〕未満となるように形成する
ことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003276534A JP2005035234A (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005035234A true JP2005035234A (ja) | 2005-02-10 |
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ID=34212830
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JP2003276534A Pending JP2005035234A (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005035234A (ja) |
-
2003
- 2003-07-18 JP JP2003276534A patent/JP2005035234A/ja active Pending
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