JP2005033025A - 配線基板及びその製造方法、半導体装置、電子モジュール並びに電子機器 - Google Patents

配線基板及びその製造方法、半導体装置、電子モジュール並びに電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】 本発明の目的は、配線基板の反りを抑制することにある。
【解決手段】 ベース基板10には、樹脂層40の内部ストレスによって、反る方向に力が加えられる。第1の領域16には、配線ライン部22が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する配線ライン部22の屈曲抵抗によって、反る方向が規制されて、第1の力が加えられる。第2の領域18には、ダミーライン部32が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗するダミーライン部32の屈曲抵抗によって、反る方向が規制されて、第2の力が加えられる。配線ライン部22及びダミーライン部32は、相互に交差する方向に延びる。第1及び第2の力は、ベース基板10の第1及び第2の領域16,18を相互に交差する方向に反らせるように作用し、第1の力によってベース基板10が反ることを、第2の力によって抑制する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置、電子モジュール並びに電子機器に関する。
TCP(Tape Carrier Package)に使用される配線基板は、配線パターンが形成されたベース基板と、配線パターンを覆うように形成された保護膜(例えばレジスト層)を有する。保護膜を樹脂で形成すると、その硬化収縮によって、ベース基板に反りが生じる。反り量が大きくなると、その後の製造工程に支障を来すという問題があった。
本発明の目的は、配線基板の反りを抑制することにある。
特開平6−283576号公報
(1)本発明に係る配線基板は、第1及び第2の領域を有するベース基板と、
前記第1の領域に形成された複数の配線ライン部と、複数の電気的接続用の端子と、を含む配線パターンと、
前記第2の領域に形成された複数のダミーライン部を含み、電気的接続用の端子を有しないように形成されたダミーパターンと、
前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を覆うとともに前記ベース基板に密着し、収縮方向の内部ストレスが生じている樹脂層と、
を有し、
前記ベース基板には、前記樹脂層の前記内部ストレスによって、反る方向に力が加えられ、
前記第1の領域には、前記配線ライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記配線ライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向が規制されて、第1の力が加えられ、
前記第2の領域には、前記ダミーライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記ダミーライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向が規制されて、第2の力が加えられ、
前記配線ライン部及び前記ダミーライン部は、相互に交差する方向に延び、
前記第1及び第2の力は、前記ベース基板の前記第1及び第2の領域を相互に交差する方向に反らせるように作用し、前記第1の力によって前記ベース基板が反ることを、前記第2の力によって抑制する。本発明によれば、第1の領域が反る方向と第2の領域が反る方向が交差するので、それぞれの反りをうち消し合って、全体的な反りを抑制することができる。
(2)この配線基板において、
前記複数の配線ライン部は、相互に平行に形成され、
前記複数のダミーライン部は、相互に平行に形成されていてもよい。
(3)この配線基板において、
前記第1及び第2の領域は、隣同士に位置していてもよい。
(4)本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線パターンの1グループの端子に電気的に接続された半導体チップと、
を有する。
(5)本発明に係る電子モジュールは、上記配線基板と、
前記配線パターンの第1のグループの端子に電気的に接続された半導体チップと、
前記配線パターンの第2のグループの端子に電気的に接続された電子パネルと、
を有する。
(6)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(7)本発明に係る電子機器は、上記電子モジュールを有する。
(8)本発明に係る配線基板の製造方法は、第1及び第2の領域を有するベース基板に、複数の配線ライン部及び複数の電気的接続用の端子を含む配線パターンと、複数のダミーライン部を含み電気的接続用の端子を有しないダミーパターンと、を形成すること、
前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を覆うように、樹脂前駆体を前記ベース基板に設けること、及び、
前記樹脂前駆体を、化学反応によって硬化させて、樹脂層を形成すること、
を含み、
前記配線ライン部を、前記第1の領域に形成し、
前記ダミーライン部を、前記第2の領域に形成し、
前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を、相互に交差する方向に延びるように形成し、
前記樹脂前駆体を硬化させるときに、前記化学反応によって、前記樹脂層に収縮方向の内部ストレスを発生させ、
前記内部ストレスによって、前記ベース基板に、反る方向に力を加え、
前記第1の領域に、前記配線ライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記配線ライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向を規制して、第1の力を加え、
前記第2の領域に、前記ダミーライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記ダミーライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向を規制して、第2の力を加え、
前記第1及び第2の力を、前記ベース基板の前記第1及び第2の領域を相互に交差する方向に反らせるように作用させ、前記第1の力によって前記ベース基板が反ることを、前記第2の力によって抑制する。本発明によれば、第1の領域が反る方向と第2の領域が反る方向が交差するので、それぞれの反りをうち消し合って、全体的な反りを抑制することができる。
(9)この配線基板の製造方法において、
前記複数の配線ライン部を、相互に平行に形成し、
前記複数のダミーライン部を、相互に平行に形成してもよい。
(10)この配線基板の製造方法において、
前記第1及び第2の領域は、隣同士に位置していてもよい。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る配線基板を説明する図である。図2は、図1に示す配線基板のII-II線断面の一部を示す図である。
配線基板は、ベース基板10を有する。ベース基板10は、ポリイミド樹脂などの樹脂で形成されていてもよい。TAB(Tape Automated Bonding)実装を適用する場合、ベース基板10にはデバイスホール(開口又は貫通穴)12が形成されていてもよい。COF(Chip On Film)実装を適用する場合、ベース基板10はデバイスホールを有しない。ベース基板10は、TABテープのようにテープ状をなしていてもよい。その場合、ベース基板10には、その幅方向の両端部にスプロケットホール14が形成されていてもよい。ベース基板10は、第1及び第2の領域16,18を有する。第1及び第2の領域16,18は、隣同士に位置する。
ベース基板10には、配線パターン20が形成されている。配線パターン20は、電気的な接続に使用される(すなわち電流が流れる又は電圧が印加される)もので、複数の電子部品を電気的に接続するものであってもよい。配線パターン20は、導電材料(例えばCu,Au等の金属)で形成されている。配線パターン20は、ベース基板10及び樹脂層40よりも熱膨張率が小さい。配線パターン20は、複数の配線ライン部22を含む。複数の配線ライン部22は、第1の領域16に形成されている。複数の配線ライン部22は、相互に平行に形成されていてもよい。それぞれの配線ライン部22は、直線を描くように形成されていてもよい。
配線パターン20は、複数の電気的接続用端子(例えば、第1、第2及び第3のグループの端子24,26,28)を含む。電気的接続用端子は、外部に(例えば他の電子部品に)電気的に接続するための端子である。第1のグループの端子24は、デバイスホール12の少なくとも1辺(図1では全ての辺)から内側に突出してもよい。第1のグループの端子24は、電子部品が配置される領域内に、少なくとも先端部が配置されるように形成されている。ベース基板10は、第1のグループの端子24によって囲まれる領域を有する。第2のグループの端子26は、配線パターン20のうちベース基板10上に形成された部分(例えばベース基板10の幅方向に並ぶ部分)であってもよい。第3のグループの端子28は、配線パターン20のうちベース基板10上に形成された部分(例えばベース基板10の幅方向に並ぶ部分)であってもよい。
配線パターン20は、第1のグループの端子24から第2のグループの端子26に至る部分と、第1のグループの端子24から第3のグループの端子28に至る部分と、を含んでもよい。第2及び第3のグループの端子26,28の間に、第1のグループの端子24が配置されていてもよい。本実施の形態では、第1のグループの端子24から第2のグループの端子26に至る部分が、配線ライン部22を含む。あるいは、第1のグループの端子24から第3のグループの端子28に至る部分が、配線ライン部22を含んでもよい。
ベース基板10には、ダミーパターン30が形成されている。ダミーパターン30は、電気的接続用の端子を有しないように形成されている。ダミーパターン30は、電流が流れないものであって、複数の電子部品を電気的に接続しないものである。ただし、ダミーパターン30は、1つの電子部品のみに電気的に接続されてもよく、電流が流れなければ、電圧が印加されてもよい。ダミーパターン30は、電流が流れなければ、配線パターン20に電気的に接続されてもよい。ダミーパターン30は、配線パターン20と同じ材料で形成してもよいし、異なる材料(例えば樹脂等の絶縁体)で形成してもよい。ダミーパターン30は、ベース基板10及び樹脂層40よりも熱膨張率が小さい。配線パターン20及びダミーパターン30の熱膨張率は同じであってもよい。あるいは、配線パターン20の熱膨張率が、ダミーパターン30のそれより大きくてもよいし小さくてもよい。
ダミーパターン30は、複数のダミーライン部32を含む。複数のダミーライン部32は、第2の領域18に形成されている。複数のダミーライン部32は、相互に平行に形成されていてもよい。それぞれのダミーライン部32は、直線を描くように形成されていてもよい。配線ライン部22とダミーライン部32は、相互に交差する(例えば直交する)方向に延びている。本実施の形態では、配線ライン部22とダミーライン部32は、分離されているが、連結されていてもよい。
ベース基板10には、樹脂層(例えばソルダーレジスト層)40が形成されている。樹脂層40は、配線ライン部22及びダミーライン部32を覆っている。樹脂層40は、配線ライン部22及びダミーライン部32を連続的に覆ってもよいし、別々に(分離した状態で)覆ってもよい。樹脂層40は、配線パターン20の電気的接続用の端子を除いて全体を覆っていてもよい。樹脂層40は、ダミーパターン30の全体を覆っていてもよい。樹脂層40は、ベース基板10に密着している。樹脂層40には、収縮方向(図2の矢印A参照)の内部ストレスが生じている。そのため、ベース基板10には、樹脂層40の内部ストレスによって、反る方向(図2の矢印B参照)に力が加えられている。
なお、内部ストレスは、後述するように、樹脂層40を形成するときに発生させてもよい。あるいは、冷却によって樹脂層40及びベース基板10が収縮するときに、その収縮率の差によって、樹脂層40に収縮方向の内部ストレスが発生してもよい。例えば、樹脂層40の収縮率がベース基板10のそれよりも大きいときに、樹脂層40に収縮方向の内部ストレスが発生する。
図3(A)及び図3(B)は、ベース基板に加えられる力を説明する図である。第1の領域16には、配線ライン部22が延びる方向に沿った軸Xを曲げることに対抗するように、配線ライン部22からベース基板10に屈曲抵抗が与えられている。これによって、樹脂層40から加えられる力による第1の領域16が反る方向が規制される。そして、図3(A)に示すように反る力(第1の力F)が第1の領域16に加えられる。第1の力Fは、軸X周りの方向の力である。
また、第2の領域18には、ダミーライン部32が延びる方向に沿った軸Xを曲げることに対抗するように、ダミーライン部32からベース基板10に屈曲抵抗が与えられている。これによって、樹脂層40から加えられる力による第2の領域18が反る方向が規制される。そして、図3(B)に示すように反る力(第2の力F)が第2の領域18に加えられる。第2の力Fは、軸X周りの方向の力である。
第1及び第2の力F,Fは、ベース基板10の第1及び第2の領域16,18を相互に交差する方向に反らせるように作用する。したがって、第1の力Fによってベース基板10が反ることが、第2の力Fによって抑制される。すなわち、第1及び第2の力F,Fは、それぞれによって発生させようとするベース基板10の反りをうち消し合う。こうして、ベース基板10の全体的な反りを抑制することができる。
本実施の形態に係る配線基板は、上述したように構成されており、以下その製造方法を説明する。本実施の形態では、第1及び第2の領域16,18を有するベース基板10に、配線パターン20とダミーパターン30を形成する。配線ライン部22及びダミーライン部32を覆うように、樹脂前駆体(図示せず)を、塗布又は印刷等によって、ベース基板10上に設ける。樹脂前駆体は、樹脂層40を構成する物質の前段階にある物質で、液状又はペースト状の物質である。樹脂前駆体は、ベース基板10上に密着させる。樹脂前駆体は、熱硬化性樹脂前駆体、紫外線硬化性樹脂前駆体等であってもよい。樹脂前駆体を、化学反応(例えば重合)によって硬化させて、樹脂層40を形成する。ここで、樹脂前駆体は、化学反応によって、硬化しながら収縮する。これを利用して、樹脂前駆体を硬化させるときに、化学反応によって、樹脂層40に収縮方向の内部ストレスを発生させる。
本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法は、上述した構成を得るときに、技術常識を参酌すれば導き出すことができる内容を含む。
図4は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置は、上述した配線基板(図1参照)と、半導体チップ(集積回路を有する)50と、を有する。半導体チップ50は、配線パターン20の第1グループの端子24(図1参照)に電気的に接続されている。半導体チップ50の実装には、TAB(Tape Automated Bonding)技術を適用してもよいが、ベース基板10にデバイスホール12を形成しない場合にはCOF(Chip On Film)の技術を適用してもよい。ベース基板10は、領域(樹脂層40の内側の領域)52で打ち抜いてもよい。打ち抜かれたベース基板10と、これに実装された半導体チップ50と、でTCP(Tape Carrier Package)を構成してもよい。
図5は、本発明の実施の形態に係る電子モジュールを説明する図である。電子モジュール(例えば表示モジュール)は、ベース基板10(詳しくは、その打ち抜かれてなる部分)と、半導体チップ50と、電子パネル60と、を有する。半導体チップ50は、配線パターン20の第1グループの端子24(図1参照)に電気的に接続されている。電子パネル(例えば表示パネル(液晶パネル又は有機エレクトロルミネセンスパネル等))60は、配線パターン20の第2グループの端子26(図1参照)に電気的に接続されている。
本発明の実施の形態に係る半導体装置又は電子モジュールを有する電子機器として、図6にはノート型パーソナルコンピュータ100、図7には携帯電話200が示されている。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
図1は、本発明の実施の形態に係る配線基板を説明する図である。 図2は、図1に示す配線基板のII-II線断面の一部を示す図である。 図3(A)及び図3(B)は、本発明の実施の形態に係る配線基板の作用を説明する図である。 図4は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。 図5は、本発明の実施の形態に係る電子モジュールを説明する図である。 図6は、本実施の形態に係る半導体装置又は電子モジュールを有する電子機器を示す図である。 図7は、本実施の形態に係る半導体装置又は電子モジュールを有する電子機器を示す図である。
符号の説明
10…ベース基板 10…ベース基板 12…デバイスホール 14…スプロケットホール 16…第1の領域 18…第2の領域 20…配線パターン 22…配線ライン部 24…第1グループの端子 26…第2のグループの端子 28…第3グループの端子 30…ダミーパターン 32…ダミーライン部 40…樹脂層 50…半導体チップ 60…電子パネル

Claims (10)

  1. 第1及び第2の領域を有するベース基板と、
    前記第1の領域に形成された複数の配線ライン部と、複数の電気的接続用の端子と、を含む配線パターンと、
    前記第2の領域に形成された複数のダミーライン部を含み、電気的接続用の端子を有しないように形成されたダミーパターンと、
    前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を覆うとともに前記ベース基板に密着し、収縮方向の内部ストレスが生じている樹脂層と、
    を有し、
    前記ベース基板には、前記樹脂層の前記内部ストレスによって、反る方向に力が加えられ、
    前記第1の領域には、前記配線ライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記配線ライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向が規制されて、第1の力が加えられ、
    前記第2の領域には、前記ダミーライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記ダミーライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向が規制されて、第2の力が加えられ、
    前記配線ライン部及び前記ダミーライン部は、相互に交差する方向に延び、
    前記第1及び第2の力は、前記ベース基板の前記第1及び第2の領域を相互に交差する方向に反らせるように作用し、前記第1の力によって前記ベース基板が反ることを、前記第2の力によって抑制する配線基板。
  2. 請求項1記載の配線基板において、
    前記複数の配線ライン部は、相互に平行に形成され、
    前記複数のダミーライン部は、相互に平行に形成されてなる配線基板。
  3. 請求項1又は請求項2記載の配線基板において、
    前記第1及び第2の領域は、隣同士に位置してなる配線基板。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の配線基板と、
    前記配線パターンの1グループの端子に電気的に接続された半導体チップと、
    を有する半導体装置。
  5. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の配線基板と、
    前記配線パターンの第1のグループの端子に電気的に接続された半導体チップと、
    前記配線パターンの第2のグループの端子に電気的に接続された電子パネルと、
    を有する電子モジュール。
  6. 請求項4記載の半導体装置を有する電子機器。
  7. 請求項5記載の電子モジュールを有する電子機器。
  8. 第1及び第2の領域を有するベース基板に、複数の配線ライン部及び複数の電気的接続用の端子を含む配線パターンと、複数のダミーライン部を含み電気的接続用の端子を有しないダミーパターンと、を形成すること、
    前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を覆うように、樹脂前駆体を前記ベース基板に設けること、及び、
    前記樹脂前駆体を、化学反応によって硬化させて、樹脂層を形成すること、
    を含み、
    前記配線ライン部を、前記第1の領域に形成し、
    前記ダミーライン部を、前記第2の領域に形成し、
    前記配線ライン部及び前記ダミーライン部を、相互に交差する方向に延びるように形成し、
    前記樹脂前駆体を硬化させるときに、前記化学反応によって、前記樹脂層に収縮方向の内部ストレスを発生させ、
    前記内部ストレスによって、前記ベース基板に、反る方向に力を加え、
    前記第1の領域に、前記配線ライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記配線ライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向を規制して、第1の力を加え、
    前記第2の領域に、前記ダミーライン部が延びる方向に沿った軸を曲げることに対抗する前記ダミーライン部の屈曲抵抗によって、前記反る方向を規制して、第2の力を加え、
    前記第1及び第2の力を、前記ベース基板の前記第1及び第2の領域を相互に交差する方向に反らせるように作用させ、前記第1の力によって前記ベース基板が反ることを、前記第2の力によって抑制する配線基板の製造方法。
  9. 請求項8記載の配線基板の製造方法において、
    前記複数の配線ライン部を、相互に平行に形成し、
    前記複数のダミーライン部を、相互に平行に形成する配線基板の製造方法。
  10. 請求項8又は請求項9記載の配線基板の製造方法において、
    前記第1及び第2の領域は、隣同士に位置してなる配線基板の製造方法。
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