JP2005026624A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005026624A
JP2005026624A JP2003270693A JP2003270693A JP2005026624A JP 2005026624 A JP2005026624 A JP 2005026624A JP 2003270693 A JP2003270693 A JP 2003270693A JP 2003270693 A JP2003270693 A JP 2003270693A JP 2005026624 A JP2005026624 A JP 2005026624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
resin
manufacturing
terminal
micro joint
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003270693A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Sasaki
薫 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AKITA SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
Original Assignee
AKITA SHINDENGEN KK
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AKITA SHINDENGEN KK, Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd, Akita Shindengen Co Ltd filed Critical AKITA SHINDENGEN KK
Priority to JP2003270693A priority Critical patent/JP2005026624A/ja
Publication of JP2005026624A publication Critical patent/JP2005026624A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】本願は、製造にかかる部品点数を減らし、かつ簡単に樹脂封止型半導体装置を製造し、かつ特殊な冶具を用いないでも製造できるような半導体装置の製造方法を供給するものである。
【課題を解決するための手段】チップの電極とリード端子とを接続する端子にマイクロジョイント部を持つ端子を使用することで、ソース、ゲート、ベースなどを連結した状態ではんだ付けできるようにした。マイクロジョイント部はあらかじめ切断・切除しやすい部分であり、はんだづけした後に、切断あるいは切除するようにした。これにより、部品点数を少なくし、はんだ付けのガイドを簡便化し、部品の搭載精度を容易に確保できるようにした。
【選択図】 図1


Description

本発明は、半導体接続用マイクロジョイント部を持つ接続端子を用いて、樹脂封止型半導体装置を簡単に製造するものである。
従来、MOSトラジスタやサイリスタ等の表面に端子を2つ以上持つ半導体製品を製造する場合は、ソースやゲートをワイヤーボンドを用いて接続する。接続が容易だからである。しかし、大電流に使用するものなどでは、ワイヤよりも金属の端子を用い接続したほうが多く電流も流せるし信頼性が高い。ところが、端子を用いて製造する場合は、特にトランジスタのように3端子以上半導体チップの場合、はんだ付けするソースやゲートは小さく、金属端子を用いて製造するのは位置あわせや、接続が困難であった。
このため、組み立てる際に各部品個々にガイドが必要であった。しかし、ガイドを使用した場合は位置決め精度の誤差を大きくとる必要があった。部品、位置決め精度を考えると、大きめの設計となっている。
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を、搭載半導体チップをトランジスタで説明すると、図2のように、まず銅の放熱フレームの上にセラミックを搭載した基材を準備する。セラミック上側には、銅板が張ってある。セラミック銅板の上には半導体チップを搭載し、はんだで接続する。次に半導体表面の電極端子と端子を接続する。これらの接続は、半導体表面の電極が小さい、接続端子も小さいことからガイドのついた特殊な冶具を使って、ソースとゲートをはんだで接続して固着する。このようにして、端子と半導体チップの電極を電気的に接続し、後に樹脂封止して製品を完成させる。
ただし、このような工程で製造するには、端子それぞれの高さがばらばらになったりしやすいため特殊な冶具が必要であった。また、端子が三本ありひとつずつ搭載はんだづけをおこなうのは、やっかいであるし部品点数も多い。このように半導体装置を組み立てる場合すべて金属のリード端子を用いて製造するのはやっかいであった。
特許2837777号
図1〜図3の端子は、冶具を使って搭載し、組み立てをおこなっていた。
本願は、特殊な冶具を用いないでも金属端子を用いた樹脂封止型半導体装置を簡単に製造できるような半導体装置の製造方法を供給するものである。
基材の上に、表面に二つ以上の電極を持つ半導体チップを搭載接続し、前記半導体チップの二つ以上の電極部とリード端子部を電気的に接続後に樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ電極部のうち少なくとも2つとリード端子部をマイクロジョイント部を持つ端子を使用して電気的に接続し、電気的接続後に前記リード端子のマイクロジョイント部を切断又は切除して、前記リード端子を電気的に分断した。請求項3は前記マイクロジョイント部には位置合わせのための穴が設けた。請求項4は前記マイクロジョイント部は、引っ張り強度が弱い部分が設けられており、前記弱い部分を引っ張るか、折り曲げるかあるいはその両方をおこなうことにより切断又は切除したことを特徴とする。
このように本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は部品点数を減らし、切断又は切除のため上下のスペースも少なく特殊な冶具を使用しないでも製造することを可能とし、端子それぞれの高さをそろえやすいといった効果があり、容易に部品を搭載できることから、放熱、ノイズ遮蔽、樹脂の応力緩和や固定のための銅材も一緒に搭載しても組み立ての容易さは変わらないため、産業上利用可能性大なるものである。
以下、本発明の実施の形態について図1を参照して説明する。図において1は銅の放熱板であり放熱の為のヒートシンクである。2は銅配線が溶接されたセラミックである。セラミックは絶縁の為の板である。3は銅配線でありセラミックに形成された銅配線である。4はシリコンチップであり本発明ではトランジスタチップを用いた。5は端子であり、ソース、ゲートなどの電極とリード端子とを電気的に接続する。6はマイクロジョイント部であり、非常に切断しやすいようになっていてはんだ付け後に除去される。7は樹脂でシリコンチップの保護のための樹脂である。ソースとカソードは連結された状態ではんだ付けされ、マイクロジョイント部切断後、モールドされる。
図3は本願発明で使用するマイクロジョイント部を持つ端子の一実施例図である。パッケージからの放熱の助け及びにモールド樹脂の応力緩和のため、端子をカソードとソースを大きくしモールド内により多くの銅板を残せるよう配置している。マイクロジョイント部を持つ端子をモールド内に残すようにすることで単に電極だけでなく放熱のための部品や樹脂との密着性を向上させるための部品、応力緩和の部品、インダクタンスを整合させるためなどの部品として使用している。マイクロジョイント部を持つ端子ははんだ付け工程前まで一体化された状態で取り扱われ、少ない部品点数で組み立て可能になっている。
簡単なガイドで部品間の水平方向、部品間隔の精度が向上することになる。端子を別々に搭載する場合は部品間距離を一定以上必要な場合にそれぞれをガイドししかもガイドの精度を考えると最低必要な距離に対して余裕を多くみる必要がある。今回は、はじめから連結させておくことで部品精度がそのまま部品間距離になり搭載精度が上がり、小型化が可能になる。
また、マイクロジョイントの切断又は切除は折り曲げ、引っ張り、押しつけにより容易に分離できる構造とするため除去部、残す部分に穴や切り掛け突起などをつけた構造としている。
本発明はMOSトランジスタ、トランジスタ、サイリスタ等幅広い製品に広く利用でき産業上利用可能性大なるものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置一実施例図切り取り前 従来の樹脂封止型半導体装置例図 本願で使用する端子例 マイクロジョイント部分実施例 本発明の樹脂封止型半導体装置一実施例図切り取り後
符号の説明
1…銅板
2…セラミック板
3…銅配線
4…トランジスタチップ
5…端子
6…マイクロジョイント
7…樹脂

Claims (5)

  1. 基材の上に、表面に二つ以上の電極を持つ半導体チップを搭載接続し、前記半導体チップの二つ以上の電極部とリード端子部を電気的に接続後に樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ電極部のうち少なくとも2つとリード端子をマイクロジョイント部により連結された端子を使用して電気的に接続し、電気的接続後に前記リード端子のマイクロジョイント部を切断又は切除して、前記リード端子を電気的に分断後に樹脂封止した事を特徴とした樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  2. 前記表面に二つ以上の電極を持つ半導体チップはトランジスタチップ又はサイリスタチップであることを特徴とした請求項1の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  3. 前記マイクロジョイント部には穴が設けられている事を特徴とした請求項1又は請求項2の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  4. 前記マイクロジョイント部は、引っ張り強度が弱い部分が設けられており、前記弱い部分を引っ張るか、折り曲げるかあるいはその両方をおこなうことにより切断又は切除したことを特徴とした請求項1〜請求項3の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  5. 前記切断されて、樹脂内部に残る端子を必要以上に大きくした事を特徴とする請求項1〜請求項4の樹脂封止型半導体装置の製造方法。

JP2003270693A 2003-07-03 2003-07-03 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JP2005026624A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003270693A JP2005026624A (ja) 2003-07-03 2003-07-03 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003270693A JP2005026624A (ja) 2003-07-03 2003-07-03 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005026624A true JP2005026624A (ja) 2005-01-27

Family

ID=34190587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003270693A Pending JP2005026624A (ja) 2003-07-03 2003-07-03 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005026624A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10312111B2 (en) Method of fabricating low-profile footed power package
US7838340B2 (en) Pre-molded clip structure
JP5870200B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN103370788B (zh) 半导体装置及其制造方法
US20160056097A1 (en) Semiconductor device with inspectable solder joints
US20090057855A1 (en) Semiconductor die package including stand off structures
US6710439B2 (en) Three-dimensional power semiconductor module and method of manufacturing the same
JP2003234442A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TWI452662B (zh) 雙邊冷卻整合電源裝置封裝與模組及製造方法
EP3882969B1 (en) A cascode semiconductor device and method of manufacture
JP2016184757A (ja) 半導体装置
US10083935B2 (en) Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device
US11901309B2 (en) Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment
JP2013143519A (ja) 接続子および樹脂封止型半導体装置
JP2005026624A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4822660B2 (ja) 半導体接続用マイクロジョイント端子
JP5119092B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04503283A (ja) 半導体チップを含むインダクタンスの小さいカプセル封じパッケージ
US20230411254A1 (en) Molded power semiconductor package with gate connector feature
US20230027138A1 (en) Power module
US20040256721A1 (en) Package for semiconductor devices
CN117747579A (zh) 半导体装置
JP2011192817A (ja) 面実装半導体装置及び面実装半導体装置の製造方法
KR20150091702A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2017157638A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20060207

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060829

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20090204

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090609