JP2005026602A - 排気処理装置および成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 排気処理装置40は、アンモニアを排気する第1の排気管42と、ジメチルヒドラジンを排気する第2の排気管43とを備えている。第1の排気管42の途中にアンモニアを除害する第1の除害処理部42Aが設けられ、第2の排気管43の途中にジメチルヒドラジンを除害する第2の除害処理部43Aが設けられている。アンモニアとジメチルヒドラジンとを切り替えて反応管11に供給し、窒化物系III−V族化合物半導体を成長させる。アンモニアとジメチルヒドラジンとの切替えに応じて、切替部44により第1の排気管42と第2の排気管43とを切り替える。
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- 2種以上のガスを排気する排気処理装置であって、
前記2種以上のガスを別々に排気する複数の排気管と、
これらの排気管の各々に設けられ、前記2種以上のガスを別々に除害する複数の除害処理部と
を備えたことを特徴とする排気処理装置。 - 反応管と、2種以上のガスを排気する排気処理装置とを備えた成長装置であって、
前記排気処理装置が、
前記2種以上のガスを別々に排気する複数の排気管と、
これらの排気管の各々に設けられ、前記2種以上のガスを別々に除害する複数の除害処理部と
を備えたことを特徴とする成長装置。 - 前記複数の排気管は、並列に設けられている
ことを特徴とする請求項2記載の成長装置。 - 前記反応管は、III族元素のうち少なくとも1種を含む有機金属と、窒素(N)の原料として前記2種以上のガスとが供給され、III族元素のうち少なくとも1種とV族元素のうち少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III−V族化合物半導体を有機金属化学気相成長法により成長させる
ことを特徴とする請求項2記載の成長装置。 - 前記反応管には、前記2種以上のガスが切り替えて供給され、
前記複数の排気管は、前記反応管に供給されるガス種の切替えに応じて切替可能である
ことを特徴とする請求項4記載の成長装置。 - 前記反応管には、前記2種以上のガスとしてアンモニア(NH3 )と、窒素原子と窒素原子との単結合,窒素原子と窒素原子との二重結合および窒素原子と炭素原子との単結合のうち少なくとも1種の結合を有する有機窒素含有化合物を含むガスとが切替えて供給され、
前記複数の排気管は、アンモニアを排気する第1の排気管と、前記有機窒素含有化合物を含むガスを排気する第2の排気管とを含む
ことを特徴とする請求項5記載の成長装置。 - 前記複数の除害処理部は、前記第1の排気管に設けられると共にアンモニアを除害する第1の除害処理部と、前記第2の排気管に設けられると共に前記有機窒素含有化合物を除害する第2の除害処理部とを含む
ことを特徴とする請求項6記載の成長装置。 - 前記排気処理装置は、前記複数の排気管の前段に、前記有機金属を除害する有機金属除害処理部を備えた
ことを特徴とする請求項4記載の成長装置。
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