JP2005019979A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝10aにCu配線100が形成されてなる。Cu配線は、シード層11から拡散されたAg、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金1で構成されており、粒径が大きく粒界が少ない。
【選択図】図3
Description
係るCu配線400は、半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10上に溝10aを形成し(図6(a)参照)、続いて前記溝10aの表面にバリアメタル層2を成膜する(図6(b)参照)。次に、前記バリアメタル層2上にCu層12を積層した後(図6(c)参照)、CMP(Chemical Mechanical Polishment)処理により前記Cu層12を所定の厚さに加工してから熱処理を行うことで原子配列が矯正されたCu層41を有してなるCu配線400を得る(図6(d)参照)。この場合熱処理を行ってからCMP処理を行うこともできる。
本発明の目的は、信頼性及び生産性が高い半導体装置を提供することである。
また、本発明の目的は、生産性が高い半導体装置の製造方法を提供することである。
(第1の実施形態)
図1は、本実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
図2は、Ag−Cuの2成分系共融化合物の状態図である。
図3は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置の一製造工程を示す図である。
CuにAgを添加してCu合金を形成する場合、Cuに添加するAgの量を増加させていくと曲線Xに沿って液相が出現し始める温度が下がる。これにより形成されるCu合金の粒径が大きくなる。Ag−Cu系合金のようにCuの固相(図2における固相W:斜線部)が小さく且つ共晶温度が低い合金の場合、添加するAgの量が少量であっても液相が出現し始める温度を効果的に下げることができる。ここで、Ag−Cu系合金のような2元合金では、液相が出現し始める温度の低下は融点の低下と対応しているため、Agを添加することにより融点を下げることが可能であるということができる。一方、Cuに対する最大固溶限Z以上のAgを添加した場合、Agが一部合金化されずに析出してしまうことから導電性が低下することが考えられる。したがって、Cuに対する最大固溶限Z未満のAgをCuに添加してCu合金を形成することにより、CuにAgが微小に固溶するため融点を下げることができる。さらに、融点を下げることによりCu合金の粒径を大きくすることができるため、エレクトロマイグレーションの発生を低減させることができる。なお、本実施の形態においてはAg−Cu系合金を例にとり説明したが、Auの代わりに、As、Bi、P、Sb、Si、TiがCuとの間で合金を形成する場合であってもAg−Cu系合金の場合と同様の機構によりエレクトロマイグレーションの発生を低減させることができ、高信頼性を有する半導体装置として得ることができる。
まず、半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10上に溝10aを形成し(図3(a)参照)、続いて前記溝10aの表面にバリアメタル層2を成膜する(図3(b)参照)。次に、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つがCuに含有されてなるシード層11を前記バリアメタル層2上に形成する。ここで、シード層11とは、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つが含有されてなるCu層をいう。また、この場合、シード層11中のAg、As、Bi、P、Sb、Si、Ti等は、最終的に得られるCu配線100中に0.1重量%以上、最大固溶限未満の範囲で含まれるような量がCuに含まれているようにする(図3(c)参照)。続いて、前記シード層11上にCu層12を積層した後(図3(d)参照)、CMP(Chemical Mechanical Polishment)処理により前記Cu層12を所定の厚さに加工してから熱処理を行うことによりCu合金1を有してなるCu配線100を得る(図3(e)参照)。この場合熱処理を行ってからCMP処理を行うこともできる。係る熱処理により、シード層11中に含まれるAg、As、Bi、P、Sb、Si、Ti等がCu層12中に拡散することにより、粒界の数が少なく、且つ前記Cu配線100の長手方向(矢印A)と垂直方向に形成された粒界を有してなるCu合金1が形成される。
(第2の実施形態)
図4は、本実施の第2の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
Mo、Ta、WはCuと合金化することなくCuの粒界又は粒内に存在するうえ、Cuより密度が大きいため前記Cu合金内においてCuと比較して移動が遅い。このことから、前記Mo、Ta、W等の粒子24がCu合金の粒界に析出することによりCuの拡散を抑制することができる(図4(b)参照)。さらに、被抵抗がCuの10倍以下であるためCuの配線抵抗を極端に上昇させることなくCuの質量輸送を抑制することができる。これにより、エレクトロマイグレーションの発生を低減することで配線の破断・亀裂の発生を少なくすることができるため、高信頼性及び高生産性を有する半導体装置として得ることができる。
1・21 Cu合金
2 バリアメタル層
3 粒界
10 層間絶縁膜
10a 溝
11・211 シード層
12 Cu層
24 Mo・Ta・W等の粒子
41 Cu層
43 粒界
100・200・400 Cu配線
100a・200a・400a 上面
W 固相(Cu)
X 曲線
Y 共晶点
Z 最大固溶限
Claims (6)
- 半導体基板上に形成された層間絶縁膜に設けられ、表面にバリアメタル層が形成されてなる溝に配線が形成されてなり、
前記配線は、不純物を含まないときのCu層の第1の粒径よりも大きい第2の粒径を有するCu合金で構成することを特徴とする半導体装置。 - 前記Cu合金は、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に形成された層間絶縁膜に設けられ、表面にバリアメタル層が形成されてなる溝に配線が形成されてなり、
前記配線は、Cu合金内に析出し、かつ、Cuの拡散を抑制する不純物をCu合金の結晶粒界に有するCu合金で構成することを特徴とする半導体装置。 - 前記Cu合金は、Mo、Ta、Wのうち少なくとも1つ以上を0.1重量%以上、1重量%未満の範囲で含有するCu合金であることを特徴とする請求項3の半導体装置。
- 半導体基板上に形成された層間絶縁膜に配線を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝の表面にバリアメタル層を成膜する工程と、
Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つがCuに含有されてなるシード層を前記バリアメタル層上に形成する工程と、
前記シード層上にCu層を形成する工程と、
前記Cu層を所定の厚さに加工する工程と、
前記Cu層に対して熱処理を行い、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つの元素をCu層に拡散させ、Cu層の粒径を大きくしてCu層の結晶粒界を減少させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に形成された層間絶縁膜に配線を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝の表面にバリアメタル層を成膜する工程と、
Mo、Ta、Wのうち少なくとも1つ以上がCuに含有されてなるシード層を前記バリアメタル層上に形成する工程と、
前記シード層上にCu層を形成する工程と、
前記Cu層を所定の厚さに加工する工程と、
前記Cu層に対して熱処理を行い、Mo、Ta、Wのうち少なくとも1つをCu層に拡散させ、Mo、Ta、Wのうち少なくとも1つをCu層の結晶粒界に析出させてCuの拡散を抑制する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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