JP2005015559A - 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005015559A JP2005015559A JP2003179701A JP2003179701A JP2005015559A JP 2005015559 A JP2005015559 A JP 2005015559A JP 2003179701 A JP2003179701 A JP 2003179701A JP 2003179701 A JP2003179701 A JP 2003179701A JP 2005015559 A JP2005015559 A JP 2005015559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- benzoquinone
- epoxy resin
- reaction product
- addition reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Oc1ccccc1 Chemical compound Oc1ccccc1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OQPLVHHHIPNULI-FPLPWBNLSA-N COc1ccccc1/C=C\[I]=C Chemical compound COc1ccccc1/C=C\[I]=C OQPLVHHHIPNULI-FPLPWBNLSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc2c1cccc2 Chemical compound c(cc1)cc2c1cccc2 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOEGWNPZRRIYRM-UHFFFAOYSA-N c1ccc(C=[I]C=C2)c2c1 Chemical compound c1ccc(C=[I]C=C2)c2c1 SOEGWNPZRRIYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】流動性や硬化性等の成形性が良好で、一括モールド型の片面封止型パッケージに用いた場合でも反り変形量の低減が図れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
【解決手段】（Ａ）下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基からなる群から選択された官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であるケイ素含有重合物、（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】
（ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２の置換または非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。Ｘはエポキシ基を含む１価の有機基を示す。）
【選択図】 なし
【解決手段】（Ａ）下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基からなる群から選択された官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であるケイ素含有重合物、（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】
（ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２の置換または非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、すべてが同一でも異なっていてもよい。Ｘはエポキシ基を含む１価の有機基を示す。）
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品装置の封止用材料として好適な流動性と硬化性に優れ、特に片面封止型パッケージに適用した際に反りの発生量が少ない封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性などの諸特性にバランスがとれているためである。
近年、電子部品装置のプリント配線板への高密度実装化に伴い、電子部品装置の形態は従来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケージが主流になっている。表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。
また、さらなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といったものから、より多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）を含めたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等のエリア実装パッケージへ移行しつつある。これらのパッケージは近年、高速化、多機能化を実現するために、フェースダウン型、積層（スタックド）型、フリップチップ型、ウェハーレベル型等、新しい構造のものが開発されているが、それらの多くが素子搭載面側の片面のみをエポキシ樹脂成形材料等の封止材料で封止した後、裏面にはんだボールを形成して回路基板との接合を行う片面封止型パッケージの形態を有している。また、片面封止型パッケージに用いられる基板としては、ガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基材ビスマレイミド・トリアジン樹脂基板等の硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィルム基板等のフレキシブル回路基板が主に使用される。さらに、片面封止型パッケージを作製する際の樹脂封止工程も従来の１チップ１キャビティの封止方法に変わって、複数のチップを１キャビティで封止する一括モールド型の封止方法が開発され、生産効率の向上、低コスト化が図られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
片面封止型パッケージは、電子部品装置の形状が片面封止であるため、基板と成形材料との物性値の差異等が原因で、成形温度から室温まで冷却した時、又はリフロー工程での熱履歴によって、電子部品装置中心部を起点として反り変形が生じやすいという問題がある。この反り変形に伴って、素子搭載用基板に同一面となるように配置した複数のはんだボールに高低差が生じ、このような状態でパッケージＤ／Ｃ動作検査工程等の試験を行った場合、コネクタ接続に支障をきたして十分な検査を行えない等の不具合が発生することがある。また、電子部品装置を実装基板に表面実装した時、はんだボールの一部が対応する配線層に完全に接続されず、接続部の信頼性を低下させることがある。
【０００４】
そこで、この反り変形量を低減する手法として、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂に多官能型樹脂を使用して架橋密度を高めることで封止用エポキシ樹脂成形材料硬化物の高Ｔｇ化を図る方法が開示されているが（例えば、特許文献１参照。）、この方法だけでは樹脂の溶融粘度が高いために成形材料に十分な流動性を確保することが困難となる。また、仮に充填剤量を下げて流動性を確保した場合には、硬化物の吸水率の増加に伴う耐リフロークラック性の低下を引き起こしてしまう問題がある。一方、結晶性エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂を使用して封止用エポキシ樹脂成形材料の粘度を低減し、充填剤を高充填することで硬化物の低膨張率化と高Ｔｇ化の両立を図ると共に耐リフロークラック性を向上させる方法が開示されているが（例えば、特許文献２及び３参照。）、この手法においても流動性の改善は満足のいくレベルではなく、そのような封止用エポキシ樹脂成形材料を一括モールド型の電子部品装置に使用した場合に、未充填を引き起こす問題がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−３５８０３号公報（第４頁第６段落目〜第９段落目、表１）
【特許文献２】
特開平１１−１００４９０号公報（第４頁第７段落目〜第７頁第１７段落目、表１）
【特許文献３】
特開平１１−１６３２２４号公報（第５頁第７段落目〜第８頁第１６段落目、表１〜３）
【０００６】
本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、流動性や硬化性等の成形性が良好で、一括モールド型の片面封止型パッケージに用いた場合でも反り変形量の低減が図れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定な結合を有するケイ素含有重合物と特定構造の硬化促進剤を配合した封止用エポキシ樹脂成形材料により上記の目的を達成し得ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下に関する。
＜１＞ （Ａ）下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基から選ばれた官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であるケイ素含有重合物、（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化８】
（ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２の置換または非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、ケイ素含有重合物中の全Ｒ１はすべてが同一でも異なっていてもよい。Ｘはエポキシ基を含む１価の有機基を示す。）
＜２＞ （Ａ）ケイ素含有重合物がさらに結合（ｃ）を有する前記＜１＞記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化９】
（ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２の置換または非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、ケイ素含有重合物中の全Ｒ１はすべてが同一でも異なっていてもよい。）
＜３＞ （Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点が４０℃以上１２０℃以下である前記＜１＞又は＜２＞記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜４＞ （Ａ）ケイ素含有重合物中のＲ１が置換または非置換のフェニル基及びメチル基の少なくともいずれか一方である前記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜５＞ （Ａ）ケイ素含有重合物中の全Ｒ１における炭素数１〜１２の置換または非置換のフェニル基の割合が６０モル％〜１００モル％である前記＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜６＞ （Ｂ）成分が次式（Ｉ）で示される第三ホスフィン化合物と次式（ＩＩ）で示されるキノン化合物の付加反応物である前記＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１０】
（ここで、式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ３は、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基もしくは置換又は非置換の炭素数６〜１２のアリール基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。また、式（ＩＩ）中のＲ４〜Ｒ６は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、全て同一でも異なっていてもよく、Ｒ４とＲ５が結合して環状構造となっていてもよい。）
＜７＞ （Ｂ）成分がトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する前記＜６＞に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜８＞ （Ｂ）成分がトリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する前記＜６＞に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜９＞ （Ｃ）エポキシ樹脂が下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の少なくともいずれか一方で示されるエポキシ樹脂を１種又は２種以上含有する前記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１１】
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。）
【化１２】
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。）
＜１０＞ （Ｄ）硬化剤が下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で示されるフェノール樹脂及びナフトール樹脂の少なくともいずれか一方を少なくとも１種又は２種以上含有する前記＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１３】
（ここで、Ｘは芳香環を含む基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化１４】
（ここで、Ｘは芳香環を含む基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
＜１１＞ （Ｄ）硬化剤の一部または全部がアセナフチレンと予備混合されている前記＜１０＞記載の封止用エポキシ樹脂成型材料。
＜１２＞ さらに、（Ｅ）無機充填材を封止用エポキシ樹脂成形材料に対して８５重量％〜９５重量％含有する前記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜１３＞ 前記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止された素子を備えた電子部品装置。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる（Ａ）ケイ素含有重合物は、下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基から選ばれた官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であれば特に制限はないが、このような重合物として例えば分岐状ポリシロキサンなどが挙げられる。
【化１５】
（ここで、Ｒ１は炭素数１〜１２の置換または非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、ケイ素含有重合物中の全Ｒ１はすべてが同一でも異なっていてもよい。Ｘはエポキシ基を含む１価の有機基を示す。）
上記一般式（ａ）及び（ｂ）中のＲ１としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられ、なかでもメチル基又はフェニル基が好ましい。
また、上記一般式（ｂ）中のＸとしては２，３−エポキシプロピル基、３，４−エポキシブチル基、４，５−エポキシペンチル基、２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等が挙げられ、中でも３−グリシドキシプロピル基が好ましい。
また、（Ａ）ケイ素含有重合物の末端は重合物の保存安定性の点から前述のＲ１、水酸基及びアルコキシ基のいずれかである必要がある。この場合のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロプキシ基、ブトキシ基が挙げられる。さらに、（Ａ）ケイ素含有重合物のエポキシ当量は、５００〜４０００の範囲であることが必要であり、好ましくは１０００〜２５００である。５００より小さいと封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性が低下する傾向にあり、４０００より大きいと硬化物表面に染み出しやすく、成形不良を起こし易い傾向にある。
【００１０】
（Ａ）ケイ素含有重合物はさらに下記の結合（ｃ）を有することが得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性と低反り性の両立の観点から好ましい。
【化１６】
（ここで、Ｒ１はケイ素含有重合物中の全Ｒ１に対して炭素数１〜１２の置換又は非置換の１価の炭化水素基から選ばれ、ケイ素含有重合物中の全Ｒ１はすべてが同一でも異なっていてもよい。）
上記一般式（ｃ）中のＲ１としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられ、なかでもメチル基またはフェニル基が好ましい。
このような（Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点は４０℃〜１２０℃に設定されることが好ましく、５０℃〜１００℃に設定されることがより好ましい。４０℃より低いと得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化物の機械強度が低下する傾向にあり、１２０℃より高いと封止用エポキシ樹脂成形材料中への（Ａ）ケイ素含有重合物の分散性が低下する傾向にある。（Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点を調整する方法としては、（Ａ）ケイ素含有重合物の分子量、構成結合単位（例えば（ａ）〜（ｃ）含有比率等）、ケイ素原子に結合する有機基の種類を設定することで可能であるが、特に封止用エポキシ樹脂成形材料への（Ａ）ケイ素含有重合物の分散性及び得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性の観点から（Ａ）ケイ素含有重合物中のアリール基の含有量を設定して軟化点を調整することが好ましい。この場合のアリール基とは、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられ、フェニル基がより好ましい。（Ａ）ケイ素含有重合物中のケイ素原子に結合した一価の有機基中のフェニル基の含有量を６０モル％〜９９モル％、好ましくは７０モル％〜８５モル％に設定することで所望の軟化点を有する（Ａ）ケイ素含有重合物を得ることができる。
（Ａ）ケイ素含有重合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値で、１０００〜３００００、好ましくは２０００〜２００００、さらに好ましくは３０００〜１００００である。また。（Ａ）ケイ素含有重合物は、ランダム共重合体であることが好ましい。
このような（Ａ）ケイ素含有重合物は以下に示す製造方法により得ることができるが、市販品としては東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＡＹ４２−１１９として入手可能である。
【００１１】
（Ａ）ケイ素含有重合物の製造方法は、特に制限なく公知の方法で製造することができる。例えば、加水分解縮合反応により上記（ａ）〜（ｃ）単位を形成し得るオルガノクロロシラン、オルガノアルコキシシラン、シロキサン、あるいはそれらの部分加水分解縮合物を原料及び反応生成物を溶解可能な有機溶剤と原料のすべての加水分解性基を加水分解可能な量の水との混合溶液中に混合し、加水分解縮合反応させて得ることができる。この際、封止用エポキシ樹脂成形材料中に不純物として含有される塩素量を低減させるためにオルガノアルコキシシラン及び／またはシロキサンを原料とすることが好ましい。この場合、反応を促進する触媒として、酸、塩基、有機金属化合物を添加することが好ましい。
（Ａ）ケイ素含有重合物の原料となるオルガノアルコキシシラン及び／またはシロキサンとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、フェニルビニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（フェニル）ジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（フェニル）ジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（メチル）ジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（メチル）ジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（フェニル）ジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（フェニル）ジエトキシシラン、およびこれらの加水分解縮合物等が挙げられる。
（Ａ）ケイ素含有重合物の含有量は封止用エポキシ樹脂成形材料全体の０．２重量％〜１．５重量％が好ましく、０．３重量％〜１．３重量％がさらに好ましい。０．２重量％より少ないと（Ａ）ケイ素含有重合物の添加効果が見られず、１．５重量％より多いと得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の熱時硬度が低下する傾向にある。
【００１２】
本発明において用いられる（Ｂ）硬化促進剤は第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物としては、封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化促進剤として作用するものであれば特に制限されるものではないが、中でも流動性の観点から下記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物と下記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物との付加反応物が好ましい。
【化１７】
（ここで、式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ３は、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基もしくは置換又は非置換の炭素数６〜１２のアリール基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。また、式（ＩＩ）中のＲ４〜Ｒ６は水素原子または炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、全て同一でも異なっていてもよく、Ｒ４とＲ５が結合して環状構造となっていてもよい。）
上記一般式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ３は、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基もしくは置換又は非置換の炭素数６〜１２のアリール基を示すが、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基としては特に制限はなく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基などが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。
【００１３】
上記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物を例示するとトリフェニルホスフィン、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィン、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィン、トリブチルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、ジブチル−ｐ−トリルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジオクチルフェニルホスフィン、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィン、オクチルジフェニルホスフィン、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィン等が挙げられ、中でも流動性と硬化性の観点からはトリフェニルホスフィンまたはトリブチルホスフィンが好ましい。
【００１４】
上記一般式（ＩＩ）中のＲ４〜Ｒ６は、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を示すが、炭素数１〜１２の炭化水素基としては特に制限はなく、例えば、置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂環式炭化水素基、置換又は非置換の炭素数１〜１２の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基、アリル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシル基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシルチオ基等のアルキルチオ基、アミノ基置換アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、アリール基置換アルキル基等の置換アルキル基、アミノ基置換アルコキシ基、水酸基置換アルコキシ基、アリール基置換アルコキシ基等の置換アルコキシ基などが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等及びこれらにアルキル基、アルコキシ基、アリール基、水酸基、アミノ基、ハロゲン等が置換したものなどが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基等のアリール基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシ基置換アリール基、フェノキシ基、クレゾキシ基等のアリーロキシ基、フェニルチオ基、トリルチオ基、ジフェニルアミノ基など、及びこれらにアミノ基、ハロゲン等が置換したもの等が挙げられる。
【００１５】
また、上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物は、Ｒ４とＲ５が結合し環状構造となっていてもよい。本発明において用いられる、Ｒ４とＲ５が結合して環状構造をとる多環式のキノン化合物としては、特に制限はないが、例えば、置換したテトラメチレン基、テトラメチン基等が結合した下記一般式（ＶＩＩ）〜（ＩＸ）で示される多環式キノン化合物等が挙げられる。
【化１８】
【００１６】
上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物を例示すると１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４ベンゾキノン、２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、メトキシ−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、メチル−１，４−ベンゾキノン、２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノン、ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等が挙げられ、中でも流動性や硬化性の観点からは１，４−ベンゾキノンが好ましい。
【００１７】
上記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物と上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物の付加反応物の構造としては、例えば、下記一般式（Ｘ）で示される化合物が挙げられる。
【化１９】
（ここで、Ｒ１〜Ｒ３は、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基もしくは置換又は非置換の炭素数６〜１２のアリール基を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ｒ４〜Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、全て同一でも、異なっていてもよく、Ｒ４とＲ５が結合して環状構造となっていてもよい。）
上記一般式（Ｘ）で示される第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物を例示するとトリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物等が挙げられる。
【００１８】
上記のなかでも、ホスフィン化合物とキノン化合物との反応性の観点からは、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物及びトリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物が好ましい。また、流動性と硬化性の観点からは、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物及びトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物がさらに好ましい。
【００１９】
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物の製造方法としては特に制限はないが、例えば、原料として用いられるホスフィン化合物とキノン化合物とを両者が溶解する有機溶媒中で付加反応させて単離する方法が挙げられる。具体的には、トリフェニルホスフィン４１．６ｇ（１モル）をアセトン１２０ｇに溶解したものと、１，４−ベンゾキノン１７．６ｇ（１モル）をアセトン８０ｇに溶解したものとを、室温〜８０℃で混合し、２〜５時間放置後析出した黄褐色結晶をろ過して採取する方法で製造することができる。この際の溶剤としてはアセトンの代わりにアセトンとトルエンの混合溶剤等を用いてもよい。また、（Ｄ）硬化剤として用いるフェノール樹脂中で付加反応させる方法等でも製造可能であり、この場合、付加反応物を単離せずにそのままフェノール樹脂中に溶解した状態で、エポキシ樹脂組成物の配合成分として用いることができる。
【００２０】
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物の配合量は、特に制限はないが、その性能を発揮するために全硬化促進剤に対して３０重量％以上が好ましく、５０重量％以上がより好ましく、６０重量％以上がさらに好ましい。
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物のみを硬化促進剤として用いる場合、その配合量は、（Ｃ）エポキシ樹脂及び（Ｄ）硬化剤の総量に対して０．２〜１０重量％が好ましい。０．２重量％未満では硬化性が不十分となる傾向があり、１０重量％を超えると流動性が低下する傾向がある。
【００２１】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物が含有されていればよく、それ以外に封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されている硬化促進剤を併用することができる。併用する硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物、その誘導体、及びこれらに無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン等のジアルキルアリールホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等のアルキルジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン等のトリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキル・アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィンなどの有機ホスフィン類、その誘導体及びこれらに無水マレイン酸、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモリホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体、有機ホスフィン類と有機ボロン類との錯体などが挙げられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】
本発明において用いられる（Ｃ）エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上含有するもので特に制限ないが、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビフェノール等のジグリシジルエーテル、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、流動性と低反り性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦのジグリシジルエーテルであるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の１種又は２種以上を含有していることが好ましい。
【００２３】
ビフェニル型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化２０】
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。）
上記一般式（ＩＩＩ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＩＩ）中のＲ１〜Ｒ８としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、なかでも水素原子又はメチル基が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールとを反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては市販品としてジャパンエポキシレジン株式会社製商品名ＹＸ−４０００として入手可能である。上記ビフェニル型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２４】
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＶ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化２１】
（ここで、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０又は１〜３の整数を示す。）
上記一般式（ＩＶ）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、ビスフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＶ）中のＲ１〜Ｒ８としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、なかでも水素原子又はメチル基が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビス（２，３，６−トリメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビスフェノールのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂等が挙げられ、なかでも４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０ＸＹとして入手可能である。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２５】
これらのビフェニル型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、２種以上を組合わせて用いる場合の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２６】
本発明において用いられる（Ｄ）硬化剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレンやビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂脂などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて併用してもよい。
なかでも、難燃性の観点からは、下記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂及び下記一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂が好ましい。
【化２２】
（ここで、Ｘは芳香環を含む基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化２３】
（ここで、Ｘは芳香環を含む基を示し、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【００２７】
上記一般式（Ｖ）〜（ＶＩ）中のＸは芳香環を含む基を示し、たとえばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基、キシリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アラルキル基置換アリーレン基などが挙げられ、なかでも、難燃性の観点からは置換又は非置換のフェニレン基及びビフェニレン基が好ましく、ビフェニレン基がより好ましい。上記一般式（Ｖ）〜（ＶＩ）中のｎは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。
【００２８】
上記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、Ｘが置換又は非置換のフェニレン基又はビフェニレン基であるフェノール樹脂が好ましく、たとえば、下記一般式（ＸＩ）及び（ＸＩＩ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【化２４】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化２５】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
上記一般式（ＸＩ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、市販品として三井化学株式会社製商品名ＸＬＣが挙げられ、上記一般式（ＸＩＩ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、市販品として明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１が挙げられる。
【００２９】
上記一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、Ｘが置換又は非置換のフェニレン基又はビフェニレン基であるナフトール・アラルキル樹脂が好ましく、たとえば、下記一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂等が挙げられる。
【化２６】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化２７】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化２８】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
【化２９】
（ここで、ｎは０又は１〜１０の整数を示す。）
上記一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂の中で、成形性と難燃性の両立の観点からは一般式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂が好ましい。一般式（ＸＩＩＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−４７５が挙げられ、上記一般式（ＸＶ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−１７０が挙げられる。
【００３０】
上記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂及び一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂は、難燃性の観点からその一部または全部がアセナフチレンと予備混合されていることが好ましい。アセナフチレンはアセナフテンを脱水素して得ることができるが、市販品を用いてもよい。また、アセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物として用いることもできる。アセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物を得る方法としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等が挙げられる。また、重合に際しては従来公知の触媒を用いることができるが、触媒を使用せずに熱だけで行うこともできる。この際、重合温度は８０〜１６０℃が好ましく、９０〜１５０℃がより好ましい。得られるアセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物の軟化点は、６０〜１５０℃が好ましく、７０〜１３０℃がより好ましい。６０℃より低いと成形時の染み出しにより成形性が低下する傾向にあり、１５０℃より高いと樹脂との相溶性が低下する傾向にある。アセナフチレンと共重合させる他の芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、インデン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル又はそれらのアルキル置換体等が挙げられる。また、上記した芳香族オレフィン以外に本発明の効果に支障の無い範囲で脂肪族オレフィンを併用することもできる。脂肪族オレフィンとしては、（メタ）アクリル酸及びそれらのエステル、無水マレイン酸、無水イタコン酸、フマル酸及びそれらのエステル等が挙げられる。これら脂肪族オレフィンの使用量は重合モノマー全量に対して２０重量％以下が好ましく、９重量％以下がより好ましい。
【００３１】
（Ｄ）硬化剤の一部又は全部とアセナフチレンとの予備混合の方法としては、（Ｄ）硬化剤及びアセナフチレンをそれぞれ微細に粉砕し固体状態のままミキサー等で混合する方法、両成分を溶解する溶媒に均一に溶解させた後溶媒を除去する方法、（Ｄ）硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度で両者を溶融混合する方法等で行うことができるが、均一な混合物が得られて不純物の混入が少ない溶融混合法が好ましい。溶融混合は、（Ｄ）硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度であれば制限はないが、１００〜２５０℃が好ましく、１２０〜２００℃がより好ましい。また、溶融混合は両者が均一に混合すれば混合時間に制限はないが、１〜２０時間が好ましく、２〜１５時間がより好ましい。
（Ｄ）硬化剤とアセナフチレンを予備混合する場合、混合中にアセナフチレンが重合もしくは（Ｄ）硬化剤と反応しても構わない。
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料中には、難燃性向上の観点から前述の予備混合物（アセナフチレン変性硬化剤）が（Ｄ）硬化剤中に５０重量％以上含まれることが好ましい。アセナフチレン変性硬化剤中に含まれるアセナフチレン及び／又はアセナフチレンを含む芳香族オレフィンの重合物の量は５〜４０重量％が好ましく、８〜２５重量％がより好ましい。５重量％より少ないと難燃性が低下する傾向があり、４０重量％より多いと成形性が低下する傾向がある。本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料中に含まれるアセナフチレン構造の含有率は、難燃性と成形性の観点からは０．１〜５重量％が好ましく、０．３〜３重量％がより好ましい。０．１重量％より少ないと難燃性に劣る傾向にあり、５重量％より多いと成形性が低下する傾向にある。
【００３２】
（Ｃ）エポキシ樹脂と（Ｄ）硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより好ましい。成形性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るためには０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００３３】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、さらに（Ｅ）無機充填剤を配合することが好ましい。（Ｅ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のために成形材料に配合されるものであり、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、充填剤形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。
（Ｅ）無機充填剤の配合量は、難燃性、成形性、吸湿性、線膨張係数低減及び強度向上の観点から、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して７０〜９６重量％が好ましく、吸湿性、線膨張係数低減の観点から８５〜９５重量％がより好ましく、９０〜９４重量％がさらに好ましい。７０重量％より少ないと難燃性及び耐リフロー性が低下する傾向があり、９６重量％を超えると流動性が不足する傾向がある。
【００３４】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性を向上させる観点から、必要に応じてイオントラップ剤をさらに配合することができる。イオントラップ剤としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイドロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、下記組成式（ＸＶＩＩ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ ……（ＸＶＩＩ）
（０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
イオントラップ剤の配合量は、ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉できる十分量であれば特に制限はないが、流動性及び曲げ強度の観点から（Ｃ）エポキシ樹脂に対して０．１〜３０重量％が好ましく、０．５〜１０重量％がより好ましく、１〜５重量％がさらに好ましい。
【００３５】
また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と無機充填剤との接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を添加することができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
上記カップリング剤の配合量は、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量％がより好ましい。０．０５重量％未満では各種パッケージ構成部材との接着性が低下する傾向があり、５重量％を超えるとボイド等の成形不良が発生し易い傾向がある。
【００３７】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には必要に応じて難燃剤を配合することができる。難燃剤としては、従来公知の臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモンを用いることができるが、従来公知のノンハロゲン、ノンアンチモンの難燃剤を用いることができる。たとえば、赤リン、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂等で被覆された赤リン、リン酸エステル、酸化トリフェニルホスフィン等のリン化合物、メラミン、メラミン誘導体、メラミン変性フェノール樹脂、トリアジン環を有する化合物、シアヌル酸誘導体、イソシアヌル酸誘導体等の窒素含有化合物、シクロホスファゼン等のリン及び窒素含有化合物、ジシクロペンタジエニル鉄等の金属錯体化合物、酸化亜鉛、錫酸亜鉛、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等の亜鉛化合物、酸化鉄、酸化モリブデン等の金属酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、下記組成式（ＸＶＩＩＩ）で示される複合金属水酸化物などが挙げられる。
ｐ（Ｍ１ａＯｂ）・ｑ（Ｍ２ｃＯｄ）・ｒ（Ｍ３ｃＯｄ）・ｍＨ２Ｏ （ＸＶＩＩＩ）
（ここで、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は正の数を示す。）
上記組成式（ＸＶＩＩＩ）中のＭ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観点からは、Ｍ１が第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ２がＩＩＩＢ〜ＩＩＢ族の遷移金属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ１がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ２が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の観点からは、Ｍ１がマグネシウム、Ｍ２が亜鉛又はニッケルで、ｒ＝０のものが好ましい。ｐ、ｑ及びｒのモル比は特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ／ｑが１／９９〜１／１であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行った。上記した難燃剤は１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよい。
【００３８】
さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、ゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合することができる。
【００３９】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うような寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
【００４０】
本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形材料により封止した素子を備えた電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した、電子部品装置などが挙げられる。このような電子部品装置としては、たとえば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いてトランスファ成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣ、テープキャリアにバンプで接続した半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）モジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール、マザーボード接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングにより半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）などの片面封止パッケージが挙げられる。なかでも本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた片面封止型パッケージは反り量が小さい特徴を有する。さらに、プリント回路板にも本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は有効に使用できる。
【００４１】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。
【００４２】
【実施例】
次に実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４３】
実施例１〜９、比較例１〜８
以下の成分をそれぞれ表１及び表２に示す重量部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件でロール混練を行い、実施例１〜９及び比較例１〜８の封止用エポキシ樹脂成形材料を作製した。
エポキシ樹脂として、エポキシ当量１８８、融点７５℃のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂１、新日鐵化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）、エポキシ当量１８７、融点１０９℃のビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂２、ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００）を使用した。
硬化剤として水酸基当量２００、軟化点８０℃のフェノール・アラルキル樹脂（硬化剤１、明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１）、水酸基当量２０９、軟化点８１℃のアセナフチレン含有β−ナフトール・アラルキル樹脂（硬化剤２、新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−１７０−ＡＲ１０）、水酸基当量１７６、軟化点７０℃のフェノール・アラルキル樹脂（硬化剤３、三井化学株式会社製商品名ミレックスＸＬＣ−３Ｌ）を使用した。
硬化促進剤としてトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物（硬化促進剤１）、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物（硬化促進剤２）、トリフェニルホスフィン（硬化促進剤３）を使用した。
ケイ素含有重合物としてエポキシ当量１６６０、軟化点８０℃のポリシロキサン（ケイ素含有重合物１、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＡＹ４２−１１９）、エポキシ当量２９００、粘度２８５０ｍｍ２／ｓ（２５℃）のシリコーンオイル（ケイ素含有重合物２、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＢＹ１６−８７６）、軟化点９５℃、エポキシ基非含有メチルフェニル系シリコーンレジン（ケイ素含有重合物３、信越化学工業株式会社製商品名Ｘ−４０−９８０５）、エポキシ基含有シリコーンパウダー（ケイ素含有重合物４、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＤＣ４−７０５１）を使用した。
無機充填剤として平均粒径１７．５μｍ、比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ；カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８７）を使用した。
その他の添加剤としてカルナバワックス（クラリアント社製）及びカーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）を使用した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】
作製した実施例及び比較例の封止用エポキシ樹脂成形材料を、次の各試験により評価した。結果を表３及び表４に示す。
なお、封止用エポキシ樹脂成形材料の成形は、トランスファ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で行った。また、後硬化は１８０℃で５時間行った。
（１）スパイラルフロー（流動性の指標）
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形し、流動距離（ｃｍ）を求めた。
（２）円板フロー（流動性の指標）
２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用いて、秤量した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５ｇを１８０℃に加熱した下型の中心部にのせ、５秒後に、１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍｍ）を円板フローとした。
（３）熱時硬度
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型硬度計を用いて測定した。
（４）吸湿時熱時硬度
封止用エポキシ樹脂成形材料を２５℃／５０％ＲＨの条件で７２時間放置後、上記（３）と同様に測定した。
（５）反り量
基板サイズ６０ｍｍ×９０ｍｍ×０．４ｍｍのガラス基材エポキシ樹脂基板（日立化成工業株式会社製商品名ＭＣＬ−Ｅ−６７９）上に、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて４０ｍｍ×７０ｍｍ×０．６ｍｍの範囲に片面封止を行い、得られた成形物を室温まで冷却した後の反り量（ＡＭ反り量）及び後硬化後の反り量（ＡＣ反り量）を評価した。反り量の測定は封止範囲の長辺方向に、温度可変３次元形状測定機（株式会社ティーテック）を用いて高さ方向の変位を測定し、その最大値と最小値の差を反り量として評価した。
（６）難燃性
厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って燃焼試験を行い、試験片５本の残炎時間の合計を総残炎時間として評価した。
【００４７】
【表３】
【００４８】
【表４】
【００４９】
本発明における（Ａ）ケイ素含有重合物を含まない比較例１及び２は、円板フロー及びＡＣ反り量に劣り、比較例６及び７は熱時硬度及び反り量に劣り、比較例８はスパイラルフロー、円板フロー及び反り量に劣っている。また、本発明における（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物を含まない比較例３〜５はスパイラルフロー、円板フロー、吸湿時熱時硬度及び反り量に劣っている。これに対して、実施例１〜９はいずれもスパイラルフロー及び円板フローで示される流動性、及び吸湿時熱時硬度及び熱時硬度で示される硬化性のバランスに優れ、さらにＡＣ反り量がいずれも良好である。
【００５０】
【発明の効果】
本発明になる封止用エポキシ樹脂成形材料は、実施例で示したように流動性と硬化性に優れ、さらに基板反りが小さいため、これを用いて一括モールド形式の片面封止型パッケージ等の電子部品を封止すれば、実装時の接続信頼性が良好な製品を得ることができ、その工業的価値は大である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品装置の封止用材料として好適な流動性と硬化性に優れ、特に片面封止型パッケージに適用した際に反りの発生量が少ない封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面から樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着性などの諸特性にバランスがとれているためである。
近年、電子部品装置のプリント配線板への高密度実装化に伴い、電子部品装置の形態は従来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケージが主流になっている。表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。
また、さらなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といったものから、より多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）を含めたＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等のエリア実装パッケージへ移行しつつある。これらのパッケージは近年、高速化、多機能化を実現するために、フェースダウン型、積層（スタックド）型、フリップチップ型、ウェハーレベル型等、新しい構造のものが開発されているが、それらの多くが素子搭載面側の片面のみをエポキシ樹脂成形材料等の封止材料で封止した後、裏面にはんだボールを形成して回路基板との接合を行う片面封止型パッケージの形態を有している。また、片面封止型パッケージに用いられる基板としては、ガラス基材エポキシ樹脂基板、ガラス基材ビスマレイミド・トリアジン樹脂基板等の硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィルム基板等のフレキシブル回路基板が主に使用される。さらに、片面封止型パッケージを作製する際の樹脂封止工程も従来の１チップ１キャビティの封止方法に変わって、複数のチップを１キャビティで封止する一括モールド型の封止方法が開発され、生産効率の向上、低コスト化が図られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
片面封止型パッケージは、電子部品装置の形状が片面封止であるため、基板と成形材料との物性値の差異等が原因で、成形温度から室温まで冷却した時、又はリフロー工程での熱履歴によって、電子部品装置中心部を起点として反り変形が生じやすいという問題がある。この反り変形に伴って、素子搭載用基板に同一面となるように配置した複数のはんだボールに高低差が生じ、このような状態でパッケージＤ／Ｃ動作検査工程等の試験を行った場合、コネクタ接続に支障をきたして十分な検査を行えない等の不具合が発生することがある。また、電子部品装置を実装基板に表面実装した時、はんだボールの一部が対応する配線層に完全に接続されず、接続部の信頼性を低下させることがある。
【０００４】
そこで、この反り変形量を低減する手法として、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂に多官能型樹脂を使用して架橋密度を高めることで封止用エポキシ樹脂成形材料硬化物の高Ｔｇ化を図る方法が開示されているが（例えば、特許文献１参照。）、この方法だけでは樹脂の溶融粘度が高いために成形材料に十分な流動性を確保することが困難となる。また、仮に充填剤量を下げて流動性を確保した場合には、硬化物の吸水率の増加に伴う耐リフロークラック性の低下を引き起こしてしまう問題がある。一方、結晶性エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂を使用して封止用エポキシ樹脂成形材料の粘度を低減し、充填剤を高充填することで硬化物の低膨張率化と高Ｔｇ化の両立を図ると共に耐リフロークラック性を向上させる方法が開示されているが（例えば、特許文献２及び３参照。）、この手法においても流動性の改善は満足のいくレベルではなく、そのような封止用エポキシ樹脂成形材料を一括モールド型の電子部品装置に使用した場合に、未充填を引き起こす問題がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−３５８０３号公報（第４頁第６段落目〜第９段落目、表１）
【特許文献２】
特開平１１−１００４９０号公報（第４頁第７段落目〜第７頁第１７段落目、表１）
【特許文献３】
特開平１１−１６３２２４号公報（第５頁第７段落目〜第８頁第１６段落目、表１〜３）
【０００６】
本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、流動性や硬化性等の成形性が良好で、一括モールド型の片面封止型パッケージに用いた場合でも反り変形量の低減が図れる封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定な結合を有するケイ素含有重合物と特定構造の硬化促進剤を配合した封止用エポキシ樹脂成形材料により上記の目的を達成し得ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下に関する。
＜１＞ （Ａ）下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基から選ばれた官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であるケイ素含有重合物、（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化８】
＜２＞ （Ａ）ケイ素含有重合物がさらに結合（ｃ）を有する前記＜１＞記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化９】
＜３＞ （Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点が４０℃以上１２０℃以下である前記＜１＞又は＜２＞記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜４＞ （Ａ）ケイ素含有重合物中のＲ１が置換または非置換のフェニル基及びメチル基の少なくともいずれか一方である前記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜５＞ （Ａ）ケイ素含有重合物中の全Ｒ１における炭素数１〜１２の置換または非置換のフェニル基の割合が６０モル％〜１００モル％である前記＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜６＞ （Ｂ）成分が次式（Ｉ）で示される第三ホスフィン化合物と次式（ＩＩ）で示されるキノン化合物の付加反応物である前記＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１０】
＜７＞ （Ｂ）成分がトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する前記＜６＞に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜８＞ （Ｂ）成分がトリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する前記＜６＞に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜９＞ （Ｃ）エポキシ樹脂が下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の少なくともいずれか一方で示されるエポキシ樹脂を１種又は２種以上含有する前記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１１】
【化１２】
＜１０＞ （Ｄ）硬化剤が下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で示されるフェノール樹脂及びナフトール樹脂の少なくともいずれか一方を少なくとも１種又は２種以上含有する前記＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１３】
【化１４】
＜１１＞ （Ｄ）硬化剤の一部または全部がアセナフチレンと予備混合されている前記＜１０＞記載の封止用エポキシ樹脂成型材料。
＜１２＞ さらに、（Ｅ）無機充填材を封止用エポキシ樹脂成形材料に対して８５重量％〜９５重量％含有する前記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
＜１３＞ 前記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止された素子を備えた電子部品装置。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられる（Ａ）ケイ素含有重合物は、下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基から選ばれた官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であれば特に制限はないが、このような重合物として例えば分岐状ポリシロキサンなどが挙げられる。
【化１５】
上記一般式（ａ）及び（ｂ）中のＲ１としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられ、なかでもメチル基又はフェニル基が好ましい。
また、上記一般式（ｂ）中のＸとしては２，３−エポキシプロピル基、３，４−エポキシブチル基、４，５−エポキシペンチル基、２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等が挙げられ、中でも３−グリシドキシプロピル基が好ましい。
また、（Ａ）ケイ素含有重合物の末端は重合物の保存安定性の点から前述のＲ１、水酸基及びアルコキシ基のいずれかである必要がある。この場合のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロプキシ基、ブトキシ基が挙げられる。さらに、（Ａ）ケイ素含有重合物のエポキシ当量は、５００〜４０００の範囲であることが必要であり、好ましくは１０００〜２５００である。５００より小さいと封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性が低下する傾向にあり、４０００より大きいと硬化物表面に染み出しやすく、成形不良を起こし易い傾向にある。
【００１０】
（Ａ）ケイ素含有重合物はさらに下記の結合（ｃ）を有することが得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性と低反り性の両立の観点から好ましい。
【化１６】
上記一般式（ｃ）中のＲ１としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられ、なかでもメチル基またはフェニル基が好ましい。
このような（Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点は４０℃〜１２０℃に設定されることが好ましく、５０℃〜１００℃に設定されることがより好ましい。４０℃より低いと得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化物の機械強度が低下する傾向にあり、１２０℃より高いと封止用エポキシ樹脂成形材料中への（Ａ）ケイ素含有重合物の分散性が低下する傾向にある。（Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点を調整する方法としては、（Ａ）ケイ素含有重合物の分子量、構成結合単位（例えば（ａ）〜（ｃ）含有比率等）、ケイ素原子に結合する有機基の種類を設定することで可能であるが、特に封止用エポキシ樹脂成形材料への（Ａ）ケイ素含有重合物の分散性及び得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の流動性の観点から（Ａ）ケイ素含有重合物中のアリール基の含有量を設定して軟化点を調整することが好ましい。この場合のアリール基とは、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられ、フェニル基がより好ましい。（Ａ）ケイ素含有重合物中のケイ素原子に結合した一価の有機基中のフェニル基の含有量を６０モル％〜９９モル％、好ましくは７０モル％〜８５モル％に設定することで所望の軟化点を有する（Ａ）ケイ素含有重合物を得ることができる。
（Ａ）ケイ素含有重合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値で、１０００〜３００００、好ましくは２０００〜２００００、さらに好ましくは３０００〜１００００である。また。（Ａ）ケイ素含有重合物は、ランダム共重合体であることが好ましい。
このような（Ａ）ケイ素含有重合物は以下に示す製造方法により得ることができるが、市販品としては東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＡＹ４２−１１９として入手可能である。
【００１１】
（Ａ）ケイ素含有重合物の製造方法は、特に制限なく公知の方法で製造することができる。例えば、加水分解縮合反応により上記（ａ）〜（ｃ）単位を形成し得るオルガノクロロシラン、オルガノアルコキシシラン、シロキサン、あるいはそれらの部分加水分解縮合物を原料及び反応生成物を溶解可能な有機溶剤と原料のすべての加水分解性基を加水分解可能な量の水との混合溶液中に混合し、加水分解縮合反応させて得ることができる。この際、封止用エポキシ樹脂成形材料中に不純物として含有される塩素量を低減させるためにオルガノアルコキシシラン及び／またはシロキサンを原料とすることが好ましい。この場合、反応を促進する触媒として、酸、塩基、有機金属化合物を添加することが好ましい。
（Ａ）ケイ素含有重合物の原料となるオルガノアルコキシシラン及び／またはシロキサンとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、フェニルビニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（フェニル）ジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（フェニル）ジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（メチル）ジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（メチル）ジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（フェニル）ジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル（フェニル）ジエトキシシラン、およびこれらの加水分解縮合物等が挙げられる。
（Ａ）ケイ素含有重合物の含有量は封止用エポキシ樹脂成形材料全体の０．２重量％〜１．５重量％が好ましく、０．３重量％〜１．３重量％がさらに好ましい。０．２重量％より少ないと（Ａ）ケイ素含有重合物の添加効果が見られず、１．５重量％より多いと得られる封止用エポキシ樹脂成形材料の熱時硬度が低下する傾向にある。
【００１２】
本発明において用いられる（Ｂ）硬化促進剤は第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物としては、封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化促進剤として作用するものであれば特に制限されるものではないが、中でも流動性の観点から下記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物と下記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物との付加反応物が好ましい。
【化１７】
上記一般式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ３は、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基もしくは置換又は非置換の炭素数６〜１２のアリール基を示すが、置換又は非置換の炭素数１〜１２のアルキル基としては特に制限はなく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の環状アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアリール基置換アルキル基、メトキシ基置換アルキル基、エトキシ基置換アルキル基、ブトキシ基置換アルキル基等のアルコキシ基置換アルキル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アルキル基、水酸基置換アルキル基などが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等の無置換アリール基、トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ジメチルナフチル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、メトキシナフチル基等のアルコキシ基置換アリール基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアミノ基置換アリール基、水酸基置換アリール基などが挙げられる。
【００１３】
上記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物を例示するとトリフェニルホスフィン、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィン、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィン、トリブチルホスフィン、ジブチルフェニルホスフィン、ジブチル−ｐ−トリルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジオクチルフェニルホスフィン、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィン、オクチルジフェニルホスフィン、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィン等が挙げられ、中でも流動性と硬化性の観点からはトリフェニルホスフィンまたはトリブチルホスフィンが好ましい。
【００１４】
上記一般式（ＩＩ）中のＲ４〜Ｒ６は、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を示すが、炭素数１〜１２の炭化水素基としては特に制限はなく、例えば、置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂環式炭化水素基、置換又は非置換の炭素数１〜１２の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基、アリル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシル基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシルチオ基等のアルキルチオ基、アミノ基置換アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、水酸基置換アルキル基、アリール基置換アルキル基等の置換アルキル基、アミノ基置換アルコキシ基、水酸基置換アルコキシ基、アリール基置換アルコキシ基等の置換アルコキシ基などが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等及びこれらにアルキル基、アルコキシ基、アリール基、水酸基、アミノ基、ハロゲン等が置換したものなどが挙げられる。
置換又は非置換の炭素数１〜１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基等のアリール基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基等のアルキル基置換アリール基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシ基置換アリール基、フェノキシ基、クレゾキシ基等のアリーロキシ基、フェニルチオ基、トリルチオ基、ジフェニルアミノ基など、及びこれらにアミノ基、ハロゲン等が置換したもの等が挙げられる。
【００１５】
また、上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物は、Ｒ４とＲ５が結合し環状構造となっていてもよい。本発明において用いられる、Ｒ４とＲ５が結合して環状構造をとる多環式のキノン化合物としては、特に制限はないが、例えば、置換したテトラメチレン基、テトラメチン基等が結合した下記一般式（ＶＩＩ）〜（ＩＸ）で示される多環式キノン化合物等が挙げられる。
【化１８】
上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物を例示すると１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４ベンゾキノン、２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、メトキシ−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、メチル−１，４−ベンゾキノン、２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノン、ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等が挙げられ、中でも流動性や硬化性の観点からは１，４−ベンゾキノンが好ましい。
【００１７】
上記一般式（Ｉ）で示されるホスフィン化合物と上記一般式（ＩＩ）で示されるキノン化合物の付加反応物の構造としては、例えば、下記一般式（Ｘ）で示される化合物が挙げられる。
【化１９】
上記一般式（Ｘ）で示される第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物を例示するとトリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと２，５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチルフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジブチル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジオクチル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ブチルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、オクチルジ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−トリルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリ−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとフェニル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物等が挙げられる。
【００１８】
上記のなかでも、ホスフィン化合物とキノン化合物との反応性の観点からは、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−トリルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジフェニル−ｐ−メトキシフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、シクロヘキシルジフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、ジシクロヘキシルフェニルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリシクロヘキシルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物、トリブチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物及びトリオクチルホスフィンとメチル−１，４−ベンゾキノンとの付加反応物が好ましい。また、流動性と硬化性の観点からは、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物及びトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物がさらに好ましい。
【００１９】
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物の製造方法としては特に制限はないが、例えば、原料として用いられるホスフィン化合物とキノン化合物とを両者が溶解する有機溶媒中で付加反応させて単離する方法が挙げられる。具体的には、トリフェニルホスフィン４１．６ｇ（１モル）をアセトン１２０ｇに溶解したものと、１，４−ベンゾキノン１７．６ｇ（１モル）をアセトン８０ｇに溶解したものとを、室温〜８０℃で混合し、２〜５時間放置後析出した黄褐色結晶をろ過して採取する方法で製造することができる。この際の溶剤としてはアセトンの代わりにアセトンとトルエンの混合溶剤等を用いてもよい。また、（Ｄ）硬化剤として用いるフェノール樹脂中で付加反応させる方法等でも製造可能であり、この場合、付加反応物を単離せずにそのままフェノール樹脂中に溶解した状態で、エポキシ樹脂組成物の配合成分として用いることができる。
【００２０】
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物の配合量は、特に制限はないが、その性能を発揮するために全硬化促進剤に対して３０重量％以上が好ましく、５０重量％以上がより好ましく、６０重量％以上がさらに好ましい。
（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物のみを硬化促進剤として用いる場合、その配合量は、（Ｃ）エポキシ樹脂及び（Ｄ）硬化剤の総量に対して０．２〜１０重量％が好ましい。０．２重量％未満では硬化性が不十分となる傾向があり、１０重量％を超えると流動性が低下する傾向がある。
【００２１】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物が含有されていればよく、それ以外に封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されている硬化促進剤を併用することができる。併用する硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物、その誘導体、及びこれらに無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン等のジアルキルアリールホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等のアルキルジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン等のトリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキル・アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィンなどの有機ホスフィン類、その誘導体及びこれらに無水マレイン酸、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモリホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体、有機ホスフィン類と有機ボロン類との錯体などが挙げられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】
本発明において用いられる（Ｃ）エポキシ樹脂は、１分子中にエポキシ基を２個以上含有するもので特に制限ないが、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、アルキル置換、芳香環置換又は非置換のビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビフェノール等のジグリシジルエーテル、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、流動性と低反り性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦのジグリシジルエーテルであるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の１種又は２種以上を含有していることが好ましい。
【００２３】
ビフェニル型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＩＩ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化２０】
上記一般式（ＩＩＩ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、ビフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＩＩ）中のＲ１〜Ｒ８としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、なかでも水素原子又はメチル基が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールとを反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては市販品としてジャパンエポキシレジン株式会社製商品名ＹＸ−４０００として入手可能である。上記ビフェニル型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２４】
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、たとえば下記一般式（ＩＶ）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化２１】
上記一般式（ＩＶ）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、ビスフェノール化合物にエピクロルヒドリンを公知の方法で反応させることによって得られる。一般式（ＩＶ）中のＲ１〜Ｒ８としては、たとえば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基等の炭素数１〜１０のアルケニル基などが挙げられ、なかでも水素原子又はメチル基が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、たとえば、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビス（２，３，６−トリメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂、４，４’−メチレンビスフェノールのジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂等が挙げられ、なかでも４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェノール）のジグリシジルエーテルを主成分とするエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂としては市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０ＸＹとして入手可能である。上記ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２５】
これらのビフェニル型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、２種以上を組合わせて用いる場合の配合量は、その性能を発揮するために（Ｃ）エポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５０重量％以上がさらに好ましい。
【００２６】
本発明において用いられる（Ｄ）硬化剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレンやビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂脂などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて併用してもよい。
なかでも、難燃性の観点からは、下記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂及び下記一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂が好ましい。
【化２２】
【化２３】
【００２７】
上記一般式（Ｖ）〜（ＶＩ）中のＸは芳香環を含む基を示し、たとえばフェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、トリレン基、キシリレン基等のアルキル基置換アリーレン基、アルコキシル基置換アリーレン基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、アラルキル基置換アリーレン基などが挙げられ、なかでも、難燃性の観点からは置換又は非置換のフェニレン基及びビフェニレン基が好ましく、ビフェニレン基がより好ましい。上記一般式（Ｖ）〜（ＶＩ）中のｎは０又は１〜１０の整数を示し、平均で６以下がより好ましい。
【００２８】
上記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、Ｘが置換又は非置換のフェニレン基又はビフェニレン基であるフェノール樹脂が好ましく、たとえば、下記一般式（ＸＩ）及び（ＸＩＩ）で示されるフェノール樹脂等が挙げられる。
【化２４】
【化２５】
上記一般式（ＸＩ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、市販品として三井化学株式会社製商品名ＸＬＣが挙げられ、上記一般式（ＸＩＩ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂としては、市販品として明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１が挙げられる。
【００２９】
上記一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、Ｘが置換又は非置換のフェニレン基又はビフェニレン基であるナフトール・アラルキル樹脂が好ましく、たとえば、下記一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂等が挙げられる。
【化２６】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
上記一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂の中で、成形性と難燃性の両立の観点からは一般式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂が好ましい。一般式（ＸＩＩＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−４７５が挙げられ、上記一般式（ＸＶ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂としては、市販品として新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−１７０が挙げられる。
【００３０】
上記一般式（Ｖ）で示されるフェノール・アラルキル樹脂及び一般式（ＶＩ）で示されるナフトール・アラルキル樹脂は、難燃性の観点からその一部または全部がアセナフチレンと予備混合されていることが好ましい。アセナフチレンはアセナフテンを脱水素して得ることができるが、市販品を用いてもよい。また、アセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物として用いることもできる。アセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物を得る方法としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合等が挙げられる。また、重合に際しては従来公知の触媒を用いることができるが、触媒を使用せずに熱だけで行うこともできる。この際、重合温度は８０〜１６０℃が好ましく、９０〜１５０℃がより好ましい。得られるアセナフチレンの重合物又はアセナフチレンと他の芳香族オレフィンとの重合物の軟化点は、６０〜１５０℃が好ましく、７０〜１３０℃がより好ましい。６０℃より低いと成形時の染み出しにより成形性が低下する傾向にあり、１５０℃より高いと樹脂との相溶性が低下する傾向にある。アセナフチレンと共重合させる他の芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、インデン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル又はそれらのアルキル置換体等が挙げられる。また、上記した芳香族オレフィン以外に本発明の効果に支障の無い範囲で脂肪族オレフィンを併用することもできる。脂肪族オレフィンとしては、（メタ）アクリル酸及びそれらのエステル、無水マレイン酸、無水イタコン酸、フマル酸及びそれらのエステル等が挙げられる。これら脂肪族オレフィンの使用量は重合モノマー全量に対して２０重量％以下が好ましく、９重量％以下がより好ましい。
【００３１】
（Ｄ）硬化剤の一部又は全部とアセナフチレンとの予備混合の方法としては、（Ｄ）硬化剤及びアセナフチレンをそれぞれ微細に粉砕し固体状態のままミキサー等で混合する方法、両成分を溶解する溶媒に均一に溶解させた後溶媒を除去する方法、（Ｄ）硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度で両者を溶融混合する方法等で行うことができるが、均一な混合物が得られて不純物の混入が少ない溶融混合法が好ましい。溶融混合は、（Ｄ）硬化剤及び／又はアセナフチレンの軟化点以上の温度であれば制限はないが、１００〜２５０℃が好ましく、１２０〜２００℃がより好ましい。また、溶融混合は両者が均一に混合すれば混合時間に制限はないが、１〜２０時間が好ましく、２〜１５時間がより好ましい。
（Ｄ）硬化剤とアセナフチレンを予備混合する場合、混合中にアセナフチレンが重合もしくは（Ｄ）硬化剤と反応しても構わない。
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料中には、難燃性向上の観点から前述の予備混合物（アセナフチレン変性硬化剤）が（Ｄ）硬化剤中に５０重量％以上含まれることが好ましい。アセナフチレン変性硬化剤中に含まれるアセナフチレン及び／又はアセナフチレンを含む芳香族オレフィンの重合物の量は５〜４０重量％が好ましく、８〜２５重量％がより好ましい。５重量％より少ないと難燃性が低下する傾向があり、４０重量％より多いと成形性が低下する傾向がある。本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料中に含まれるアセナフチレン構造の含有率は、難燃性と成形性の観点からは０．１〜５重量％が好ましく、０．３〜３重量％がより好ましい。０．１重量％より少ないと難燃性に劣る傾向にあり、５重量％より多いと成形性が低下する傾向にある。
【００３２】
（Ｃ）エポキシ樹脂と（Ｄ）硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポキシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより好ましい。成形性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るためには０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００３３】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、さらに（Ｅ）無機充填剤を配合することが好ましい。（Ｅ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のために成形材料に配合されるものであり、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましく、充填剤形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。
（Ｅ）無機充填剤の配合量は、難燃性、成形性、吸湿性、線膨張係数低減及び強度向上の観点から、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して７０〜９６重量％が好ましく、吸湿性、線膨張係数低減の観点から８５〜９５重量％がより好ましく、９０〜９４重量％がさらに好ましい。７０重量％より少ないと難燃性及び耐リフロー性が低下する傾向があり、９６重量％を超えると流動性が不足する傾向がある。
【００３４】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性を向上させる観点から、必要に応じてイオントラップ剤をさらに配合することができる。イオントラップ剤としては特に制限はなく、従来公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイドロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、下記組成式（ＸＶＩＩ）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ ……（ＸＶＩＩ）
（０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
イオントラップ剤の配合量は、ハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉できる十分量であれば特に制限はないが、流動性及び曲げ強度の観点から（Ｃ）エポキシ樹脂に対して０．１〜３０重量％が好ましく、０．５〜１０重量％がより好ましく、１〜５重量％がさらに好ましい。
【００３５】
また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と無機充填剤との接着性を高めるために、必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を添加することができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤などが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
上記カップリング剤の配合量は、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量％がより好ましい。０．０５重量％未満では各種パッケージ構成部材との接着性が低下する傾向があり、５重量％を超えるとボイド等の成形不良が発生し易い傾向がある。
【００３７】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には必要に応じて難燃剤を配合することができる。難燃剤としては、従来公知の臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモンを用いることができるが、従来公知のノンハロゲン、ノンアンチモンの難燃剤を用いることができる。たとえば、赤リン、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂等で被覆された赤リン、リン酸エステル、酸化トリフェニルホスフィン等のリン化合物、メラミン、メラミン誘導体、メラミン変性フェノール樹脂、トリアジン環を有する化合物、シアヌル酸誘導体、イソシアヌル酸誘導体等の窒素含有化合物、シクロホスファゼン等のリン及び窒素含有化合物、ジシクロペンタジエニル鉄等の金属錯体化合物、酸化亜鉛、錫酸亜鉛、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛等の亜鉛化合物、酸化鉄、酸化モリブデン等の金属酸化物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物、下記組成式（ＸＶＩＩＩ）で示される複合金属水酸化物などが挙げられる。
ｐ（Ｍ１ａＯｂ）・ｑ（Ｍ２ｃＯｄ）・ｒ（Ｍ３ｃＯｄ）・ｍＨ２Ｏ （ＸＶＩＩＩ）
（ここで、Ｍ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は正の数を示す。）
上記組成式（ＸＶＩＩＩ）中のＭ１、Ｍ２及びＭ３は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観点からは、Ｍ１が第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ２がＩＩＩＢ〜ＩＩＢ族の遷移金属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ１がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ２が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の観点からは、Ｍ１がマグネシウム、Ｍ２が亜鉛又はニッケルで、ｒ＝０のものが好ましい。ｐ、ｑ及びｒのモル比は特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ／ｑが１／９９〜１／１であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行った。上記した難燃剤は１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用いてもよい。
【００３８】
さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、ゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合することができる。
【００３９】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。成形条件に合うような寸法及び重量でタブレット化すると使いやすい。
【００４０】
本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形材料により封止した素子を備えた電子部品装置としては、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した、電子部品装置などが挙げられる。このような電子部品装置としては、たとえば、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いてトランスファ成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｊ−ｌｅａｄ ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の一般的な樹脂封止型ＩＣ、テープキャリアにバンプで接続した半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）モジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュール、マザーボード接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングにより半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）などの片面封止パッケージが挙げられる。なかでも本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた片面封止型パッケージは反り量が小さい特徴を有する。さらに、プリント回路板にも本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は有効に使用できる。
【００４１】
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。
【００４２】
【実施例】
次に実施例により本発明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４３】
実施例１〜９、比較例１〜８
以下の成分をそれぞれ表１及び表２に示す重量部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件でロール混練を行い、実施例１〜９及び比較例１〜８の封止用エポキシ樹脂成形材料を作製した。
エポキシ樹脂として、エポキシ当量１８８、融点７５℃のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂１、新日鐵化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）、エポキシ当量１８７、融点１０９℃のビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂２、ジャパンエポキシレジン株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００）を使用した。
硬化剤として水酸基当量２００、軟化点８０℃のフェノール・アラルキル樹脂（硬化剤１、明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１）、水酸基当量２０９、軟化点８１℃のアセナフチレン含有β−ナフトール・アラルキル樹脂（硬化剤２、新日鐵化学株式会社製商品名ＳＮ−１７０−ＡＲ１０）、水酸基当量１７６、軟化点７０℃のフェノール・アラルキル樹脂（硬化剤３、三井化学株式会社製商品名ミレックスＸＬＣ−３Ｌ）を使用した。
硬化促進剤としてトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物（硬化促進剤１）、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加反応物（硬化促進剤２）、トリフェニルホスフィン（硬化促進剤３）を使用した。
ケイ素含有重合物としてエポキシ当量１６６０、軟化点８０℃のポリシロキサン（ケイ素含有重合物１、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＡＹ４２−１１９）、エポキシ当量２９００、粘度２８５０ｍｍ２／ｓ（２５℃）のシリコーンオイル（ケイ素含有重合物２、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＢＹ１６−８７６）、軟化点９５℃、エポキシ基非含有メチルフェニル系シリコーンレジン（ケイ素含有重合物３、信越化学工業株式会社製商品名Ｘ−４０−９８０５）、エポキシ基含有シリコーンパウダー（ケイ素含有重合物４、東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製商品名ＤＣ４−７０５１）を使用した。
無機充填剤として平均粒径１７．５μｍ、比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ；カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８７）を使用した。
その他の添加剤としてカルナバワックス（クラリアント社製）及びカーボンブラック（三菱化学株式会社製商品名ＭＡ−１００）を使用した。
【００４４】
【表１】
【表２】
作製した実施例及び比較例の封止用エポキシ樹脂成形材料を、次の各試験により評価した。結果を表３及び表４に示す。
なお、封止用エポキシ樹脂成形材料の成形は、トランスファ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で行った。また、後硬化は１８０℃で５時間行った。
（１）スパイラルフロー（流動性の指標）
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形し、流動距離（ｃｍ）を求めた。
（２）円板フロー（流動性の指標）
２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用いて、秤量した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５ｇを１８０℃に加熱した下型の中心部にのせ、５秒後に、１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍｍ）を円板フローとした。
（３）熱時硬度
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型硬度計を用いて測定した。
（４）吸湿時熱時硬度
封止用エポキシ樹脂成形材料を２５℃／５０％ＲＨの条件で７２時間放置後、上記（３）と同様に測定した。
（５）反り量
基板サイズ６０ｍｍ×９０ｍｍ×０．４ｍｍのガラス基材エポキシ樹脂基板（日立化成工業株式会社製商品名ＭＣＬ−Ｅ−６７９）上に、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて４０ｍｍ×７０ｍｍ×０．６ｍｍの範囲に片面封止を行い、得られた成形物を室温まで冷却した後の反り量（ＡＭ反り量）及び後硬化後の反り量（ＡＣ反り量）を評価した。反り量の測定は封止範囲の長辺方向に、温度可変３次元形状測定機（株式会社ティーテック）を用いて高さ方向の変位を測定し、その最大値と最小値の差を反り量として評価した。
（６）難燃性
厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って燃焼試験を行い、試験片５本の残炎時間の合計を総残炎時間として評価した。
【００４７】
【表３】
【表４】
本発明における（Ａ）ケイ素含有重合物を含まない比較例１及び２は、円板フロー及びＡＣ反り量に劣り、比較例６及び７は熱時硬度及び反り量に劣り、比較例８はスパイラルフロー、円板フロー及び反り量に劣っている。また、本発明における（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物を含まない比較例３〜５はスパイラルフロー、円板フロー、吸湿時熱時硬度及び反り量に劣っている。これに対して、実施例１〜９はいずれもスパイラルフロー及び円板フローで示される流動性、及び吸湿時熱時硬度及び熱時硬度で示される硬化性のバランスに優れ、さらにＡＣ反り量がいずれも良好である。
【００５０】
【発明の効果】
本発明になる封止用エポキシ樹脂成形材料は、実施例で示したように流動性と硬化性に優れ、さらに基板反りが小さいため、これを用いて一括モールド形式の片面封止型パッケージ等の電子部品を封止すれば、実装時の接続信頼性が良好な製品を得ることができ、その工業的価値は大である。
Claims (13)
- （Ａ）下記の結合（ａ）及び（ｂ）を有し、末端がＲ１、水酸基及びアルコキシ基から選ばれた官能基であり、エポキシ当量が５００〜４０００であるケイ素含有重合物、（Ｂ）第三ホスフィン化合物とキノン化合物の付加反応物、（Ｃ）エポキシ樹脂、（Ｄ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ａ）ケイ素含有重合物がさらに結合（ｃ）を有する請求項１記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ａ）ケイ素含有重合物の軟化点が４０℃以上１２０℃以下である請求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ａ）ケイ素含有重合物中のＲ１が置換または非置換のフェニル基及びメチル基の少なくともいずれか一方である請求項１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ａ）ケイ素含有重合物中の全Ｒ１における炭素数１〜１２の置換または非置換のフェニル基の割合が６０モル％〜１００モル％である請求項１〜４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｂ）成分が次式（Ｉ）で示される第三ホスフィン化合物と次式（ＩＩ）で示されるキノン化合物の付加反応物である請求項１〜５のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｂ）成分がトリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する請求項６に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｂ）成分がトリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンの付加反応物を含有する請求項６に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｃ）エポキシ樹脂が下記一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）の少なくともいずれか一方で示されるエポキシ樹脂を１種又は２種以上含有する請求項１〜８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｄ）硬化剤が下記一般式（Ｖ）又は（ＶＩ）で示されるフェノール樹脂及びナフトール樹脂の少なくともいずれか一方を１種又は２種以上含有する請求項１〜９のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- （Ｄ）硬化剤の一部または全部がアセナフチレンと予備混合されている請求項１０記載の封止用エポキシ樹脂成型材料。
- さらに、（Ｅ）無機充填材を封止用エポキシ樹脂成形材料に対して８５重量％〜９５重量％含有する請求項１〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
- 請求項１〜１２のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止された素子を備えた電子部品装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003179701A JP4329426B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003179701A JP4329426B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005015559A true JP2005015559A (ja) | 2005-01-20 |
| JP4329426B2 JP4329426B2 (ja) | 2009-09-09 |
Family
ID=34180961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003179701A Expired - Lifetime JP4329426B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-24 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4329426B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005085316A1 (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2008041555A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing and electronic component device |
| JP2008094970A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2008111101A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2008115382A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| WO2008117522A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いる半導体装置 |
| JP2009130221A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置及び封止樹脂組成物 |
| US8129467B2 (en) | 2005-04-15 | 2012-03-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Curing accelerating compound-silica composite material, method for producing curing accelerating compound-silica composite material, curing accelerator, curable resin composition, and electronic component device |
| WO2013162052A1 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Novel organopolysiloxane, thermosetting resin additive comprising the same, and thermosetting resin composition comprising the same |
| KR20130133812A (ko) | 2010-12-27 | 2013-12-09 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 에폭시 수지 조성물 |
| KR20210018194A (ko) * | 2018-05-31 | 2021-02-17 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 컴파운드 및 성형체 |
-
2003
- 2003-06-24 JP JP2003179701A patent/JP4329426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846998B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-12-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Sealant epoxy-resin molding material, and electronic component device |
| WO2005085316A1 (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| US8129467B2 (en) | 2005-04-15 | 2012-03-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Curing accelerating compound-silica composite material, method for producing curing accelerating compound-silica composite material, curing accelerator, curable resin composition, and electronic component device |
| WO2008041555A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing and electronic component device |
| JP2008111101A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| US8084130B2 (en) | 2006-10-02 | 2011-12-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing and electronic component device |
| KR101090654B1 (ko) | 2006-10-02 | 2011-12-07 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료 및 전자 부품 장치 |
| JP2008115382A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2008094970A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| WO2008117522A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いる半導体装置 |
| US8138266B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-20 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device |
| JP2009130221A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置及び封止樹脂組成物 |
| KR20130133812A (ko) | 2010-12-27 | 2013-12-09 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 경화성 에폭시 수지 조성물 |
| WO2013162052A1 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Novel organopolysiloxane, thermosetting resin additive comprising the same, and thermosetting resin composition comprising the same |
| KR20210018194A (ko) * | 2018-05-31 | 2021-02-17 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 컴파운드 및 성형체 |
| KR102587422B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-10-10 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 컴파운드 및 성형체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4329426B2 (ja) | 2009-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5445490B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP5400267B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP6304271B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP4822053B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP5205907B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP4930767B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP4329426B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2010090216A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP4432381B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2013237855A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2008239983A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2005036085A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP4367023B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2008214433A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2006269730A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及びそれを用いた電子部品装置 | |
| JP2010095709A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2009249424A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2009221357A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP4367024B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2011207944A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP5316853B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2008147494A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び電子部品装置 | |
| JP2007262385A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2009127036A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこの組成物で封止した素子を備えた電子部品装置 | |
| JP2004300275A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051212 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080716 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090423 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090526 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090608 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4329426 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |