JP2005010684A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ビデオ信号ラインVLには、電圧ビデオ信号が入力されてくる。スキャン60は、入力されてくる電圧ビデオ信号に応じて、対応するカラムの電圧電流変換回路62にビデオ信号を導入する。そこで、電圧ビデオ信号を電流電圧変換回路62が電流信号に変換して対応する画素回路50に供給する。そして、各電圧電流変換回路62は、電圧ビデオ信号に応じて電流を出力する出力トランジスタを有するとともに、その出力トランジスタのしきい値のバラツキを補償するための補償回路を有している。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧ビデオ信号を電流ビデオ信号に変換して画素回路に供給して表示を行う表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス(Electroluminescence:以下EL)素子を各画素に発光素子として用いたEL表示装置は、自発光型であると共に、薄く消費電力が小さい等の有利な点があり、液晶表示装置(LCD)やCRTなどの表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【0003】
特に、EL素子を個別に制御する薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチ素子を各画素に設け、画素毎にEL素子を制御するアクティブマトリクス型EL表示装置では、高精細な表示が可能である。
【0004】
このアクティブマトリクス型EL表示装置では、通常基板上に複数本のゲートラインが行方向に延び、複数本のデータライン及び電源ラインが列方向に延びており、各画素は有機EL素子と、選択TFT、駆動用TFT及び保持容量を備えている。ゲートラインを選択することで選択TFTをオンし、データライン上のデータ電圧(電圧ビデオ信号)を保持容量に充電し、この電圧で駆動TFTをオンして電源ラインからの電力を有機EL素子に流している。
【0005】
また、下記の特許文献1には、各画素において、制御用のトランジスタとしてpチャンネルの2つのTFTを追加し、データラインに表示データに応じたデータ電流(電流ビデオ信号)を流す回路が示されている。
すなわち、この特許文献1の回路では、電流ビデオ信号をデータラインに流し、この電流ビデオ信号を電流電圧変換用TFTに流して駆動TFTのゲート電圧を設定する。
この特許文献1に記載の回路によれば、データラインに流れるデータ電流に応じて、駆動TFTのゲート電圧を設定することができる。このため、データラインに電圧信号を供給するものと比較して、正確なEL素子の駆動電流制御が行える。また、電流電圧変換用のTFTを共用することで、素子数を比較的少なくすることができる。
しかし、上記特許文献1では、各画素回路を駆動するために、データラインにデータ電流を供給する必要がある。ところが、通常のビデオ信号は電圧信号である。このために、例えば、電圧信号を電流信号に変換する電圧電流変換回路などが必要になり、電圧電流変換回路を内蔵するIC(半導体集積回路)を別個に設け、このICから電流信号を表示装置に供給することになる。
【0006】
【特許文献1】
特表2001−147659号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、電圧電流変換回路を内蔵するICを別個に設けると、そのために別途ICを用意する必要があり、その開発や、製作に費用がかかり、表示装置が高価になってしまうという問題があった。
【0008】
一方、電圧電流変換回路を表示装置に内蔵することも考えられ、従来のアクティブマトリクス型EL表示装置の画素で使用されている電圧電流変換回路を用いることができるが、そのままではTFTのバラツキに起因するムラが問題となる。
【0009】
本発明は、電流駆動型画素回路を効果的に駆動することができる電圧電流変換回路を有する表示装置に関する。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電圧ビデオ信号を電流ビデオ信号に変換する電圧電流変換回路と、この電圧電流変換回路の出力である電流信号を受け入れ表示を行う電流駆動型画素回路と、を有する表示装置であって、前記電圧電流変換回路は、電圧ビデオ信号をゲートに入力され、対応するドレイン電流を出力する出力トランジスタと、この出力トランジスタのしきい値電圧のをバラツキを補償するための補償回路を含むことを特徴とする。
【0011】
このように、補償回路を設けることによって、電流変換回路のしきい値電圧が所定のものでなくても出力する電流信号が不正確になることを防止することができる。
【0012】
また、前記補償回路は、前記出力トランジスタのドレイン・ゲート間を短絡する短絡トランジスタと、前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され、他端に供給される電圧ビデオ信号に応じて、出力トランジスタのゲート電圧をシフトさせる入力コンデンサと、前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され他端が所定の電源に接続され、出力トランジスタのゲート電圧を保持する保持用コンデンサと、を含み、短絡トランジスタをオンした状態で、出力トランジスタに電流を流すことによって、そのゲートにしきい値電圧をセットし、その後入力コンデンサを介し電圧ビデオ信号を出力トランジスタのゲートに印加することで、出力トランジスタのしきい値電圧に電圧ビデオ信号を加算した電圧を出力トランジスタのゲートにセットしてこの電圧により出力トランジスタを駆動することが好適である。
【0013】
これによって、しきい値電圧によらず、所定の電圧電流変換が行える。
【0014】
前記補償回路は、前記出力トランジスタのゲートに入力されてくるデータ電圧を一端に受けて保持する保持容量と、この保持容量の他端に接続され、所定の電圧またはパルス状信号が入力される第1制御信号線と、前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され、他端は所定の電圧またはパルス状信号が入力される第2制御信号線に接続されるMOS型容量素子と、を有し、第1または第2制御信号線の電圧変動によって前記MOS型容量素子のオンオフ状態を変化させてMOS型容量素子の容量を変化させることによって発生する補正電圧を用いて出力トランジスタを駆動することが好適である。
【0015】
この構成によっても、しきい値電圧によらず、所定の電圧電流変換が行える。
【0016】
また、前記画素回路は、マトリクス配置されており、前記出力トランジスタ及び補償回路は、マトリクス配置された画素回路の各列に対応して設けられ、かつこれら回路は1つの基板上に集積されていることが好適である。
【0017】
これによって、各列の電流信号におけるバラツキを防止することができる。また、表示装置は、外部から通常の電圧信号のビデオ信号を受け入れるだけでよく、通常のビデオ信号を利用して、電流駆動型画素回路による表示が行える。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【0019】
図1は、一実施形態の全体構成を示す図であり、電流駆動型の画素回路50がマトリクス状に配置され、表示領域を構成している。この画素回路50は、後述するように有機EL素子およびその駆動を制御するTFTを含んでおり、ガラス基板上に堆積形成されている。
【0020】
そして、基板の周辺部分には、電流駆動型の画素回路50を駆動するための水平スキャナ60および垂直スキャナ(図示せず)が配置されている。これらスキャナは、基本的に画素回路のTFTなどと同一のプロセスにより同一基板上に形成される。
【0021】
画素回路50の列方向(垂直方向)に沿ってデータラインDLが配置されており、各データラインは、電圧電流変換回路62を介し、ビデオ信号ラインVLに接続されている。そして、この電圧電流変換回路62には、水平スキャナ60からの制御信号が供給されるようになっている。また、画素回路50の行方向(水平方向)に沿ってゲートラインGLが配置されており、このゲートラインGLは垂直スキャナに接続されている。そして、データラインDLおよびゲートラインGLが各画素回路50に接続されている。なお、画素回路50は電流駆動型であり、後述するようにゲートラインGLは、Write、Eraseの2つの別々のラインからなっている。
【0022】
ビデオ信号ラインVLには、通常のビデオ信号、すなわち画素毎の輝度情報が時系列で送られてくるものであって、輝度に応じて電圧値が変わるものが供給されてくる。なお、ビデオ信号は、通常RGBの3色別の信号であり、これがRGB別に対応する画素回路50に別々に供給される。例えば、データラインDLの1つずつをRGBのいずれかに割り当てておき、データラインDLに接続される画素を対応するデータラインDLに供給される色で発光する画素回路とすればよい。
【0023】
このような回路において、ビデオ信号ラインVLにビデオ信号が送られてくるとそのビデオ信号に対応する水平ラインのゲートラインGLが選択され、対応する画素回路50がデータ書き込み可能になる。この状態で、水平スキャナ60は、供給されてくるビデオ信号に対応するデータラインDLに接続されている電圧電流変換回路62に制御信号を送り、この電圧電流変換回路62により、電圧信号であるビデオ信号を電流信号に変換して、データラインDLに順次供給する。すなわち、水平スキャナ60は、ビデオ信号の画素毎の輝度データに対応するドットクロックに基づいていずれかの電圧電流変換回路62に制御信号を送り、そのとき供給されてくる電圧ビデオ信号を電流データ信号に変換して、データラインDLに供給する。そこで、そのデータラインDLに接続されている画素回路50であって、ゲートラインGLによって選択されている画素回路50に電流データ信号によるデータの書き込みが行われ、これに応じてその画素回路50の有機EL素子が発光する。なお、電圧電流変換回路62は、ほぼ1水平期間電流データ信号を出力し、これによってデータが書き込まれた画素回路はほぼ1フレームの期間発光する。
【0024】
このように、各データラインDLに対応して電圧電流変換回路62が設けられているため、表示装置に供給するビデオ信号は通常の電圧ビデオ信号でよく、このビデオ信号が電流データ信号に変換され、電流駆動型の画素回路50を駆動することができる。
【0025】
図2には、電圧電流変換回路62の一構成例が示してある。nチャンネルTFT70のソースは、電源Vssに接続されており、ドレインは、nチャンネルTFT72のソースに接続されている。そして、このTFT72のドレインがデータラインDLに接続されている。
【0026】
また、TFT70のソース・ゲート間は、コンデンサ74により接続されており、またドレイン・ゲート間は他のnチャンネルTFT76により接続されている。
【0027】
さらに、TFT70のゲートは、コンデンサ78、nチャンネルTFT80を介し、電圧ビデオ信号を供給するビデオ信号ラインVLに接続されている。
【0028】
また、コンデンサ78の接続点は、nチャンネルTFT82を介し基準電圧の電源(ビデオ信号の0の電圧またはそれ以上の所定の電圧)に接続されている。
【0029】
そして、TFT72のゲートには信号φ1、TFT76、82のゲートには信号φ2、TFT80のゲートには、水平スキャナ60からの選択信号が供給されている。
【0030】
このような電流変換回路62の動作について、図3に基づいて説明する。まず、1水平期間(1H)の初期において、φ2がHとなり、TFT82がオンする。これによって、基準電圧がコンデンサ78の一端に供給される。
【0031】
また、φ2のHにより、TFT76がオンされ、TFT70のドレインゲート間が短絡される。従って、TFT70はダイオードとして機能し、ゲート・ソース間電圧がTFT70のしきい値電圧にセットされる。これによって、コンデンサ78に基準電圧と、しきい値電圧の差が保持される。
【0032】
次に、φ2がLとなり、TFT76、82がオフされ、その状態で、水平スキャナ60は、ビデオ信号ラインのビデオ信号(表示信号)のタイミングに同期して、各列の電圧電流変換回路62に順にHの制御信号を供給する。これによって、コンデンサ78の一端には、表示信号電圧が加算され、これに応じてTFT70のゲート電圧が上昇する。この例では、n段目の画素回路を示しており、従ってn段目のスキャナからの信号によって、そのときの表示電圧が各段のコンデンサ78に順次供給される。これによって、TFT70のゲート電圧Vnに表示電圧が加算される。なお、この際コンデンサ74の充電量が変化するため、TFT70のゲート電圧Vnの変化は表示電圧そのものにはならないが、コンデンサ74、78の容量値の設定により、その変化を小さくすることができ、またゲート電圧の変化はTFT70によって増幅されるので問題はない。
【0033】
そして、この表示電圧(データ電圧)の1ライン分の書き込みが終了した場合には、φ1が所定期間Hになり、TFT72がオンになり、ゲート電圧Vnに応じた電流がTFT70、データラインDLに流れる。
【0034】
このように、本実施形態の電圧電流変換回路62によれば、1Hの最初において、TFT70のゲートにそのしきい値電圧をセットする。そして、セットされたしきい値電圧に、表示電圧を加算してTFT70を駆動する。従って、各段(列)のTFT70のしきい値電圧にバラツキがあっても、そのバラツキはデータラインDLに供給される電流量に影響しないことになる。
【0035】
なお、基準電圧をビデオ信号ラインVLにセットしておき、TFT80をオンすることで、コンデンサ78の一端に基準電圧をセットすれば、TFT82を省略することができる。また、TFT76をオンする際に、定電流源や定電圧源などからTFT70に対して初期電流を流すように構成することで、TFT70のゲート電圧の設定をより確実にできる。さらに、上述の例では、nチャンネルTFTを利用したが、信号の極性を変更することなどにより、すべてpチャンネルTFTを用いて構成することも容易である。
【0036】
図4は、電圧電流変換回路62の他の構成例を示す図である。ビデオ信号ラインVLには、nチャンネルのTFT20のドレインが接続されている。このTFT20のゲートはn段目のスキャナからの制御信号が供給され、ソースはnチャンネルの出力TFT22のゲートに接続されている。さらに、TFT20のソースが接続されている出力TFT22のゲートには、コンデンサ24の一端が接続され、このコンデンサ24の他端はパルス駆動ラインφ3に接続されている。
【0037】
出力TFT22のソースは、垂直方向に伸びるEL電源ラインに接続され、ドレインはデータラインDLに接続されている。
【0038】
そして、出力TFT22のゲートには、ゲート端が所定電位のリファレンス電源ラインの電圧に設定されたnチャンネルのMOS型容量素子28の一端が接続されている。ここで、このMOS型容量素子28は、通常のTFTと同様に、ソース、チャンネルおよびドレイン領域を有しているが、ソースまたはドレインの一方の電極と、ゲート電極を所定の部位に接続し、単にゲート容量として利用するものである。
【0039】
また、MOS型容量素子28は、チャネル領域と1つの不純物領域電極とを有し、その不純物領域に対応した電極とゲート電極とを所定の部位に接続したものでもよい。また、MOS型容量素子28としては、MOSトランジスタ、MISトランジスタや、TFTタイプなどがある。
【0040】
このような電圧電流変換回路62は、ビデオ信号ラインVLに送られてくる1ライン分のビデオ信号の中から対応する画素の表示信号が送られてきた段階でスキャナ60からの選択信号がHとなり、TFT20がオン状態になる。このため、そのときのビデオ信号の表示電圧はコンデンサ24に供給保持され、選択信号がLとなり、TFT20がオフになっても出力TFT22のゲート電圧が保持される。
【0041】
そして、このコンデンサ24に保持された電圧に応じて、出力TFT22が動作して対応するデータ電流がEL電源がデータラインDLに流れる。
【0042】
そして、各列の電圧電流変換回路62が順次ビデオ信号を取り込み、1ライン分のデータ電流の出力が行われ、これが順次繰り返される。
【0043】
ここで、出力TFT22は、電源Vssとゲート電圧の差、すなわちVgsがそのTFTの特性で定まるしきい値電圧Vthより大きくなったときに電流を流し始め、電流量は、ゲート電圧と、しきい値電圧の差によって決定される。
【0044】
本実施形態では、出力TFT22のゲートにMOS型容量素子28を接続し、またコンデンサ24の他端をパルス駆動ラインφ3に接続し、これによって各電圧電流変換回路62における出力TFT22のしきい値電圧のバラツキを補償する。
【0045】
まず、パルス駆動ラインφ3は、TFT20がオンしデータ電圧が書き込まれているときにはLレベルにあり、リファレンス電源ラインφ4はHレベルにある。そして、データ電圧の書き込み(コンデンサ24への充電)が終了して、TFT20がオフ状態となった後、パルス駆動ラインφ3をHレベルとする。これによって、出力TFT22のゲート電圧として、しきい値電圧分が加算された信号電圧が発生する。あるいはφ3をHレベルにすると同時に、リファレンス電圧φ4をLレベルに変化させることで、出力TFT22が適切な電流出力を出すように調整することができる。
【0046】
一方、MOS型容量素子28は、出力TFT22に隣接して形成されており、出力TFT22と同一の工程で作成される。従って、出力TFT22と、MOS型容量素子28は、不純物濃度などもほぼ同一であり、しきい値電圧も同一のものになる。そして、MOS型容量素子28のゲートが接続されるリファレンス電圧φ4は、上述のパルス駆動ラインの電圧がLからHに変化したときに、MOS型容量素子28のチャネル領域がオン状態からオフ状態に変化するように設定されている。データ電圧の書き込みが終了した後に、MOS型容量素子28のチャネル領域をオン状態からオフ状態に変化させるために、パルス駆動電圧φ3を定電圧としてリファレンス電圧φ4をHからLに同時に変化させてもよいし、またパルス駆動電圧φ3をLからH、リファレンス電圧φ4をHからLに同時に変化させてもよい。その際はパルス幅、素子サイズを調整することで同様の効果が得られる。
【0047】
図5には、φ3をパルス入力、φ4を定電位として例を示す。φ4の電圧を、ビデオ信号として入力される電圧よりも高い電圧とし、φ3がlレベルの際に、水平スキャナ60により、各列の電圧電流変換回路62に順次Hとなる制御信号が送られ、そのときにビデオ信号ラインVLの表示電圧が出力TFT22のゲートに充電される。このときの出力TFT22のゲート電圧は、TFT22がオンするまでの電圧に至らないように設定してある。
【0048】
そして、φ3をLレベルからHレベルに変化させることで、TFT22のゲート電圧が上昇する。このとき、MOS型容量素子28のオンオフ状態が変化し、これによってTFT22のしきい値電圧のバラツキを補償するすることができる。
【0049】
図6に示すように、パルス駆動ラインのパルス駆動電圧は、LレベルからHレベルに変化する。これによって出力TFT22のゲート電圧がパルス駆動電圧に応じて上昇する。そして、このゲート電圧がMOS型容量素子28のしきい値電圧まで上昇したときにMOS型容量素子28がオン状態からオフ状態に変化する。これによって、MOS型容量素子28は、その容量が小さくなる。これによって、コンデンサ24を介して入力されるパルス駆動電圧の変化の影響が大きくなり、ゲート電圧の上昇の傾きが大きくなる。すなわち、パルス駆動電圧の変化に応じてゲート電位が変化するが、MOS型容量素子28の容量値がオン状態の時は大きく、オフ状態の時に小さくなり、容量が大きい状態から小さい状態に切り替わる際にゲート電位の変化の傾きが大きくなる。
【0050】
従って、MOS型容量素子28のオン状態からオフ状態に切り替わる切り替わり電圧が図6における「切り替わり電圧A」であった場合には、ゲート電圧は図において実線で示したように変化し、切り替わり電圧Aに至るまで第1の傾きで変化し、その後第2の傾きで変化して、パルス駆動電圧がHレベルになったときには、補正電圧Aにゲート電圧が設定される。ここで、MOS型容量素子28のオンオフする切り替わり電圧は、リファレンス電圧との差で決定されるため、切り替わり電圧A,Bは、リファレンス電圧にMOS型容量素子28のしきい値電圧Vthの絶対値を減算した電圧(リファレンス電圧−|Vth|)である。
【0051】
一方、MOS型容量素子28のしきい値電圧が「切り替わり電圧A」より高い「切り替わり電圧B」であった場合には、ゲート電圧は図において破線で示したように変化し、切り替わり電圧Bに至るまで第1の傾きで変化し、その後第2の傾きで変化して、パルス駆動電圧がHレベルになったときには、補正電圧Bにゲート電圧が設定される。すなわち、同一のデータ電圧が供給されても、パルス駆動によって設定されるゲート電圧は、しきい値電圧の絶対値が小さいほど低く設定されることになる。
【0052】
上述のように、出力TFT22のしきい値電圧は、MOS型容量素子28のしきい値電圧と同じである。従って、出力TFT22のしきい値電圧が「しきい値電圧1」であれば、ゲート電圧はしきい値電圧1補正電圧、「しきい値電圧2」であれば、ゲート電圧はしきい値電圧2補正電圧に設定され、この例では、しきい値電圧とゲート電圧の差は、ほぼ同一になっている。すなわち、MOS型容量素子28のサイズ、リファレンス電圧値、出力TFT22のサイズ、コンデンサ24の容量値などの設定によって、データ電圧が一定であれば、出力TFT22のしきい値電圧が異なっても、しきい値電圧とゲート電圧の差を一定にすることが可能であり、しきい値電圧のバラツキの影響を排除することができる。
【0053】
ここで、このような補償を行うためには、第1の傾きに比べ第2の傾きが2倍になるように、条件を設定する。これについて図7に基づいて説明する。上図に示すように、MOS型容量素子28がオン状態であるとした場合は、その容量値がオフ時に比べ大きいため、ゲート電圧の変化はパルス駆動電圧の変化による影響が抑制されて、傾きが小さくなる。一方、MOS容量素子28がオフ状態である場合は容量値が小さく、パルス駆動電圧の変化による影響が大きいため傾きが大きい。その傾きが2倍となるような条件に設定しているため、パルス駆動電圧がHレベルになったときのゲート電圧の上昇分は、MOS型容量素子28がオフ状態の時がオン状態のときの2倍になる。
【0054】
そして、実際には、図7に示すように、出力TFTの切り替わり電圧がAであった場合に、切り替わり電圧Aまでは、第1の傾きでゲート電圧が上昇し、その後2倍の大きさの第2の傾きでゲート電圧が上昇する。切り替わり電圧がBであった場合には、切り替わり電圧Bまでゲート電圧が第1の傾きで上昇するため、このゲート電圧が切り替わり電圧Bになった場合におけるゲート電圧の差であるαが補正電圧AとBの差になる。そして、第1の傾きに比べ第2の傾きが2倍であることで、αは、切り替わり電圧A,Bの差に等しくなる。従って、切り替わり電圧の差と、補正電圧の差が同一となり、切り替わり電圧(すなわち、しきい値電圧)の変動の影響を補償することができる。
【0055】
また、図に示すように、データ電圧の書き込み電圧であるサンプリング電圧が変化した場合でも、切り替わり電圧差と、補正電圧差が等しくなることには変わりはなく、常にしきい値電圧の変動を補償することができる。そのとき、サンプリング電圧自体の電位差は補償動作後には2倍に増幅される。
【0056】
このように、本実施形態によれば、パルス駆動ラインの電圧変動により、出力TFT22がオフからオンになると共に、MOS型容量素子のオンオフ状態が切り替わり、その容量値が変化する。そして、MOS型容量素子のしきい値変化に応じて駆動トランジスタのゲート電圧がどの電圧でMOS型容量素子のオンオフが切り替わるかが変化する。すなわち、パルス駆動ラインの変化に応じた駆動トランジスタのゲート電圧の変化は、MOS型容量素子の容量値によるため、MOS型容量素子のしきい値変動に応じて、ゲート電圧が変動することになる。そこで、駆動トランジスタのしきい値変動を相殺するように駆動トランジスタのゲート電圧が変化するように、MOS型容量素子やコンデンサなどを設計することで、駆動トランジスタのしきい値変動のデータ電流への影響を減少させることができる。
【0057】
なお、この実施形態においても、各TFTをpチャンネルとすることもできる。
【0058】
ここで、電駆動型の画素回路50の一構成例について、図8に基づいて説明する。このように、ゲートラインWriteにゲートが接続されたpチャンネルTFT(選択TFT)3の一端が電流源CS(電圧電流変換回路62に対応する)からのデータ電流Iwを流すデータラインDataに接続され、他端はpチャンネルTFT1およびpチャンネルTFT(駆動TFT)4の一端に接続されている。TFT1は、他端が電源ラインPVDDに接続され、ゲートが有機EL素子OLED駆動用のpチャンネルTFT2のゲートに接続されている。また、TFT4は、他端がTFT1およびTFT2のゲートに接続されており、このTFT1およびTFT2のゲートは、補助容量Cを介し、電源ラインPVDDに接続されている。そして、TFT4のゲートは、ゲートラインEraseに接続されている。
【0059】
この構成では、WriteをLとしてTFT3をオンするとともに、EraseをLとしてTFT4をオンする。そして、データラインDataにデータ電流Iwを流す。これによって、TFT1はそのゲートソース間が短絡され、電流IwがTFT1、TFT3に流れる。そこで、この電流Iwが電圧に変換され、その電圧がTFT1、2のゲートに設定される。そして、TFT3、4がオフされた後は、TFT2のゲート電圧は補助容量Cによって保持されるため、その後も電流Iwに対応した電流がTFT2に流れ、この電流により有機EL(OLED)が発光する。そして、EraseをLとすることで、TFT4がオンして、TFT1のゲート電圧が上昇し、補助容量Cが放電されてデータがイレーズされ、TFT1、TFT2がオフする。
【0060】
この回路によれば、TFT1に電流が流れることで、このTFT1とカレントミラーを構成するTFT2にも対応する電流が流れる。そして、この状態でTFT1、2のゲート電圧が決定され、その電圧が補助容量Cに保持され、その電圧に応じてTFT2の電流量が決定される。
【0061】
なお、電流駆動型の画素回路については、図8のものの他にいろいろな形式のものが提案されており、そのいずれも採用可能である。
【0062】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、補償回路を設けることによって、電流変換回路のしきい値電圧が所定のものでなくても出力する電流信号が不正確になることを防止することができる。また、表示装置は、外部から通常の電圧信号のビデオ信号を受け入れるだけでよく、通常のビデオ信号を利用して、電流駆動型画素回路による表示が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係る表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図2】電圧電流変換回路の一構成例を示す図である。
【図3】電圧電流変換回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図4】電圧電流変換回路の他の構成例を示す図である。
【図5】他の構成例の電圧電流変換回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図6】他の構成例の電圧電流変換回路の動作を説明する図である。
【図7】他の構成例の電圧電流変換回路の動作を説明する図である。
【図8】画素回路の構成例を示す図である。
【符号の説明】
20,22,70,76,80,82 TFT、28 MOS型容量素子、46 ビデオデータ処理回路、50 スキャナ、50 画素回路、60 水平スキャナ、62 電圧電流変換回路、24,74,78 コンデンサ。
Claims (4)
- 電圧ビデオ信号を電流ビデオ信号に変換する電圧電流変換回路と、この電圧電流変換回路の出力である電流信号を受け入れ表示を行う電流駆動型画素回路と、を有する表示装置であって、
前記電圧電流変換回路は、電圧ビデオ信号をゲートに入力され、対応するドレイン電流を出力する出力トランジスタと、この出力トランジスタのしきい値電圧のバラツキを補償するための補償回路を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記補償回路は、
前記出力トランジスタのドレイン・ゲート間を短絡する短絡トランジスタと、
前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され、他端に供給される電圧ビデオ信号に応じて、出力トランジスタのゲート電圧をシフトさせる入力コンデンサと、
前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され他端が所定の電源に接続され、出力トランジスタのゲート電圧を保持する保持用コンデンサと、
を含み、
短絡トランジスタをオンした状態で、出力トランジスタに電流を流すことによって、そのゲートにしきい値電圧をセットし、
その後前記入力コンデンサを介し電圧ビデオ信号を出力トランジスタのゲートに印加することで、出力トランジスタのしきい値電圧に電圧ビデオ信号を加算した電圧を出力トランジスタのゲートにセットしてこの電圧により出力トランジスタを駆動することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記補償回路は、
前記出力トランジスタのゲートに入力されてくるデータ電圧を一端に受けて保持する保持容量と、
この保持容量の他端に接続され、所定の電圧またはパルス状信号が入力される第1制御信号線と、
前記出力トランジスタのゲートに一端が接続され、他端は所定の電圧またはパルス状信号が入力される第2制御信号線に接続されるMOS型容量素子と、
を有し、
第1または第2制御信号線の電圧変動によって前記MOS型容量素子のオンオフ状態を変化させてMOS型容量素子の容量を変化させることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜3に記載の表示装置において、
前記画素回路は、マトリクス配置されており、前記出力トランジスタ及び補償回路は、マトリクス配置された画素回路の各列に対応して設けられ、かつこれら回路は1つの基板上に集積されていることを特徴とする表示装置。
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