JP2004535680A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 高周波用途のためのパワートランジスタ素子であって、
   ａ）第１の個別半導体チップ内のパワートランジスタと、
   ｂ）第２の個別半導体チップ内のコンデンサと、
   ｃ）前記コンデンサと共に前記第２の個別半導体チップ内に組み立てられる電圧制限素子と、
   ｄ）前記パワートランジスタ、コンデンサ、及び電圧制限素子を収容して密封するためのパッケージと、
   ｅ）前記コンデンサ及び電圧制限素子を前記パワートランジスタに接続する電気コネクタと、
   を含むことを特徴とする素子。
2. 前記電圧制限素子は、トランジスタを含むことを特徴とする請求項１に記載のパワートランジスタ素子。
3. 前記電圧制限素子は、ダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載のパワートランジスタ素子。
4. 前記電気コネクタは、ワイヤボンディングを含むことを特徴とする請求項１に記載のパワートランジスタ素子。
5. 前記コンデンサは、「ＭＯＳＣＡＰ」又は他のコンデンサ構造体であることを特徴とする請求項１に記載のパワートランジスタ素子。
6. 前記電圧制限素子は、ダイオードを含むことを特徴とする請求項５に記載のパワートランジスタ素子。
7. 前記電気コネクタは、ワイヤボンディングを含むことを特徴とする請求項６に記載のパワートランジスタ素子。
8. 第１の個別半導体チップ内に組み立てられたパワートランジスタと共に使用するためのコンデンサ構造体であって、
   第２の個別半導体チップと、
   前記第２の個別半導体チップ内に組み立てられたコンデンサ素子と、
   前記第２の個別半導体チップ内に組み立てられて、コンデンサ構造体と並列に接続可能な電圧制限素子と、
   を含むことを特徴とするコンデンサ構造体。
9. 前記電圧制限素子は、ダイオードを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構造体。
10. 前記電圧制限素子は、トランジスタを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構造体。
11. 前記コンデンサと前記電圧制限素子とを電気的に接続するためのワイヤボンディングを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構造体。
12. 「ＭＯＳＣＡＰ」又は他のコンデンサ構造体を含むことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構造体。