JP2004532494A - 分子メモリシステムおよび方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分子記録層上に配置される保護層を含む分子メモリシステムが記載される。
【解決手段】保護層によって、走査プローブが直に電気的に接触することにより分子メモリ要素に対して情報を書き込み、かつ分子メモリ要素から情報を読み出すことができるようにしながら、走査プローブあるいは分子記録媒体のいずれにも損傷を与える恐れが概ねないようにすることができる。このようにして、本発明は、プローブ電極または記録媒体、あるいはその両方に損傷を与える恐れがある高い放出電流を避け、非接触プローブ電極を有する分子メモリシステムに多くの場合に関連する他の問題点を避ける。
【選択図】図１

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は分子メモリシステムおよび方法に関する。
【０００２】
関連特許出願への相互参照
本特許出願は、１９９９年３月２９日に出願のJames R. Heath他による「Chemically Synthesized and Assembled Electronic Devices」というタイトルの米国特許出願第０９／２８２，０４８号、および２００１年３月２１日に出願のYong Chen他による「Fabricating A Molecular Memory Device Having A Protective Barrier Layer」というタイトルの米国特許出願に関連し、いずれの特許出願も参照して本明細書に援用される。
【背景技術】
【０００３】
種々の異なる分子電子論理回路およびメモリ素子が提案されている。
【０００４】
たとえば、１つの分子電子素子構造では、分子層（たとえば、ラングミュア−ブロジェット膜）が一対の導電層（たとえば、一対の金属層、金属層およびドープ半導体層、あるいは一対のドープ半導体層）間に狭持される。分子層は薄い絶縁性の膜として役割を果たし、その膜は、トンネル接合素子あるいはスイッチング素子として構成される場合がある金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）構造において、あるいは論理およびメモリ素子として構成される場合がある金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）構造において用いることができる。
【０００５】
米国特許第６，１２８，２１４号は、ナノスケール素子の２次元のアレイから形成される分子電極・クロスバー・メモリ（ＭＷＣＭ）システムとして構成される別の分子メモリ素子構造を記載する。各ＭＷＣＭ素子は、一対の交差する電極の交点（接合部）に形成され、その場所において、少なくとも１つの分子結合種が一対の交差する電極間で双安定分子スイッチとしての役割を果たす。結果として形成される素子構造は、抵抗、ダイオードあるいは非対称非線形の抵抗として構成されることができる。各ＭＷＣＭ素子の状態は、比較的高い状態変化用の電圧を印加することにより変更することができ、状態変化を引き起こさない（あるいは破壊することのない）電圧で読み取られることができる。
【０００６】
米国特許第５，８１２，５１６号は分子メモリシステムを記載しており、そのシステムでは、走査型トンネル顕微鏡プローブ電極（あるいは原子間力顕微鏡プローブ電極）が分子記録層上を直に走査し、分子記録媒体の局部的なエリアに情報を書き込むための電気信号、あるいは局部的なエリアから情報を読み出すための電気信号を放出するために用いられる。動作時に、プローブ電極と記録媒体との間の距離は、プローブ電極と記録媒体との間に作用する原子間力によって引き起こされる、プローブ電極の検出される変位に基づいて、一定（たとえば、約１ｎｍ）に保持される。このようにして、プローブ電極と記録媒体とが接触していたなら生じる恐れがある損傷を避けることができる。
【０００７】
さらに別の分子メモリシステムおよび素子も提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
操作プローブあるいは分子記録媒体のいずれにも損傷を与える恐れが概ねないようにする分子メモリシステムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、走査プローブが直に電気的に接触することにより分子メモリ要素に対して情報を書き込み、かつ分子メモリ要素から読み出すことができるようにするために、分子記録層上に配置される保護層を含み、走査プローブあるいは分子記録媒体のいずれにも損傷を与える恐れが概ねないようにする新規の分子メモリシステムを特徴とする。このようにして、本発明は、プローブ電極または記録媒体、あるいはその両方に損傷を与える恐れがある高い放出電流を避け、非接触プローブ電極を有する分子メモリシステムに多くの場合に関連する他の問題点を避ける。
【００１０】
一態様では、本発明は、第１の電極構造と、第２の電極構造と、第１の電極構造と第２の電極構造との間に配置される分子記録層を有する記録媒体とを含む分子メモリシステムを特徴とする。第２の電極構造は、プローブ先端部と接触するために露出された概ね平坦な保護表面を有し、絶縁性材料によって分離され、離隔して配置される電極のアレイを含む。
【００１１】
本発明のこの態様による実施形態は、以下の機構のうちの１つあるいは複数の機構を含むことができる。
【００１２】
分子記録層はスイッチ切替え可能な分子種（たとえば、ロタクサン分子種）を含むことが好ましい。分子記録層は、異なる電流−電圧特性を有する第１のメモリ状態および第２のメモリ状態を選択的に保持するメモリ特性を有することが好ましく、状態変化用の電圧を記録層に印加する際に第１のメモリ状態と第２のメモリ状態との間の移り変わりを示すことが好ましい。第１の電極構造は、基板上に配置される金属層を含むことが好ましい。第２の電極構造は、金属酸化物によって分離され、離隔して配置される金属電極（たとえば、アルミニウム酸化物によって分離されるアルミニウム電極）のアレイを含むことが好ましい。
【００１３】
いくつかの実施形態では、分子メモリシステムは、第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面と接触するように構成されるプローブ先端部を含む。プローブ先端部はカーボンナノチューブを含むことが好ましい。走査アセンブリがプローブ先端部のアレイを含み、各プローブ先端部が第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面と接触するように構成されることができる。アクチュエータがプローブ先端部のアレイに結合され、プローブ先端部の位置を調整し、各プローブ先端部と第２の電極構造の露出された概ね平坦な表面との間の接触を保持するように構成されることができる。走査アセンブリは、第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面にわたってプローブ先端部アレイを走査するように構成されることが好ましい。読出し／書込みコントローラが、走査アセンブリプローブ先端部内の電圧信号、および第１の電極構造と第２の電極構造の電極との間の電圧信号の印加を制御するように構成されることが好ましい。読出し／書込みコントローラは、分子記録層の局部的なメモリ状態を判定するためのセンシング電圧の印加を制御し、かつ分子記録層の局部的なメモリ状態を変更するための状態変化用の電圧の印加を制御するように構成されることが好ましい。
【００１４】
いくつかの実施形態では、第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面上に潤滑剤が配置される。
【００１５】
別の態様では、本発明は、上記の分子メモリシステムを形成する方法を特徴とする。
【００１６】
本発明の別の態様では、プローブアレイは、上記の分子メモリシステムの第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面に対して接触し、接触しているプローブ先端部アレイが、第２の電極構造の露出された概ね平坦な保護表面にわたって走査される。
【００１７】
本発明の他の特徴および利点は、図面および特許請求の範囲を含む、以下に記載される説明から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に記載される説明では、類似の要素を特定するために類似の参照番号が用いられる。さらに、図面は例示的な実施形態の主な機構を概略的に例示することを意図している。その図面は、実際の実施形態の全ての機構を示すことや、図示される要素の相対的な寸法を示すことを意図するわけではなく、縮尺どおりにも描かれていない。
【００１９】
図１を参照すると、一実施形態では、分子メモリ素子（あるいは分子メモリ構成要素）１０は、２つの導電性の電極１２、１４と、電極１２、１４間に狭持される切替え可能な分子あるいは分子化合物の層１６とを含む。電極１２、１４の接合部に配置される特定の分子（複数可）１８はスイッチ分子として機能し、分子メモリ素子１０のアクティブな部分に対応する。動作時に、分子メモリ素子１０の状態は、電極１２、１４間に相対的に高い状態変化用の電圧を印加することにより変更されることができる。状態変化用電圧の大きさは、スイッチ分子１８を酸化あるいは還元するだけの十分な大きさである。スイッチ分子１８は、電荷のバランスをとり、分子種の一方が酸化（あるいは還元）される際に、他方の分子種が還元（あるいは酸化）されるように協動する一対のレドックス分子種を含むことができる。動作時に、一例では、一方の分子種が還元され、関連する分子種（レドックス対の他方）が酸化されることができる。別の例では、一方の分子種が還元され、電極１２、１４のうちの一方が酸化されることができる。第３の例では、一方の分子種が酸化され、電極１２、１４のうちの一方が還元されることができる。第４の例では、一方の電極が酸化され、他方の電極に関連する酸化物が還元されることができる。これらの各例では、酸化あるいは還元が、２つの電極間のトンネル効果距離あるいはトンネル効果障壁高に影響を及ぼし、それにより、電極接合部を越える電荷輸送の速度を指数関数的に変更する。この電子的な機能は、分子メモリ素子１０を電気的スイッチとして動作させるための基礎として役割を果たす。
【００２０】
電極１２、１４はそれぞれ、導電性の金属あるいはドープ半導体材料から形成されることができる。電極１２、１４は、物理的薄膜堆積プロセス（たとえば、マグネトロンスパッタリングまたは電子ビーム堆積）あるいは化学的薄膜堆積プロセス（たとえば、化学気相成長）を含む、従来の薄膜堆積プロセスによって基板２０上に堆積されることができる。
【００２１】
分子層１６は、種々の異なる切替え可能な分子種（たとえば、参照して本明細書に援用される、１９９９年３月２９日に出願の米国特許出願第０９／２８２，０４８号に記載されるロタクサン分子のうちの１つあるいは複数の分子）から形成されることができる。他の分子種（たとえば、参照して本明細書に援用される、米国特許第５，８１２，５１６号に記載される分子記録媒体化合物）を用いることもできる。いくつかの実施形態では、選択された分子種が溶媒（たとえば、テトラヒドロフラン）内に溶解され、ラングミュア単層として調製され、下側電極１２上に、ラングミュア−ブロジェット単分子単層膜１６として移送されることができる。他の実施形態では、適当な分子種が基板２０上に直に堆積されることができる。
【００２２】
上側電極１４は絶縁性材料３６によって包囲され、その絶縁性材料は、金属あるいは半導体酸化物を含む、任意の適当な絶縁性材料から形成されることができる。いくつかの実施形態では、上側電極１４は、上側層の領域を１つの導電タイプから別の導電タイプに変換することにより形成されることができる。たとえば、一実施形態では、上側層は電気導体（たとえば、アルミニウムあるいはチタン）から形成され、絶縁性領域３６は、従来の酸化プロセスによって絶縁体に変換される。別の実施形態では、上側層は絶縁体（たとえば、電気的アンチヒューズ構造）から形成され、その場合に、上側電極１４に対応する領域が電気導体に変換される。
【００２３】
基板２０は絶縁性材料、たとえば、半導体基板上に形成される酸化物層（たとえば、シリコン基板上に形成される二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）層）あるいはサファイアから形成されることができる。
【００２４】
分子層１６のために選択される分子あるいは材料に応じて、分子メモリ素子１０は、電極１２と上側電極１４との間の接続あるいは切断を制御するために用いることができる種々の異なる電気的スイッチング機能のうちの任意の機能を示すことができる。分子メモリ素子は、個々に構成可能あるいは構成変更可能にすることができる。個々に構成可能な実施形態では、分子メモリ素子１０の初期状態は開いているか、閉じているかのいずれかの場合がある。構成変更可能な実施形態では、アクティブ材料あるいは分子１８を可逆的に酸化および還元するように選択される適当な閾値を越えるように、印加電圧の極性および大きさを入れ替えることにより、スイッチング素子を何度も開閉することができる。
【００２５】
一般的に、下側電極１２と上側電極１４との間に形成される電気的接続のタイプは、電極１２、１４および分子層１６が形成される材料に依存する。表１は種々の素子材料の組み合わせから得られる種々のタイプの電気的スイッチング機能を示す。
【表１】

【００２６】
図２を参照すると、一実施形態では、分子メモリ３０は、それぞれが分子メモリ素子１０の構造を有するメモリ要素のアレイから形成されることができる。詳細には、分子メモリシステム３０は、電極１２に対応する第１の電極構造３２を含み、それは各メモリ要素のための共通電極としての役割を果たす。また分子メモリシステム３０は、絶縁性材料３６によって分離され、相隔てて配置される電極１４のアレイを含み、走査用のプローブ先端部と接触するために露出された概ね平坦な保護表面３８を有する第２の電極構造３４も含む。分子層１６に対応する記録媒体４０は、第１の電極構造３２と第２の電極構造３４との間に配置される。
【００２７】
図３を参照すると、一実施形態では、走査ヘッド５２によって支持されるプローブ先端部５０のうちの１つあるいはアレイを用いて、分子メモリ３０に情報を書き込み、分子メモリ３０から情報を読み出すことができる。書込み／読出しコントローラ５４が、プローブ先端部５０内の電圧信号、および第１の電極構造３２と第２の電極構造３４の電極１４との間の電圧信号の印加を制御する。矢印５６、５８によって示されるように、走査ヘッド５２は、第２の電極構造３４の露出された概ね平坦な保護表面３８上で走査ヘッド５２を正確に移動させるように構成される走査アセンブリ５９上に取り付けられる。詳細には、走査ヘッド５２は、ｚ軸走査アクチュエータ６０によって垂直方向に動かされることができ、ｘ−ｙ軸走査アクチュエータ６２によって水平方向に動かされることができる。ｚ軸走査アクチュエータ６０およびｘ−ｙ軸走査アクチュエータ６２は支持アーム６４によって支持される。位置決めコントローラ６６が、表面３８上のプローブ先端部５０の垂直方向位置および水平方向位置を制御する。動作時に、位置決めコントローラ６６はプローブ先端部５０を垂直方向に降ろし、表面３８と接触させることができる。次に、位置決めコントローラ６６は、接触しているプローブ先端部５０を、表面３８にわたって水平に走査することができる。１つあるいは複数のプローブ先端部５０がそれぞれ多数の電極１４上で位置決めされた後に、読出し／書込みコントローラ５４が、対応するメモリ要素に、そのメモリ要素の局部的なメモリ状態を変更するように選択された相対的に高い状態変化用の電圧を印加することにより、その対応するメモリ要素に情報を書き込むことができる。別法では、読出し／書込みコントローラ５４は、対応するメモリ要素に、そのメモリ状態を変更することなく、そのメモリ要素の電流導通特性についての情報を提供するように選択された相対的に低いセンシング電圧を印加することにより、その対応するメモリ要素に格納される情報を読み出すことができる。
【００２８】
走査アセンブリ５９は、従来の走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）走査アセンブリとして実施されることができ、そのプローブ先端部５０の位置はトンネル電流情報に基づいて制御される。別法では、走査アセンブリ５９は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）走査アセンブリとして実施されることができ、そのプローブ先端部５０の位置は、プローブ先端部５０と、第２の電極構造３４の露出された概ね平坦な保護表面３８との間に生成される力（たとえば、原子間力、静電力あるいは磁気力）に基づいて制御される。ｚ軸走査アクチュエータ６０およびｘ−ｙ軸走査アクチュエータ６２は、平坦な静電アクチュエータとして実施されることができる（たとえば、参照して本明細書に援用される、米国特許第６，１３６，２０８号および同第５，８０１，４７２号を参照されたい）。
【００２９】
図４Ａおよび図４Ｂを参照すると、走査ヘッド５２は、分子メモリ３０のメモリ要素１０間の間隔の１０〜１０^４倍に相当することが好ましいプローブ先端部間隔で、プローブ先端部５０の規則的なアレイを支持することができる。プローブ先端部５０は、金属材料（たとえばプラチナ）あるいは非金属材料（たとえば炭素）を含む、耐久性があり、弾性がある導電性材料から形成されることができる。一実施形態では、プローブ先端部５０はカーボンナノチューブである。本明細書において用いられる用語「ナノチューブ」は、約１〜２００ｎｍの細い寸法（直径）と長い寸法（長さ）とを有し、長い寸法と細い寸法との比（すなわちアスペクト比）が少なくとも５である、中空の物品を意味する。一般に、アスペクト比は５〜２０００であってよい。カーボンナノチューブは炭素原子から形成される中空の構造体である。この実施形態では、各プローブ先端部５０には、マルチウォールナノチューブ（ＭＷＮＴ）か、シングルウォールナノチューブ（ＳＷＮＴ）かのいずれかを用いることができる。ＭＷＮＴは、それぞれが異なる直径を有するいくつかのナノチューブを含む。こうして、最も小さな直径のチューブは、それより大きな直径のチューブによって収容され、その大きな直径のナノチューブはさらに、別のさらに大きな直径のナノチューブによって収容されることができる。一方、ＳＷＮＴは、１つのみのナノチューブを含む。ＭＷＮＴは通常、１つのＭＷＮＴか、ＭＷＮＴの束かのいずれかとして形成される。一方、ＳＷＮＴは通常、ＳＷＮＴのロープとして形成され、そのロープの各ストランドが１つのＳＷＮＴである。カーボンナノチューブプローブ先端部５０は、従来のカーボンナノチューブ形成プロセス（たとえば、化学気相成長）によって成長させることができる。
【００３０】
図４Ｂに示されるように、平坦なアクチュエータ８０は、各プローブ先端部５０の土台に配置され、各プローブ先端部５０を表面３８と接触した状態に保持するように構成される。カーボンナノチューブプローブ先端部５０は、同じ長さあるいは異なる長さを有することができる。走査中に、平坦なアクチュエータ８０は、各プローブ先端部５０の位置を調整し、個々のプローブ先端部の長さを調整して、プローブ先端部５０と表面３８との間の接触を保持するように構成される。
【００３１】
図５を参照すると、一実施形態では、潤滑剤層７０が、第２の電極構造３４の露出された概ね平坦な保護表面３８上に配置される。潤滑剤層７０は、プローブ先端部５０と表面３８との間の相互作用のエネルギーを低減する、任意の適当な非導電性の固体あるいは液体材料から形成されることができる。たとえば、潤滑剤７０には、表面３８上にわたって、熱的に蒸着されたグラファイト層を用いることができる。他の材料組成を用いることもできる。接触しているプローブ先端部５０と表面３８との間の相互作用のエネルギーを低減することにより、潤滑剤層７０は、使用中にプローブ先端部５０および表面３８が摩損すること、および損傷を受ける可能性を低減する。
【００３２】
他の実施形態も特許請求の範囲内にある。たとえば、上記の分子メモリ素子を、１つあるいは複数の論理（メモリではない）機能を実行するように設計される回路内で実施することもできる。
【００３３】
さらに別の実施形態も特許請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】２つの重なり合う導電性電極間に狭持される少なくとも１つの電気的にアドレス指定可能な分子種から形成される分子メモリ素子の概略的な側断面図。
【図２】図１の分子メモリ素子に対応する構造をそれぞれ有するメモリ素子のアレイを含む分子メモリの一部の概略的な斜視図。
【図３】図２のメモリ素子アレイの露出された概ね平坦な保護表面にわたってプローブ先端部のアレイを走査するためのアセンブリを含む分子メモリシステムの概略的な側面図。
【図４Ａ】図３の走査プローブ先端部アセンブリのプローブ先端部アレイの概略的な底面図。
【図４Ｂ】図３の走査プローブ先端部アセンブリのプローブ先端部アレイの概略的な側断面図。
【図５】潤滑剤層が露出された概ね平坦な表面上に配置される、図２のメモリ素子アレイの部分の概略的な斜視図。

Claims (21)

1. 分子メモリシステムであって、
   第１の電極構造と、
   プローブ先端部と接触するために露出された実質的に平坦な保護表面を有する第２の電極構造であって、絶縁性材料によって分離され、相隔てて配置される電極のアレイを含む前記第２の電極構造と、
   前記第１の電極構造と前記第２の電極構造との間に配置される分子記録層を有する記録媒体と、
   を備える分子メモリシステム。
2. 前記分子記録層はスイッチ切替え可能な分子種を含む請求項１に記載の分子メモリシステム。
3. 前記分子記録層はロタクサン分子種を含む請求項２に記載の分子メモリシステム。
4. 前記第１の電極構造は、基板上に配置される金属層を含む請求項１に記載の分子メモリシステム。
5. 前記第２の電極構造は、金属酸化物によって分離され、相隔てて配置される金属電極のアレイを含む請求項１に記載の分子メモリシステム。
6. 前記金属電極はアルミニウムから形成され、前記金属酸化物は酸化アルミニウムである請求項５に記載の分子メモリシステム。
7. 前記第２の電極構造の前記露出された実質的に平坦な保護表面と接触するように構成されるプローブ先端部をさらに含む請求項１に記載の分子メモリシステム。
8. 前記プローブ先端部はカーボンナノチューブを含む請求項７に記載の分子メモリシステム。
9. プローブ先端部のアレイを含む走査アセンブリをさらに含み、前記プローブ先端部のそれぞれは、前記第２の電極構造の前記露出された実質的に平坦な保護表面と接触するように構成される請求項１に記載の分子メモリシステム。
10. 前記プローブ先端部（５０）のアレイに結合され、前記プローブ先端部（５０）の位置を調整して、該プローブ先端部（５０）のそれぞれと前記第２の電極構造（３４）の前記露出された実質的に平坦な表面（３８）との間の接触を維持するように構成されるアクチュエータ（６０）をさらに含む請求項９に記載の分子メモリシステム。
11. 前記走査アセンブリ（５９）は、前記第２の電極構造（３４）の前記露出された実質的に平坦な保護表面（３８）にわたって前記プローブ先端部アレイ（５０）を走査するように構成される請求項９に記載の分子メモリシステム。
12. 前記走査アセンブリのプローブ先端部（５０）内の電圧信号、および前記第１の電極構造（３２）と前記第２の電極構造（３４）の前記電極（１４）との間の電圧信号の印加を制御するように構成される読出し／書込みコントローラ（５４）をさらに含む請求項１１に記載の分子メモリシステム。
13. 前記分子記録層（１６）は、異なる電流−電圧特性を有する第１のメモリ状態と第２のメモリ状態とを選択的に保持するメモリ特性を有し、前記記録層（１６）に状態変化用電圧が印加される際に、前記第１のメモリ状態と前記第２のメモリ状態との間の移り変わりを示す請求項１２に記載の分子メモリシステム。
14. 前記読出し／書込みコントローラ（５４）は、前記分子記録層（１６）の局部的なメモリ状態を判定するためのセンシング電圧の印加を制御し、前記分子記録層（１６）の局部的なメモリ状態を変更するための状態変化用電圧の印加を制御するように構成される請求項１３に記載の分子メモリシステム。
15. 前記第２の電極構造（３４）の前記露出された実質的に平坦な保護表面（３８）上に配置される潤滑剤（７０）をさらに含む請求項１に記載の分子メモリシステム。
16. 分子メモリ方法であって、
    第１の電極構造（３２）を配設するステップと、
    前記第１の電極構造（３２）上に分子記録層（１６）を有する記録媒体（４０）を配置するステップと、
    前記記録媒体（４０）上に第２の電極構造を配置するステップであって、該第２の電極構造は、プローブ先端部（５０）と接触するために露出された実質的に平坦な保護表面（３８）を有し、絶縁性材料（３６）によって分離され、相隔てて配置される電極（１４）のアレイを含む、前記配置するステップと、
    を含む方法。
17. 分子メモリ方法であって、
    第１の電極構造（３２）と、
    露出された実質的に平坦な保護表面（３８）を有し、絶縁性材料（３６）によって分離され、離隔して配置される電極（１４）のアレイを含む第２の電極構造（３４）と、
    前記第１の電極構造（３２）と前記第２の電極構造（３４）との間に配置される分子記録層（１６）を有する記録媒体（４０）と、
    を含む分子メモリシステム（３０）を配設するステップと、
    前記第２の電極構造（３４）の前記露出された実質的に平坦な保護表面（３８）に対してプローブアレイ（５０）を接触させるステップと、
    該接触しているプローブ先端部アレイ（５０）を、前記第２の電極構造（３４）の前記露出された実質的に平坦な保護表面（３８）にわたって走査するステップと、
    を含む分子メモリ方法。
18. 前記プローブ先端部アレイ（５０）はカーボンナノチューブのアレイを含む請求項１７に記載の分子メモリ方法。
19. 前記分子記録層（１６）は、異なる電流−電圧特性を有する第１のメモリ状態と第２のメモリ状態とを選択的に保持するメモリ特性を有し、前記記録層（１６）に状態変化用電圧が印加される際に、前記第１のメモリ状態と前記第２のメモリ状態との間の移り変わりを示す請求項１７に記載の分子メモリ方法。
20. 前記分子記録層（１６）に、前記分子記録層（１６）の局部的なメモリ状態を判定するためのセンシング電圧を印加するステップをさらに含む請求項１９に記載の分子メモリ方法。
21. 前記分子記録層（１６）に、該分子記録層（１６）の局部的なメモリ状態を変更するための状態変化用電圧を印加するステップをさらに含む請求項１９に記載の分子メモリ方法。

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