JP2004526327A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 金属被覆構造、特に、少なくとも１つのシリコン層と、少なくとも１つのタングステン層とを含んだゲート構造の選択的酸化方法であって、
   水を含まない水素を含んだ物質により上記金属被覆構造を処理する第１処理工程において、上記第１処理工程中に熱が上記金属被覆構造に供給され、
   水素と水との混合物により上記金属被覆構造を処理する第２処理工程において、上記第２処理工程中に熱が上記金属被覆構造に供給され、
   上記第２処理工程中の一部で、上記金属被覆構造の温度が規定温度（Ｔ _２ ）からプロセス温度（Ｔ _３ ）に上昇するように、熱供給が設定され、
   上記規定温度（Ｔ _２ ）は、７００℃〜９００℃の範囲内であり、
   上記プロセス温度（Ｔ _３ ）は、９００℃〜１１００℃の範囲内であることを特徴とする方法。
2. 上記第１処理工程中の一部で、上記金属被覆構造の温度が第１温度（Ｔ_１）から上記規定温度（Ｔ_２）に上昇するように、該金属被覆構造に熱が供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 上記水素を含んだ物質により上記金属被覆構造を処理する第３処理工程において、上記第３処理工程中に、上記金属被覆構造の温度がプロセス温度（Ｔ _３ ）からそれよりも低い温度に継続的に低減するように、該金属被覆構造に熱が供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 上記第１温度（Ｔ _１ ）が室温よりも高く、２００℃よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 上記金属被覆構造は、上記第１処理工程の前に不活性ガスで処理されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 上記金属被覆構造は、上記第３処理工程の後に不活性ガスで処理されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
7. 上記第２処理工程の間に、１対の反応方程式
   

   

   において、反応方程式
   

   

   の反応速度がより速いように、水の割合および温度を選択することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 入口開口部および出口開口部を有する反応室で実施し、
   上記反応室において、プロセスガスが入口開口部から出口開口部まで通過できるように、上記金属被覆構造を備えた基板を配置することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 上記方法を、熱処理装置において実施することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 上記熱処理装置は、ランプを用いて加熱する急速熱処理（ＲＴＰまたはＲＴＡ）装置であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 特に多結晶の形状をした少なくとも１つのシリコン層と、少なくとも１つのタングステン層とを有する金属被覆構造、特にＭＯＳ構成素子のゲート構造の製造方法であって、製造工程中に請求項１〜１０のいずれか１つまたは複数に記載の選択的酸化方法を実施する製造方法。