JP2001332546A - 酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法および酸化装置 - Google Patents
酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法および酸化装置Info
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- JP2001332546A JP2001332546A JP2000152823A JP2000152823A JP2001332546A JP 2001332546 A JP2001332546 A JP 2001332546A JP 2000152823 A JP2000152823 A JP 2000152823A JP 2000152823 A JP2000152823 A JP 2000152823A JP 2001332546 A JP2001332546 A JP 2001332546A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】酸化対象物質などに大きな熱的ダメージを与え
るようなことなく、品質の優れた酸化膜の製造を可能と
する。 【解決手段】酸化対象物質が配置または導入される反応
容器４内に酸化種を供給して酸化を行わせる、酸化方法
であって、酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励
起部２においてプラズマ励起することにより、酸素ラジ
カルを発生させる工程を有しており、かつこの酸素ラジ
カルを上記酸化種として用いる。
るようなことなく、品質の優れた酸化膜の製造を可能と
する。 【解決手段】酸化対象物質が配置または導入される反応
容器４内に酸化種を供給して酸化を行わせる、酸化方法
であって、酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励
起部２においてプラズマ励起することにより、酸素ラジ
カルを発生させる工程を有しており、かつこの酸素ラジ
カルを上記酸化種として用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、半導体プロセス
の要素技術の一つである酸化処理を好適に行うことがで
きる酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法、および酸化
装置に関する。
の要素技術の一つである酸化処理を好適に行うことがで
きる酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法、および酸化
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のとおり、半導体集積回路技術の基
礎をなすプレーナプロセスにおいては、酸化は欠くこと
のできない技術であり、シリコンを酸化させることによ
ってシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）が製造されている。
シリコン酸化膜は、シリコン表面の不活性化や保護を図
る役割を果たすのに加え、ＭＯＳ形容量素子の絶縁膜と
して、能動素子間および電極配線間の絶縁膜として、あ
るいは不純物拡散のためのマスクなどして利用される。
礎をなすプレーナプロセスにおいては、酸化は欠くこと
のできない技術であり、シリコンを酸化させることによ
ってシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）が製造されている。
シリコン酸化膜は、シリコン表面の不活性化や保護を図
る役割を果たすのに加え、ＭＯＳ形容量素子の絶縁膜と
して、能動素子間および電極配線間の絶縁膜として、あ
るいは不純物拡散のためのマスクなどして利用される。
【０００３】従来において、このようなシリコン酸化膜
の製造方法としては、熱酸化法がある。この熱酸化法
は、ヒータ加熱された反応容器内にシリコン基板をお
き、酸素（Ｏ2 ）、水蒸気、もしくはそれらの混合ガス
を上記反応容器内に導入させることにより、上記シリコ
ンの表面を酸化させる方法である。
の製造方法としては、熱酸化法がある。この熱酸化法
は、ヒータ加熱された反応容器内にシリコン基板をお
き、酸素（Ｏ2 ）、水蒸気、もしくはそれらの混合ガス
を上記反応容器内に導入させることにより、上記シリコ
ンの表面を酸化させる方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の熱酸化法において、シリコン酸化膜のプロセス速度
を実用的なある程度の速度に速めるためには、上記反応
容器内をたとえば８００〜１０００°Ｃの高温に加熱す
る必要があった。このため、従来においては、集積回路
の各部が熱的ダメージを受けたり、あるいは半導体内の
各種のドーパントが不必要に拡散されるなどの現象を生
じ、最終的に得られる半導体デバイスの品質が悪くなる
虞れがあった。
来の熱酸化法において、シリコン酸化膜のプロセス速度
を実用的なある程度の速度に速めるためには、上記反応
容器内をたとえば８００〜１０００°Ｃの高温に加熱す
る必要があった。このため、従来においては、集積回路
の各部が熱的ダメージを受けたり、あるいは半導体内の
各種のドーパントが不必要に拡散されるなどの現象を生
じ、最終的に得られる半導体デバイスの品質が悪くなる
虞れがあった。
【０００５】また、近年においては、集積回路の微細化
により、たとえば数ｎｍ程度の膜厚のシリコン酸化膜が
形成されるようになっている。このような極薄のシリコ
ン酸化膜を形成する場合には、シリコン酸化膜を緻密に
する必要がある。さらには、シリコンとシリコン酸化膜
との境界面の粗さも小さくする必要もある。ところが、
従来の熱酸化法においては、そのような要望に充分に応
えることが難しいものとなっていた。
により、たとえば数ｎｍ程度の膜厚のシリコン酸化膜が
形成されるようになっている。このような極薄のシリコ
ン酸化膜を形成する場合には、シリコン酸化膜を緻密に
する必要がある。さらには、シリコンとシリコン酸化膜
との境界面の粗さも小さくする必要もある。ところが、
従来の熱酸化法においては、そのような要望に充分に応
えることが難しいものとなっていた。
【０００６】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、酸化対象物質などに大きな熱的
ダメージを与えるようなことなく、品質の優れた酸化膜
の製造を可能とすることをその課題としている。
出されたものであって、酸化対象物質などに大きな熱的
ダメージを与えるようなことなく、品質の優れた酸化膜
の製造を可能とすることをその課題としている。
【０００７】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００８】本願発明の第１の側面によれば、酸化方法
が提供される。この酸化方法は、酸化対象物質が配置ま
たは導入される一定領域に酸化種を供給して酸化を行わ
せる、酸化方法であって、酸素とクリプトンとの混合ガ
スをプラズマ励起することにより、酸素ラジカルを発生
させる工程を有しており、かつこの酸素ラジカルを上記
酸化種として用いることを特徴としている。
が提供される。この酸化方法は、酸化対象物質が配置ま
たは導入される一定領域に酸化種を供給して酸化を行わ
せる、酸化方法であって、酸素とクリプトンとの混合ガ
スをプラズマ励起することにより、酸素ラジカルを発生
させる工程を有しており、かつこの酸素ラジカルを上記
酸化種として用いることを特徴としている。
【０００９】このような構成を有する酸化方法によれ
ば、酸化種が酸素ラジカルであり、酸素分子や酸素イオ
ンよりも活性であるために、従来よりもプロセス温度を
低温にしつつ、所望の酸化反応を生じさせることができ
る。したがって、酸化対象物質などに大きな熱的ダメー
ジを与えないようにすることができる。また、酸化膜を
形成する場合には、その酸化膜を従来よりも緻密にでき
るとともに、酸化対象物質と酸化膜との境界面の粗さを
小さくすることも可能となり、薄い厚みの酸化膜を製造
するのに好適となる。
ば、酸化種が酸素ラジカルであり、酸素分子や酸素イオ
ンよりも活性であるために、従来よりもプロセス温度を
低温にしつつ、所望の酸化反応を生じさせることができ
る。したがって、酸化対象物質などに大きな熱的ダメー
ジを与えないようにすることができる。また、酸化膜を
形成する場合には、その酸化膜を従来よりも緻密にでき
るとともに、酸化対象物質と酸化膜との境界面の粗さを
小さくすることも可能となり、薄い厚みの酸化膜を製造
するのに好適となる。
【００１０】さらに重要な効果として、本願発明におい
ては、酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励起す
ることにより酸素ラジカルを発生させる手段を採用して
いるために、酸素ラジカルを効率良く発生させることが
できる。すなわち、クリプトンラジカルの生成エネルギ
は、酸素ラジカルの生成エネルギよりも大きく、かつ酸
素分子のイオン化エネルギよりも小さいために、プラズ
マ中においてクリプトンラジカルが酸素分子と衝突する
と、酸素ラジカルを効率良く生成することができるので
ある。アルゴン、ヘリウム、ネオンなどの他の希ガスを
用いた場合には、これらの希ガスのラジカルの生成エネ
ルギが、酸素分子のイオン化エネルギよりも大きいため
に、酸素ラジカルよりも活性度合いが低い酸素イオンを
発生させてしまい、本願発明と同等な効果は得られない
のである。このように、本願発明においては、クリプト
ンを添加気体として用いることにより、酸素ラジカルを
効率良く発生させることができるために、酸化を促進
し、その反応速度を速めるのにより好適となる。
ては、酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励起す
ることにより酸素ラジカルを発生させる手段を採用して
いるために、酸素ラジカルを効率良く発生させることが
できる。すなわち、クリプトンラジカルの生成エネルギ
は、酸素ラジカルの生成エネルギよりも大きく、かつ酸
素分子のイオン化エネルギよりも小さいために、プラズ
マ中においてクリプトンラジカルが酸素分子と衝突する
と、酸素ラジカルを効率良く生成することができるので
ある。アルゴン、ヘリウム、ネオンなどの他の希ガスを
用いた場合には、これらの希ガスのラジカルの生成エネ
ルギが、酸素分子のイオン化エネルギよりも大きいため
に、酸素ラジカルよりも活性度合いが低い酸素イオンを
発生させてしまい、本願発明と同等な効果は得られない
のである。このように、本願発明においては、クリプト
ンを添加気体として用いることにより、酸素ラジカルを
効率良く発生させることができるために、酸化を促進
し、その反応速度を速めるのにより好適となる。
【００１１】本願発明の第２の側面によれば、シリコン
酸化膜の製造方法が提供される。このシリコン酸化膜の
製造方法は、シリコン表面に酸化種を供給することによ
り、上記シリコン表面を酸化させる、シリコン酸化膜の
製造方法であって、酸素とクリプトンとの混合ガスをプ
ラズマ励起することにより、酸素ラジカルを発生させる
工程を有しており、かつこの酸素ラジカルを上記酸化種
として用いることを特徴としている。
酸化膜の製造方法が提供される。このシリコン酸化膜の
製造方法は、シリコン表面に酸化種を供給することによ
り、上記シリコン表面を酸化させる、シリコン酸化膜の
製造方法であって、酸素とクリプトンとの混合ガスをプ
ラズマ励起することにより、酸素ラジカルを発生させる
工程を有しており、かつこの酸素ラジカルを上記酸化種
として用いることを特徴としている。
【００１２】このような構成のシリコン酸化膜の製造方
法によれば、本願発明の第１の側面によって提供される
酸化方法と同様な原理により、シリコンとの境界面の粗
さが小さく、かつ品質の高いシリコン酸化膜を、従来よ
りも低いプロセス温度で効率良く製造することが可能と
なる。
法によれば、本願発明の第１の側面によって提供される
酸化方法と同様な原理により、シリコンとの境界面の粗
さが小さく、かつ品質の高いシリコン酸化膜を、従来よ
りも低いプロセス温度で効率良く製造することが可能と
なる。
【００１３】本願発明の第３の側面によれば酸化装置が
提供される。この酸化装置は、酸化対象物質の収容また
は導入が可能な反応容器と、この反応容器内に酸化種を
供給するための酸化種供給手段とを有する、酸化装置で
あって、上記酸化種供給手段は、酸素とこれとは異種の
気体との混合ガスを内部に導入可能であり、かつその混
合ガスをプラズマ励起可能なプラズマ励起部を有してい
ることを特徴としている。
提供される。この酸化装置は、酸化対象物質の収容また
は導入が可能な反応容器と、この反応容器内に酸化種を
供給するための酸化種供給手段とを有する、酸化装置で
あって、上記酸化種供給手段は、酸素とこれとは異種の
気体との混合ガスを内部に導入可能であり、かつその混
合ガスをプラズマ励起可能なプラズマ励起部を有してい
ることを特徴としている。
【００１４】このような構成を有する酸化装置において
は、上記プラズマ励起部内に酸素とクリプトンとの混合
ガスを導入して、この混合ガスをプラズマ励起すること
により、酸素ラジカルを効率良く発生させることができ
る。そして、この酸素ラジカルを上記反応容器内に供給
することにより、所定の酸化反応を生じさせることがで
きる。したがって、本願発明の第３の側面によって提供
される酸化装置によれば、本願発明の第１および第２の
側面によって提供される酸化方法およびシリコン酸化膜
の製造方法を適切に実施することができる。
は、上記プラズマ励起部内に酸素とクリプトンとの混合
ガスを導入して、この混合ガスをプラズマ励起すること
により、酸素ラジカルを効率良く発生させることができ
る。そして、この酸素ラジカルを上記反応容器内に供給
することにより、所定の酸化反応を生じさせることがで
きる。したがって、本願発明の第３の側面によって提供
される酸化装置によれば、本願発明の第１および第２の
側面によって提供される酸化方法およびシリコン酸化膜
の製造方法を適切に実施することができる。
【００１５】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記プラズマ励起部から上記反応容器内に酸素ラジ
カルを導くための配管部材を具備しており、かつこの配
管部材の内面は、酸素ラジカルの状態維持作用を発揮す
る成分を有する材料により形成されている。
は、上記プラズマ励起部から上記反応容器内に酸素ラジ
カルを導くための配管部材を具備しており、かつこの配
管部材の内面は、酸素ラジカルの状態維持作用を発揮す
る成分を有する材料により形成されている。
【００１６】このような構成によれば、上記プラズマ励
起部において発生された酸素ラジカルの寿命を長くする
ことができ、上記反応容器内の酸化対象物質に対して酸
素ラジカルを適切に供給することが可能となる。すなわ
ち、酸素ラジカルは化学的活性に富むために、一般的に
は寿命が短く、たとえば上記反応容器内への供給過程に
おいて酸素ラジカルどうしが最結合するような現象を生
じる虞れがあるが、上記構成によれば、そのようなこと
を防止または抑制することができる。
起部において発生された酸素ラジカルの寿命を長くする
ことができ、上記反応容器内の酸化対象物質に対して酸
素ラジカルを適切に供給することが可能となる。すなわ
ち、酸素ラジカルは化学的活性に富むために、一般的に
は寿命が短く、たとえば上記反応容器内への供給過程に
おいて酸素ラジカルどうしが最結合するような現象を生
じる虞れがあるが、上記構成によれば、そのようなこと
を防止または抑制することができる。
【００１７】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記配管部材の内面は、ニッケル、タングステ
ン、およびタンタルのいずれかを少なくとも含む材料に
より形成されている。
ては、上記配管部材の内面は、ニッケル、タングステ
ン、およびタンタルのいずれかを少なくとも含む材料に
より形成されている。
【００１８】このような構成によれば、ニッケル、タン
グステン、またはタンタルが、酸素ラジカルの寿命を延
ばす作用を発揮する。ニッケル、タングステン、および
タンタルは、酸素分子から酸素ラジカルを生成する触媒
としての機能をも発揮するものであり、上記反応容器内
の酸化対象物質に対して酸素ラジカルを多量に供給させ
るのにより好ましいものとなる。
グステン、またはタンタルが、酸素ラジカルの寿命を延
ばす作用を発揮する。ニッケル、タングステン、および
タンタルは、酸素分子から酸素ラジカルを生成する触媒
としての機能をも発揮するものであり、上記反応容器内
の酸化対象物質に対して酸素ラジカルを多量に供給させ
るのにより好ましいものとなる。
【００１９】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記配管部材を加熱するための加熱手段をさらに
具備している。
ては、上記配管部材を加熱するための加熱手段をさらに
具備している。
【００２０】このような構成によれば、上記配管部材の
内面の温度を高めることができるために、上記ニッケ
ル、タングステン、またはタンタルなどの所定の成分が
酸素ラジカルの寿命を長くする効果や、酸素ラジカルを
生成させる効果をより高めることが可能となる。
内面の温度を高めることができるために、上記ニッケ
ル、タングステン、またはタンタルなどの所定の成分が
酸素ラジカルの寿命を長くする効果や、酸素ラジカルを
生成させる効果をより高めることが可能となる。
【００２１】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記反応容器内に配置され、かつ酸素ラジカルの
状態維持作用を発揮する成分を有する材料により外表面
が形成されている多孔性部材をさらに具備しており、上
記反応容器内に導入された酸素ラジカルは、上記多孔性
部材の各孔を通過してから上記酸化対象物質が配置また
は導入される箇所に供給されるように構成されている。
ては、上記反応容器内に配置され、かつ酸素ラジカルの
状態維持作用を発揮する成分を有する材料により外表面
が形成されている多孔性部材をさらに具備しており、上
記反応容器内に導入された酸素ラジカルは、上記多孔性
部材の各孔を通過してから上記酸化対象物質が配置また
は導入される箇所に供給されるように構成されている。
【００２２】このような構成によれば、上記多孔性部材
によっても、酸素ラジカルの寿命を長くするといった効
果が得られることとなる。また、上記多孔性部材には、
上記反応容器内に供給された酸素ラジカルを上記反応容
器内の各所に拡散させる役割をもたせることもできる。
したがって、上記反応容器内において、所定の酸化反応
を各所均等に行わせるのにも好適となる。
によっても、酸素ラジカルの寿命を長くするといった効
果が得られることとなる。また、上記多孔性部材には、
上記反応容器内に供給された酸素ラジカルを上記反応容
器内の各所に拡散させる役割をもたせることもできる。
したがって、上記反応容器内において、所定の酸化反応
を各所均等に行わせるのにも好適となる。
【００２３】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２５】図１は、本願発明に係る酸化装置の一例を
模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す酸化装
置の配管部材の一部断面図である。
模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す酸化装
置の配管部材の一部断面図である。
【００２６】図１によく表れているように、本実施形態
の酸化装置Ａは、酸素供給源１Ａ、クリプトン供給源１
Ｂ、プラズマ励起部２、配管部材３、反応容器４、およ
びヒータ５Ａ，５Ｂを具備して構成されている。
の酸化装置Ａは、酸素供給源１Ａ、クリプトン供給源１
Ｂ、プラズマ励起部２、配管部材３、反応容器４、およ
びヒータ５Ａ，５Ｂを具備して構成されている。
【００２７】プラズマ励起部２は、酸素供給源１Ａおよ
びクリプトン供給源１Ｂから供給されてくる酸素
（Ｏ2 ）とクリプトン（Ｋｒ）との混合ガスが導入され
るチャンバ２０を有している。このチャンバ２０には、
図示されていないマイクロ波発振器で発生されたマイク
ロ波が導波管２１を介して導くことができるように構成
されており、チャンバ２０内に導入された混合ガスのプ
ラズマ励起が可能とされている。
びクリプトン供給源１Ｂから供給されてくる酸素
（Ｏ2 ）とクリプトン（Ｋｒ）との混合ガスが導入され
るチャンバ２０を有している。このチャンバ２０には、
図示されていないマイクロ波発振器で発生されたマイク
ロ波が導波管２１を介して導くことができるように構成
されており、チャンバ２０内に導入された混合ガスのプ
ラズマ励起が可能とされている。
【００２８】配管部材３は、プラズマ励起部２と反応容
器４とを接続するためのものであり、後述するように、
プラズマ励起によって発生した酸素ラジカル（Ｏ* ）は
この配管部材３内を通過して反応容器４内に導入される
ようになっている。配管部材３は、たとえばステンレス
製とされている。ただし、図２に示すように、この配管
部材３の内面の全域または略全域は、ＮｉＦ2 のコーテ
ィング層３０とされている。このコーティング層３０
は、たとえば配管部材３の内面をニッケルめっきした後
に、フッ素ガスを配管部材３内に導入することにより形
成することができる。ヒータ５Ａは、配管部材３の全長
域または略全長域をこの配管部材３の外部から加熱でき
るように設けられている。このヒータ５Ａによる配管部
材３の内面に対する加熱温度は、反応容器４内の温度よ
りもやや低い温度であり、たとえば４５０°Ｃ程度であ
る。
器４とを接続するためのものであり、後述するように、
プラズマ励起によって発生した酸素ラジカル（Ｏ* ）は
この配管部材３内を通過して反応容器４内に導入される
ようになっている。配管部材３は、たとえばステンレス
製とされている。ただし、図２に示すように、この配管
部材３の内面の全域または略全域は、ＮｉＦ2 のコーテ
ィング層３０とされている。このコーティング層３０
は、たとえば配管部材３の内面をニッケルめっきした後
に、フッ素ガスを配管部材３内に導入することにより形
成することができる。ヒータ５Ａは、配管部材３の全長
域または略全長域をこの配管部材３の外部から加熱でき
るように設けられている。このヒータ５Ａによる配管部
材３の内面に対する加熱温度は、反応容器４内の温度よ
りもやや低い温度であり、たとえば４５０°Ｃ程度であ
る。
【００２９】反応容器４は、いわゆる縦型炉として構成
されたものであり、この反応容器４内には多数枚のウェ
ハ６を鉛直方向に適当な間隔を隔てて整列させた状態で
収容可能である。各ウェハ６の配置箇所の上方には、多
数の孔４０ａを有する多孔性部材４０が設けられてお
り、この多孔性部材４０の上方に酸化種導入用の開口部
４１が設けられている。多孔性部材４０は、たとえばス
テンレス製のメッシュ部材の外表面（各孔４０ａの内周
面も含む）に、ＮｉＦ2 のコーティング処理を施して構
成されている。ＮｉＦ2 のコーティング処理は、既述し
た配管部材３のコーティング層３０の形成手法と同様な
手法で行うことが可能である。反応容器４には、真空ポ
ンプＰが配管接続されており、反応容器４内を減圧でき
るように構成されている。ヒータ５Ｂは、反応容器４内
を加熱できるように設けられている。この酸化装置Ａ
は、反応容器４がプラズマ励起部２から離れ、かつプラ
ズマ励起部２よりも下方に位置するいわゆるダウンスト
リーム型の装置構成とされている。
されたものであり、この反応容器４内には多数枚のウェ
ハ６を鉛直方向に適当な間隔を隔てて整列させた状態で
収容可能である。各ウェハ６の配置箇所の上方には、多
数の孔４０ａを有する多孔性部材４０が設けられてお
り、この多孔性部材４０の上方に酸化種導入用の開口部
４１が設けられている。多孔性部材４０は、たとえばス
テンレス製のメッシュ部材の外表面（各孔４０ａの内周
面も含む）に、ＮｉＦ2 のコーティング処理を施して構
成されている。ＮｉＦ2 のコーティング処理は、既述し
た配管部材３のコーティング層３０の形成手法と同様な
手法で行うことが可能である。反応容器４には、真空ポ
ンプＰが配管接続されており、反応容器４内を減圧でき
るように構成されている。ヒータ５Ｂは、反応容器４内
を加熱できるように設けられている。この酸化装置Ａ
は、反応容器４がプラズマ励起部２から離れ、かつプラ
ズマ励起部２よりも下方に位置するいわゆるダウンスト
リーム型の装置構成とされている。
【００３０】次に、上記構成の酸化装置Ａを用いた本願
発明に係る酸化方法の一例について説明する。
発明に係る酸化方法の一例について説明する。
【００３１】まず、酸素供給源１Ａおよびクリプトン供
給源１Ｂから供給される酸素とクリプトンとの混合ガス
をプラズマ励起部２のチャンバ２０内に導入させてか
ら、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を利用してそ
の混合ガスをプラズマ励起する。酸素とクリプトンとの
混合体積比は、たとえば５：９５程度である。ただし、
これらの混合比の具体的な数値はこれに限定されるもの
ではない。
給源１Ｂから供給される酸素とクリプトンとの混合ガス
をプラズマ励起部２のチャンバ２０内に導入させてか
ら、たとえば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を利用してそ
の混合ガスをプラズマ励起する。酸素とクリプトンとの
混合体積比は、たとえば５：９５程度である。ただし、
これらの混合比の具体的な数値はこれに限定されるもの
ではない。
【００３２】上記混合ガスをプラズマ励起することによ
り、酸素ラジカルを発生させることができる。原料ガス
として、酸素にクリプトンを混合させた混合ガスを用い
ているために、プラズマ中においてクリプトンラジカル
を酸素分子に衝突させることにより、酸素ラジカルを効
率良く生成することができる。クリプトンに代えて、た
とえばＡｒ，Ｈｅ，あるいはＮｅなどの他の希ガスを用
いた場合には、これら希ガスのラジカルの生成エネルギ
が酸素分子のイオン化エネルギよりも大きいために、こ
れらのイオンと酸素分子とが衝突すると酸素イオンが生
成されてしまう。これに対し、クリプトンのラジカルの
生成エネルギは、上記の希ガスとは異なり、酸素ラジカ
ルの生成エネルギよりも大きく、かつ酸素分子のイオン
化エネルギよりも小さい。このため、クリプトンラジカ
ルと酸素分子とを衝突させると、酸素ラジカルを発生さ
せることができる。このようなことから、本実施形態に
おいては、高濃度の酸素ラジカルを得ることができるの
である。
り、酸素ラジカルを発生させることができる。原料ガス
として、酸素にクリプトンを混合させた混合ガスを用い
ているために、プラズマ中においてクリプトンラジカル
を酸素分子に衝突させることにより、酸素ラジカルを効
率良く生成することができる。クリプトンに代えて、た
とえばＡｒ，Ｈｅ，あるいはＮｅなどの他の希ガスを用
いた場合には、これら希ガスのラジカルの生成エネルギ
が酸素分子のイオン化エネルギよりも大きいために、こ
れらのイオンと酸素分子とが衝突すると酸素イオンが生
成されてしまう。これに対し、クリプトンのラジカルの
生成エネルギは、上記の希ガスとは異なり、酸素ラジカ
ルの生成エネルギよりも大きく、かつ酸素分子のイオン
化エネルギよりも小さい。このため、クリプトンラジカ
ルと酸素分子とを衝突させると、酸素ラジカルを発生さ
せることができる。このようなことから、本実施形態に
おいては、高濃度の酸素ラジカルを得ることができるの
である。
【００３３】プラズマ励起部２において生成された酸素
ラジカルは、その後配管部材３内を通過させて反応容器
４内に導く。一方、配管部材３の内面のコーティング層
３０に含まれているＮｉは、酸素分子から酸素ラジカル
を生成する触媒としての特性、および化学的活性に富む
酸素ラジカルの状態維持を図る特性をもつ。したがっ
て、配管部材３内を酸素ラジカルが通過するときに、た
とえば酸素ラジカルどうしが再結合するようなことを抑
制することができ、酸素ラジカルの寿命を長くしてこの
酸素ラジカルをラジカル状態のまま反応容器４内に導く
ことができる。また、たとえば再結合した酸素分子がＮ
ｉに接触することによって、酸素ラジカルとして再度生
成されることも期待できる。配管部材３はヒータ５Ａに
より加熱されており、Ｎｉの温度が高められているため
に、上記したような作用を一層促進すること可能であ
る。配管部材３を構成するステンレス（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金）にもＮｉが含有されているが、配管部材３にＮ
ｉＦ2 のコーティング層３０を設ければ、ステンレスよ
りもＮｉの量を多くすることができ、上記した作用が的
確に得られることとなる。
ラジカルは、その後配管部材３内を通過させて反応容器
４内に導く。一方、配管部材３の内面のコーティング層
３０に含まれているＮｉは、酸素分子から酸素ラジカル
を生成する触媒としての特性、および化学的活性に富む
酸素ラジカルの状態維持を図る特性をもつ。したがっ
て、配管部材３内を酸素ラジカルが通過するときに、た
とえば酸素ラジカルどうしが再結合するようなことを抑
制することができ、酸素ラジカルの寿命を長くしてこの
酸素ラジカルをラジカル状態のまま反応容器４内に導く
ことができる。また、たとえば再結合した酸素分子がＮ
ｉに接触することによって、酸素ラジカルとして再度生
成されることも期待できる。配管部材３はヒータ５Ａに
より加熱されており、Ｎｉの温度が高められているため
に、上記したような作用を一層促進すること可能であ
る。配管部材３を構成するステンレス（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ合金）にもＮｉが含有されているが、配管部材３にＮ
ｉＦ2 のコーティング層３０を設ければ、ステンレスよ
りもＮｉの量を多くすることができ、上記した作用が的
確に得られることとなる。
【００３４】反応容器４内に導入された酸素ラジカル
は、その後多孔性部材４０の各孔４０ａを通過してから
各ウェハ６の配置箇所に導かれる。多孔性部材４０の外
表面の全体も、Ｎｉを含む材質とされているために、こ
の多孔性部材４０のＮｉによっても酸素ラジカルの寿命
が延ばされ、さらには酸素ラジカルが再生成される効果
が期待できる。ウェハ６には、酸化対象となるシリコン
層が形成されている。したがって、このシリコン層の表
面に酸素ラジカルが供給されると、その表面は酸化さ
れ、シリコン酸化膜が形成される。酸素ラジカルは、た
とえば酸素イオンよりも化学的活性に富むものであるた
め、酸化種として酸素イオンや酸素分子を用いてシリコ
ン酸化膜を形成する場合と比較すると、密度が高い良質
のシリコン酸化膜を形成することができる。また、シリ
コンとシリコン酸化膜との境界面の粗さも小さくするこ
とができ、極薄のシリコン酸化膜を形成するのにも適す
ることとなる。
は、その後多孔性部材４０の各孔４０ａを通過してから
各ウェハ６の配置箇所に導かれる。多孔性部材４０の外
表面の全体も、Ｎｉを含む材質とされているために、こ
の多孔性部材４０のＮｉによっても酸素ラジカルの寿命
が延ばされ、さらには酸素ラジカルが再生成される効果
が期待できる。ウェハ６には、酸化対象となるシリコン
層が形成されている。したがって、このシリコン層の表
面に酸素ラジカルが供給されると、その表面は酸化さ
れ、シリコン酸化膜が形成される。酸素ラジカルは、た
とえば酸素イオンよりも化学的活性に富むものであるた
め、酸化種として酸素イオンや酸素分子を用いてシリコ
ン酸化膜を形成する場合と比較すると、密度が高い良質
のシリコン酸化膜を形成することができる。また、シリ
コンとシリコン酸化膜との境界面の粗さも小さくするこ
とができ、極薄のシリコン酸化膜を形成するのにも適す
ることとなる。
【００３５】さらに、反応容器４内におけるプロセス温
度を下げることも可能となり、たとえば従来において８
００〜１０００°Ｃのプロセス温度とされていたときと
同一の酸化反応速度を、６００〜８００°Ｃのプロセス
温度で得ることが可能となる。したがって、各ウェハ６
から製造される半導体デバイスが大きな熱的ダメージを
もたないものにすることも可能となる。酸化装置Ａは、
既述したとおり、いわゆるダウンストリーム型とされ、
反応容器４をプラズマ励起部２から遠ざけているため
に、プラズマ中の荷電粒子が反応容器４内に多量に進行
しないようにすることも可能である。したがって、シリ
コン酸化膜を荷電粒子との衝突によるダメージが少ない
ものにすることもできる。
度を下げることも可能となり、たとえば従来において８
００〜１０００°Ｃのプロセス温度とされていたときと
同一の酸化反応速度を、６００〜８００°Ｃのプロセス
温度で得ることが可能となる。したがって、各ウェハ６
から製造される半導体デバイスが大きな熱的ダメージを
もたないものにすることも可能となる。酸化装置Ａは、
既述したとおり、いわゆるダウンストリーム型とされ、
反応容器４をプラズマ励起部２から遠ざけているため
に、プラズマ中の荷電粒子が反応容器４内に多量に進行
しないようにすることも可能である。したがって、シリ
コン酸化膜を荷電粒子との衝突によるダメージが少ない
ものにすることもできる。
【００３６】図３は、本願発明に係る酸化装置の他の例
を模式的に示す説明図である。ただし、図３において
は、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実
施形態と同一の符号を付している。
を模式的に示す説明図である。ただし、図３において
は、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実
施形態と同一の符号を付している。
【００３７】図３に示す酸化装置Ａａにおいては、反応
容器４Ａが、１枚のウェハ６のみを収容可能なものとし
て構成されており、ウェハ６の上方には、シャワープレ
ートとしての多孔性部材４０Ａが設けられている。この
多孔性部材４０Ａの外表面の全体には、ＮｉＦ2 のコー
ティング処理が施されており、上記した多孔性部材４０
を用いた場合と同様な作用が得られるように構成されて
いる。反応容器４Ａ内を加熱するヒータ５Ｃとしては、
ランプ型のものが用いられている。この酸化装置Ａａ
は、プラズマ励起部２から配管部材３Ａ内を通過した酸
素ラジカルが、多孔性部材４０Ａの各孔４０ａを通過し
てから反応容器４内に拡散され、ウェハ６の表面に供給
されるように構成されている。この酸化装置Ａａは、多
数枚のウェハ６を一括して処理可能な図１に示した酸化
装置Ａとは異なり、ウェハ６を１枚ずつ処理するのに適
する。
容器４Ａが、１枚のウェハ６のみを収容可能なものとし
て構成されており、ウェハ６の上方には、シャワープレ
ートとしての多孔性部材４０Ａが設けられている。この
多孔性部材４０Ａの外表面の全体には、ＮｉＦ2 のコー
ティング処理が施されており、上記した多孔性部材４０
を用いた場合と同様な作用が得られるように構成されて
いる。反応容器４Ａ内を加熱するヒータ５Ｃとしては、
ランプ型のものが用いられている。この酸化装置Ａａ
は、プラズマ励起部２から配管部材３Ａ内を通過した酸
素ラジカルが、多孔性部材４０Ａの各孔４０ａを通過し
てから反応容器４内に拡散され、ウェハ６の表面に供給
されるように構成されている。この酸化装置Ａａは、多
数枚のウェハ６を一括して処理可能な図１に示した酸化
装置Ａとは異なり、ウェハ６を１枚ずつ処理するのに適
する。
【００３８】本願発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、酸化装置の各部の具体的な構成は、種々
に設計変更自在である。また、本願発明に係る酸化方法
およびシリコン酸化膜の製造方法の具体的な構成も、種
々に変更自在である。
ものではなく、酸化装置の各部の具体的な構成は、種々
に設計変更自在である。また、本願発明に係る酸化方法
およびシリコン酸化膜の製造方法の具体的な構成も、種
々に変更自在である。
【００３９】上述の実施形態においては、配管部材３，
３Ａの内面や、多孔性部材４０，４０Ａの外表面にＮｉ
Ｆ2 のコーティング処理を施しているが、本願発明にお
いては、これとは異なる手段を用いて、上述の実施形態
と同様な効果を得ることが可能である。たとえば、配管
部材３や多孔性部材４０をＮｉの含有量が多いステンレ
ス製としたり、あるいはＮｉ製としてもかまわない。ま
た、プラズマ励起部で生成された酸素ラジカルの寿命を
延ばしたり、酸素ラジカルの生成を助ける作用は、Ｎｉ
のみならず、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）に
もみられる作用である。したがって、配管部材の内面や
多孔性部材の外表面をタングステンもしくはタンタルを
含む材料によってコーティングしたり、あるいは配管部
材や多孔性部材をタングステン製もくしはタンタル製と
する手段も、上記と同様な効果を得るのに有効である。
３Ａの内面や、多孔性部材４０，４０Ａの外表面にＮｉ
Ｆ2 のコーティング処理を施しているが、本願発明にお
いては、これとは異なる手段を用いて、上述の実施形態
と同様な効果を得ることが可能である。たとえば、配管
部材３や多孔性部材４０をＮｉの含有量が多いステンレ
ス製としたり、あるいはＮｉ製としてもかまわない。ま
た、プラズマ励起部で生成された酸素ラジカルの寿命を
延ばしたり、酸素ラジカルの生成を助ける作用は、Ｎｉ
のみならず、タングステン（Ｗ）やタンタル（Ｔａ）に
もみられる作用である。したがって、配管部材の内面や
多孔性部材の外表面をタングステンもしくはタンタルを
含む材料によってコーティングしたり、あるいは配管部
材や多孔性部材をタングステン製もくしはタンタル製と
する手段も、上記と同様な効果を得るのに有効である。
【００４０】本願発明に係る酸化方法は、シリコンの表
面に酸素ラジカルを供給してシリコン酸化膜を形成する
用途のみならず、これ以外の態様で実施することも可能
である。すなわち、本願発明に係る酸化方法において
は、シリコン以外の物質を酸化対象物質とすることがで
きる。本願発明でいう酸化対象物質は、たとえば気体で
あってもかまわず、反応容器内に導入される所定の気体
に対して酸素ラジカルを供給することにより、その気体
を酸化させる用途に本願発明を用いることも可能であ
る。すなわち、本願発明に係る酸化方法は、酸化膜を形
成する用途に好適であるものの，それ以外の酸化用途に
も用いることが可能である。
面に酸素ラジカルを供給してシリコン酸化膜を形成する
用途のみならず、これ以外の態様で実施することも可能
である。すなわち、本願発明に係る酸化方法において
は、シリコン以外の物質を酸化対象物質とすることがで
きる。本願発明でいう酸化対象物質は、たとえば気体で
あってもかまわず、反応容器内に導入される所定の気体
に対して酸素ラジカルを供給することにより、その気体
を酸化させる用途に本願発明を用いることも可能であ
る。すなわち、本願発明に係る酸化方法は、酸化膜を形
成する用途に好適であるものの，それ以外の酸化用途に
も用いることが可能である。
【図１】本願発明に係る酸化装置の一例を模式的に示す
説明図である。
説明図である。
【図２】図１に示す酸化装置の配管部材の一部断面図で
ある。
ある。
【図３】本願発明に係る酸化装置の他の例を模式的に示
す説明図である。
す説明図である。
Ａ，Ａａ 酸化装置 １Ａ 酸素供給源 １Ｂ クリプトン供給源 ２ プラズマ励起部 ３，３Ａ 配管部材 ４，４Ａ 反応容器 ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ ヒータ ４０，４０Ａ 多孔性部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G072 AA25 BB09 GG01 GG03 GG04 HH01 JJ03 LL03 MM01 RR03 RR11 RR25 UU01 5F045 AA08 AA20 AB32 AC11 AD10 AD11 AD12 AF03 BB07 BB17 DP19 EC08 EE14 EF05 EH18 EK06 5F058 BA20 BC02 BC04 BC20 BF29 BF55 BF73 BG01 BG02 BJ01
Claims (7)
- 【請求項１】 酸化対象物質が配置または導入される一
定領域に酸化種を供給して酸化を行わせる、酸化方法で
あって、 酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励起すること
により、酸素ラジカルを発生させる工程を有しており、
かつこの酸素ラジカルを上記酸化種として用いることを
特徴とする、酸化方法。 - 【請求項２】 シリコン表面に酸化種を供給することに
より、上記シリコン表面を酸化させる、シリコン酸化膜
の製造方法であって、 酸素とクリプトンとの混合ガスをプラズマ励起すること
により、酸素ラジカルを発生させる工程を有しており、
かつこの酸素ラジカルを上記酸化種として用いることを
特徴とする、シリコン酸化膜の製造方法。 - 【請求項３】 酸化対象物質の収容または導入が可能な
反応容器と、この反応容器内に酸化種を供給するための
酸化種供給手段とを有する、酸化装置であって、 上記酸化種供給手段は、酸素とこれとは異種の気体との
混合ガスを内部に導入可能であり、かつその混合ガスを
プラズマ励起可能なプラズマ励起部を有していることを
特徴とする、酸化装置。 - 【請求項４】 上記プラズマ励起部から上記反応容器内
に酸素ラジカルを導くための配管部材を具備しており、
かつこの配管部材の内面は、酸素ラジカルの状態維持作
用を発揮する成分を有する材料により形成されている、
請求項３に記載の酸化装置。 - 【請求項５】 上記配管部材の内面は、ニッケル、タン
グステン、およびタンタルのいずれかを少なくとも含む
材料により形成されている、請求項４に記載の酸化装
置。 - 【請求項６】 上記配管部材を加熱するための加熱手段
をさらに具備している、請求項４または５に記載の酸化
装置。 - 【請求項７】 上記反応容器内に配置され、かつ酸素ラ
ジカルの状態維持作用を発揮する成分を有する材料によ
り外表面が形成されている多孔性部材をさらに具備して
おり、上記反応容器内に導入された酸素ラジカルは、上
記多孔性部材の各孔を通過してから上記酸化対象物質が
配置または導入される箇所に供給されるように構成され
ている、請求項４ないし６のいずれかに記載の酸化装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152823A JP2001332546A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | 酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法および酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000152823A JP2001332546A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | 酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法および酸化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332546A true JP2001332546A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18658191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000152823A Pending JP2001332546A (ja) | 2000-05-24 | 2000-05-24 | 酸化方法、シリコン酸化膜の製造方法および酸化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332546A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6767795B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY |
| US6790791B2 (en) | 2002-08-15 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films |
| US6812100B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics |
| JP2005101583A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
| US6884739B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-04-26 | Micron Technology Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation |
| US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
| US6953730B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
| US6967154B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
| JP2007194668A (ja) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| WO2008117832A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置 |
| US7622355B2 (en) | 2002-06-21 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing charge trapping in insulators |
| US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
| US7670646B2 (en) | 2002-05-02 | 2010-03-02 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition |
| US7687409B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium silicon oxide films |
| US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| US7728626B2 (en) | 2002-07-08 | 2010-06-01 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US7923381B2 (en) | 2002-12-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming electronic devices containing Zr-Sn-Ti-O films |
| US7989362B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
| US8093638B2 (en) | 2002-06-05 | 2012-01-10 | Micron Technology, Inc. | Systems with a gate dielectric having multiple lanthanide oxide layers |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US8445952B2 (en) | 2002-12-04 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Zr-Sn-Ti-O films |
| US8501563B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| JP2015503247A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
-
2000
- 2000-05-24 JP JP2000152823A patent/JP2001332546A/ja active Pending
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8026161B2 (en) | 2001-08-30 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2 |
| US8652957B2 (en) | 2001-08-30 | 2014-02-18 | Micron Technology, Inc. | High-K gate dielectric oxide |
| US8178413B2 (en) | 2001-12-20 | 2012-05-15 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
| US7804144B2 (en) | 2001-12-20 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
| US6953730B2 (en) * | 2001-12-20 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
| US6767795B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Micron Technology, Inc. | Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY |
| US6812100B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics |
| US6930346B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Evaporation of Y-Si-O films for medium-K dielectrics |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US7670646B2 (en) | 2002-05-02 | 2010-03-02 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition |
| US8093638B2 (en) | 2002-06-05 | 2012-01-10 | Micron Technology, Inc. | Systems with a gate dielectric having multiple lanthanide oxide layers |
| US8188533B2 (en) | 2002-06-21 | 2012-05-29 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing charge trapping in insulators |
| US7622355B2 (en) | 2002-06-21 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Write once read only memory employing charge trapping in insulators |
| US8228725B2 (en) | 2002-07-08 | 2012-07-24 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US7728626B2 (en) | 2002-07-08 | 2010-06-01 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US8125038B2 (en) | 2002-07-30 | 2012-02-28 | Micron Technology, Inc. | Nanolaminates of hafnium oxide and zirconium oxide |
| US6921702B2 (en) | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
| US6884739B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-04-26 | Micron Technology Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation |
| US6790791B2 (en) | 2002-08-15 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Lanthanide doped TiOx dielectric films |
| US6967154B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
| US7872291B2 (en) | 2002-08-26 | 2011-01-18 | Round Rock Research, Llc | Enhanced atomic layer deposition |
| US8362576B2 (en) | 2002-08-26 | 2013-01-29 | Round Rock Research, Llc | Transistor with reduced depletion field width |
| US8816447B2 (en) | 2002-08-26 | 2014-08-26 | Round Rock Research, Llc | Transistor with reduced depletion field width |
| US8445952B2 (en) | 2002-12-04 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Zr-Sn-Ti-O films |
| US7923381B2 (en) | 2002-12-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming electronic devices containing Zr-Sn-Ti-O films |
| JP2005101583A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
| US8399365B2 (en) | 2005-03-29 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming titanium silicon oxide |
| US8076249B2 (en) | 2005-03-29 | 2011-12-13 | Micron Technology, Inc. | Structures containing titanium silicon oxide |
| US7687409B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited titanium silicon oxide films |
| US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
| US8501563B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US8921914B2 (en) | 2005-07-20 | 2014-12-30 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| US8067794B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-11-29 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| US8785312B2 (en) | 2006-02-16 | 2014-07-22 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride |
| US7989362B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| CN101647103B (zh) * | 2007-03-27 | 2012-05-23 | 佳能安内华股份有限公司 | 真空处理装置 |
| KR101097625B1 (ko) | 2007-03-27 | 2011-12-22 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 진공 처리 장치 |
| WO2008117832A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置 |
| JP4746581B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2011-08-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| JP2007194668A (ja) * | 2007-04-12 | 2007-08-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2015503247A (ja) * | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
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