JP2004521788A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 複数の薄膜層を含むプリントヘッド基板と、
   前記プリントヘッド基板内に形成され且つ長手方向の範囲に沿って延在する、滴発生器の複数の並置された列状アレイと、
   約１５ｋＨｚから約１８ｋＨｚの範囲内の周波数においてそれぞれのインク滴発生器にエネルギーを与えるための、前記プリントヘッド基板内に形成された駆動回路
   とを備え、
   前記滴発生器の複数の並置された列状アレイは、滴発生器の４つの並置された列状アレイを含み、滴発生器の各列状アレイは、滴発生器ピッチＰだけ互いから離れた少なくとも１００個の滴発生器を有し、
   前記プリントヘッド基板は、１平方ミリメートル当たりに少なくとも１０．４３個のインク滴発生器という、インク滴発生器実装密度を有することからなる、インクジェットプリントヘッド。
2. 前記滴発生器の４つの列状アレイは、最大でも６３０マイクロメートルだけ互いに離れた第１の列状アレイ及び第２の列状アレイと、最大でも６３０マイクロメートルだけ互いに離れた第３の列状アレイ及び第４の列状アレイとを含む、請求項１に記載のプリントヘッド。
3. 複数の薄膜層を含むプリントヘッド基板と、
   前記プリントヘッド基板内に形成され且つ長手方向の範囲に沿って延在する、滴発生器の複数の並置された列状アレイと、
   約１５ｋＨｚから約１８ｋＨｚの範囲内の周波数においてそれぞれのインク滴発生器にエネルギーを与えるための、前記プリントヘッド基板内に形成された駆動回路
   とを備え、
   前記プリントヘッド基板内に形成され且つそれぞれが滴発生器の前記列状アレイに隣接する、ＦＥＴ駆動回路の列状アレイと、前記ＦＥＴ駆動回路のアクティブ領域に重なるグランドバスとを、前記駆動回路が含み、
   前記プリントヘッド基板は、１平方ミリメートル当たりに少なくとも１０．４３個のインク滴発生器という、インク滴発生器実装密度を有することからなる、インクジェットプリントヘッド。
4. 前記ＦＥＴ駆動回路の各々は、（２５０，０００オーム・マイクロメートル^２）／Ａよりも小さなオン抵抗を有し、該Ａは、マイクロメートル^２で表したＦＥＴ駆動回路の面積であることからなる、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
5. 前記ＦＥＴ駆動回路の各々は、最大でも１６オームのオン抵抗を有する、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
6. 電力トレースを更に含み、前記ＦＥＴ駆動回路は、前記電力トレースによって与えられる寄生抵抗を補償するよう構成されることからなる、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
7. 前記ＦＥＴ駆動回路の列状アレイの各々は、最大でも１８０マイクロメートルの幅を有する領域内に含まれる、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
8. 前記ＦＥＴ駆動回路の列状アレイの各々は、最大でも２５０マイクロメートルの幅を有する領域内に含まれる、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
9. 前記滴発生器の複数の並置された列状アレイは、滴発生器の４つの並置された列状アレイを含み、滴発生器の各列状アレイは、滴発生器ピッチＰだけ互いから離れた少なくとも１００個の滴発生器を有し、
   前記ＦＥＴ駆動回路の複数の列状アレイは、ＦＥＴ駆動回路４つの列状アレイを含むことからなる、請求項３に記載のインクジェットプリントヘッド。
10. 滴発生器の前記４つの列状アレイは、最大でも６３０マイクロメートルだけ互いから離れた第１の列状アレイ及び第２の列状アレイと、最大でも６３０マイクロメートルだけ互いから離れた第３の列状アレイ及び第４の列状アレイとを含む、請求項９に記載のインクジェットプリントヘッド。