JP2004519830A - 低硫酸塩含有及び高金属イオン含有の導電性透明ポリマ層を有するled - Google Patents

低硫酸塩含有及び高金属イオン含有の導電性透明ポリマ層を有するled Download PDF

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Abstract

本発明は、有機発光ダイオード(LED)に関する。このダイオードは、金属カソードが重なる発光ポリマ、オリゴマ又は低分子量の化合物の層が重なる導電性透明ポリマ(CTP)の層が重なる透明電極を有する。このダイオードは、CTP層が7,500ppm未満の硫酸塩イオン含有量と、0.04m mol/g以上の金属イオン含有量とを有する。

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオード(LED)に関し、透明電極を有し、この透明電極は導電性透明ポリマ(conductive transparent polymer:CTP)の層が重ねられ、このポリマの層は金属カソードが重なる発光ポリマ、オリゴマ又は低分子量化合物の層が重ねられ、当該CTP層が小なる含有量の硫酸塩及び大なる含有量の金属イオンを有するものに関する。
【0002】
【従来の技術】
導電性透明ポリマを有するLEDは、本質的にポリマLEDの寿命を長くする技術において知られている。CTP層を有するLEDは、例えば国際特許出願WO96/08047号に記述されている。色々なポリマ材料が、LEDにおいて一方では電気絶縁の領域に使われ他方では実際の正孔注入アノードを担う電気伝導領域に使われる材料として用いるのに適していると記述されている。場所によって導電状態及び非導電状態になることができるこのようなポリマは、ポリチオフェン、ポリアミン、ポリピルロール、ポリアニリン及びポリアセチレンの部類において知られており、かかるポリマは、アルキル基やアルコキシ基、ハロゲンなどと置換されうるものである。これらCTP層の厚さは50ないし500nmとされるものとの報告がある。薄い層は、当該LEDの性能を落とすことになってしまう可視光の十分な吸収を回避するのが好ましい。しかしながら、実際上は、これらの層は、漏れ電流や短絡、ピンホールを避けるため、そして装置寿命を向上させるために比較的に厚くしなければならない。
【0003】
これらCTP層の主な欠点は、例えばマトリクス型又はセグメント型の有機LEDディスプレイに用いるため導電及び非導電領域を有する層を形成する方法が複雑で高コストである点である。全体の層にわたり同一の導電性を有する層を形成することは実に有利なことである。CTP層を介して電気的に接続される画素は、多重駆動の下で1画素内の発光の不均等な減衰(いわゆるアノード収縮)を被る。多重駆動の例については、米国特許公報第6,014,119号において知ることが出来る。アノード収縮は、最初は当該ディスプレイの側方において視認することができ、当該マトリクスディスプレイの内側において行から行へ又は列から列へ順々に伝搬するのが普通である。一般的に、アノード収縮は、ディスプレイのいずれか2つの画素又はセグメント間において生じうる。さらに、これらCTPポリマの層は、分散液、溶液又は懸濁液に含まれる化合物のため当該装置の寿命に影響を及ぼす。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、かかる収縮による画素の劣化を改善し装置の寿命を向上させることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
CTP層の堆積のためにインクジェットを適用することによっても、1つ以上の画素をカバーする結合CTP層を、他の画素もカバーすべく1つの画素に与えられるCTP分散液、懸濁液又は溶液を避けるための1つの画素の周りに隔離壁を伴う基板アーキテクチャを用いるよりも簡単かつ低廉に実現することができる。このような画素は、CTP層により電気的に接続されるものであり、多重駆動の下で収縮を受ける。
【0006】
CTP層が7,500ppm未満の含有量の硫酸塩イオン(SO 2−)及び0.04ミリモル/gを超える金属イオン含有量を有する場合、LEDの寿命及びアノード収縮が著しく向上する。したがって、本発明は、有機発光ダイオード(LED)であって、透明電極を有し、この透明電極は、好ましくはインジウム酸化物又はインジウム錫酸化物(ITO)とされ、また導電性透明ポリマ(CTP)の層が重ねられ、このポリマの層は、金属カソードが重なる発光ポリマ、オリゴマ又は低分子量化合物の層が重ねられ、前記導電性透明ポリマ層は、7,500ppmを下回る硫酸塩イオン含有物と、0.04m mol/gを上回る金属イオン含有物とを有する、とされたダイオードに関係する。
【0007】
かかる導電性透明ポリマは、適正ないずれかの方法で、層に形成することができるものであり、一般的には溶液、分散液又は懸濁液に基づくスピンコーティング処理により、或いはインクジェット処理により堆積される。有機LEDディスプレイにおける適用のため、導電性透明ポリマの乾燥フィルムは、長寿命化、アノード収縮の最小化だけでなく高効率性を達成するために以下の特性の1つ以上を満足するのが好ましい。
【0008】
前記導電性透明ポリマは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアミン、ポリアニリン及びポリアセチレンの部類から選択される。
【0009】
対イオンとしての役割を担う塩又は高分子電解質は、ポリスチレンスルホン酸(polystyrenesulfonic acid)やパラ・トルエンスルホン酸(para−toluenesulfonic acid)などのスルホン酸から選ばれる。
【0010】
当該乾燥フィルムにおける硫酸塩濃度は、1,250ppmよりも低い。
【0011】
当該乾燥フィルムにおける金属イオン濃度は、マトリクス又はセグメントタイプのディスプレイにおけるアノード収縮を回避するため、0.5ミリモル/gより大きくする。
【0012】
当該金属イオンは、アルカリ又は土類アルカリ金属イオンであるのが好ましい。より好ましくは、当該金属イオンが実質的にK,Rb,Cs,Mg,Ba及び/又はCaとされる。実質的に当該金属イオンがK,Rb,Cs,Mg,Ba及び/又はCaとされる好ましい条件は、装置の長寿命化を実現しアノード収縮を回避するためにCTP層をアクティブマトリクス基板上に用いられる場合に特に重要なものとなる。そして金属イオン濃度は高くなければならないが、Li及びNaイオン濃度は、なるべく低く、好ましくは1平方センチメートル毎1010個のイオンよりも少ない方がよい。これにより、MOS不安定化作用を回避しゲート誘電性を最適化することになる。金属イオンは、その酸化物、水酸化物又は塩類の形態で添加可能である。好適な塩類は、例えば、炭酸塩,硝酸塩,ハロゲン化合物(フッ化物,塩化物,臭化物及びヨウ化物),有機塩並びにこれらの混合物が挙げられる。
【0013】
当該乾燥層における硫酸塩含有量は、7,500ppmより下回るものでなければならず、これは、4重量%の固体CTP分散液において硫酸塩含有量が300ppm未満であるときに得られるものである。1,250ppmの乾燥層における硫酸塩含有量は、CTP層を作るために用いられる4重量%分散液における50ppmの含有量に相当する。
【0014】
乾燥層における金属イオン含有量は、0.04ミリモル/g未満でなければならず、これは金属イオン含有量がCTP層を作るために用いられる4重量%固体CTP分散液において1.6μmol/gを超えるときに得られる。0.5m mol/gの乾燥層における金属イオン含有量は、4重量%分散液における0.02m mol/gの含有量に相当する。
【0015】
CTP層に適したポリマは、この技術分野において知られている。特に、国際特許出願WO96/08047号を参照すると、これには色々な材料とこれの提供方法が開示されており、参照することにより内容が組み入れられる。有用なポリマは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアミン及びポリアセチレンである。特に有益なのは、コンクエスト(Con Quest)(例えばオランダのDSM)などのポリウレタン、ポリアニリン(PANI)、ポリ−3,4−エチレン・ジオキシチオフェン(poly−3,4−ethylene dioxythioiphene)である。このポリマは、モノマ、オリゴマ又は他のポリマと混合されてもよい。CTP層に用いるのに好適な材料は、ポリ−3,4−エチレン・ジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸(PEDOT)である。
【0016】
当該活性層は、導電性材料の2つの電極層の間に位置する。これら電極層のうちの少なくとも1つは、当該活性層において発せられた光に対し透明又は半透明でなければならない。これら電極層のうちの一方は、正孔をその活性層に注入するための(正極性)電極を担う。この電極層の材料は、高い仕事関数を有し、インジウム酸化物又はインジウム錫酸化物(ITO)の層により形成されるのが一般的である。これに加え、このような層は、当該活性層における発光光に対し透明である。特にITOは、他方気的伝導性及び高い透明度のために好適である。他方の電極層は、活性層に電子を注入するための(負極性)電極を担う。この層の材料は、低い仕事関数を有し、例えばインジウム、カルシウム、バリウム又はマグネシウムの層より形成されるのが一般的である。
【0017】
ITOの電極層は、真空蒸着、スパッタリング又はCVD処理によって設けられる。例えばカルシウムによるこの電極層及び場合によってはその負極性電極層は、慣習的なフォトリソグラフィの処理によって、或いはディスプレイの所望のパターンに対応する、真空蒸着処理におけるマスクで部分的にそれを被覆することによってパターンに応じて形成される。ディスプレイの代表的な例においては、当該第1及び第2電極層の電極が、互いに直角に交差しこれにより独立して駆動可能な矩形LEDのマトリクスを形成する線状構造を有する。これら矩形LEDは、当該ディスプレイの画素又は画像エレメントを構成する。第1及び第2電極層の電極が電気的ソースに接続される場合、発光画素は、電極の交差部に形成される。このように簡単な手法でディスプレイを形成することができる。かかる画素構造は、特定の形状に限定されない。基本的には、例えばアイコン又は簡単な形を示すためのセグメント化されたディスプレイを導くのに全ての画素形状が可能である。
【0018】
上記発光ポリマ、オリゴマ又は低分子量化合物は、国際特許出願WO97/33323号に開示されているようなポリフルオレン共重合体(polyfluorene copolymer)やドイツ特許出願DE 19615128号に開示されているようなポリスパイロ共重合体(polyspiro copolymer)、国際特許出願WO98/27136号に開示されているようなポリ(3−アルキルチオフェン)(poly(3−alkylthiophene))及びポリ(p−フェニレン ビニレン)(poly(p−phenylene vinylene))(PPV)などのエレクトロルミネッセント材料とすることができる。好ましくは溶解可能な共役ポリマ及びオリゴマが用いられる。何故ならこれらは例えばスピンコート処理により又はインクジェットにより簡単に塗布することが出来るからである。溶解可能な共役PPV誘電体の好ましい例は、ポリ(ジアルキル−p−フェニレン ビニレン)(poly(dialkyl−p−phenylene vinylene))とポリ(ジアルコキシ−p−フェニレン ビニレン)(poly(dialkoxy−p−phenylene vinylene))が挙げられる。当該発光材料はまた、ドープされた低分子材料としてもよい。かかる材料には、真空処理により堆積されたキナクリドンのような、染料が注入された8−ヒドロキシキノリン−アルミニウム(8−hydroxyquinolin−aluminum)のようなものもある。
【0019】
共役ポリマの提供によっては、当該ポリマが5ないし10%の非共役単位を有するものとすることができる。このような非共役単位は、活性層における注入電子当たりのフォトン数によって規定されるエレクトロルミネセンス効率を向上させることが判明している。
【0020】
上述した共役PPV誘導体は、慣習的有機溶剤、例えばハロゲン化された炭化水素(クロロホルムなど)や芳香性炭化水素(トルエンなど)に溶解可能である。アクトン及びテトラヒドロフラン(tetrahydrofurane)も溶剤として用いることができる。
【0021】
かかる共役ポリマの重合の度合は、10ないし100,000の範囲に及ぶ。
【0022】
共役ポリマの発光層の層の厚さは、場合によって10ないし250nm、特定の場合は50ないし130nmの範囲に及ぶ。
【0023】
LED構造体は、例えばガラス、水晶ガラス、セラミック又は合成樹脂材料によって形成される基板上に設けることができる。トランジスタ又は他の電子的手段は、かかる基板と透明電極との間に存在可能であり、いわゆるアクティブマトリクス基板を形成する。好ましいのは半透明又は透明基板を用いることである。フレキシブルなエレクトロルミネセントデバイスとする場合は、合成樹脂の透明膜が用いられる。好適な透明フレキシブル合成樹脂は、例えばポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエテン、及びポリビニル塩化物である。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、上記態様その他の本発明の態様を実施例に基づいて詳細に説明する。
【0025】
基板3には、真空中のスパッタ処理によりシャドウマスクを介して、構造化されたITO(又はもう一方の透明電極)4が設けられる。CTP層5は、当該構造化されたITO上の閉鎖層としてスピンコートにより堆積される。有機発光材料6は、CTP層上に閉鎖層としてスピンコートされる。電極7は、発光層6上にマスクを介し真空蒸着される。
【0026】
電極4の電極7との各交差部は画素を形成する。例示すると、電極7の1つ(図4の中央の電極)と電極4の1つ(図4の左側の電極)は、電気的ソースと接続され、電極7は接地される。画素11の箇所における有機発光層6は、基板3を介して当該LEDを出る光を発する(図5の矢印13により示される)。
【0027】
有機発光デバイス1は、酸素及び水分と接しないよう封止(カプセル化)される。
【0028】
有機発光デバイス1はさらに、輝度200cd/m以上の光の発光が得られるのに十分な電流を供給することの可能な電気的ソースを含む。
【0029】
デバイス1の画素は、多重駆動法により画素毎に駆動されるマトリクス又はセグメント式ディスプレイを形成する。米国特許公報第6,014,119号において記述されているような多重駆動法においては、例えば200cd/mの時間平均輝度となる所定の時間において、各画素に電気的パルスを供給する。また、全ての電極4を互いに接続することも、電極7を互いに接続することも可能であり、一定の電流を供給することができる。この場合、全ての画素は、同時に同じ電流密度を有する。ここではこれをDC駆動と呼ぶ。
【0030】
有機発光デバイス1は、DC駆動サービス寿命テストを受けることができる。かかるテストにおいては、電流源の正極が全てのアノード4に接続され、負電極が全てのカソード7に接続される。そして、このデバイスは、80℃の周囲温度を維持しながら200cd/mの初期輝度で一定の電流で駆動される。かかるサービス(稼動)寿命は、当該輝度がその初期値の半分に落ちる時間として定義される。DC駆動寿命テストは、全ての画素のエレクトロルミネセンスの均等な減衰をもたらすことになる。代表的な結果が硫酸塩濃度の関数として図1に示される。
【0031】
図1:200cd/mの初期輝度をもってDC駆動下80℃での当該CTP層PEDOTの分散液中の硫酸塩濃度とポリLEDの寿命との相関。
【0032】
Iは、合成し、当該分散液にSO 2―イオンを120ppm含有させ、ポリ−3,4−エチレン ジオキシチオフェン(poly−3, 4−ethylene dioxythiophene):PSSの比=1:20を有した後のPEDOTである。
【0033】
IIは、当該分散液に10ppmを下回るSO 2―イオンをもたらすIのイオン交換されたものである(適用した方法の検出限界)。
【0034】
IIIは、当該分散液において42ppmのSO 2―イオンを伴う標準的な洗浄されたバッチである(ポリ−3,4−エチレン ジオキシチオフェン:PSSの比=1:6)。
【0035】
960ppmのSO 2―イオンがIIIに添加すると、寿命は4時間に減った。
【0036】
図1からは、SO 2―イオン濃度を300ppm未満とすべきであり、特にLEDディスプレイが通信機器分野に用いられるときには4重量%の分散液において50ppm未満とするのが好ましいと結論付けることができる。好ましくは、通信機器のマトリクスディスプレイは、80℃で少なくとも125時間稼動するのが良い。
【0037】
多重駆動法によるサービス寿命テストにおいては、200cd/mの当該デバイスの初期輝度をもたらす所定の時間期間において各画素に電気的パルスが供給される。
【0038】
この実例は、かかるサービス寿命テストの間における多重駆動の下でのアノード収縮と図2示されるような画素の行におけるエレクトロルミネセンスの不均等な劣化を示している。
【0039】
図2は、多重駆動の下でのサービス寿命テスト後のアノード収縮を呈している画素の写真を示している。左は表1の登録番号13(1.0m mol/gのNa)であり、右は表1の登録番号3(0.086m mol/gのNa)である。
【0040】
ディスプレイにおいては、多重駆動の下で劣化現象が生じ、これはアノード収縮と呼ばれている。この現象は、図2に示されるように寿命テストの間においてその中央部へと延びる側方から画素変質をもたらすことが多い。一般には、ディスプレイのいずれか2つの画素又はセグメント間においてアノード収縮が起こりうる。
【0041】
例3に示されるように、エレクトロルミネセンスの不均等な劣化は、発光ポリマとは関係がないがCTP層とは関係がある。
【0042】
アノード収縮に対する金属イオンの作用も確認された。例えば、PEDOT分散液にナトリウムをナトリウム水酸化物(NaOH)として添加した。
【0043】
ナトリウム濃度とアノード収縮量とに相関関係を見い出した(図2及び表1参照)。
【0044】
【表1】
Figure 2004519830
【0045】
表1:星印で質を表したアノード収縮(−は使用不可,*は不満足,**は中間,***は最良の材料)と乾燥したPEDOT層のナトリウム濃度との相関。
【0046】
0.08m mol/gの周辺において改善が見られる。0.25m mol/gを上回るナトリウム濃度が好ましい。
【0047】
登録番号2の材料は、80℃で24時間後に3行分の画素の損失を呈した。塩化ナトリウムの形態の0.022m mol/gのナトリウムを登録番号2の材料の分散液に添加したディスプレイは、80℃で24時間後にアノード収縮の兆候を呈しなかった。同様の作用が他の金属イオンについても見い出された。塩化ナトリウムの形態の0.088m mol/g のナトリウムを登録番号2の材料に添加したディスプレイは、サービス寿命テストにおいてアノード収縮を呈しなかった。
【0048】
このことは、付加的なナトリウムイオンをCTP層に添加することは有益であることを実証するものである。但し、ナトリウムイオン(及びリチウムイオン)は、トランジスタのゲート絶縁体に有害なものである。したがって、現在のCTP層がアクティブマトリクス基板に用いられる場合は、リチウム及びナトリウムイオンを用いないのが良い。多数のイオンすなわち2価、3価及び4価のイオンは、ゲート絶縁体に影響を及ぼすことなくアノード収縮を回避するのに有益であると判明した。したがって、アルカリ金属イオンが用いられる場合、K,Rb及び/又はCsを用いるのが好ましい。Li及びNaイオンは、それらのゲート絶縁体に対する有害な作用のために当該デバイスの寿命を制限すると思われる。
【0049】
好ましい実施例においては、透明電極(好ましくはITO)及びカソードだけを構成する。PEDOT及び発光ポリマ又はオリゴマは、当該構成された透明電極(ITO)にわたり全面的にスピンコートされ、異なる画素のいずれかにわたり接続される、当該デバイスにおける閉鎖層として残る。何故なら、このポリマの構成は、実現不可能又は困難であるからである。ここで用いられるアーキテクチャは、その簡単な用意のために、ポリマLEDの最先端技術である。
【0050】
この「接続されたPEDOT層」のデバイスアーキテクチャにより、アノード収縮は、いずれかの画素が閉鎖PEDOT膜を通じて接続されることにより生じる問題がある。なお、PEDOTは他のポリマで置き換えることができる。したがって、ここでの説明においてはPEDOTを述べたが、他の適切なポリマも用いることができる。
【0051】
本発明は、次の例によって示される。
・例1
図4及び図5を参照するに、有機LEDは、次のようにして構成される。
【0052】
a)ソーダ石灰ガラスの基板3にシャドウマスクを介しスパッタ処理によりインジウム錫酸化物(ITO,170nmの厚さでBalzersで実行)をコートし、図4の構造化された層4を形成する。CTP層の堆積の前に、この基板は、超音波処理の下で水で洗浄され、遠心分離機において乾燥され、15分間UV/オゾン洗浄された。
【0053】
b)構造化されたこのITO層は、今度はスピンコート処理により提供されるCTP材料PEDOT(1:20の比のポリ−3,4−エチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸)(例えば、Bayer社のBaytron P,PSSが1:20の比で加えられた)の200nmの層5によって被覆される。かかる層を加熱プレート上の空気において、170℃で15分間乾燥させた。後者の2つの層(ITOとPEDOT)は、共に正孔注入電極を構成した。乾燥したPEDOT層は、Naの0.027m mol/gのNa及び875ppmの硫酸塩を含んだ(表1の登録番号2)。
【0054】
エレクトロルミネッセント層6も、スピンコートによって設けられ、式I(下記参照)の反復単位のアリル置換されたポリ−p−アリーレンビニレンからなる材料により形成された。式Iのポリマは、国際特許出願WO98/27136号やブロム(P. W. M. Blom)氏、スクー(H. F. M. Schoo)氏及びマッターズ(M. Matters)氏によるAppl. Phys. Lett.73,1998,3914−3916,p.3916,Fig.2の差し絵並びに赤からオレンジ光のフォトルミネセンス及びエレクトロルミネセンスから知られている。
【0055】
当該発光ポリマは式Iを有する。
【化1】
Figure 2004519830
d)エレクトロルミッネセント層6は、連続的にそれぞれ10及び10nmの厚さのBa及びAl層で被覆され、これらが共に電子注入電極を形成した。これらの層の各々は、シャドウマスクを介して真空中金属蒸着の堆積により塗布され、図4及び図5に示される画素形成されたデバイスを導く。
【0056】
有機発光デバイス1は、DC駆動されるサービス寿命テストを受けた。かかるテストでは、電流源の正極は全アノード4に負極は当該デバイスの全カソード7に接続され、当該デバイスは周囲温度を80℃に保ちつつ一定電流でかつ200cd/mの初期輝度にて駆動された。このようにして定められる、輝度がその初期値の半分に下降する時間として定義されるサービス寿命は、全ての画素において発射光が均等に減衰することを条件として約140時間であった。
【0057】
200cd/mのデバイス初期輝度をもたらす所定の時間期間において電気パルスが画素毎に供給される多重駆動法の下での寿命テストでは、140時間のサービス寿命が達成された。本実例は、多重駆動の下でアノード収縮を示した。80℃で96時間経過後には、図3に示されるように4行分の画素において不均等なエレクトロルミネセンスが得られた。かかるエレクトロルミネセンスの不均等な劣化は、発光ポリマには関係ないがCTP層とは関係がある(例3参照)。
【0058】
図3:多重駆動力の下での80℃のサービス寿命テストを96時間経過させた後のLEDのアノード収縮。
・例2
例1を繰り返したが、異なる濃度の硫酸塩イオンをPEDOT分散液に添加した。SO 2−イオンがポリLEDの寿命及び効率に害があることを実証するために硫酸(HSO)がPEDOTに添加された。
【0059】
例1の100mlのPEDOT分散液は、4重量%の固体含有量を有しており、そのうちの約95重量%はPSSである。これは、100mlのPEDOTにおける0.021モルのPSSのモノマに相当する。
【0060】
SOを0.001モル(=0.096g=100ml当たり960ppmのSO 2−)と0.005モル(=0.48g=100ml当たり4800ppmのSO 2−)それぞれPEDOT分散液に添加した。デバイスの効率と寿命は表2に示されるように劇的に落ちた。
【0061】
PEDOT分散液に添加されるKSOのような金属イオン硫酸塩は、HSOと同様に害のある作用を呈した。
【0062】
【表2】
Figure 2004519830
【0063】
表2:PEDOTの標準的なものと改変されたものとによる室温での効率と80℃,200cd/mでの発光ポリマのDC駆動下での寿命。全てのカソードと全てのアノードが接続され一定の電流が供給されて室温で200cd/mの初期輝度をもたらした。
【0064】
・例3
図4に表されたようなアノード収縮を回避すべくPEDOT分散液にNaClが添加されたことを除き例1を繰り返し、当該分散液に0.022m mol/gのナトリウムを付与した。例1において用いられたような材料は、多重駆動下において80℃で24時間経過した後に既に4行分の画素において不均等なエレクトロルミネセンスを呈する一方、0.022m mol/gのナトリウムを含有する添加物を伴うアクティブディスプレイは24時間後もアノード収縮を見せなかった。
【0065】
・例4
PEDOT分散液にNaClを添加して当該分散液に0.088m mol/gのナトリウムを付与することを除き、例1を繰り返した。多重駆動法の下で96時間サービス寿命テストをした後において、アクティブディスプレイはアノード収縮を見せなかった。
【0066】
上記例は、有機LEDに用いられる電荷輸送ポリマ(charge transport polymer:CTP)層におけるナトリウムの量によって、当該LEDが多重駆動法において駆動される短縮(加速)したサービス寿命テストにおいて観察されるアノード収縮の程度に大きな作用を呈しうるものであることを示している。これらの例において用いた発光ポリマは、PPVである。
【0067】
同様の結果は、発光ポリマとしてのポリフルオレンに対しても得られる。赤色発光ポリフルオレンと約0.25m mol/gのNaを有するCTP層とを有するLEDの特定例においては、80℃で600時間行った寿命テストにおいてアノード収縮は見られない。比較として同じCTP層がナトリウムなしで用いられた場合には、激しいアノード収縮は見られた。かかる赤色発光ポリフルオレンを緑色発光ポリフルオレンと置き換えた場合に同じ結果が得られる。すなわち、ナトリウム含有CTP層において非収縮であり当該CTP層がナトリウムのない場合は激しいアノード収縮を生じるのである。
【0068】
発光ポリマとしてのPPVを有するLEDの寿命は、当該CTP層に存在するナトリウムの量によっては若干であってそれほど強い影響を受けない。代表例として、0.003m mol/gのNaを有するPEDOTのCTP層を持つPPV−LEDの寿命が77時間である場合、CTP層が1m mol/gのNaを有することを除く全ての点で同一のLEDの寿命は111時間に増える。
【0069】
但し、下の表に示されるようにポリフルオレンは、ナトリウム量の寿命に対してより複雑な作用を呈している。
【0070】
【表3】
Figure 2004519830
【0071】
表3において、2番目の列はCTP層におけるNaの濃度を、3番目の列はサービス寿命テストの開始時点における輝度LについてのLEDの効率を、最後の列は、6.25mA/cmの一定電流密度におけるDCサービス寿命テストたるサービス寿命テストを強調した場合におけるLEDの寿命を示している。多重化の条件の下で同様の結果が見込める。驚くべきことに、通常信じられているものとは対照的に、表3は、サービス寿命テストの開始時における効率がナトリウムの量が低くなるほど着実に増大するものの、寿命は同じ傾向に従わず、約0.15m mol/gのNaで最適値を示すのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】200cd/mの初期輝度をもってDC駆動下80℃での当該CTP層PEDOTの分散液中の硫酸塩濃度とポリLEDの寿命との相関を示すグラフ。
【図2】多重駆動の下でのサービス寿命テスト後のアノード収縮を呈している画素の写真の複写図。
【図3】多重駆動力の下での80℃のサービス寿命テストを96時間経過させた後のLEDのアノード収縮の写真の複写図。
【図4】ディスプレイの形態のエレクトロルミネッセント装置を概略的に示す平面図。
【図5】図4のII−II線に沿って破断した概略断面図。

Claims (7)

  1. 有機発光ダイオードであって、透明電極を有し、この透明電極は導電性透明ポリマの層が重ねられ、このポリマの層は金属カソードが重なる発光ポリマ、オリゴマ又は低分子量化合物の層が重ねられ、
    前記導電性透明ポリマ層は、7,500ppmを下回る硫酸塩イオン含有物と、0.04m mol/gを上回る金属イオン含有物とを有する、ダイオード。
  2. 請求項1に記載のダイオードであって、前記導電性透明ポリマは、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアミン、ポリアニリン及びポリアセチレンから選択されたポリマを有する、ダイオード。
  3. 請求項2に記載のダイオードであって、前記導電性透明ポリマは、ポリ−3,4−エチレン ジオキシチオフェン及びポリスチレンスルホン酸の混合物である、ダイオード。
  4. 請求項1ないし3のうちいずれか1つに記載のダイオードであって、1,250ppmを下回る硫酸塩イオン含有物を含む導電性透明ポリマ層を有する、ダイオード。
  5. 請求項1ないし4のうちいずれか1つに記載のダイオードであって、前記金属イオンが0.5m mol/gを上回る含有量とされた導電性透明ポリマ層を有する、ダイオード。
  6. 請求項1ないし5のうちいずれか1つに記載のダイオードであて、前記金属イオンがK,Rb,Cs,Mg,Ba及び/又はCaを代表とするアルカリ又は土類アルカリ金属とされた導電性透明ポリマ層を有する、ダイオード。
  7. 請求項1ないし6のうちいずれか1つに記載のダイオードであって、前記透明電極層は、インジウム酸化物又はインジウム錫酸化物である、ダイオード。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004063139A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2006522483A (ja) * 2003-03-10 2006-09-28 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 有機メモリデバイスのためのスピンオンポリマー
WO2008149874A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7628668B2 (en) 2006-07-06 2009-12-08 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing organic EL device and electronic apparatus
JP2013540865A (ja) * 2010-10-12 2013-11-07 ヘレウス プレシャス メタルズ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 明確な硫酸イオン含有量を持つポリチオフェンを含む分散液

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100946005B1 (ko) 2002-05-10 2010-03-09 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 중합체, 그의 제조 및 용도
US7368659B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 General Electric Company Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices
GB0229659D0 (en) * 2002-12-20 2003-01-22 Avecia Ltd Electronic devices
GB0306414D0 (en) 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Polymers,their preparations and uses
GB0306409D0 (en) 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
US6936761B2 (en) * 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
US7511217B1 (en) 2003-04-19 2009-03-31 Nanosolar, Inc. Inter facial architecture for nanostructured optoelectronic devices
US20060261314A1 (en) * 2003-05-19 2006-11-23 Lang Charles D Hole transport composition
US7462774B2 (en) * 2003-05-21 2008-12-09 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template
US7605327B2 (en) 2003-05-21 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template
CN1813362A (zh) * 2003-06-26 2006-08-02 纳幕尔杜邦公司 在基底上形成填充介电材料的图案的方法
CN1833323A (zh) * 2003-08-06 2006-09-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管
GB0321781D0 (en) 2003-09-17 2003-10-15 Toppan Printing Company Ltd Electroluminescent device
JP4381080B2 (ja) * 2003-09-29 2009-12-09 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US20050069727A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Rahul Gupta Oled emissive polymer layer
US6963081B2 (en) * 2003-09-30 2005-11-08 Osram Otpo Semiconductors Gmbh Interfacial trap layer to improve carrier injection
EP1682600B1 (en) 2003-11-10 2013-01-23 Cambridge Display Technology Limited Dibenzosilol polymers, their preparation and uses
US20060231828A1 (en) * 2004-07-29 2006-10-19 Margaretha De Kok-Van Breemen Light-emitting diode
US7850871B2 (en) * 2004-10-13 2010-12-14 Air Products And Chemicals, Inc. Resistivity stable electrically conductive films formed from polythiophenes
US7569158B2 (en) * 2004-10-13 2009-08-04 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous dispersions of polythienothiophenes with fluorinated ion exchange polymers as dopants
GB0427266D0 (en) 2004-12-13 2005-01-12 Cambridge Display Tech Ltd Phosphorescent OLED
JP4966203B2 (ja) 2004-12-24 2012-07-04 シーディーティー オックスフォード リミテッド 発光装置
GB0428445D0 (en) 2004-12-29 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Blue-shifted triarylamine polymer
GB0428444D0 (en) 2004-12-29 2005-02-02 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
GB2436996B8 (en) 2004-12-29 2013-12-11 Cambridge Display Tech Ltd Rigid amines
US7563392B1 (en) * 2004-12-30 2009-07-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic conductive compositions and structures
US20060177690A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Tri-layer PLED devices with both room-temperature and high-temperature operational stability
GB0503401D0 (en) * 2005-02-18 2005-03-30 Applied Multilayers Ltd Apparatus and method for the application of material layer to display devices
GB0507684D0 (en) 2005-04-15 2005-05-25 Cambridge Display Tech Ltd Pulsed driven displays
DE102005017655B4 (de) * 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
GB0514476D0 (en) 2005-07-14 2005-08-17 Cambridge Display Tech Ltd Conductive polymer compositions in opto-electrical devices
GB0518968D0 (en) 2005-09-16 2005-10-26 Cdt Oxford Ltd Organic light-emitting device
GB2433509A (en) 2005-12-22 2007-06-27 Cambridge Display Tech Ltd Arylamine polymer
GB0526185D0 (en) 2005-12-22 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device
GB0526393D0 (en) 2005-12-23 2006-02-08 Cdt Oxford Ltd Light emissive device
GB2434915A (en) 2006-02-03 2007-08-08 Cdt Oxford Ltd Phosphoescent OLED for full colour display
GB2440934B (en) 2006-04-28 2009-12-16 Cdt Oxford Ltd Opto-electrical polymers and devices
GB0617167D0 (en) 2006-08-31 2006-10-11 Cdt Oxford Ltd Compounds for use in opto-electrical devices
GB0620045D0 (en) 2006-10-10 2006-11-22 Cdt Oxford Ltd Otpo-electrical devices and methods of making the same
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
GB2448175B (en) 2007-04-04 2009-07-22 Cambridge Display Tech Ltd Thin film transistor
GB2454890B (en) 2007-11-21 2010-08-25 Limited Cambridge Display Technology Light-emitting device and materials therefor
GB2455747B (en) 2007-12-19 2011-02-09 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
GB2456788B (en) 2008-01-23 2011-03-09 Cambridge Display Tech Ltd White light emitting material
GB0803950D0 (en) 2008-03-03 2008-04-09 Cambridge Display Technology O Solvent for printing composition
GB2458454B (en) 2008-03-14 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques
GB2459895B (en) 2008-05-09 2011-04-27 Cambridge Display Technology Limited Organic light emissive device
GB2462410B (en) 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
GB2462122B (en) 2008-07-25 2013-04-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent materials
GB0814161D0 (en) 2008-08-01 2008-09-10 Cambridge Display Tech Ltd Blue-light emitting material
GB2462314B (en) 2008-08-01 2011-03-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emiting materials and devices
GB2462844B (en) 2008-08-21 2011-04-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
GB2463040B (en) 2008-08-28 2012-10-31 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting material
GB2463077B (en) 2008-09-02 2012-11-07 Sumitomo Chemical Co Electroluminescent material and device
GB2464111B (en) 2008-10-02 2011-06-15 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
GB2466843A (en) 2009-01-12 2010-07-14 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
GB2466842B (en) 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
GB2469500B (en) 2009-04-16 2012-06-06 Cambridge Display Tech Ltd Method of forming a polymer
GB2469498B (en) 2009-04-16 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and polymerisation method
GB0906554D0 (en) 2009-04-16 2009-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
GB2469497B (en) 2009-04-16 2012-04-11 Cambridge Display Tech Ltd Polymers comprising fluorene derivative repeat units and their preparation
GB2475247B (en) 2009-11-10 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectronic device and method
GB2475246B (en) 2009-11-10 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device and method
GB2484253B (en) 2010-05-14 2013-09-11 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting composition and device
GB2480323A (en) 2010-05-14 2011-11-16 Cambridge Display Tech Ltd OLED hole transport layer
GB2487342B (en) 2010-05-14 2013-06-19 Cambridge Display Tech Ltd Host polymer comprising conjugated repeat units and non-conjugated repeat units for light-emitting compositions, and organic light-emitting devices
GB2499969A (en) 2010-06-25 2013-09-11 Cambridge Display Tech Ltd Composition comprising an organic semiconducting material and a triplet-accepting material
CN102959757B (zh) 2010-06-25 2016-01-06 剑桥显示技术有限公司 有机发光器件和方法
GB2483269A (en) 2010-09-02 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Organic Electroluminescent Device containing Fluorinated Compounds
GB2484537A (en) 2010-10-15 2012-04-18 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting composition
GB2485001A (en) 2010-10-19 2012-05-02 Cambridge Display Tech Ltd OLEDs
GB2487207B (en) 2011-01-12 2013-07-31 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescence
GB2494096B (en) 2011-01-31 2013-12-18 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
GB201122316D0 (en) 2011-12-23 2012-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Polymer, polymer composition and organic light-emitting device
WO2012104628A1 (en) 2011-01-31 2012-08-09 Cambridge Display Technology Limited Polymer
GB201105582D0 (en) 2011-04-01 2011-05-18 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device and method
GB201107905D0 (en) 2011-05-12 2011-06-22 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting material, composition and device
GB201110564D0 (en) 2011-06-22 2011-08-03 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and optoelectronic device
GB201110565D0 (en) 2011-06-22 2011-08-03 Cambridge Display Tech Ltd Organic optoelectronic material, device and method
WO2013005028A1 (en) 2011-07-04 2013-01-10 Cambridge Display Technology Limited Organic light emitting device and fabrication method thereof
GB201111742D0 (en) 2011-07-08 2011-08-24 Cambridge Display Tech Ltd Solution
GB201113563D0 (en) 2011-08-05 2011-09-21 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting polymers and devices
GB201210131D0 (en) 2011-11-02 2012-07-25 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting composition and device
GB201118997D0 (en) 2011-11-03 2011-12-14 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device and method
GB201200619D0 (en) 2012-01-16 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
JP6225120B2 (ja) 2012-01-31 2017-11-01 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ポリマー
GB2505893A (en) 2012-09-13 2014-03-19 Cambridge Display Tech Ltd Compounds for use in organic optoelectronic devices
GB2508410A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and organic electronic device
GB2514818B (en) 2013-06-05 2015-12-16 Cambridge Display Tech Ltd Polymer and organic electronic device
GB2573338A (en) 2018-05-04 2019-11-06 Sumitomo Chemical Co Device
GB2575089A (en) 2018-06-28 2020-01-01 Sumitomo Chemical Co Phosphorescent light-emitting compound
GB2579807A (en) 2018-12-14 2020-07-08 Sumitomo Chemical Co Composition and organic light-emitting device
GB2581141A (en) 2019-01-31 2020-08-12 Sumitomo Chemical Co Light-emitting composition

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
EP1271669A3 (en) * 1994-09-06 2005-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
EP0771459A2 (en) * 1995-05-19 1997-05-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
WO1998027166A2 (de) 1996-12-18 1998-06-25 Basf Coatings Ag Beschichtungsmittel und verfahren zu dessen herstellung
DE19841803A1 (de) * 1998-09-12 2000-03-16 Bayer Ag Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
US6372154B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004063139A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2006522483A (ja) * 2003-03-10 2006-09-28 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 有機メモリデバイスのためのスピンオンポリマー
US7628668B2 (en) 2006-07-06 2009-12-08 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing organic EL device and electronic apparatus
WO2008149874A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2013540865A (ja) * 2010-10-12 2013-11-07 ヘレウス プレシャス メタルズ ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 明確な硫酸イオン含有量を持つポリチオフェンを含む分散液

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