JP2004518277A - パターン形成方法及び半導体素子 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 31
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/122—Single quantum well structures
- H01L29/127—Quantum box structures
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7613—Single electron transistors; Coulomb blockade devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
本発明はパターン形成方法及び装置に関するもので、特に物質の結晶構造を利用して１〜５０ｎｍの大きさの量子点及び量子細線の形成のためのパターン形成方法及び装置と、その構造を有する機能性素子の製造に関するものである。
本発明において、機能性素子とは、量子点または量子細線の形成工程を含む手順によって製造できる電気素子、磁器素子及び光素子を意味する。
【選択図】図７
本発明において、機能性素子とは、量子点または量子細線の形成工程を含む手順によって製造できる電気素子、磁器素子及び光素子を意味する。
【選択図】図７
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパターン形成方法及び半導体素子に関するもので、特に結晶性物質の原子配列を利用して１〜５０ｎｍの大きさの量子点及び量子細線の形成のためのパターン形成方法と、その構造を有する機能性素子の製造に関するものである。
本発明において、機能性素子とは、量子点または量子細線の形成工程を含む手順によって製造できる電子素子、磁気素子及び光素子を意味する。
【０００２】
【従来の技術】
量子点または量子細線の形成工程は、量子点または量子細線を利用した電子素子、磁気素子及び光素子への応用の可能性が台頭するにつれて、これら素子の形成のための中核プロセスとなった。量子点及び量子細線を利用した電子素子、磁気素子及び光素子の基本的な作動原理は、粒子の物理的大きさがナノメータ単位の大きさになれば、その粒子の諸般の物理的性質が粒子の大きさに大きな影響を受けるという量子力学の結果に基づくものである。特に、過去４０余年に渡って絶えず発達してきたＭＯＳ素子の限界を克服するためのＭＯＳ素子に代わるものとして提示されて来た単一電子素子の登場と共に、多くの研究が行われている。
【０００３】
従来から研究されてきた量子点及び量子細線の形成工程は、次のような３種類の方法に大別できる。
【０００４】
第一は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｏｃｐｙ）、ＳＴＭ（走査トンネル顕微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）、そして電子ビームリソグラフィーなどを利用して、一つまたは数個の量子点や量子細線を形成する方法である。この方法は、実験的には大きさと位置が制御された量子点または量子細線を形成できるが、生産性に問題があって大量生産には適用できなかった。
【０００５】
第二は、パターニング及びエッチングによって制御された量子点や量子細線を形成する方法である。この方法においてパターニングは、電子ビームを使用して基板上に直接量子点または量子細線を形成したり、マスクまたは型によって基板上に捺印（ｉｍｐｒｉｎｔ）した化学物質を電子ビームを用いて、エッチングして量子点または量子細線を形成する方法である。
【０００６】
第三は、材料の相変化の初期段階で生じる核生成段階を制御することによって量子点または量子細線を形成する方法である。この方法は大量生産には適用できるが、量子点や量子細線の大きさや密度またはその分布を制御することにおいては問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用するパターン形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用してパターニングすることにより制御できる大きさ及び密度の均一な量子点及び量子細線の形成方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、実用的に半導体素子を生産するために物質の結晶構造を使用して量子点及び量子細線を形成するための方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、量子点及び量子細線構造を有する半導体素子を提供することにある。
【０００９】
前述した本発明の目的及び他の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用してパターンを形成する方法を提供することによって達成できる。本発明の一実施形態において、物質の結晶構造を利用してパターンを形成する方法は、透過電子顕微鏡のチャンバー内に結晶構造を有する物質を置く工程と、前記物質に電子ビームを照射する工程と、被照射物質の表面上に、前記物質を通過した透過電子ビームと回折電子ビームにより前記結晶構造を有する物質の格子イメージからパターンを形成する工程と、を含む。
【００１０】
好ましくは、前記格子イメージは位相コントラスト映像法により形成する。
好ましくは、結晶構造を有する前記物質は数十ナノメータの厚さを有するように処理する。
好ましくは、前記被照射物質は半導体基板上のフォトレジスト材料である。
好ましくは、前記半導体素子はソース領域とドレーン領域が形成された基板上にゲート酸化膜と非晶質シリコンを堆積させ、その上にフォトレジスト材料を塗付する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。但し、以下の説明では、周知の機能や構造については詳細には説明しない。
まず、本発明の理解を助けるために、一般材料の結晶格子構造とその多様な概略図について説明する。
【００１２】
地球上に存在する全ての物質が、原子と幾つかのこれら原子の組合せである分子によって構成されていることは周知の事実であり、特に固相をなしている物質は原子が原子に比べれば長い距離にわたって繰り返し、すなわち周期的に配列されている結晶質材料と、原子に比べ比較的長い距離にわたって原子が組織的規則的に配置されていない非晶質材料とに区分することができる。原子の規則的な配列に関する研究は、１９１２年にマックス・フォン・ラウエ（Ｍａｘ ｖｏｎ Ｌａｕｅ）がＸ線回折を発見することによって始まった。１９１３年にはブラッグ（Ｗ．Ｈ．Ｂｒａｇｇ）父子がダイアモンド、塩等の結晶構造をＸ線によって解析し、１９２０年にはエワルト（Ｅｗａｌｄ）が逆格子理論を発表した。現在までに地球上に存在する１０万種以上の有機及び無機化合物の結晶構造が明らかになった。
【００１３】
ある一点を、一定の方向に特定の距離ａだけ平行移動すれば二目めの点になり、これをまた同様に移動すれば三番目の点が生じる。このように、一つの点を繰り返して平行移動させれば、図１（ａ）に示すように点列が生じるようになる。ここで、一点を一定の方向に特定の距離だけ移動する動作の繰り返しによって生じる点列を格子と称する。この時、一定の方向に特定の距離だけ移動する動作を並進と称し、これはベクトルａで表示できる。ここで特定の距離、すなわちベクトルの絶対値｜ａ｜＝ａを周期または単位周期と称する。この点列において、それぞれの点は互いに同じであり、一点を原点にすれば、他の点は原点からの位置ベクトルとして次の式のように表示できる。
【００１４】
【数１】
ここで、ｍは−∞から＋∞までの整数である。
【００１５】
この点列を他の方向に並進させれば、図１（ｂ）に示すように網面が生じて、この網面を格子面と称する。格子面をまたこの面に平行しない第３の方向への並進ｃによって平行移動させれば、３次元の網点面が形成されて、これを空間格子と称する。この空間格子におけるそれぞれの格子点はある一つの原点から位置ベクトルｒによって定義され、次の式のように表示できる。
【００１６】
【数２】
ここで、ｍ、ｎ、ｐは−∞から＋∞までの整数である。すなわち、空間格子は図１（ｃ）に示すように無限なる空間上に無限に広げられている。
【００１７】
結晶が巨視的に均一であるとは、結晶内におけるある部位の性質がこの部位から任意の距離離れている他の部位と同一であることをいう。図２は任意の仮想的な結晶構造を示す。ここに示すように、結晶内における任意の点ｐは原点からの位置ベクトルによって表され、このベクトルをＬとし、この結晶をなしている格子の単位並進ベクトルをａ、ｂ、ｃとすれば、次の式のように表示できる。
【００１８】
【数３】
ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚは実数であり、ｘ、ｙ、ｚは０から１までの小数である。
【００１９】
すなわち、空間上の任意の点は結晶格子を表すｒｌと格子内の位置ベクトルを表すｒで表現される。ここで、３個の並進ベクトルにより定義される単位格子を単位胞という。
【００２０】
ここで、結晶内における任意の点を原点（０、０、０）に定めれば、この点から生成される格子点は互いにそれらが持っている性質が同一である。言い換えれば、結晶内におけるいずれの点を原点に定めても、この点の並進により生じた各格子点は互いに同一である。ここで同一であるとは、この点を囲む環境の幾何学的形状や、隣接原子の種類などの化学的な性質や電子密度、電位差など物理的な性質を含む全ての性質が同一であることを意味する。
【００２１】
単位胞を決定する３個のベクトル、すなわちａ、ｂ、ｃの相互関係によって全ての結晶は、以下に述べる７個の結晶軸系のうちいずれかに属する。次の表１は単位胞の三軸を定義する格子常数の間の関係を表す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
また、全ての結晶は、図３に示すような１４個のブラベー格子のうちいずれかを有する。これは単位胞内に一つの格子点を有する単純格子（Ｐ：ｐｒｉｍｉｔｉｖｅ ｃｅｌｌ）、一面の中心に一つの格子点がある単位胞を有する底心格子（Ａ、ＢまたはＣ）、各面の中心に格子点を有する面心格子（Ｆ）、そして単位セルの中心に一つの格子点を持つ体心格子（Ｉ）のように単位胞内の格子点の数によって分類される。
【００２４】
現在まで知られている、１０万種を越す有機及び無機化合物の結晶構造は、７種の結晶系、そして１４種のブラベー空間格子の一つに区分される。実際に構成される結晶構造は、上に定義した１４個のブラベー空間格子を表示する格子点に一つまたは複数の同一な、または相異する原子の配列によって構成される。
【００２５】
次に、このような結晶構造のいくつかの例を挙げると共に、このような結晶構造をある特定の結晶方向に投射した時現れる原子の配列による形態を説明する。
一例を挙げれば、Ａｌは立方（ｃｕｂｉｃ）晶系（ａ＝ｂ＝ｃ）に該当してブラベー格子の面心格子であるので、一つの単位胞内に４個の格子点を持つ。Ａｌの結晶構造はこの格子点に一つのＡｌ原子を配列することによって構成され、この時格子常数ａ＝ｂ＝ｃ＝０．４０４ｎｍである。したがって、Ａｌの単位胞の構造を描くと、図４（ａ）に示すようになる。［１００］、［１１０］および［１１１］方向に投射して原子の配列が表すパターンをみると、図４（ｂ）、図４（ｃ）、および図４（ｄ）に示すようになる。
【００２６】
別の例は、ダイアモンド結晶構造を持つＳｉの場合である。Ｓｉは立方晶系の結晶系をでありＡｌと同様に面心格子に該当するブラベー空間格子を持つ。したがって、一つの単位胞内に４個の格子点を有するが、単純な面心立方晶系とは異なり、一つの格子点に二つの原子が配列されている（格子常数ａ＝ｂ＝ｃ＝０．５４３ｎｍ）。したがって、一つの単位胞内に８個の原子が配列されている。図５（ａ）はこのようなＳｉの単位胞を示す。また、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５（ｄ）はＳｉ結晶格子を［１００］、［１１０］、［１１１］方向に投射してみた時のＳｉ原子によって現れる２次元のパターンを示す。図５（ｅ）は図５（ｂ）を時計方向に５６度、方位角１５度に回転させた時の形状を示す。図５（ｃ）で見られるイメージがあたかもいくつもの線のような形状をなしていることを見ることができる。これはＳｉ単結晶は、プロセス技術によっては、単電子トランジスターの素子等において量子細線の形成に応用できることを示すものである。
【００２７】
さらに別の例は、ＧａＡｓの結晶構造である。ＧａＡｓはＡｌ、およびＳｉと同様に立方晶系の結晶軸系を持ち、やはりＡｌ、およびＳｉと同様に面心格子に該当するブラベー空間格子を持つ。しかし単純立方格子であるＡｌ、そしてダイアモンド結晶構造のＳｉとは異なり、一つの格子点に一つのＧａと一つのＡｓ原子が配列されている結晶構造である（格子常数 ａ＝ｂ＝ｃ＝０．５６５ｎｍ）。このようなＧａＡｓ結晶構造の単位胞を図６（ａ）に示し、ＧａＡｓの結晶構造を［１００］、［１１０］、および［１１１］方向に投射してみた時に現れる２次元のパターンを、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図６（ｄ）にそれぞれ示す。図６（ｅ）は図５（ｅ）と同様に、図６（ｃ）を時計方向に５６度、方位角１５度に回転させた時の形状を示す。Ｓｉと同様に、ＧａＡｓ単結晶もまた、量子細線形成に応用できる良い例である。
【００２８】
前述したＡｌ、Ｓｉ、およびＧａＡｓは、結晶構造において原子の配列が表すいくつかの例に過ぎず、知られた１０万個以上の結晶構造を特定の結晶方向によって２次元上に透過してそれらの原子が表すパターンをみれば、非常に多様なパターンが現れ得ることを例示する一部分に過ぎない。もちろん、このようなパターンは結晶方向及び結晶構造によって異なるようになる。
【００２９】
前述した結晶における原子の配列は、高分解能透過電子顕微鏡の位相コントラスト映像法を使用して観察できる。いままでの電子顕微鏡の発達に伴って２００ないし３００ｋＶの加速電圧で０．１４ｎｍないしは０．２０ｎｍの領域で原子の配列状態を観察することが可能である。
【００３０】
位相コントラスト映像法は、結晶質の試料によって発生する一つ以上の回折ビームと透過ビームとの間の位相差を利用して映像を得る方法である。この方法は、回折コントラストや吸収コントラストのような他の方法に比べて遥かに良い分解能を得ることができる。
【００３１】
図７は位相差により干渉パターンがどのように生じるかを示す。図７に示すように、画像は投射面での回折された電子ビームと透過ビームとの間の位相差により形成される。
【００３２】
電子ビーム３が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された物質５は、チャンバーに置かれる。電子ビーム３はこの厚さの物質５を透過することができる。同時に物質５と透過電子との相互作用により、電子ビームは透過ビームと回折ビームに分けられる。
【００３３】
物質５を透過する際に分離された透過ビームと回折ビームは、対物レンズ７及び絞り８を通過する。この結果、これらの２つのビームは互いに干渉して空間上に結晶構造を持つ物質の格子イメージを形成する。この実施の形態において、イメージ平面とは物質５を透過する際に分離された透過ビームと回折ビームが干渉して結晶構造の格子イメージを形成する平面を意味する。イメージ平面９に形成された画像をレンズにより拡大や縮小して使用するか、またはそのまま使用する。本発明において、パターンはこのイメージを用いて形成する。
【００３４】
干渉パターンの間隔は結果的に物質内に存在する格子間隔、すなわち原子面の間隔に比例し、この干渉パターンを利用すれば原子面における原子の配列を識別することができる。
【００３５】
実際の高分解能電子顕微鏡（ＴＥＭ）の使用においては、対物レンズによって形成された一次干渉パターンを対物レンズの後方に設けたいくつかのレンズを通じて順次に拡大（最終倍率は数十万倍に該当）し、直接に観察ができるようになっている。一般的に使用する対物レンズの倍率は数十倍から数百倍である。一例を挙げれば、０．３ｎｍ間隔の原子の配列は、対物レンズの倍率を１００倍とした時、３０ｎｍの間隔の干渉パターンに拡大される。このように生成された干渉パターンを、さらにいくつかの後方レンズを使用して拡大または縮小すれば、数ｎｍから数十ｎｍまでの原子映像または原子線映像を得るようになる。
【００３６】
本発明は物質の結晶構造を利用してパターンを形成する。結晶構造を有し透過電子顕微鏡のチャンバーに置いた試料物質に電子線を照射する。電子がこの試料を透過する際、位相コントラスト法により格子イメージが形成される。透過した電子ビームと回折された電子ビームの干渉により位相コントラストを形成する。この結晶構造の格子イメージを用いることにより機能性素子製造用のパターンを得ることができる。
【００３７】
この実施形態では、物質の結晶構造を用いてパターンを形成する方法は、半導体素子を形成するためのものであり、結晶構造を有する物質をＴＥＭのチャンバー内に置き、電子ビームを照射し、次いで位相コントラスト法により物質の格子イメージを形成し、最後に、結晶構造を有する物質の格子イメージから半導体素子基板にパターンを形成する。
【００３８】
本発明において、パターン形成方法は、以下の通りである。イメージ平面に形成された物質の格子イメージを所望の大きさに拡大したり縮小する。次いで半導体材料上に塗付したフォトレジストをこのイメージで露光することができる。このイメージは、電子顕微鏡のチャンバー内に置いた物質の格子イメージの一部を用いて形成することができる。
【００３９】
現在使われている高分解能透過電子顕微鏡による場合、既に原子単位の分解能が確保されている。したがって、本発明に係るパターン形成方法において、イメージ平面に形成された結晶構造を持つ物質の格子イメージを拡大せず、さらに縮小すれば、感光材が塗布された半導体ウエハーを感光させる時、半導体ウエハーの上には数Åのパターンが形成できる。
【００４０】
本発明に係る物質の結晶構造を利用して形成するパターンは、使用される物質の結晶構造によって決定される。したがって、物質の結晶構造における各原子の配置及び各原子の間の距離は、最終的に形成される半導体素子にそのまま具現化される。
【００４１】
図８は本発明の他の実施の形態を表す図面である。
図８に示すように、電子ビーム１１が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された試料１３はチャンバーの中央に置かれる。電子ビーム１１は結晶構造を有する物質１３との相互作用により透過ビーム及び回折ビームに分けられる。
【００４２】
物質１３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームは、対物レンズ１５及び絞り１７を通過した後、互いに干渉して空間上に結晶構造を持つ物質の格子イメージを形成する。本発明において、イメージ平面とは物質１３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームが干渉して結晶構造の格子イメージが形成される空間上の平面を意味する。イメージ平面に形成された画像は中間レンズ１９により拡大される。
【００４３】
本発明においては、電子ビームの加速電圧は、物質の原子面間隔、電子ビームの位置合わせ、透過電子顕微鏡カラム内の真空度、電子ビームを偏向させる電子レンズの非点収差の校正程度、電子銃の輝度等によって決定される。一般的に加速電圧は１００ｋｅＶ〜１ＭｅＶ程度の加速電圧が使われる。原子面間隔が３Å程度であれば１００ｋｅＶの加速電圧が、原子面間隔が２Å程度であれば２００ｋｅＶの加速電圧が必要とされる。
【００４４】
本発明の方法で製造された単電子トランジスター素子は半導体基板と、この半導体基板内で一定の距離を置いて離間して形成されたドレーン領域及びソース領域と、量子点を含む層からなる構造を持つ。量子点は、前記ドレーン領域とソース領域との間の半導体領域上に位置して、透過電子顕微鏡のチャンバーに位置する物質の格子イメージの少なくとも一部と同一のパターンである。
【００４５】
図９は本発明の別の実施の形態を示す図面である。図９に示すように、電子ビーム２１が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された試料物質２３がチャンバー中央に置かれている。電子ビーム２１は結晶構造を有する物質２３により透過ビームと回折ビームに分けられる。
【００４６】
物質２３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームは、対物レンズ２５及び絞り２７を通過した後、互いに干渉して結晶構造の格子イメージを形成する。本発明において、イメージ平面とは物質２３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームが干渉して結晶構造を持つ物質の格子イメージが形成される平面を意味する。イメージ平面に形成された画像は中間レンズ２９により縮小される。
【００４７】
図１０（ａ）ないし図１０（ｆ）は、単電子半導体を製造するプロセスの一実施の形態を順次示す断面図である。
図１０（ａ）は、Ｓｉウエーハ内にソース領域３１とドレーン領域３３を形成する工程を示す。
図１０（ｂ）は、Ｓｉ基板３０の上に数ｎｍ厚さのゲート酸化膜３５を成長させ、ゲート酸化膜３５の上に数ｎｍ厚さの非晶質Ｓｉ３７を蒸着する工程を示す。
図１０（ｃ）は非晶質Ｓｉ３７の上にフォトレジスト３９を塗布する段階を示す。
【００４８】
その後、図５（ｅ）に示すようなパターンを形成するため、［１１０］ゾーン（ｚｏｎｅ）軸を有するＳｉを透過顕微鏡のチャンバーに置く。
図１０（ｄ）はフォトレジスト膜３９を感光させるために電子ビームを照射する工程を示す。
図１０（ｅ）は、プラズマ法を使用してフォトレジスト膜３９を除去し、非晶質Ｓｉをエッチングして量子点を形成する工程を示す。
図１０（ｆ）は、量子点が形成された非晶質Ｓｉ３７上にコントロール酸化膜４１とポリシリコン４３を蒸着した後、パターンを形成する工程を示す。結果的に、単電子半導体素子が製造されることになる。
【００４９】
この時作られた単電子半導体素子において、ゲート酸化膜３５上に形成される量子点は［１１０］ゾーン軸を有するＳｉのパターンと同一のパターンであり、それぞれの量子点は５ｎｍの大きさを有し、密度は約１０１２である。
前述したように、本発明によれば、量子点は結晶構造の格子イメージを使用して形成して調節できる。
【００５０】
本発明は特定の実施の形態を詳細に説明しているが、それは実施の形態の適用例に過ぎない。したがって、本発明の範囲及び思想内で当業者により多様な変形が可能であることを理解するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）、図１（ｂ）および図１（ｃ）は格子点を１次元、２次元、３次元でそれぞれ並進させた図面である。
【図２】図２は格子点周囲の原子の配列を示す図面である。
【図３】図３は７個の結晶系と１４個のブラベー格子を示す図面である。
【図４】図４（ａ）はＡｌ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）および図４（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からのＡｌ結晶の２次元投影パターンをそれぞれ示す図面である。
【図５】図５（ａ）はＳｉ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図５（ｂ）、図５（ｃ）および図５（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からＳｉ結晶の２次元投影パターンを示す図面であり、図５（ｅ）は図５（ｃ）を時計方向に５６度及び方位角１５度で回転させた時の３次元投影パターンを示す図面である。
【図６】図６（ａ）はＧａＡｓ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図６（ｂ）、図６（ｃ）および図６（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からＧａＡｓ結晶の２次元投影パターンを示す図面であり、図６（ｅ）は図６Ｃを時計方向に５６度及び方位角１５度に回転させた時の３次元投影パターンを示す図面である。
【図７】図７は本発明の第１の実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図８】図８は本発明の第２の実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図９】図９は本発明の第３実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｆ）は単電子半導体を製造するプロセスの実施の形態を順次に示す断面図である。
【符号の簡単な説明】
３ 電子ビーム
５ 物質
７ 対物レンズ
８ 絞り
９ イメージ平面
１１ 電子ビーム
１３ 試料
１５ 対物レンズ
１７ 絞り
１９ 中間レンズ
２１ 電子ビーム
２３ 試料物質
２５ 対物レンズ
２７ 絞り
２９ 中間レンズ
３０ Ｓｉ基板
３１ ソース領域
３３ ドレーン領域
３５ ゲート酸化膜
３７ 非晶質Ｓｉ
３９ フォトレジスト膜
４１ コントロール酸化膜
４３ ポリシリコン
【発明の属する技術分野】
本発明はパターン形成方法及び半導体素子に関するもので、特に結晶性物質の原子配列を利用して１〜５０ｎｍの大きさの量子点及び量子細線の形成のためのパターン形成方法と、その構造を有する機能性素子の製造に関するものである。
本発明において、機能性素子とは、量子点または量子細線の形成工程を含む手順によって製造できる電子素子、磁気素子及び光素子を意味する。
【０００２】
【従来の技術】
量子点または量子細線の形成工程は、量子点または量子細線を利用した電子素子、磁気素子及び光素子への応用の可能性が台頭するにつれて、これら素子の形成のための中核プロセスとなった。量子点及び量子細線を利用した電子素子、磁気素子及び光素子の基本的な作動原理は、粒子の物理的大きさがナノメータ単位の大きさになれば、その粒子の諸般の物理的性質が粒子の大きさに大きな影響を受けるという量子力学の結果に基づくものである。特に、過去４０余年に渡って絶えず発達してきたＭＯＳ素子の限界を克服するためのＭＯＳ素子に代わるものとして提示されて来た単一電子素子の登場と共に、多くの研究が行われている。
【０００３】
従来から研究されてきた量子点及び量子細線の形成工程は、次のような３種類の方法に大別できる。
【０００４】
第一は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｏｃｐｙ）、ＳＴＭ（走査トンネル顕微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）、そして電子ビームリソグラフィーなどを利用して、一つまたは数個の量子点や量子細線を形成する方法である。この方法は、実験的には大きさと位置が制御された量子点または量子細線を形成できるが、生産性に問題があって大量生産には適用できなかった。
【０００５】
第二は、パターニング及びエッチングによって制御された量子点や量子細線を形成する方法である。この方法においてパターニングは、電子ビームを使用して基板上に直接量子点または量子細線を形成したり、マスクまたは型によって基板上に捺印（ｉｍｐｒｉｎｔ）した化学物質を電子ビームを用いて、エッチングして量子点または量子細線を形成する方法である。
【０００６】
第三は、材料の相変化の初期段階で生じる核生成段階を制御することによって量子点または量子細線を形成する方法である。この方法は大量生産には適用できるが、量子点や量子細線の大きさや密度またはその分布を制御することにおいては問題点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用するパターン形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用してパターニングすることにより制御できる大きさ及び密度の均一な量子点及び量子細線の形成方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、実用的に半導体素子を生産するために物質の結晶構造を使用して量子点及び量子細線を形成するための方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、量子点及び量子細線構造を有する半導体素子を提供することにある。
【０００９】
前述した本発明の目的及び他の目的は、マスクとして物質の結晶構造を使用してパターンを形成する方法を提供することによって達成できる。本発明の一実施形態において、物質の結晶構造を利用してパターンを形成する方法は、透過電子顕微鏡のチャンバー内に結晶構造を有する物質を置く工程と、前記物質に電子ビームを照射する工程と、被照射物質の表面上に、前記物質を通過した透過電子ビームと回折電子ビームにより前記結晶構造を有する物質の格子イメージからパターンを形成する工程と、を含む。
【００１０】
好ましくは、前記格子イメージは位相コントラスト映像法により形成する。
好ましくは、結晶構造を有する前記物質は数十ナノメータの厚さを有するように処理する。
好ましくは、前記被照射物質は半導体基板上のフォトレジスト材料である。
好ましくは、前記半導体素子はソース領域とドレーン領域が形成された基板上にゲート酸化膜と非晶質シリコンを堆積させ、その上にフォトレジスト材料を塗付する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。但し、以下の説明では、周知の機能や構造については詳細には説明しない。
まず、本発明の理解を助けるために、一般材料の結晶格子構造とその多様な概略図について説明する。
【００１２】
地球上に存在する全ての物質が、原子と幾つかのこれら原子の組合せである分子によって構成されていることは周知の事実であり、特に固相をなしている物質は原子が原子に比べれば長い距離にわたって繰り返し、すなわち周期的に配列されている結晶質材料と、原子に比べ比較的長い距離にわたって原子が組織的規則的に配置されていない非晶質材料とに区分することができる。原子の規則的な配列に関する研究は、１９１２年にマックス・フォン・ラウエ（Ｍａｘ ｖｏｎ Ｌａｕｅ）がＸ線回折を発見することによって始まった。１９１３年にはブラッグ（Ｗ．Ｈ．Ｂｒａｇｇ）父子がダイアモンド、塩等の結晶構造をＸ線によって解析し、１９２０年にはエワルト（Ｅｗａｌｄ）が逆格子理論を発表した。現在までに地球上に存在する１０万種以上の有機及び無機化合物の結晶構造が明らかになった。
【００１３】
ある一点を、一定の方向に特定の距離ａだけ平行移動すれば二目めの点になり、これをまた同様に移動すれば三番目の点が生じる。このように、一つの点を繰り返して平行移動させれば、図１（ａ）に示すように点列が生じるようになる。ここで、一点を一定の方向に特定の距離だけ移動する動作の繰り返しによって生じる点列を格子と称する。この時、一定の方向に特定の距離だけ移動する動作を並進と称し、これはベクトルａで表示できる。ここで特定の距離、すなわちベクトルの絶対値｜ａ｜＝ａを周期または単位周期と称する。この点列において、それぞれの点は互いに同じであり、一点を原点にすれば、他の点は原点からの位置ベクトルとして次の式のように表示できる。
【００１４】
【数１】
【００１５】
この点列を他の方向に並進させれば、図１（ｂ）に示すように網面が生じて、この網面を格子面と称する。格子面をまたこの面に平行しない第３の方向への並進ｃによって平行移動させれば、３次元の網点面が形成されて、これを空間格子と称する。この空間格子におけるそれぞれの格子点はある一つの原点から位置ベクトルｒによって定義され、次の式のように表示できる。
【００１６】
【数２】
【００１７】
結晶が巨視的に均一であるとは、結晶内におけるある部位の性質がこの部位から任意の距離離れている他の部位と同一であることをいう。図２は任意の仮想的な結晶構造を示す。ここに示すように、結晶内における任意の点ｐは原点からの位置ベクトルによって表され、このベクトルをＬとし、この結晶をなしている格子の単位並進ベクトルをａ、ｂ、ｃとすれば、次の式のように表示できる。
【００１８】
【数３】
【００１９】
すなわち、空間上の任意の点は結晶格子を表すｒｌと格子内の位置ベクトルを表すｒで表現される。ここで、３個の並進ベクトルにより定義される単位格子を単位胞という。
【００２０】
ここで、結晶内における任意の点を原点（０、０、０）に定めれば、この点から生成される格子点は互いにそれらが持っている性質が同一である。言い換えれば、結晶内におけるいずれの点を原点に定めても、この点の並進により生じた各格子点は互いに同一である。ここで同一であるとは、この点を囲む環境の幾何学的形状や、隣接原子の種類などの化学的な性質や電子密度、電位差など物理的な性質を含む全ての性質が同一であることを意味する。
【００２１】
単位胞を決定する３個のベクトル、すなわちａ、ｂ、ｃの相互関係によって全ての結晶は、以下に述べる７個の結晶軸系のうちいずれかに属する。次の表１は単位胞の三軸を定義する格子常数の間の関係を表す。
【００２２】
【表１】
また、全ての結晶は、図３に示すような１４個のブラベー格子のうちいずれかを有する。これは単位胞内に一つの格子点を有する単純格子（Ｐ：ｐｒｉｍｉｔｉｖｅ ｃｅｌｌ）、一面の中心に一つの格子点がある単位胞を有する底心格子（Ａ、ＢまたはＣ）、各面の中心に格子点を有する面心格子（Ｆ）、そして単位セルの中心に一つの格子点を持つ体心格子（Ｉ）のように単位胞内の格子点の数によって分類される。
【００２４】
現在まで知られている、１０万種を越す有機及び無機化合物の結晶構造は、７種の結晶系、そして１４種のブラベー空間格子の一つに区分される。実際に構成される結晶構造は、上に定義した１４個のブラベー空間格子を表示する格子点に一つまたは複数の同一な、または相異する原子の配列によって構成される。
【００２５】
次に、このような結晶構造のいくつかの例を挙げると共に、このような結晶構造をある特定の結晶方向に投射した時現れる原子の配列による形態を説明する。
一例を挙げれば、Ａｌは立方（ｃｕｂｉｃ）晶系（ａ＝ｂ＝ｃ）に該当してブラベー格子の面心格子であるので、一つの単位胞内に４個の格子点を持つ。Ａｌの結晶構造はこの格子点に一つのＡｌ原子を配列することによって構成され、この時格子常数ａ＝ｂ＝ｃ＝０．４０４ｎｍである。したがって、Ａｌの単位胞の構造を描くと、図４（ａ）に示すようになる。［１００］、［１１０］および［１１１］方向に投射して原子の配列が表すパターンをみると、図４（ｂ）、図４（ｃ）、および図４（ｄ）に示すようになる。
【００２６】
別の例は、ダイアモンド結晶構造を持つＳｉの場合である。Ｓｉは立方晶系の結晶系をでありＡｌと同様に面心格子に該当するブラベー空間格子を持つ。したがって、一つの単位胞内に４個の格子点を有するが、単純な面心立方晶系とは異なり、一つの格子点に二つの原子が配列されている（格子常数ａ＝ｂ＝ｃ＝０．５４３ｎｍ）。したがって、一つの単位胞内に８個の原子が配列されている。図５（ａ）はこのようなＳｉの単位胞を示す。また、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５（ｄ）はＳｉ結晶格子を［１００］、［１１０］、［１１１］方向に投射してみた時のＳｉ原子によって現れる２次元のパターンを示す。図５（ｅ）は図５（ｂ）を時計方向に５６度、方位角１５度に回転させた時の形状を示す。図５（ｃ）で見られるイメージがあたかもいくつもの線のような形状をなしていることを見ることができる。これはＳｉ単結晶は、プロセス技術によっては、単電子トランジスターの素子等において量子細線の形成に応用できることを示すものである。
【００２７】
さらに別の例は、ＧａＡｓの結晶構造である。ＧａＡｓはＡｌ、およびＳｉと同様に立方晶系の結晶軸系を持ち、やはりＡｌ、およびＳｉと同様に面心格子に該当するブラベー空間格子を持つ。しかし単純立方格子であるＡｌ、そしてダイアモンド結晶構造のＳｉとは異なり、一つの格子点に一つのＧａと一つのＡｓ原子が配列されている結晶構造である（格子常数 ａ＝ｂ＝ｃ＝０．５６５ｎｍ）。このようなＧａＡｓ結晶構造の単位胞を図６（ａ）に示し、ＧａＡｓの結晶構造を［１００］、［１１０］、および［１１１］方向に投射してみた時に現れる２次元のパターンを、図６（ｂ）、図６（ｃ）、図６（ｄ）にそれぞれ示す。図６（ｅ）は図５（ｅ）と同様に、図６（ｃ）を時計方向に５６度、方位角１５度に回転させた時の形状を示す。Ｓｉと同様に、ＧａＡｓ単結晶もまた、量子細線形成に応用できる良い例である。
【００２８】
前述したＡｌ、Ｓｉ、およびＧａＡｓは、結晶構造において原子の配列が表すいくつかの例に過ぎず、知られた１０万個以上の結晶構造を特定の結晶方向によって２次元上に透過してそれらの原子が表すパターンをみれば、非常に多様なパターンが現れ得ることを例示する一部分に過ぎない。もちろん、このようなパターンは結晶方向及び結晶構造によって異なるようになる。
【００２９】
前述した結晶における原子の配列は、高分解能透過電子顕微鏡の位相コントラスト映像法を使用して観察できる。いままでの電子顕微鏡の発達に伴って２００ないし３００ｋＶの加速電圧で０．１４ｎｍないしは０．２０ｎｍの領域で原子の配列状態を観察することが可能である。
【００３０】
位相コントラスト映像法は、結晶質の試料によって発生する一つ以上の回折ビームと透過ビームとの間の位相差を利用して映像を得る方法である。この方法は、回折コントラストや吸収コントラストのような他の方法に比べて遥かに良い分解能を得ることができる。
【００３１】
図７は位相差により干渉パターンがどのように生じるかを示す。図７に示すように、画像は投射面での回折された電子ビームと透過ビームとの間の位相差により形成される。
【００３２】
電子ビーム３が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された物質５は、チャンバーに置かれる。電子ビーム３はこの厚さの物質５を透過することができる。同時に物質５と透過電子との相互作用により、電子ビームは透過ビームと回折ビームに分けられる。
【００３３】
物質５を透過する際に分離された透過ビームと回折ビームは、対物レンズ７及び絞り８を通過する。この結果、これらの２つのビームは互いに干渉して空間上に結晶構造を持つ物質の格子イメージを形成する。この実施の形態において、イメージ平面とは物質５を透過する際に分離された透過ビームと回折ビームが干渉して結晶構造の格子イメージを形成する平面を意味する。イメージ平面９に形成された画像をレンズにより拡大や縮小して使用するか、またはそのまま使用する。本発明において、パターンはこのイメージを用いて形成する。
【００３４】
干渉パターンの間隔は結果的に物質内に存在する格子間隔、すなわち原子面の間隔に比例し、この干渉パターンを利用すれば原子面における原子の配列を識別することができる。
【００３５】
実際の高分解能電子顕微鏡（ＴＥＭ）の使用においては、対物レンズによって形成された一次干渉パターンを対物レンズの後方に設けたいくつかのレンズを通じて順次に拡大（最終倍率は数十万倍に該当）し、直接に観察ができるようになっている。一般的に使用する対物レンズの倍率は数十倍から数百倍である。一例を挙げれば、０．３ｎｍ間隔の原子の配列は、対物レンズの倍率を１００倍とした時、３０ｎｍの間隔の干渉パターンに拡大される。このように生成された干渉パターンを、さらにいくつかの後方レンズを使用して拡大または縮小すれば、数ｎｍから数十ｎｍまでの原子映像または原子線映像を得るようになる。
【００３６】
本発明は物質の結晶構造を利用してパターンを形成する。結晶構造を有し透過電子顕微鏡のチャンバーに置いた試料物質に電子線を照射する。電子がこの試料を透過する際、位相コントラスト法により格子イメージが形成される。透過した電子ビームと回折された電子ビームの干渉により位相コントラストを形成する。この結晶構造の格子イメージを用いることにより機能性素子製造用のパターンを得ることができる。
【００３７】
この実施形態では、物質の結晶構造を用いてパターンを形成する方法は、半導体素子を形成するためのものであり、結晶構造を有する物質をＴＥＭのチャンバー内に置き、電子ビームを照射し、次いで位相コントラスト法により物質の格子イメージを形成し、最後に、結晶構造を有する物質の格子イメージから半導体素子基板にパターンを形成する。
【００３８】
本発明において、パターン形成方法は、以下の通りである。イメージ平面に形成された物質の格子イメージを所望の大きさに拡大したり縮小する。次いで半導体材料上に塗付したフォトレジストをこのイメージで露光することができる。このイメージは、電子顕微鏡のチャンバー内に置いた物質の格子イメージの一部を用いて形成することができる。
【００３９】
現在使われている高分解能透過電子顕微鏡による場合、既に原子単位の分解能が確保されている。したがって、本発明に係るパターン形成方法において、イメージ平面に形成された結晶構造を持つ物質の格子イメージを拡大せず、さらに縮小すれば、感光材が塗布された半導体ウエハーを感光させる時、半導体ウエハーの上には数Åのパターンが形成できる。
【００４０】
本発明に係る物質の結晶構造を利用して形成するパターンは、使用される物質の結晶構造によって決定される。したがって、物質の結晶構造における各原子の配置及び各原子の間の距離は、最終的に形成される半導体素子にそのまま具現化される。
【００４１】
図８は本発明の他の実施の形態を表す図面である。
図８に示すように、電子ビーム１１が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された試料１３はチャンバーの中央に置かれる。電子ビーム１１は結晶構造を有する物質１３との相互作用により透過ビーム及び回折ビームに分けられる。
【００４２】
物質１３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームは、対物レンズ１５及び絞り１７を通過した後、互いに干渉して空間上に結晶構造を持つ物質の格子イメージを形成する。本発明において、イメージ平面とは物質１３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームが干渉して結晶構造の格子イメージが形成される空間上の平面を意味する。イメージ平面に形成された画像は中間レンズ１９により拡大される。
【００４３】
本発明においては、電子ビームの加速電圧は、物質の原子面間隔、電子ビームの位置合わせ、透過電子顕微鏡カラム内の真空度、電子ビームを偏向させる電子レンズの非点収差の校正程度、電子銃の輝度等によって決定される。一般的に加速電圧は１００ｋｅＶ〜１ＭｅＶ程度の加速電圧が使われる。原子面間隔が３Å程度であれば１００ｋｅＶの加速電圧が、原子面間隔が２Å程度であれば２００ｋｅＶの加速電圧が必要とされる。
【００４４】
本発明の方法で製造された単電子トランジスター素子は半導体基板と、この半導体基板内で一定の距離を置いて離間して形成されたドレーン領域及びソース領域と、量子点を含む層からなる構造を持つ。量子点は、前記ドレーン領域とソース領域との間の半導体領域上に位置して、透過電子顕微鏡のチャンバーに位置する物質の格子イメージの少なくとも一部と同一のパターンである。
【００４５】
図９は本発明の別の実施の形態を示す図面である。図９に示すように、電子ビーム２１が透過するように数十ナノメータの厚さに加工された試料物質２３がチャンバー中央に置かれている。電子ビーム２１は結晶構造を有する物質２３により透過ビームと回折ビームに分けられる。
【００４６】
物質２３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームは、対物レンズ２５及び絞り２７を通過した後、互いに干渉して結晶構造の格子イメージを形成する。本発明において、イメージ平面とは物質２３を透過する際に分けられた透過ビーム及び回折ビームが干渉して結晶構造を持つ物質の格子イメージが形成される平面を意味する。イメージ平面に形成された画像は中間レンズ２９により縮小される。
【００４７】
図１０（ａ）ないし図１０（ｆ）は、単電子半導体を製造するプロセスの一実施の形態を順次示す断面図である。
図１０（ａ）は、Ｓｉウエーハ内にソース領域３１とドレーン領域３３を形成する工程を示す。
図１０（ｂ）は、Ｓｉ基板３０の上に数ｎｍ厚さのゲート酸化膜３５を成長させ、ゲート酸化膜３５の上に数ｎｍ厚さの非晶質Ｓｉ３７を蒸着する工程を示す。
図１０（ｃ）は非晶質Ｓｉ３７の上にフォトレジスト３９を塗布する段階を示す。
【００４８】
その後、図５（ｅ）に示すようなパターンを形成するため、［１１０］ゾーン（ｚｏｎｅ）軸を有するＳｉを透過顕微鏡のチャンバーに置く。
図１０（ｄ）はフォトレジスト膜３９を感光させるために電子ビームを照射する工程を示す。
図１０（ｅ）は、プラズマ法を使用してフォトレジスト膜３９を除去し、非晶質Ｓｉをエッチングして量子点を形成する工程を示す。
図１０（ｆ）は、量子点が形成された非晶質Ｓｉ３７上にコントロール酸化膜４１とポリシリコン４３を蒸着した後、パターンを形成する工程を示す。結果的に、単電子半導体素子が製造されることになる。
【００４９】
この時作られた単電子半導体素子において、ゲート酸化膜３５上に形成される量子点は［１１０］ゾーン軸を有するＳｉのパターンと同一のパターンであり、それぞれの量子点は５ｎｍの大きさを有し、密度は約１０１２である。
前述したように、本発明によれば、量子点は結晶構造の格子イメージを使用して形成して調節できる。
【００５０】
本発明は特定の実施の形態を詳細に説明しているが、それは実施の形態の適用例に過ぎない。したがって、本発明の範囲及び思想内で当業者により多様な変形が可能であることを理解するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）、図１（ｂ）および図１（ｃ）は格子点を１次元、２次元、３次元でそれぞれ並進させた図面である。
【図２】図２は格子点周囲の原子の配列を示す図面である。
【図３】図３は７個の結晶系と１４個のブラベー格子を示す図面である。
【図４】図４（ａ）はＡｌ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図４（ｂ）、図４（ｃ）および図４（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からのＡｌ結晶の２次元投影パターンをそれぞれ示す図面である。
【図５】図５（ａ）はＳｉ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図５（ｂ）、図５（ｃ）および図５（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からＳｉ結晶の２次元投影パターンを示す図面であり、図５（ｅ）は図５（ｃ）を時計方向に５６度及び方位角１５度で回転させた時の３次元投影パターンを示す図面である。
【図６】図６（ａ）はＧａＡｓ結晶構造の単位胞を示す図面であり、図６（ｂ）、図６（ｃ）および図６（ｄ）は、それぞれ［１００］、［１１０］、［１１１］方向からＧａＡｓ結晶の２次元投影パターンを示す図面であり、図６（ｅ）は図６Ｃを時計方向に５６度及び方位角１５度に回転させた時の３次元投影パターンを示す図面である。
【図７】図７は本発明の第１の実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図８】図８は本発明の第２の実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図９】図９は本発明の第３実施の形態に係る透過電子顕微鏡を示す図面である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｆ）は単電子半導体を製造するプロセスの実施の形態を順次に示す断面図である。
【符号の簡単な説明】
３ 電子ビーム
５ 物質
７ 対物レンズ
８ 絞り
９ イメージ平面
１１ 電子ビーム
１３ 試料
１５ 対物レンズ
１７ 絞り
１９ 中間レンズ
２１ 電子ビーム
２３ 試料物質
２５ 対物レンズ
２７ 絞り
２９ 中間レンズ
３０ Ｓｉ基板
３１ ソース領域
３３ ドレーン領域
３５ ゲート酸化膜
３７ 非晶質Ｓｉ
３９ フォトレジスト膜
４１ コントロール酸化膜
４３ ポリシリコン
Claims (12)
- 結晶構造を有する物質を透過電子顕微鏡のチャンバー内に置く工程と、
前記透過電子顕微鏡内の前記物質に電子ビームを照射する工程と、
被照射物質の表面上に、前記物質を通過した透過電子ビームと回折電子ビームの干渉の結果として形成された前記物質の格子イメージからパターンを形成する工程を含むことを特徴とする物質の結晶構造を利用してパターンを形成する方法。 - 結晶構造を有する前記物質が数十ナノメータの厚さを有する請求項１に記載の方法。
- 前記物質の格子イメージを位相コントラスト映像法を利用して形成する請求項１に記載のパターン形成方法。
- 前記被照射物質が半導体基板である請求項１に記載のパターン形成方法。
- 前記被照射物質がフォトレジスト材料であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
- 結晶構造を有する物質を透過電子顕微鏡のチャンバー内に置く工程と、
前記透過電子顕微鏡内の前記物質に電子ビームを照射する工程と、
半導体基板上の非晶質Ｓｉ上のフォトレジスト材料の表面に、前記物質を通過した透過電子ビームと回折電子ビームの干渉の結果として形成された前記物質の格子イメージからパターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト材料をパターニングする工程と、
プラズマ法を使用して前記の非晶質物質をエッチングする工程を含むことを特徴とする材料の結晶構造をマスクとして利用して量子点を形成する方法。 - 前記物質の格子イメージを位相コントラスト映像法を利用して形成する請求項６に記載の量子点の形成方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に位置するソース領域と、
前記半導体基板に位置して前記ソース領域から離隔するドレーン領域と、
前記ソース領域とドレーン領域との間に位置し、物質の結晶構造をマスクとして利用してシリコン層をパターニングすることにより形成される前記半導体基板領域上の量子点層を含むことを特徴とする半導体素子。 - 前記物質の格子イメージを位相コントラスト映像法を利用して形成する請求項８に記載の半導体素子。
- 結晶構造を有する前記物質がＡｌであることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子。
- 結晶構造を有する前記物質がＳｉであることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子。
- 結晶構造を有する前記物質がＧａＡｓであることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010001422A KR100597014B1 (ko) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 그 구조를갖는 기능성 소자 |
| PCT/KR2002/000043 WO2002056354A1 (en) | 2001-01-10 | 2002-01-10 | Method for forming a pattern and a semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004518277A true JP2004518277A (ja) | 2004-06-17 |
Family
ID=19704478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002556925A Pending JP2004518277A (ja) | 2001-01-10 | 2002-01-10 | パターン形成方法及び半導体素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6767771B2 (ja) |
| EP (1) | EP1350264A4 (ja) |
| JP (1) | JP2004518277A (ja) |
| KR (1) | KR100597014B1 (ja) |
| WO (1) | WO2002056354A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017219548A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | ツィンファ ユニバーシティ | フォトリソグラフィ方法 |
| US10236157B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-03-19 | Tsinghua University | Electronic beam machining system |
| US10297417B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-05-21 | Tsinghua University | Method for characterizing two dimensional nanomaterial |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100597014B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2006-07-06 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 물질의 결정 구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 그 구조를갖는 기능성 소자 |
| KR100462055B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2004-12-17 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 장치 |
| KR100763897B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 나노도트를 가지는 메모리 제조방법 |
| GB2401934A (en) * | 2003-02-18 | 2004-11-24 | Univ Cardiff | Measurement technique and system based on sub-nano-scale reference patterns |
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| KR100521433B1 (ko) * | 2003-08-12 | 2005-10-13 | 동부아남반도체 주식회사 | 실리콘 양자점의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 메모리소자의 제조 방법 |
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| KR100928058B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-11-23 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대물렌즈 조리개 제조방법, 제조된 대물렌즈 조리개 및이를 이용한 패턴형성장치 |
| KR100904894B1 (ko) | 2008-01-31 | 2009-06-29 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대물렌즈 조리개 및 이를 이용한 패턴형성장치 |
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Family Cites Families (19)
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| US5258246A (en) | 1989-08-07 | 1993-11-02 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5130213A (en) | 1989-08-07 | 1992-07-14 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
| US5079112A (en) | 1989-08-07 | 1992-01-07 | At&T Bell Laboratories | Device manufacture involving lithographic processing |
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| JP2924699B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 単一電子素子およびその製造方法 |
| US6159620A (en) * | 1997-03-31 | 2000-12-12 | The Regents Of The University Of California | Single-electron solid state electronic device |
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- 2001-01-10 KR KR1020010001422A patent/KR100597014B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-10 US US10/220,365 patent/US6767771B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-10 WO PCT/KR2002/000043 patent/WO2002056354A1/en active Application Filing
- 2002-01-10 EP EP02729593A patent/EP1350264A4/en not_active Withdrawn
- 2002-01-10 JP JP2002556925A patent/JP2004518277A/ja active Pending
-
2004
- 2004-05-07 US US10/841,999 patent/US20040209415A1/en not_active Abandoned
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| US10216088B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-02-26 | Tsinghua University | Photolithography method based on electronic beam |
| US10236157B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-03-19 | Tsinghua University | Electronic beam machining system |
| US10297417B2 (en) | 2016-06-08 | 2019-05-21 | Tsinghua University | Method for characterizing two dimensional nanomaterial |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1350264A1 (en) | 2003-10-08 |
| EP1350264A4 (en) | 2009-06-10 |
| KR100597014B1 (ko) | 2006-07-06 |
| KR20020060380A (ko) | 2002-07-18 |
| US6767771B2 (en) | 2004-07-27 |
| US20040209415A1 (en) | 2004-10-21 |
| US20030052342A1 (en) | 2003-03-20 |
| WO2002056354A1 (en) | 2002-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040325 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070319 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070705 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080529 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080930 |