JP2004502307A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N Tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 電気的な絶縁材料から形成した基板材料上に設けられた半導体ボディを具え、その半導体ボディから発生した第１の波長範囲の電磁放射を互いに相違する波長範囲の可視光に変換する発光層を前記半導体ボディに設けた光電素子において、導電層を前記基板と前記発光層との間に配置し、電気泳動によって前記発光層を堆積させる電極として配列し、その導電率Ｘを、前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流が最大でも前記半導体素子を流れる電流の５％となるように選択したことを特徴とする光電素子。
【請求項２】 前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流を、最大でも前記半導体素子を流れる電流の１‰としたことを特徴とする請求項１記載の光電素子。
【請求項３】 前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明であることを特徴とする請求項１又は２記載の光電素子。
【請求項４】 前記導電層が、透明な酸化金属含むことを特徴とする請求項１，２又は３記載の光電素子。
【請求項５】 前記導電層が、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ及び酸化スズからなる群から選択した一つ以上の酸化物を含むことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の光電素子。
【請求項６】 前記半導体ボディがＬＥＤの一部を形成することを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の光電素子。
【請求項７】 電気的な絶縁材料の基板上に設けた半導体ボディを具える光電素子に発光層を被覆する方法であって、その基板に導電層を被覆した後、少なくとも前記導電層を発光材料のサスペンションに接触させ、その発光材料を、電気泳動によって前記導電層の表面上に配置し、前記導電層が第１電極としての役割を果たし、前記サスペンション中に第２電極が存在し、これら電極間で所定の電位差を維持し、前記導電層の導電率Ｘを、前記サスペンションの導電率より高くするとともに、前記半導体素子の導電率より低くすることを特徴とする方法。
【請求項８】 前記光電素子がＬＥＤを具えることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】 前記光電素子を、複数の光電素子が設けられる支持プレート上に接続することを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
【請求項１】 電気的な絶縁材料から形成した基板材料上に設けられた半導体ボディを具え、その半導体ボディから発生した第１の波長範囲の電磁放射を互いに相違する波長範囲の可視光に変換する発光層を前記半導体ボディに設けた光電素子において、導電層を前記基板と前記発光層との間に配置し、電気泳動によって前記発光層を堆積させる電極として配列し、その導電率Ｘを、前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流が最大でも前記半導体素子を流れる電流の５％となるように選択したことを特徴とする光電素子。
【請求項２】 前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流を、最大でも前記半導体素子を流れる電流の１‰としたことを特徴とする請求項１記載の光電素子。
【請求項３】 前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明であることを特徴とする請求項１又は２記載の光電素子。
【請求項４】 前記導電層が、透明な酸化金属含むことを特徴とする請求項１，２又は３記載の光電素子。
【請求項５】 前記導電層が、酸化インジウムスズ、酸化アンチモンスズ及び酸化スズからなる群から選択した一つ以上の酸化物を含むことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の光電素子。
【請求項６】 前記半導体ボディがＬＥＤの一部を形成することを特徴とする請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の光電素子。
【請求項７】 電気的な絶縁材料の基板上に設けた半導体ボディを具える光電素子に発光層を被覆する方法であって、その基板に導電層を被覆した後、少なくとも前記導電層を発光材料のサスペンションに接触させ、その発光材料を、電気泳動によって前記導電層の表面上に配置し、前記導電層が第１電極としての役割を果たし、前記サスペンション中に第２電極が存在し、これら電極間で所定の電位差を維持し、前記導電層の導電率Ｘを、前記サスペンションの導電率より高くするとともに、前記半導体素子の導電率より低くすることを特徴とする方法。
【請求項８】 前記光電素子がＬＥＤを具えることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】 前記光電素子を、複数の光電素子が設けられる支持プレート上に接続することを特徴とする請求項７又は８記載の方法。
本発明による光電素子を、前記光電素子の動作中、前記導電層を流れる電流を、最大でも前記半導体素子を流れる電流の１‰として実施することができる。
前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明である場合、本発明による光電素子は比較的高い効率を有する。
前記導電層が、前記半導体素子から発生した電磁放射に対して透明である場合、本発明による光電素子は比較的高い効率を有する。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00202263 | 2000-06-29 | ||
| EP00202263.0 | 2000-06-29 | ||
| PCT/EP2001/007091 WO2002001649A1 (en) | 2000-06-29 | 2001-06-22 | Optoelectric element |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004502307A JP2004502307A (ja) | 2004-01-22 |
| JP2004502307A5 true JP2004502307A5 (ja) | 2012-01-19 |
| JP4928046B2 JP4928046B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=8171713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002505694A Expired - Lifetime JP4928046B2 (ja) | 2000-06-29 | 2001-06-22 | 光電素子 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6686581B2 (ja) |
| EP (1) | EP1228540B1 (ja) |
| JP (1) | JP4928046B2 (ja) |
| KR (1) | KR100869866B1 (ja) |
| CN (1) | CN1263168C (ja) |
| DE (1) | DE60143152D1 (ja) |
| TW (1) | TW511302B (ja) |
| WO (1) | WO2002001649A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003096387A2 (en) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Phoseon Technology, Inc. | High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture |
| US6828596B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
| US6864110B2 (en) * | 2002-10-22 | 2005-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Electrophoretic processes for the selective deposition of materials on a semiconducting device |
| WO2005041632A2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Phoseon Technology, Inc. | Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces |
| WO2005043954A2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Phoseon Technology, Inc. | Series wiring of highly reliable light sources |
| DE202005002110U1 (de) * | 2004-02-19 | 2005-05-04 | Hong-Yuan Technology Co., Ltd., Yonghe | Lichtemittierende Vorrichtung |
| TWI312583B (en) | 2004-03-18 | 2009-07-21 | Phoseon Technology Inc | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
| TWI257718B (en) * | 2004-03-18 | 2006-07-01 | Phoseon Technology Inc | Direct cooling of LEDs |
| EP1743384B1 (en) * | 2004-03-30 | 2015-08-05 | Phoseon Technology, Inc. | Led array having array-based led detectors |
| EP1756876B1 (en) * | 2004-04-12 | 2011-03-30 | Phoseon Technology, Inc. | High density led array |
| US8077305B2 (en) * | 2004-04-19 | 2011-12-13 | Owen Mark D | Imaging semiconductor structures using solid state illumination |
| JP4800324B2 (ja) * | 2004-12-30 | 2011-10-26 | フォーセン テクノロジー インク | 露光装置 |
| US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| US7642527B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-01-05 | Phoseon Technology, Inc. | Multi-attribute light effects for use in curing and other applications involving photoreactions and processing |
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| CN101606250A (zh) * | 2007-02-12 | 2009-12-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 大面积发光二极管光源 |
| KR100967952B1 (ko) * | 2008-01-10 | 2010-07-06 | (주)삼우아이엠씨 | 도로포장의 덧씌우기 공법 |
| KR100973238B1 (ko) | 2008-03-26 | 2010-07-30 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 코팅방법 및 장치 그리고 형광체 코팅층을 포함하는ｌｅｄ |
| EP2541631A4 (en) | 2010-02-25 | 2015-03-18 | Lightizer Korea Co Ltd | LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MANUFACTURE |
| US9062847B2 (en) * | 2011-04-13 | 2015-06-23 | Osram Gmbh | Method for manufacturing a phospor device and lighting apparatus comprising such phosphor device |
| DE102013109031B4 (de) * | 2013-08-21 | 2021-11-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| DE102015106635A1 (de) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung |
| WO2017023440A1 (en) | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Proteq Technologies Llc | Light-emitting device |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE69214780T2 (de) | 1991-12-11 | 1997-05-15 | Agfa Gevaert Nv | Methode zur Herstellung eines radiographischen Schirmes |
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-
2001
- 2001-06-22 JP JP2002505694A patent/JP4928046B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-22 CN CNB018018165A patent/CN1263168C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-22 WO PCT/EP2001/007091 patent/WO2002001649A1/en active Application Filing
- 2001-06-22 KR KR1020027002544A patent/KR100869866B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-22 EP EP01943536A patent/EP1228540B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-22 DE DE60143152T patent/DE60143152D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-26 US US09/891,666 patent/US6686581B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-13 TW TW090119776A patent/TW511302B/zh not_active IP Right Cessation
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