JP2004363495A - 半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイト10を内部に有する支持基板1と、その支持基板1上に配置され、シリコンよりも酸素との単結合エネルギーが大きい元素の酸化物を含む埋め込み絶縁膜2と、その埋め込み絶縁膜2上に配置された半導体層(SOI層)3とを備える。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、SOI構造を有する半導体基板に係り、特に半導体層(SOI層)内に混入した不純物金属の捕獲(ゲッタリング)技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
デバイス特性に有害な不純物金属を不活性化するためのゲッタリングは古くから行われている。半導体装置に用いる半導体基板としてのSOI(Silicon On Insulator)基板は、シリコン(Si)からなる支持基板上に、埋め込み絶縁膜としてのシリコン酸化膜(SiO2膜)を介して半導体層(SOI層)を有した構造である。このため、SOI層内に混入した不純物金属を支持基板側の捕獲場(ゲッタリングサイト)で捕獲しようとすると、銅(Cu),ニッケル(Ni)等の数種の不純物金属はSiO2膜中を拡散して通過するが、他の多くの不純物金属群はSiO2膜中を通過しにくい。SiO2膜を通過しにくい不純物金属は、SOI層中あるいはSOI層とSiO2膜との界面付近で滞ってしまい、リーク不良等の原因となる。
【0003】
SiO2膜を通過しにくい不純物金属群に対しては、SOI層とSiO2膜との界面付近にゲッタリングサイトを形成し、SOI層側で不純物金属を捕獲する手法が提案されている。例えば、SiO2膜との境界面となるSOI層の底面に予め機械的損傷を与えてゲッタリングサイトを形成する手法がある(例えば、特許文献1参照。)。また、例えばSOI層とSiO2膜との界面に沿って複数の微小空隙が設けられた単一層領域を形成して、この単一層領域でSiO2膜中での拡散速度が遅い鉄(Fe)等の不純物金属を捕獲する手法がある(例えば、特許文献2参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−134721号公報
【0005】
【特許文献2】
特開2002−359247号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、薄膜化が進んだSOI基板においては、不純物金属をSOI層とSiO2膜との界面で捕獲した場合、半導体層(SOI層)が薄いために、界面で捕獲された不純物金属の影響が半導体装置の活性層となる半導体層の表面近傍まで及んでしまい、歩留まりが低下する可能性がある。即ち、SOI基板において、厚さが300μm〜1mm程度あるバルク基板のような、不純物金属が半導体層の表面(活性層)に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができなかった。
【0007】
上記問題点を鑑み、本発明は、不純物金属が半導体装置の活性層として機能する半導体層に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができるSOI構造の半導体基板を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、(イ)不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイトを内部に有する支持基板と、(ロ)その支持基板上に配置され、シリコンよりも酸素との単結合エネルギーが大きい元素の酸化物を含む埋め込み絶縁膜と、(ハ)その埋め込み絶縁膜上に配置された半導体層とを備える半導体基板であることを要旨とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面の記載において同一あるいは類似部分には同一あるいは類似な符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、構成要素の厚みと幅との関係、各構成要素の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0010】
本発明の実施の形態に係る半導体基板は、図1に示すように、不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイト10を内部に有する支持基板1と、支持基板1上に配置され、Siよりも酸素(O)との単結合エネルギーが大きい元素Mの酸化物(M−O)を含む埋め込み絶縁膜2と、埋め込み絶縁膜2上に配置された半導体層(SOI層)3を備えるSOI構造の基板である。支持基板1としては、厚さ10μm〜1mm程度の、チョクラルスキー法(CZ)法、フローティングゾーン(FZ)法等により成長された単結晶Si基板あるいはそれにアニール処理を施したもの等が使用可能である。支持基板1は、その内部に設けられた多数のゲッタリングサイト10を有する。ゲッタリングサイト10は、半導体層(SOI層)3内に混入される不純物金属(Md)を捕獲する。ゲッタリングサイト10としては、例えば、支持基板1としての初期酸素濃度5×1017atoms/cm3〜3×1018atoms/cm3のCZ法Si基板中の酸素析出により発生したSiO2析出物、転位及び積層欠陥等の微小欠陥等が採用できる。また、支持基板1の埋め込み絶縁膜2と接する側と反対側の面(裏面)に高濃度燐拡散層を設けてゲッタリングサイトとしても良い。ゲッタリングサイト10としては、他にも、イオン注入とその後の熱処理により支持基板1内に形成された多数の空隙(マイクロキャビティ)であっても良い。また、半導体層(SOI層)3は、厚さ数nm〜10μm程度の単結晶半導体層であり、少なくともその一部はトランジスタ等の半導体素子を形成する活性層として機能する。特にSOI層としてはSi単結晶層が好適である。
【0011】
埋め込み絶縁膜2は、厚さ10nm〜10μm程度であり、SiよりもOとの単結合エネルギーが大きい元素Mの酸化物(M−O)からなる材料を含む。上述したようなM−O系の埋め込み絶縁膜2を構成する特定の元素Mとして、例えば、図9の後段に示すハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)及びランタン(La)等のM−O単結合エネルギーの大きい酸化物が使用可能である。具体的には、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、酸化アルミニウム(アルミナ;Al2O3)、酸化チタン(TiO2)、酸化タンタル(Ta2O5)及び、酸化ランタン(La2O3)等がM−O系の酸化物として挙げられる。
【0012】
また、埋め込み絶縁膜2として、Hf、Zr、Al、Ti、Ta及びLaのいずれか同士の合金の酸化物も採用可能である。具体的には、x,y,z=1,2,3,・・・・・として、酸化アルミニウムハフニウム(HfxAlyOz)、酸化ジルコニウムハフニウム(HfxZryOz)、酸化アルミニウムジルコニウム(ZrxAlyOz)、酸化アルミニウムチタン(TixAlyOz)、酸化ジルコニウムチタン(TixZryOz)、酸化ハフニウムチタン(TixHfyOz)、酸化アルミニウムタンタル(TaxAlyOz)、酸化ジルコニウムタンタル(TaxZryOz)、酸化ハフニウムタンタル(TaxHfyOz)、酸化チタンタンタル(TaxTiyOz)、酸化アルミニウムランタン(LaxAlyOz)、酸化ジルコニウムランタン(LaxZryOz)、酸化ハフニウムランタン(LaxHfyOz)、酸化チタンランタン(LaxTiyOz)及び、酸化タンタルランタン(LaxTayOz)等が挙げられる。
【0013】
更に、埋め込み絶縁膜2として、Hf、Zr、Al、Ti、Ta及びLaのいずれかのシリケートを用いても良い。具体的には、Hfシリケート(Hf−Si−O系)、Zrシリケート(Zr−Si−O系)、Alシリケート(Al−Si−O系)、Tiシリケート(Ti−Si−O系)、Taシリケート(Ta−Si−O系)、Laシリケート(La−Si−O系)、HfZrシリケート(Hf−Zr−Si−O系)、HfAlシリケート(Hf−Al−Si−O系)、ZrAlシリケート(Zr−Al−Si−O系)、TiHfシリケート(Ti−Hf−Si−O系)、TiAlシリケート(Ti−Al−Si−O系)、TiZrシリケート(Ti−Zr−Si−O系)、TaHfシリケート(Ta−Hf−Si−O系)、TaAlシリケート(Ta−Al−Si−O系)、TaZrシリケート(Ta−Zr−Si−O系)、TaTiシリケート(Ta−Ti−Si−O系)、LaHfシリケート(La−Hf−Si−O系)、LaAlシリケート(La−Al−Si−O系)、LaZrシリケート(La−Zr−Si−O系)、LaTiシリケート(La−Ti−Si−O系)及び、LaTaシリケート(La−Ta−Si−O系)等が挙げられる。更には、上述したHf、Zr、Al、Ti、Ta及びLaの単体や合金の酸化物並びにシリケート等を混合した材料も埋め込み絶縁膜2として用いることができる。以上のように、埋め込み絶縁膜2としては、不純物金属Mdが埋め込み絶縁膜2内をより容易に拡散して通過できるように、Oとの単結合エネルギーがSiより大きい元素又は合金の酸化物若しくはシリケートを用いることが好ましい。
【0014】
図1に示した半導体層(SOI層)3内に混入した不純物金属Mdの捕獲工程において、不純物金属Mdは、埋め込み絶縁膜2中を拡散して(通過して)、支持基板1のゲッタリングサイト10により捕獲される。ここで、Oとの単結合エネルギーがSiよりも大きい不純物金属Mdは、従来の埋め込み絶縁膜であるSiO2膜中ではSi−O結合に容易に挿入し、Si−Md−O結合等を形成して安定化する。このため、不純物金属MdはSiO2膜中で容易に捕捉され拡散速度が小さくなるので、SiO2膜を通過しにくかった。
【0015】
一方、図1に示した埋め込み絶縁膜2は、図9に示すようにSi−O結合よりも大きい単結合エネルギーのM−O結合からなる。このため、M−O結合よりも小さな結合エネルギーとなる不純物金属Mdが埋め込み絶縁膜2中でM−O結合を断ち切って挿入することはエネルギー的に不利であり起こりにくい。図9は、各種金属元素(M)とOとの単結合エネルギーの計算値をSi−O単結合エネルギーの計算値とともに示す。ここでは、ベックの3変数交換ポテンシャル,リー・ヤン・パールの相関ポテンシャル(B3LYP)の補正を用いた密度汎関数法(DFT)に基づき、M−O結合が単結合となるように価数に応じて水素原子を付加したクラスターモデルを用いて第一原理的手法による電子状態計算を行った結果を示す。図9に示すように、Hf−O単結合エネルギー(ΔE=590.44kJ/mol)及びAl−O単結合エネルギー(ΔE=470.00kJ/mol)がSi−O単結合エネルギー(ΔE=398.05kJ/mol)に比べて大きく、Hf,Alの酸化物からなる埋め込み絶縁膜2内を、不純物金属Mdが容易に拡散して通過できることが確認できる。更に、Zr−O単結合エネルギー(ΔE=598.02kJ/mol)、Ta−O単結合エネルギー(ΔE=505.26kJ/mol)、La−O単結合エネルギー(ΔE=495.38kJ/mol)及びTi−O単結合エネルギー(ΔE=481.10kJ/mol)も、Si−O単結合エネルギーよりも顕著に大きい。したがって、Zr酸化物、Ta酸化物、La酸化物及びTi酸化物等も、有力な埋め込み絶縁膜2の材料であることがわかる。
【0016】
図9から、Cu−O単結合エネルギー(ΔE=211.17kJ/mol)が非常に小さいので、不純物金属MdとしてのCuがHf−O結合やAl−O結合を含む埋め込み絶縁膜には捕捉されることなく通過可能であることがわかる。更に、Fe−O単結合エネルギー(ΔE=421.20kJ/mol)はSi−O単結合エネルギーに比べて大きいが、Feが不純物金属Mdである場合でも、Hf−O結合やAl−O結合を含む埋め込み絶縁膜2には捕捉されることなく通過可能であることがわかる。同様に、Al−O単結合エネルギーはSi−O単結合エネルギーよりも大きいが、Alが不純物金属MdであってもHf−O、Zr−O等には捕捉されることなく通過可能であることがわかる。なお、図1に示した埋め込み絶縁膜2の材料が、図9に示されたSi−O単結合エネルギーよりM−O単結合エネルギーが大きい元素Mの酸化物M−Oのみに限定されないのは勿論である。
【0017】
図9から明らかなように、多くの不純物金属Mdは埋め込み絶縁膜2中に捕捉されることなく拡散して通過できる。したがって、実用的に問題となる不純物金属Mdは、半導体層(SOI層)3から埋め込み絶縁膜2を通過して支持基板1へと容易に移動することができ、支持基板1内のゲッタリングサイト10による捕獲が可能となる。即ち、支持基板1側で不純物金属Mdを有効に捕獲可能となり、不純物金属Mdが半導体層(SOI層)3に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができる。よって、不純物金属Mdによる半導体層(SOI層)3への影響を防止でき、歩留まりも向上できる。なお、上述した支持基板1、埋め込み絶縁膜2及び半導体層(SOI層)3の厚さは一例であって特に限定されず、用途に応じてそれぞれ適宜選択可能である。
【0018】
(第1の製造方法)
次に、図2を用いて、図1に示した半導体基板の第1の製造方法を説明する。
【0019】
(イ)まず、図2(a)に示すように、単結晶Siの活性層側基板3aを用意する。例えば、活性層側基板3aとして、面方位(100)、抵抗率0.1〜50Ωcm、初期酸素濃度1.5×1018atoms/cm3以下のCZ法−p型(ボロン)Si基板を用いる。そして、活性層側基板3a上に、Si−O結合よりも単結合エネルギーが大きいM−O結合を有する酸化物を含む埋め込み絶縁膜2を、化学気相成長法(CVD法)等により堆積する。埋め込み絶縁膜2として、図9に示すように種々のM−O結合酸化物が使用可能であるが、ここでは、厚さ50nmのHfO2膜を形成するとする。
【0020】
(ロ)次に、図2(b)に示すように、埋め込み絶縁膜2上から活性層側基板3aの厚さに応じた条件で水素イオン(H+)や希ガス等のイオン種を注入する。例えば、ドーズ量3×1016〜1×1017atoms/cm2でイオン注入する。この結果、活性層側基板3a内にイオン注入条件に応じた深さの位置にイオン注入層4が形成される。イオン注入層4はイオン注入損傷を受けた領域であり、後に分離層として機能する。なお、図2(b)ではイオン注入層4を相対的に注入イオン濃度が高い層領域として模式的に示しており、現実にはイオン注入層4の上下の界面が目視できるわけではない。
【0021】
(ハ)次に、図2(c)に示すような、CZ法で形成された初期酸素濃度1.5×1017atoms/cm3程度含む単結晶Siの支持基板1を別途用意する。この支持基板1を600〜900℃程度で10〜60分間程度熱処理して、支持基板1内に混入していた酸素を微小欠陥として析出させ、ゲッタリングサイト10とする。酸素の析出物をゲッタリングサイト10とする他にも、支持基板1に、例えば燐イオン(P+)を注入エネルギー100KeV、ドーズ量5×1015atoms/cm2で注入後、アニールして形成された不純物領域をゲッタリングサイト10としても良い。そして、支持基板1と図2(b)に示した埋め込み絶縁膜2とを向かい合わせ、室温(25℃程度)、大気圧下で図2(c)に示すように貼り合わせる。
【0022】
(ニ)次に、例えば酸化性雰囲気中、500〜800℃程度、5〜30分間程度の熱処理や、物理的な外力の付加等により、イオン注入層4の内部や周辺に亀裂を生じさせ、活性層側基板3aの上層をイオン注入層4を境界として活性層側基板3aの下層から分離する。この結果、図2(d)に示すように、埋め込み絶縁膜2上に残存した活性層側基板3aの下層が半導体層(SOI層)3となる。その後、例えば窒素雰囲気中、900〜1200℃程度、30〜120分間で熱処理して、埋め込み絶縁膜2と支持基板1との貼り合わせ強度を増加させる。最後に、必要に応じてエッチング、研磨及び高温熱処理等を行い、半導体層(SOI層)3の表面に残存したイオン注入層4aを除去し、半導体層(SOI層)3の表面を平滑化する。以上のような工程により、HfO2膜を埋め込み絶縁膜2とする半導体基板Aを用意する。埋め込み絶縁膜2としては、CVD法により形成された厚さ50nmのHfO2膜を用いた。更に、比較のために、第1の製造方法と同様な手法で、厚さ50nmのSiO2膜を埋め込み絶縁膜とする比較用半導体基板も用意した。
【0023】
(第2の製造方法)
図1に示した半導体基板は、上述した第1の製造方法に特に限定されず、種々の方法により実現できる。以下に、図3及び図4を用いて、第2の製造方法を説明する。
【0024】
(イ)まず、図3(a)に示すように、活性層側基板3aを用意する。活性層側基板3aとして、例えば、面方位(100)、抵抗率0.005〜0.05Ωcm、初期酸素濃度1.5×1018atoms/cm3以下のCZ法−p型(ボロン)Si基板を用いる。そして、図3(b)に示すように、陽極化成法により活性層側基板3aの表面から所定の深さまでの領域を多孔質化し、多孔質層3cを形成する。この多孔質層3cは、0.01μm程度の多数の微細孔(図示省略)を有し、脆弱な構造であるので、後に分離層としてはたらく。引き続き、図3(c)に示すように、多孔質層3c上にCVD法等により単結晶Siを半導体層(SOI層)3としてエピタキシャル成長させる。
【0025】
(ロ)一方、図4(d)に示すような、CZ法で形成された初期酸素濃度1.5×1017atom/cm3程度含む支持基板1を用意する。この支持基板1を600〜900℃程度で、10〜60分間程度熱処理して支持基板1内の酸素による微小欠陥を析出させ、これをゲッタリングサイト10とする。そして、図9を参照して、支持基板1上に、Si−O結合よりも大きい単結合エネルギーのM−O結合の酸化物を含む埋め込み絶縁膜2をCVD法や原子層堆積法(ALD法)等により成長させる。ここでは、SOI構造の半導体基板Bとして厚さ50nmのAl2O3膜を、SOI構造の半導体基板Cとして厚さ50nmのHfSiO膜をそれぞれ埋め込み絶縁膜2として堆積させたものを用意する。HfSiO膜は、Hf/(Hf+Si)の割合を90%とし、有機金属気相成長法(MOCVD法)で堆積する。
【0026】
(ハ)次に、埋め込み絶縁膜2と、図3(c)に示した半導体層(SOI層)3とを向かい合わせ、図4(e)に示すように貼り合わせる。そして、ウォータージェットにより活性層側基板3bを多孔質層3cの部分から図4(f)に示すように分離する。他にも、平面研削盤等を用いた研削等により、活性層側基板3bを除去しても良い。その後、フッ酸(HF)等のエッチング液を用いたエッチング等により、半導体層(SOI層)3の表面に残存していた多孔質層3dを除去する。最後に、高温水素熱処理して、半導体層(SOI層)3の表面を平滑化する。以上のようにして、Al2O3膜を埋め込み絶縁膜2として用いた半導体基板B,HfSiO膜を埋め込み絶縁膜2として用いた半導体基板Cを得る。
【0027】
(定量分析による評価)
上述した本発明の実施の形態に係る埋め込み絶縁膜2を有する3種類の半導体基板A〜C及び、SiO2膜を埋め込み絶縁膜とする比較用半導体基板の合計4種類に対して、Fe,Cu,白金(Pt),Alをスピンコート法で1013atoms/cm2の濃度で強制汚染をそれぞれ行った。そして、1000℃で8時間、続けて410℃で45分間の拡散を行った後、徐冷却した。このようにして得られた半導体基板A〜C及び比較用半導体基板のそれぞれについて、Fe、Cu、Pt及びAl濃度を誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)により定量分析した。
【0028】
図5〜図8においてそれぞれ、横軸には、左から半導体層、埋め込み絶縁膜及び、支持基板の領域を示す。縦軸には、強制汚染により半導体基板A〜C及び比較用半導体基板の半導体層内に混入された不純物金属Md(Fe、Cu、Pt及びAl)の捕獲(拡散)工程後の濃度を示す。図5〜図7にそれぞれ示すように、Fe、Pt及びAlは、半導体基板A〜CのHfO2膜、Al2O3膜及びHfSiO膜をそれぞれ容易に通過できるので、HfO2膜、Al2O3膜及びHfSiO膜中のそれぞれのFe、Pt及びAl濃度が、図8に示したSiO2膜中の濃度と比較して格段に低いことがわかる。また、図5〜図8に示すように、半導体基板A〜C及び比較用半導体基板のいずれの場合も半導体層及び埋め込み絶縁膜中でCu濃度が低く、支持基板中でCu濃度が高いので、HfO2膜、Al2O3膜、HfSiO膜及びSiO2膜中を容易に拡散して通過できることがわかる。これは、図9に示すようにCuがFe、Pt及びAlよりもSiとの単結合エネルギーが小さいためである。このように、本発明の実施の形態に係る半導体基板A〜Cによれば、不純物金属Mdが埋め込み絶縁膜2を容易に拡散して通過できるので、比較用半導体基板よりも不純物金属Mdの捕獲効果が格段に高いことがわかる。
【0029】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、SiO2膜中を通過しにくい不純物金属群も、図1に示した埋め込み絶縁膜2を容易に通過することが可能となった。したがって、不純物金属Mdを支持基板1側で捕獲することが可能となり、不純物金属Mdが半導体層(SOI層)3に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができる。図1に示した半導体基板を用いれば、高性能化のために多量の新規材料元素の導入が予見される次世代及び次々世代のLSIや個別半導体デバイスに十分対応することができる。
【0030】
(第1の変形例)
本発明の実施の形態の第1の変形例に係る半導体基板は、図10に示すように、支持基板1と埋め込み絶縁膜2との間に配置された支持側シリコン酸化膜(SiOx膜)2aと、埋め込み絶縁膜2と半導体層(SOI層)3との間に配置された活性層側シリコン酸化膜(SiOx膜)2bとを更に備える点が、図1に示した半導体基板と異なるSOI構造の基板である。支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bとしては、例えば膜厚0.5〜1nm程度の極薄のSiO2膜等がそれぞれ採用可能である。なお、支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bとしては、SiO2膜に限定されるものではない。他は、図1に示した半導体基板と同様の構成である。
【0031】
図10に示すように、支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bを0.5〜1nm程度に極薄とすることにより、半導体層(SOI層)3に混入した不純物金属Mdが支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bに捕捉される確率は小さい。このため、不純物金属Mdは、図1に示した半導体基板のような単層の埋め込み絶縁膜2のみの場合と大差なく活性層側シリコン酸化膜2b、埋め込み絶縁膜2及び支持側シリコン酸化膜2aを容易に通過でき、支持基板1のゲッタリングサイト10において捕獲できる。したがって、図10に示す半導体基板においても、図1に示した半導体基板と同様に、不純物金属Mdが半導体層(SOI層)3に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができる。更に、極めて薄い支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bを形成することにより、凹凸の少ない良好な界面遷移層を形成することが可能となる。
【0032】
第1の変形例に係る半導体基板の製造方法は、例えば、上述した第1の製造方法において、図2(a)に示した活性層側基板3aを用意した後に、活性層側基板3a上に、CVD法等により活性層側シリコン酸化膜2b、埋め込み絶縁膜2、支持側シリコン酸化膜2aを順に且つ、連続的に形成する。この後の工程は、上述した第1の製造方法の図2(b)以降の手順と実質的に同様である。
【0033】
(第2の変形例)
本発明の実施の形態の第2の変形例に係る半導体基板は、図11に示すように、支持基板1と、支持基板1上に配置された埋め込み絶縁膜2と、埋め込み絶縁膜2上に配置された埋め込み半導体層5と、埋め込み半導体層5上に配置された半導体層(歪SOI層)3xとを備える歪SOI構造の基板である。埋め込み半導体層5としては、膜厚が数10nm程度で、半導体層(歪SOI層)3xと格子定数が異なる例えばシリコンゲルマニウム層(Si1−xGex層)等の単結晶からなる半導体層が使用可能である。Si1−xGexは、Siの格子定数a=0.543nm、Geの格子定数a=0.566nmであるので、Geの組成xに応じて0.543〜0.566nmの間の格子定数を有する。半導体層(歪SOI層)3xは、図1に示した半導体層(SOI層)3と同様に例えば単結晶Si層等からなる半導体層である。他は、図1に示した半導体基板と同様の構成と同様であるので、重複した説明を省略する。
【0034】
半導体層(歪SOI層)3xは、その格子定数と異なる格子定数を有する埋め込み半導体層5の結晶格子に影響されて歪む。半導体層(歪SOI層)3xの結晶格子が歪むことによりバンド構造が変化し、半導体層(歪SOI層)3x内の電子や正孔の移動速度を増すことができる。この結果、半導体層(歪SOI層)3xにチャネル部を形成するトランジスタ等の半導体素子を高速化及び低消費電力化することが可能となる。また、歪SOI構造の半導体基板であっても、図1に示したSOI構造の半導体基板の場合と同様に、不純物金属Mdが埋め込み絶縁膜2を通過できるので、支持基板1側で不純物金属Mdを有効に捕獲可能となり、不純物金属Mdが半導体層(歪SOI層)3xに影響を与えない効果的な捕獲を行うことができる。なお、埋め込み半導体層5として、半導体層(歪SOI層)3xよりも格子定数の大きなSi1−xGex層を示したが、半導体層(歪SOI層)3xよりも格子定数の小さな層であっても良い。
【0035】
第2の変形例に係る半導体基板の製造方法は、例えば、上述した第1の製造方法において、図2(c)に示した活性層側基板3aを用意した後に、H2ガス、モノシラン(SiH4)ガス及びゲルマン(GeH4)ガス等を用いたCVD法等により活性層側基板3a上にSi1−xGex層を埋め込み半導体層5としてエピタキシャル成長させる。そして、埋め込み半導体層5の上に埋め込み絶縁膜2を堆積する。この後の工程は、上述した第1の製造方法の手順と実質的に同様である。
【0036】
(その他の実施の形態)
なお、上述したこの開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、本発明の実施の形態においては、Si−O単結合エネルギー及びM−O単結合エネルギーを第一原理的手法による分子軌道計算によって算出して比較したが、比較方法はこれに限るものではない。
【0037】
また、図10に支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bを有する半導体基板を説明したが、支持側シリコン酸化膜2a及び活性層側シリコン酸化膜2bのいずれか一方のみを有する半導体基板でも良い。また、図11に示した半導体基板において、埋め込み絶縁膜2と埋め込み半導体層5との間に、単結晶Si層や、図10に示した活性層側シリコン酸化膜(SiO2膜)2bを更に備えていても良く、これらを順次積層しても良い。また、図11に示した半導体基板において、不純物金属Mdが容易に拡散できる程度の厚さであれば、例えばSiにヒ素(As)、アンチモン(Sb)及びダイヤモンド(C)等のSiと共有結合半径の異なる元素を5×1019〜1021cm−3若しくはこれ以上の高濃度に添加した埋め込み半導体層等、埋め込み絶縁膜2と半導体層3xの間に種々の埋め込み半導体層を積層しても良い。
【0038】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論であり、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、不純物金属が半導体装置の活性層として機能する半導体層に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができるSOI構造の半導体基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体基板の構成を示す断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る半導体基板の第1の製造方法を示す工程断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る半導体基板の第2の製造方法を示す工程断面図(その1)である。
【図4】本発明の実施の形態に係る半導体基板の第2の製造方法を示す工程断面図(その2)である。
【図5】本発明の実施例としての半導体基板Aに金属を強制汚染させた場合の金属分布を示すグラフである。
【図6】本発明の実施例としての半導体基板Bに金属を強制汚染させた場合の金属分布を示すグラフである。
【図7】本発明の実施例としての半導体基板Cに金属を強制汚染させた場合の金属分布を示すグラフである。
【図8】SiO2膜を埋め込み絶縁膜として用いた比較用半導体基板に金属を強制汚染させた場合の金属分布を示す図である。
【図9】原子間の単結合エネルギーの計算結果を示す表である。
【図10】本発明の実施の形態の第1の変形例に係る半導体基板の構成を示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態の第2の変形例に係る半導体基板の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1…支持基板(単結晶Si層)
2…埋め込み絶縁膜
2a…支持側シリコン酸化膜(SiOx膜)
2b…活性層側シリコン酸化膜(SiOx膜)
3…半導体層(SOI層)
3a,3b…活性層側基板
3c,3d…多孔質層
3x…半導体層(歪SOI層)
4,4a…イオン注入層
5…埋め込み半導体層(SiGe層)
10…ゲッタリングサイト
Claims (5)
- 不純物金属を捕獲するためのゲッタリングサイトを内部に有する支持基板と、
該支持基板上に配置され、シリコンよりも酸素との単結合エネルギーが大きい元素の酸化物を含む埋め込み絶縁膜と、
該埋め込み絶縁膜上に配置された半導体層
とを備えることを特徴とする半導体基板。 - 前記埋め込み絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、タンタル及びランタンのいずれかの酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。
- 前記埋め込み絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、チタン、タンタル及びランタンのいずれかのシリケートを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体基板。
- 前記支持基板と前記埋め込み絶縁膜との間に配置された支持側シリコン酸化膜と、
前記埋め込み絶縁膜と前記半導体層との間に配置された活性層側シリコン酸化膜
との少なくともいずれかを更に備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体基板。 - 前記埋め込み絶縁膜と前記半導体層の間に配置された、前記半導体層と格子定数が異なる埋め込み半導体層を更に備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体基板。
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