JP2004356859A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】時間t1の間、信号φVPSをVHとすることで、光電変換するフォトダイオードと接続されたMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を大きくして、MOSトランジスタのゲート電圧を大きく変化させる。その後、時間t2の間、信号φVPSをVhとすることで、MOSトランジスタのゲート・ソース間電圧を小さくして、MOSトランジスタのゲート電圧の変化を小さくする。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射光量に応じた電気信号を出力する感光素子を有する固体撮像装置に関するもので、特に、MOSトランジスタによって構成されるMOS型の固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
固体撮像装置は、小型、軽量で低消費電力であるのみならず、画像歪や焼き付きが無く、振動や磁界などの環境条件に強い。又、LSI(Large Scale Integrated circuit)と共通の工程又は類似の工程で製造できるので、信頼性が高く、量産にも適している。このため、ライン状に画素が配された固体撮像装置がファクシミリやフラットベッドスキャナに、マトリクス状に画素が配された固体撮像装置がビデオカメラやデジタルカメラなどに幅広く使用されている。ところで、このような固体撮像装置は光電変換素子で発生した光電荷を読み出す(取り出す)手段によってCCD型とMOS型に大きく分けられる。CCD型は光電荷をポテンシャルの井戸に蓄積しつつ、転送するようになっており、ダイナミックレンジが狭いという欠点がある。一方、MOS型はフォトダイオードのpn接合容量に蓄積した電荷をMOSトランジスタを通して読み出すようになっている。
【0003】
このようなMOS型固体撮像装置のダイナミックレンジを広くするために、本出願人は、入射した光量に応じた光電流を発生しうる感光手段と、光電流を入力するMOSトランジスタと、このMOSトランジスタをサブスレッショルド電流が流れうる状態にバイアスするバイアス手段とを備え、光電流を対数変換するようにした固体撮像装置を提案した(特許文献1参照)。
【0004】
このような固体撮像装置は、広いダイナミックレンジを有しているものの、画素毎に設けられたMOSトランジスタの閾値特性が異なることがあり、画素毎に感度が異なる場合がある。よって、予め輝度が一様な明るい光(一様光)を照射することによって得られた出力を、被写体の撮像時の各画素の出力を補正する補正データとして保持するなどの対策が必要がある。
【0005】
しかしながら、操作者が外部光源を用いて各画素を照射するのは煩雑であったり、又、うまく一様に露光できないなどの問題がある。又、一様光の照射機構を撮像装置に設けると撮像装置の構成が煩雑になるという問題があった。そこで、本出願人は、予め一様光を照射することなく各画素の感度バラツキをうち消すことができる固体撮像装置の提案を行った(特許文献2参照)。
【0006】
この固体撮像装置に設けられた画素の構成を図1に示す。図1の画素は、pnフォトダイオードPDが感光部(光電変換部)を形成している。そのフォトダイオードPDのカソードはMOSトランジスタT1のドレインに接続され、このMOSトランジスタT1のソースは、MOSトランジスタT2のドレインとゲート及びMOSトランジスタT3のゲートに接続されている。MOSトランジスタT3のソースは行選択用のMOSトランジスタT4のドレインに接続されている。MOSトランジスタT4のソースは出力信号線6へ接続されている。尚、MOSトランジスタT1〜T4は、それぞれ、PチャネルのMOSトランジスタである。
【0007】
又、フォトダイオードPDのアノード及びMOSトランジスタT3のドレインには直流電圧VPDが印加されるようになっている。一方、MOSトランジスタT2のソースには、信号φVPSが入力される。又、MOSトランジスタT1のゲートに信号φSが入力され、MOSトランジスタT4のゲートには信号φVが入力される。
【0008】
このような構成の画素に対して、各信号が図16に示すタイミングチャートに従って与えられる。即ち、信号φSをローレベルにしてMOSトランジスタT1をONとするとともに、信号φVPSの電圧をVLにしてMOSトランジスタT2をサブスレッショルド領域で動作させるようにMOSトランジスタT2に与えるバイアス電圧を設定した上で、パルス信号φVを与えて撮像時の信号が画像データとして出力される。
【0009】
そして、信号φSをハイレベルにしてMOSトランジスタT1をOFFとするとともに、信号φVPSの電圧をVLより高いVHaにしてMOSトランジスタT2に与えるバイアス電圧を撮像時より高くすることによりリセットした後、信号φVPSをVLにする。この状態でパルス信号φVを与えることにより、MOSトランジスタT2の閾値電圧を反映した信号が出力される。この信号は各画素間の感度バラツキを表しており、感度バラツキを補正するための補正データとして用いられる。その後、信号φSをローレベルにして撮像動作を行う。このようにして得られた画像データを、補正データによって補正することによって各画素間の感度バラツキをうち消すことができる。
【0010】
【特許文献1】
特開平3−192764号公報
【特許文献2】
特開2001−094878号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、リセット時に信号φVPSを一定時間VHaとするが、このときの信号φVPSの値が一定であるため、撮像時にMOSトランジスタT2のゲートに蓄積された電荷量によってリセット後のMOSトランジスタT2のゲート電圧がばらつく。これは、図17のように、リセットを開始してMOSトランジスタT2の動作状態がサブスレッショルド領域における動作状態となるまでは、MOSトランジスタT2のゲート電圧が時間に対して急激に変化するが、MOSトランジスタT2のゲート電圧が閾値よりも高くなって、MOSトランジスタT2の動作状態がサブスレッショルド領域における動作状態となると、微少な電流しか流れなくなり、MOSトランジスタT2のゲート電圧の時間にする変化が小さくなるためである。
【0012】
よって、図16に示すタイミングチャートで動作させたとき、MOSトランジスタT2のゲート電圧が安定する前にリセットを終了することがあり、結果的に撮像時の電荷が残留して、残像現象が発生することがある。又、複数の画素が備えられるときにおいては、各画素毎に入射光量が異なることにより、撮像後のMOSトランジスタT2のゲート電圧が異なる。そのため、リセット開始時のMOSトランジスタのゲート電圧によってリセット終了後に到達するMOSトランジスタT2のゲート電圧が異なることから、リセット終了時のMOSトランジスタT2のゲート電圧にバラツキが生じ、結果的に各画素の感度バラツキが生じることとなる。又、このようなバラツキを抑制するために、リセット時間を長くする必要がある。
【0013】
このような問題を鑑みて、本発明は、各画素の感度バラツキを防ぐとともに残像現象を防ぐことのできる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の固体撮像装置は、バイアス電圧が印加され入射した光量に応じた電気信号を発生する光電変換部を備える画素を有する固体撮像装置において、前記光電変換部に蓄積された電荷を再結合して前記画素をリセットする際、まず、第1所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を電圧差の大きい第1所定電圧とし、次に、第2所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を前記第1所定電圧よりも電圧差の小さい第2所定電圧とすることを特徴とする。
【0015】
このような固体撮像装置において、請求項2に記載するように、前記光電変換部が、光が入射される感光素子と、該感光素子と電気的に接続されて前記感光素子への入射光量に応じた前記電気信号を出力する信号発生部と、前記感光素子と前記信号発生部とを電気的に接離するスイッチとを備え、前記画素をリセットするとき、前記スイッチをOFFとして、前記第1所定時間の間前記バイアス電圧を前記第1所定電圧とした後、前記第2所定時間の間前記バイアス電圧を前記第2所定電圧とし、前記信号発生部からの前記電気信号に基づく前記画素の感度を示す補正データを出力するようにしても構わない。
【0016】
このとき、前記信号発生部が、前記感光素子と制御電極及び第1電極が接続されるMOSトランジスタを備え、該MOSトランジスタの第2電極に与える電圧を変化させることで、前記バイアス電圧を変化させるようにしても構わない。又、前記信号発生部が、前記感光素子と制御電極及び第1電極が接続されるMOSトランジスタと、該MOSトランジスタの制御電極に一端が接続されるキャパシタとを備え、該キャパシタの他端に与える電圧を変化させることで、前記バイアス電圧を変化させるようにしても構わない。
【0017】
更に、前記MOSトランジスタがPチャネルのMOSトランジスタであるとき、前記第1所定電圧が十分な時間与えられたときの前記MOSトランジスタの制御電極の電圧が前記MOSトランジスタをリセットしたときに現れる前記制御電極の電圧よりも高くなるように、前記第1所定電圧が設定される。又、前記MOSトランジスタがNチャネルのMOSトランジスタであるとき、前記第1所定電圧が十分な時間与えられたときの前記MOSトランジスタの制御電極の電圧が前記MOSトランジスタをリセットしたときに現れる前記制御電極の電圧よりも低くなるように、前記第1所定電圧が設定される。又、前記第1所定電圧から前記第2所定電圧に切り換えられたとき、前記MOSトランジスタの制御電極の電圧の変化が小さくなる。
【0018】
又、請求項3に記載するように、前記画素をリセットするとき、前記補正データを出力した後、前記スイッチをONに切り換えて、第3所定時間の間前記バイアス電圧を第3所定電圧とし、前記第3所定時間が経過した後、前記バイアス電圧を前記第1〜第3所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うことにより、前記感光素子の残留電荷を再結合して残像低減を図ることができる。
【0019】
又、請求項4に記載するように、前記画素をリセットするとき、前記補正データを出力した後、前記スイッチをONに切り換えて、第3所定時間の間前記バイアス電圧を前記第3所定電圧とした後に、第4所定時間の間前記バイアス電圧を前記第3所定電圧よりも電圧差が小さい第4所定電圧とし、前記第4所定時間が経過した後、前記バイアス電圧を前記第1〜第4所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うようにして、前記感光素子の残留電荷の再結合を速やかに行えるようにしても構わない。
【0020】
又、請求項5に記載するように、請求項1に記載の固体撮像装置において、前記光電変換部が、光が入射される感光素子と、該感光素子と電気的に接続されて前記感光素子への入射光量に応じた前記電気信号を出力する信号発生部と、前記感光素子と前記信号発生部とを電気的に接離するスイッチとを備え、前記画素をリセットするとき、まず、前記スイッチをOFFとして、第3所定時間の間前記バイアス電圧差を第3所定電圧とした後、前記信号発生部からの前記電気信号に基づく前記画素の感度を示す補正データを出力し、次に、前記スイッチをONに切り換えて、前記第1所定時間の間前記バイアス電圧を前記第1所定電圧とした後に、前記第2所定時間の間前記バイアス電圧を前記第2所定電圧とし、最後に、前記バイアス電圧を前記第1〜第3所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うようにしても構わない。
【0021】
このとき、前記信号発生部が、前記感光素子と制御電極及び第1電極が接続されるMOSトランジスタを備え、該MOSトランジスタの第2電極に与える電圧を変化させることで、前記バイアス電圧を変化させるようにしても構わない。又、前記信号発生部が、前記感光素子と制御電極及び第1電極が接続されるMOSトランジスタと、該MOSトランジスタの制御電極に一端が接続されるキャパシタとを備え、該キャパシタの他端に与える電圧を変化させることで、前記バイアス電圧を変化させるようにしても構わない。
【0022】
更に、前記MOSトランジスタがPチャネルのMOSトランジスタであるとき、前記第1所定電圧が十分な時間与えられたときの前記MOSトランジスタの制御電極の電圧が前記MOSトランジスタをリセットしたときに現れる前記制御電極の電圧よりも高くなるように、前記第1所定電圧が設定される。又、前記MOSトランジスタがNチャネルのMOSトランジスタであるとき、前記第1所定電圧が十分な時間与えられたときの前記MOSトランジスタの制御電極の電圧が前記MOSトランジスタをリセットしたときに現れる前記制御電極の電圧よりも低くなるように、前記第1所定電圧が設定される。又、前記第1所定電圧から前記第2所定電圧に切り換えられたとき、前記MOSトランジスタの制御電極の電圧の変化が小さくなる。
【0023】
又、前記画素を複数備えるものとし、前記各画素の感度バラツキを示す前記補正データが出力されるものとしても構わない。又、複数の当該画素をマトリクス状に配置するようにしても構わない。又、前記画素が、前記光電変換部からの電気信号を積分する積分回路を備えるものとしても構わない。又、前記光電変換部が入射光量に対して対数変換した前記電気信号を出力するものとしても構わない。又、前記光電変換部が、入射光量が所定値までは入射光量に対して線形変換した前記電気信号を出力し、又、入射光量が所定値以上となると入射光量に対して対数変換した前記電気信号を出力するものとしても構わない。
【0024】
【発明の実施の形態】
<固体撮像装置の構成>
以下、本発明の固体撮像装置の各実施形態を図面を参照して説明する。図2は、本発明の二次元のMOS型固体撮像装置の一部の構成を概略的に示している。同図において、G11〜Gmnは行列配置(マトリクス配置)された画素を示している。2は垂直走査回路であり、行(ライン)4−1、4−2、・・・、4−nを順次走査していく。3は水平走査回路であり、画素から出力信号線6−1、6−2、・・・、6−mに導出された光電変換信号を画素ごとに水平方向に順次読み出す。5は電源ラインである。各画素に対し、上記ライン4−1、4−2・・・、4−nや出力信号線6−1、6−2・・・、6−m、電源ライン5だけでなく、他のライン(例えば、クロックラインやバイアス供給ライン等)も接続されるが、図2ではこれらについて省略する。
【0025】
出力信号線6−1、6−2、・・・、6−mごとにPチャネルのMOSトランジスタQ1、Q2が図示の如く1組ずつ設けられている。出力信号線6−1を例にとって説明すると、MOSトランジスタQ1のゲートは直流電圧線7に接続され、ドレインは出力信号線6−1に接続され、ソースは直流電圧VPS’のライン8に接続されている。一方、MOSトランジスタQ2のドレインは出力信号線6−1に接続され、ソースは最終的な信号線9に接続され、ゲートは水平走査回路3に接続されている。
【0026】
画素G11〜Gmnには、後述するように、それらの画素で発生した光電荷に基づく信号を出力するMOSトランジスタT3が設けられている。MOSトランジスタT3と上記MOSトランジスタQ1との接続関係は図3(a)のようになる。ここで、MOSトランジスタQ1のソースに接続される直流電圧VPS’と、MOSトランジスタT3のドレインに接続される直流電圧VPD’との関係はVPD’<VPS’であり、直流電圧VPD’は例えばグランド電圧(接地)である。この回路構成は上段のMOSトランジスタT3のゲートに信号が入力され、下段のMOSトランジスタQ1のゲートには直流電圧DCが常時印加される。このため下段のMOSトランジスタQ1は抵抗又は定電流源と等価であり、図3(a)の回路はソースフォロワ型の増幅回路となっている。この場合、MOSトランジスタT3から増幅出力されるのは電流であると考えてよい。
【0027】
MOSトランジスタQ2は水平走査回路3によって制御され、スイッチ素子として動作する。尚、後述するように各実施形態の固体撮像装置における画素内にはスイッチ用のMOSトランジスタT4も設けられている。このMOSトランジスタT4も含めて表わすと、図3(a)の回路は正確には図3(b)のようになる。即ち、MOSトランジスタT4がMOSトランジスタQ1とMOSトランジスタT3との間に挿入されている。ここで、MOSトランジスタT4は行の選択を行うものであり、MOSトランジスタQ2は列の選択を行うものである。尚、図2及び図3に示す構成は以下に説明する各実施形態に共通の構成である。
【0028】
図3のように構成することにより信号を大きく出力することができる。従って、画素がダイナミックレンジ拡大のために感光素子から発生する光電流を自然対数的に変換しているような場合は、そのままでは出力信号が小さいが、本増幅回路により充分大きな信号に増幅されるため、後続の信号処理回路(図示せず)での処理が容易になる。また、増幅回路の負荷抵抗部分を構成するMOSトランジスタQ1を画素内に設けずに、列方向に配置された複数の画素が接続される出力信号線6−1、6−2、・・・、6−mごとに設けることにより、負荷抵抗又は定電流源の数を低減でき、半導体チップ上で増幅回路が占める面積を少なくできる。
【0029】
<第1の実施形態>
図2に示した固体撮像装置の各画素に適用される第1の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態に使用する固体撮像装置に設けられた画素の構成は、図1のようになる。よって、本実施形態の画素の構成については、
【従来の技術】での説明を参照するものとして、その説明については省略する。
【0030】
図1のように構成される画素は、図4のタイミングチャートに従って、撮像動作及びリセット動作を行う。尚、信号φVPSは、4値の電圧信号で、入射光量が所定値を超えたときにMOSトランジスタT2をサブスレッショルド領域で動作させるための電圧をVLとし、この電圧VLよりも高くMOSトランジスタT2にVLの電圧を与えたときよりも大きい電流が流れ得るようにする電圧をVHとし、従来において信号φVPSに使用された電圧VHa,VLのほぼ中間に値する電圧を中間レベルVmとし、更に、電圧VHより低く電圧Vm以上となる電圧をVhとする。
【0031】
又、電圧VHは、十分に時間が経過したときに、MOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット終了時に所望される電圧よりも高い電圧で安定するような値とされる。即ち、電圧VHは、従来のリセット動作における信号φVPSの電圧値VHaよりも高い値に設定される。更に、電圧Vhは、十分に時間が経過したときに、MOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット終了時に所望される電圧で安定するような値とされる。このように、信号φVPSのおける4値の電圧がそれぞれ設定される固体撮像装置内の各画素の動作が、以下のようになる。
【0032】
まず、信号φSをローレベルとしてMOSトランジスタT1をONとするとともに、信号φVPSをVLとして撮像動作を行う。このような状態にあるとき、フォトダイオードPDにおいて光が入射されると、その入射光量に応じた光電流が発生する。このとき、被写体の輝度が低いと、MOSトランジスタT2がカットオフ状態であるために、MOSトランジスタT2のゲートに光電荷が蓄積され、MOSトランジスタT2,T3のゲートに入射光量に対して線形的に比例した電圧が現れる。又、被写体の輝度が高く、MOSトランジスタT2のゲートに蓄積された光電荷量に応じた電圧が低くなると、MOSトランジスタT2がサブスレッショルド領域で動作を行うため、入射光量に対して自然対数的に比例した電圧がMOSトランジスタT2のゲートに現れる。
【0033】
そして、ローレベルのパルス信号φVがMOSトランジスタT4のゲートに与えられることによって、MOSトランジスタT4がONとなり、MOSトランジスタT3のゲート電圧によって増幅されたドレイン電流がMOSトランジスタT3,T4を通じて出力電流として出力信号線6に流れる。この出力信号線6に出力される出力電流は入射光量の対数値に比例した値となる。このとき、MOSトランジスタT3及びMOSトランジスタQ1(図1)の導通時抵抗とそれらを流れる電流によって決まるMOSトランジスタQ1のドレイン電圧が、信号として出力信号線6に現れる。このようにして画像データが出力される。
【0034】
このようにして撮像動作が行われた後、信号φSをハイレベルにしてMOSトランジスタT1をOFFとし、フォトダイオードPDのアノードとMOSトランジスタT2のドレインとの電気的な接続を切断して、リセット動作を開始する。このとき、MOSトランジスタT2のソース側より正の電荷が流れ込み、MOSトランジスタT2のゲート及びドレインとMOSトランジスタT3のゲートに蓄積された負の電荷が再結合される。
【0035】
そして、次に、信号φVPSをVHにし、MOSトランジスタT2のソース電圧を高くすることで、MOSトランジスタT1のソース側から流入する正の電荷の量が増加し、MOSトランジスタT1のゲート及びドレイン、そしてMOSトランジスタT2のゲートに蓄積された負の電荷が速やかに再結合される。そして、所定時間t1が経過すると、信号φVPSをVhにして、負の電荷が再結合される速度を緩やかにしてMOSトランジスタT2のゲート電圧を安定させる。
【0036】
その後、所定時間t2が経過すると、信号φVPSの電圧をVLとした後、ローレベルのパルス信号φVを与えて、MOSトランジスタT4をONとすることで、リセットされたMOSトランジスタT3のゲート電圧によって増幅されたドレイン電流が、MOSトランジスタT3,T4を通じて出力信号線6に出力電流として出力される。この出力信号線6に出力される出力電流によって決まるMOSトランジスタQ1のドレイン電圧が、信号として出力信号線6に現れる。この信号はMOSトランジスタT2の閾値電圧を反映しており、各画素についてこの信号を得ることで画素間の感度バラツキを検出することができる。この信号は、感度バラツキを補正するための補正データとして用いられる。このようにして補正データが出力される。
【0037】
このように、信号φVPSを変化させるとき、MOSトランジスタT2のゲート電圧における時間的な変化が、図5の実線のようになる。即ち、まず、リセットを開始してから時間t1が経過するまで、信号φVPSをVHとして、MOSトランジスタT2を導通状態とするため、MOSトランジスタT2のゲート電圧の変化が急峻なものとなる。このとき、時間t1が経過したときに、MOSトランジスタT2のゲート・ソース間の電圧差が閾値電圧に近い値となるため、時間t1の経過直前には、MOSトランジスタT2の動作状態がサブスレッショルド領域に近い動作状態になる。
【0038】
そして、時間t1が経過すると、信号φVPSをVhとすることで、MOSトランジスタT2のゲート・ソース間の電圧差を閾値電圧よりも低い値に設定し、MOSトランジスタT2の動作状態をサブスレッショルド領域における動作状態とする。よって、時間t1が経過してから時間t2が経過するまで、MOSトランジスタT2のゲート電圧の変化が緩やかなものとなる。
【0039】
このようにすることで、図5の点線で表される従来の場合と比べて、時間t1において、MOSトランジスタT2のゲート電圧を高くすることができるとともに、時間t1以降のゲート電圧の変化を従来よりも緩やかにすることができる。よって、従来に比べて、時間t2経過後のMOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット開始直前のMOSトランジスタT2のゲート電圧のバラツキの影響を受けにくくなる。
【0040】
又、時間t1が経過して信号φVPSをVhとしたときには、MOSトランジスタT2のゲート電圧を十分に時間が経過したときに安定する電圧値に近い値となる。よって、従来に比べて、リセットにかかる時間を短縮することができるとともに、時間t2が経過してリセット完了したときのMOSトランジスタT2のゲート電圧がMOSトランジスタT2のゲート・ソース間の閾値電圧に影響される電圧とすることができる。そして、補正データが画素の感度バラツキをより正確に表すこととなる。
【0041】
又、図5の一点鎖線のように、信号φVPSの値をVHのままとしたとき、時間t2の間における変化量が大きくなるため、従来の場合と同様、MOSトランジスタT2のゲート電圧が安定する状態に至るまでの時間が本実施形態と比べて長くなる。又、変化量が大きいことより、リセット完了後のMOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット開始直前のMOSトランジスタT2のゲート電圧のバラツキの影響を受けやすい。
【0042】
以上より、本実施形態のように信号φVPSをリセット途中で変更することで、その電圧値に関係なく信号φVPSを一定にしたときと比べ、リセット時間を短くすることができるとともに、画素の感度バラツキをより正確に表した補正データを出力することができる。
【0043】
このようにして、所定時間t2が経過した後にパルス信号φVを与えて補正データを出力した後、信号φSをローレベルにしてMOSトランジスタT1をONとする。その後、信号φVPSの電圧を所定時間t3の間Vmとする。このようにすることで、フォトダイオードPD及びフォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷が再結合される。このようにして、フォトダイオードPD及びMOSトランジスタT2をリセットすると、信号φVPSの電圧をVLとして、次の撮像動作に備える。
【0044】
このように、MOSトランジスタT1をOFFとしてリセットした後、MOSトランジスタT1をONとして、MOSトランジスタT2のソースに与える信号φVPSの電圧値をVmにすることで、フォトダイオードPDのアノードとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷をうち消すことができる。よって、残像の発生を防止して良好な撮像が可能となる。
【0045】
<第2の実施形態>
図2に示した固体撮像装置の各画素に適用される第1の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態に使用する固体撮像装置に設けられた画素の構成は、第1の実施形態と同様、図1のようになる。
【0046】
本実施形態の固体撮像装置における画素は、図6のタイミングチャートに従って、撮像動作及びリセット動作を行う。尚、信号φVPSは、4値の電圧信号で、そのうちの2値の電圧が従来と同様、入射光量が所定値を超えたときにMOSトランジスタT2をサブスレッショルド領域で動作させるための電圧VLと、MOSトランジスタT2にVLの電圧を与えたときよりも大きい電流が流れ得るようにする電圧VHaとする。
【0047】
又、信号φVPSの残りの2値の電圧を、第1の実施形態における電圧Vmよりも高い電圧となるVmhと、この電圧Vmhより低い電圧となるVmlとする。そして、電圧Vmh、Vml、Vmの関係が、第1の実施形態における電圧VH、Vh、VHaと同様の関係となる。このように、信号φVPSのおける4値の電圧がそれぞれ設定される固体撮像装置内の各画素の動作が、以下のようになる。
【0048】
まず、第1の実施形態と同様、信号φSをローレベルとしてMOSトランジスタT1をONとするとともに、信号φVPSをVLとして撮像動作を行う。そして、ローレベルのパルス信号φVをMOSトランジスタT4のゲートに与えることにより、MOSトランジスタT3,T4及び出力信号線6を通じて画像データを出力する。
【0049】
このようにして撮像動作が終了すると、従来の場合と同様、まず、信号φSをハイレベルにしてMOSトランジスタT1をOFFとしてリセット動作を開始した後、信号φVPSの電圧をVLより高いVHaにしてMOSトランジスタT2のゲート電圧をリセットする。そして、所定時間t4(t4>t1+t2)が経過すると、信号φVPSの電圧をVLとした後に、パルス信号φVを与えることにより、MOSトランジスタT2の閾値電圧を反映した画素の感度を表す補正データを出力信号線6を通じて出力する。
【0050】
その後、信号φSをローレベルにしてMOSトランジスタT1をONとして、フォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとを電気的に接続すると、第1の実施形態と異なり、信号φVPSの電圧を電圧Vmより高いVmhとして、フォトダイオードPD及びフォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷の再結合を開始する。
【0051】
このように信号φVPSの電圧を電圧Vmより高いVmhとすることによって、第1の実施形態の信号φVPSの電圧をVHとしたときと同様、残留電荷の再結合の速度を速くすることができる。そして、信号φVPSの電圧をVmhとした後、所定時間t5が経過すると、所定時間t6の間、信号φVPSの電圧を電圧Vmhより低いVmlとして、残留電荷の再結合の速度を緩やかに行う。このようにして、フォトダイオードPD及びMOSトランジスタT2をリセットすると、信号φVPSの電圧をVLとして、次の撮像動作に備える。
【0052】
このように、フォトダイオードPD及びフォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷の再結合を行う際、信号φVPSの電圧を切り換えることによって、MOSトランジスタT2のゲート電圧を、リセット開始直前のMOSトランジスタT2のゲート電圧のバラツキに関係なく、再結合する残留電荷の電荷量を十分な値として残像低減を図ることができる。又、この残留電荷の再結合に費やす時間t5+t6を、第1の実施形態における時間t3よりも短くすることができる。
【0053】
又、本実施形態において、図7のタイミングチャートのように、MOSトランジスタT1をOFFとして補正データを出力する際に、第1の実施形態と同様、信号φVPSの電圧を、まず所定時間t1の間にVHとした後、所定時間t2の間にVhとしても構わない。
【0054】
<第3の実施形態>
図2に示した固体撮像装置の各画素に適用される第3の実施形態について、図面を参照して説明する。図8は、本実施形態の固体撮像装置に設けられた画素の構成を示す回路図である。尚、図8において、図1と同一の目的で使用する部分については、同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0055】
図8に示すように、本実施形態の画素は、図1の画素に、一端がMOSトランジスタT2,T3のゲートの接続ノードに接続されるとともに他端に信号φVRSが与えられるキャパシタC1が加えられた構成となる。このとき、MOSトランジスタT2のソースには信号φVPSの代わりに、直流電圧VPSが印加される。
【0056】
図8のように構成される画素は、図9のタイミングチャートに従って、撮像動作及びリセット動作を行う。尚、信号φVRSは、第1の実施形態の信号φVPSと同様、4値の電圧信号で、入射光量が所定値を超えたときにMOSトランジスタT2をサブスレッショルド領域で動作させるための電圧をVHxとし、この電圧VHxよりも低くMOSトランジスタT2にVHxの電圧を与えたときよりも大きい電流が流れ得るようにする電圧をVLaとし、従来において信号φVPSに使用された電圧VHx,VLx(電圧VLxについては、後述する)のほぼ中間に値する電圧を中間レベルVMとし、更に、電圧VLaより高く電圧VM以下となる電圧をVLbとする。
【0057】
このとき、電圧VLaは、十分に時間が経過したときに、MOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット終了時に所望される電圧よりも高い電圧で安定するような値とされ、更に、電圧VLbは、十分に時間が経過したときに、MOSトランジスタT2のゲート電圧が、リセット終了時に所望される電圧で安定するような値とされる。このように、信号φVRSのおける4値の電圧がそれぞれ設定される固体撮像装置内の各画素の動作が、以下のようになる。
【0058】
まず、第1の実施形態と同様、信号φSをローレベルとしてMOSトランジスタT1をONとするとともに、信号φVRSをVHxとして撮像動作を行う。そして、ローレベルのパルス信号φVをMOSトランジスタT4のゲートに与えることにより、MOSトランジスタT3,T4及び出力信号線6を通じて画像データを出力する。
【0059】
このようにして撮像動作が行われた後、信号φSをハイレベルにしてリセット動作を開始すると、まず、所定時間t1の間、信号φVRSの電圧をVLaとして、MOSトランジスタT2のゲートに蓄積された負の電荷を速やかに再結合させる。そして、所定時間t1が経過すると、信号φVRSの電圧をVLbにして、負の電荷が再結合される速度を緩やかにしてMOSトランジスタT2のゲート電圧を安定させる。その後、所定時間t2が経過すると、信号φVRSの電圧をVHxとした後、第1の実施形態と同様、ローレベルのパルス信号φVを与えて、補正データを出力する。
【0060】
このように、補正データを出力すると、信号φSをローレベルとした後、信号φVRSの電圧をVMとすることによって、フォトダイオードPD及びフォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷を再結合させる。そして、所定時間t3が経過すると、信号φVRSの電圧を再びVHxとして、次の撮像動作に備える。
【0061】
このように、本実施形態では、第1及び第2の実施形態と異なり、信号φVRSの電圧を変化することで、MOSトランジスタT2のゲート・ソース間電圧を変化させて、フォトダイオードPD及びMOSトランジスタT2のリセットを行う。
【0062】
又、本実施形態では、図9のタイミングチャートのように、第1の実施形態と同様、補正データを出力する際に、信号φVRSの電圧を所定時間t1,t2毎にVLa,VLbに変化させて、画素の感度バラツキをより正確に表した補正データを出力するものとしたが、図10のタイミングチャートのように、第2の実施形態と同様、フォトダイオードPD及びフォトダイオードPDとMOSトランジスタT2のドレインとの間に蓄積されている残留電荷を再結合させる際に、信号φVRSを変化させるようにしても構わない。
【0063】
このとき、信号φSをハイレベルとしたとき、所定時間t4の間、信号φVRSの電圧をVLx(VLb≧VLx>VLa)として補正データを出力する。又、信号φSをローレベルに戻した後、まず、所定時間t5の間に信号φVRSの電圧をVMl(VMl<VM)として残留電荷の再結合を速やかに行った後、次に、所定時間t6の間に信号φVRSの電圧をVMh(VMh≧VM)として残留電荷の再結合の速度を緩やかにする。
【0064】
又、図11のタイミングチャートのように、信号φSをハイレベルとしたとき、信号φVRSの状態遷移を図9のタイミングチャートと同様にするとともに、信号φSを再びローレベルとしたとき、信号φVRSの状態遷移を図10のタイミングチャートと同様にするようにしても構わない。
【0065】
尚、上述の各実施形態における固体撮像装置において、各画素の構成が、図12及び図13に示すように、図1又は図8の構成に積分回路が付加された構成としても構わない。即ち、ゲートがMOSトランジスタT2のゲートとドレインに接続されるとともにソースがMOSトランジスタT3のゲートに接続されたMOSトランジスタT5と、MOSトランジスタT5のソースに一端が接続されるとともに他端に直流電圧VPSが印加されたキャパシタC2とが加えられた構成となる。
【0066】
このとき、MOSトランジスタT5のドレインには信号φDが入力され、信号φDをハイレベルとしたとき、キャパシタC2がリセットされる。このように構成するとき、キャパシタC2が積分動作を行い、キャパシタC2とMOSトランジスタT3のゲートに現れた電圧に応じた電流がMOSトランジスタT3を流れる。よって、MOSトランジスタT4をONとしたとき、MOSトランジスタT3,T4及び出力信号線6を介して、画像データ及び補正データが出力される。
【0067】
又、上述の各実施形態において、固体撮像装置の画素が、PチャネルのMOSトランジスタで構成されるようにしたが、NチャネルのMOSトランジスタで構成されるようにしても構わない。このとき、図14又は図15のように、各素子の極性が逆になるのみで、その接続関係は同様である。又、各素子が逆極性になることにより、各素子に与えられる各信号の極性も逆となる。更に、上述の各実施形態において、前記各画素が、常に対数変換動作を行うものとしても構わない。
【0068】
【発明の効果】
本発明によると、リセット時に、まず、光電変換部に印加するバイアス電圧を電圧差の大きい第1所定電圧でリセットした後に、バイアス電圧を第2所定電圧に切り換えてリセットするため、従来と比較してリセットにかかる時間を短縮することができる。又、バイアス電圧を第1所定電圧としてリセットすることによって、光電変換部のポテンシャル状態を大きく変化させるため、バイアス電圧を第1所定電圧としてリセットした後に第2所定電圧に切り換えたとき、光電変換部のポテンシャル状態の変化を小さくすることができる。よって、リセット後の光電変換部のポテンシャル状態に対するリセット動作直前の光電変換部のポテンシャル状態の影響を低減することができる。又、バイアス電圧を切り換えた後に補正データを出力するようにすることで、リセット時に出力される補正データが、画素の感度をほぼ正確に表すことができる。更に、従来使用されている画素構成を換えることなく、リセット時間の短縮やリセット直前のポテンシャル状態による影響の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図2】固体撮像装置の構成を示すブロック回路図。
【図3】図2の一部を示す図。
【図4】第1の実施形態の固体撮像装置内の画素の動作例を示すタイミングチャート。
【図5】リセット時のMOSトランジスタT2のゲート電圧の状態を示す図。
【図6】第2の実施形態の固体撮像装置内の画素の動作例を示すタイミングチャート。
【図7】第2の実施形態の固体撮像装置内の画素の別の動作例を示すタイミングチャート。
【図8】固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図9】第3の実施形態の固体撮像装置内の画素の動作例を示すタイミングチャート。
【図10】第3の実施形態の固体撮像装置内の画素の別の動作例を示すタイミングチャート。
【図11】第2の実施形態の固体撮像装置内の画素の別の動作例を示すタイミングチャート。
【図12】固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図13】固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図14】固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図15】固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図16】従来の固体撮像装置内の画素の動作を示すタイミングチャート。
【図17】従来の固体撮像装置におけるリセット時のMOSトランジスタT2のゲート電圧の状態を示す図。
【符号の説明】
2 垂直走査回路
3 水平走査回路
4−1〜4−n ライン
5 電源ライン
6−1〜6−m 出力信号線
G11〜Gmn 画素
PD フォトダイオード
T1〜T5,Q1,Q2 MOSトランジスタ
C1,C2 キャパシタ
Claims (5)
- バイアス電圧が印加され入射した光量に応じた電気信号を発生する光電変換部を備える画素を有する固体撮像装置において、
前記光電変換部に蓄積された電荷を再結合して前記画素をリセットする際、
まず、第1所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を電圧差の大きい第1所定電圧とし、
次に、第2所定時間の間、前記光電変換部に印加するバイアス電圧を前記第1所定電圧よりも電圧差の小さい第2所定電圧とすることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記光電変換部が、光が入射される感光素子と、該感光素子と電気的に接続されて前記感光素子への入射光量に応じた前記電気信号を出力する信号発生部と、前記感光素子と前記信号発生部とを電気的に接離するスイッチとを備え、
前記画素をリセットするとき、
前記スイッチをOFFとして、前記第1所定時間の間前記バイアス電圧を前記第1所定電圧とした後、前記第2所定時間の間前記バイアス電圧を前記第2所定電圧とし、前記信号発生部からの前記電気信号に基づく前記画素の感度を示す補正データを出力することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素をリセットするとき、
前記補正データを出力した後、前記スイッチをONに切り換えて、第3所定時間の間前記バイアス電圧を第3所定電圧とし、
前記第3所定時間が経過した後、前記バイアス電圧を前記第1〜第3所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記画素をリセットするとき、
前記補正データを出力した後、前記スイッチをONに切り換えて、第3所定時間の間前記バイアス電圧を前記第3所定電圧とした後に、第4所定時間の間前記バイアス電圧を前記第3所定電圧よりも電圧差が小さい第4所定電圧とし、
前記第4所定時間が経過した後、前記バイアス電圧を前記第1〜第4所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部が、光が入射される感光素子と、該感光素子と電気的に接続されて前記感光素子への入射光量に応じた前記電気信号を出力する信号発生部と、前記感光素子と前記信号発生部とを電気的に接離するスイッチとを備え、
前記画素をリセットするとき、
まず、前記スイッチをOFFとして、第3所定時間の間前記バイアス電圧差を第3所定電圧とした後、前記信号発生部からの前記電気信号に基づく前記画素の感度を示す補正データを出力し、
次に、前記スイッチをONに切り換えて、前記第1所定時間の間前記バイアス電圧を前記第1所定電圧とした後に、前記第2所定時間の間前記バイアス電圧を前記第2所定電圧とし、
最後に、前記バイアス電圧を前記第1〜第3所定電圧よりも電圧差が小さい第5所定電圧として撮像動作の準備を行うことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003150904A JP2004356859A (ja) | 2003-05-28 | 2003-05-28 | 固体撮像装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006287343A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 固体撮像装置 |
-
2003
- 2003-05-28 JP JP2003150904A patent/JP2004356859A/ja active Pending
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