JP2004347573A - 圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】シールダイヤフラムを半田付け接合してなる圧力センサにおいて，生産コストと計測精度とを両立した優れた圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサは，感圧素子を配置した受圧面を有するコネクタハウジングと，コネクタハウジングを挿入するよう構成したセンサハウジング４０と，コネクタハウジングの受圧面とセンサハウジング４０との間に形成される空間を，シールダイヤフラム５０により密閉してなる圧力室５２とを有するセンサである。シールダイヤフラム５０は，その外周部に，センサハウジング４０と半田付け接合するための接合面５０５を有してなる。さらに，シールダイヤフラム５０は，半田付け接合を行う際の余剰半田が，シールダイヤフラム５０の表面に沿って接合面５０５から内周側へ向かって流動することを抑制するように構成した流動制御部としての表面処理部５０６を有している。
【選択図】 図７

Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は，シールダイヤフラムによって密閉した圧力室を備えた圧力センサに関する。
【０００２】
【従来技術】
従来，圧力センサとしては，例えば，溶接にて固定されたシールダイヤフラムにより密閉してなり，圧力伝達媒体を充填した圧力室内に，感圧素子を配置してなるセンサがある（例えば，特許文献１参照。）。
上記シールダイヤフラムは，計測対象の圧力が作用した際，圧力室内の圧力と計測対象の圧力とが略一致するように微小にストロークするように構成してある。
そして，上記の圧力センサは，上記圧力伝達媒体の圧力を上記感圧素子等により計測することで，間接的に計測対象の圧力を計測し得るように構成してある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１３９９８号公報（明細書中の段落番号「００１４」〜「００１８」，第１図）
【０００４】
【解決しようとする課題】
ところで，上記のごとく，シールダイヤフラムは溶接によりハウジングに接合しているが，この場合の溶接には精密なレーザ溶接等の手法が必要である。
そのため，溶接は設備費用も高く，生産コスト面であまり好ましくなかった。
この溶接に代わる接合方法としては，半田付け接合方法がある。
【０００５】
しかし，この半田付け接合方法においては，次のような問題がある。すなわち，半田付け接合する際に生じるおそれのある余剰半田が，シールダイヤフラムの圧力作用面に付着すると，シールダイヤフラムのばね定数等，物理的特性が変動し，圧力センサ全体として圧力の計測精度が低下するおそれがある。
一方，余剰半田の発生自体を抑制しようとすると，半田の使用量を厳密に管理すると共に，シールダイヤフラムと相手部材との接合面の面性状や，接合時の押し付け圧力を厳密に管理する必要等を生じ，生産コストの上昇を回避できないおそれがある。
【０００６】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，シールダイヤフラムを半田付け接合してなる圧力センサにおいて，生産コストと圧力計測精度とを両立した優れた圧力センサを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題の解決手段】
本発明は，感圧素子を配置した受圧面を有するコネクタハウジングと，該コネクタハウジングを挿入するよう構成したセンサハウジングと，上記コネクタハウジングの上記受圧面と上記センサハウジングとの間に形成される空間を，シールダイヤフラムにより密閉してなる圧力室とを有する圧力センサにおいて，
上記シールダイヤフラムは，その外周部に，上記センサハウジングの当接面と半田付け接合するための接合面を有してなり，
上記センサハウジング又は上記シールダイヤフラムの少なくともいずれか一方は，上記半田付け接合を行う際の余剰半田が，上記シールダイヤフラムの表面に沿って上記接合面から内周側へ向かって流動することを抑制するように構成した流動制御部を有していることを特徴とする圧力センサにある（請求項１）。
【０００８】
本発明の上記圧力センサは，半田付け接合された上記シールダイヤフラムを有してなるセンサである。そして，この圧力センサは，上記センサハウジング又は上記シールダイヤフラムに上記流動制御部を有している。
該流動制御部によれば，上記シールダイヤフラムと上記センサハウジングとを接合する際に，その接合箇所から流れ出た余剰半田が，上記シールダイヤフラムの表面に沿って上記接合面の内周側へ流動することを抑制できる。
そのため，本発明の上記圧力センサでは，上記シールダイヤフラムの表面のうち，上記接合面の内周側の表面に余剰半田が付着するおそれが少ない。
それ故，上記圧力センサでは，上記シールダイヤフラムが設計仕様通りの特性を呈するため，上記シールダイヤフラムに作用する計測対象の圧力を，上記感圧素子により精度高く計測し得る。
【０００９】
また，上記流動制御部により余剰半田の流動を制御できれば，上記圧力センサを製造するに当たって，上記センサハウジングと上記シールダイヤフラムとを接合する際の余剰半田の発生を許容することができる。
そのため，上記圧力センサでは，上記シールダイヤフラムの半田付け接合を容易に実施でき，その半田付け接合に関連する生産コストを抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明においては，上記シールダイヤフラムが，上記流動制御部を有しており，該流動制御部は，上記シールダイヤフラムにおける上記接合面の内周側に隣接する表面に表面処理膜を形成してなる表面処理部であり，該表面処理部における半田の濡れ角は，上記センサハウジングにおける上記当接面に隣接する表面の半田の濡れ角よりも大きいことが好ましい（請求項２）。
【００１１】
この場合には，上記接合面と上記センサハウジングとの接合箇所から流出する余剰半田は，上記表面処理部に比べて半田の濡れ性が良い上記センサハウジングの表面に沿って流動することになる。
そのため，上記表面処理部を有してなる上記シールダイヤフラムによれば，余剰半田を積極的に上記センサハウジング側に流動させることにより，上記接合面の内周側に余剰半田が付着するおそれを抑制することができる。
ここで，上記半田の濡れ角とは，溶融した半田が接する箇所の断面内において，相手部材の表面と溶融半田の稜線とがなす角度をいう。
【００１２】
なお，上記表面処理膜としては，フッ素系やシリコーン系などのオイル被膜，樹脂コーティング被膜，パリレンコート処理等により形成した有機系コーティング被膜を適用することができる。
さらに，セラミック，ＤＬＣ等の無機系コーティング被膜や，ＰＴＦＥコンポジットメッキ被膜，酸化被膜，メッキ後酸化処理により形成した被膜等を，上記表面処理膜として利用することもできる。
【００１３】
ここで，上記パリレンコート処理とは，ＣＶＤ法（化学蒸着法）により，ポリパラキシリレン，ポリモノクロロパラキシリレン，ポリジクロロパラキシリレン等のジパラキシリレン誘導体による被膜を形成する処理である。
さらになお，上記表面処理部としては，上記接合面と内周側との間で，幅０．１ｍｍ程度で形成すれば，余剰半田の流動抑止効果を十分に得ることができる。
【００１４】
また，上記表面処理部は，半田との濡れ角が４５度以上であることが好ましい（請求項３）。
この場合には，半田との濡れ性が低い上記表面処理部の存在によって，上記シールダイヤフラムの内周側への余剰半田の侵入を抑制することができる。
【００１５】
また，上記表面処理部は，上記シールダイヤフラムにおける上記接合面の内周側の全面に渡って形成してあることが好ましい（請求項４）。
この場合には，上記シールダイヤフラムの表面に，上記表面処理部を容易に形成することができる。さらに，上記シールダイヤフラムにおける上記接合面の内周側の全面に渡って，その表面に余剰半田が付着することを，さらに抑制できる。
【００１６】
また，上記表面処理部をなす上記表面処理膜は，フッ素系コーティング，シリコーン系コーティング，又は，パリレンコーティングよりなる樹脂コーティング被膜であることが好ましい（請求項５）。
この場合には，上記表面処理部として，上記シールダイヤフラムの表面に柔軟なコーティング膜を形成することができる。
そのため，上記表面処理部の有無によって発生するおそれがある上記シールダイヤフラムの特性の相違を抑制することができる。
【００１７】
また，上記センサハウジングが，上記流動制御部を有しており，該流動制御部は，上記センサハウジングにおける上記当接面に隣接して形成された溝状を呈する半田溜まり部であることが好ましい（請求項６）。
この場合には，上記溝状の上記半田溜まり部に，上記余剰半田を流入させることで，上記シールダイヤフラムの内周側に向かって流動する余剰半田の量を抑制することができる。
そのため，上記半田溜まり部を形成してなる上記センサハウジングを含む上記圧力センサでは，該センサハウジングに半田付け接合した上記シールダイヤフラムの表面に余剰半田が付着するおそれが少ない。
【００１８】
また，上記センサハウジングは，上記コネクタハウジングを挿入する収容部と，該収容部と同軸に配設されて相互に連通すると共に，該収容部よりも小径の作用部とを有してなり，
上記当接面は，上記収容部と上記作用部との間に形成された軸方向に略直交する棚面に配置してあり，
上記半田溜まり部は，上記作用部における上記棚面近傍の内周面から凹んでなり，周方向に延びる略円環状の溝であることが好ましい（請求項７）。
【００１９】
この場合には，上記作用部の内周面から凹む溝状の上記半田溜まり部に，余剰半田を充填することにより，シールダイヤフラムの表面に沿って流動する余剰半田の量を抑制することができる。
なお，より好ましくは，上記棚面から離れて，上記半田溜まり部を形成するのが良い。
この場合には，上記棚面の面積を狭くするおそれがなく，それ故，上記棚面と上記シールダイヤフラムとの接合面積を十分に確保することができる。
そのため，上記のごとく半田付け接合したシールダイヤフラムは，その表面への余剰半田の付着を抑制しながら，高い接合強度を実現した優れた特性を呈するものとなる。
【００２０】
【実施例】
（実施例１）
本例の圧力センサ１について，図１〜図１０を用いて説明する。
本例の圧力センサ１は，図１０に示すごとく，感圧素子２０を配置した受圧面３２を有するコネクタハウジング３０と，該コネクタハウジング３０を挿入するよう構成したセンサハウジング４０と，上記コネクタハウジング３０の受圧面３２とセンサハウジング４０との間に形成される空間を，シールダイヤフラム５０により密閉してなる圧力室５２とを有するセンサである。
【００２１】
上記シールダイヤフラム５０は，図１０に示すごとく，その外周部に，センサハウジング４０の当接面４５８と半田付け接合するための接合面５０５を有してなる。
そして，シールダイヤフラム５０は，図２に示すごとく，半田付け接合を行う際の余剰半田が，シールダイヤフラム５０の表面に沿って接合面５０５から内周側へ向かって流動することを抑制するように構成した流動制御部としての表面処理部５０６を有している。
以下，この内容について詳しく説明する。
【００２２】
本例の圧力センサ１は，図１０に示すごとく，シールダイヤフラム５０を半田付け接合してなるセンサハウジング４０に，ターミナルピン１０と感圧素子２０とを有するコネクタハウジング３０を挿入して組み立てたセンサである。
そして，この圧力センサ１では，シールダイヤフラム５０によって密閉された圧力室５２内に，感圧素子２０を配置してある。
すなわち，本例の圧力センサ１は，シールダイヤフラム５０に作用する圧力を，圧力室５２内に封入した圧力伝達媒体に伝達し，この圧力伝達媒体の圧力を感圧素子２０により計測するように構成してある。
【００２３】
ここで，本例の感圧素子２０は，シリコン基板上において，該シリコン基板を精密にエッチングしてなるセンサダイヤフラムと，シリコン層を加工してなる歪みゲージとを形成した素子である。
そして，この感圧素子２０は，作用する圧力によりセンサダイヤフラムに生じた歪みを，上記歪みゲージで計測することにより，その圧力を計測するように構成してある。
なお，感圧素子２０としては，本例のシリコン基板をエッチングしてなる素子の他，作用する圧力に応じて電気的な抵抗値を変化する圧力抵抗効果素子を利用することもできる。
【００２４】
上記センサハウジング４０は，図１に示すごとく，ステンレススチールよりなり，軸芯方向に貫通する貫通孔を有する略円柱外形状を呈する部材である。
このセンサハウジング４０は，同図に示すごとく，上記コネクタハウジング３０（図１０）を挿入する側に，凹部４５とカシメ部４１とを有している。
【００２５】
センサハウジング４０の凹部４５は，図１に示すごとく，コネクタハウジング３５の挿入先端部３５１（図８）を挿入する略円柱形状の内周面を形成する第１凹部４５１と，コネクタハウジング３５の挿入基部３５３（図８）を挿入する略円柱形状の第２凹部４５３とを有している。
【００２６】
なお，センサハウジング４０における第２凹部４５３と上記第１凹部４５１との間には，図１に示すごとく，センサテーパ面４５２を形成してある。
該センサテーパ面４５２は，コネクタハウジング３０のリング溝３５０に収容したＯリング８０（図１０参照。）を第１凹部４５１に滑らかに挿入できるよう上記挿入方向とのなす角Ｒ１を２５度に設定してある。
【００２７】
上記第１凹部４５１の底部は，図１に示すごとく，該第１凹部４５１よりも小径の作用部４５７を形成してなり，２重底の構造を呈している。
そして，上記第１凹部４５１と作用部４５７との間には，軸方向に略直交する棚面状であって，上記シールダイヤフラム５０の接合面５０５と対面する当接面４５８を配置してある。
【００２８】
また，センサハウジング４０における被計測環境４４側には，図１に示すごとく，圧力計測対象としての流体，気体等を導入する圧力導入孔４４１を形成してある。
そして，この圧力導入孔４４１の底部には，上記凹部４５に向けて貫通する連通孔４４０を穿孔してあり，圧力導入孔４４１の内周面には，本例の圧力センサ１を配管パイプ等に取り付けるための雌ねじ部４４２を形成してある。
【００２９】
上記シールダイヤフラム５０は，図２及び図３に示すごとく，リン青銅よりなる板厚０．０２５ｍｍの略円板状の部材であり，その外周部には，上記センサハウジング４０の当接面４５８（図１）と当接する接合面５０５を配設してある。
特に，本例のシールダイヤフラム５０では，接合面５０５を配置した側の表面のうち，接合面５０５の内周側の全面に渡って，フッ素系コーティングよりなる樹脂コーティングによる表面処理を施してなる表面処理部５０６を形成してある。
【００３０】
なお，表面処理部に施す表面処理としては，本例の樹脂コーティングの他，シリコーン系コーティング，パリレンコーティングよりなる樹脂コーティングを適用することができる。
また，本例では，シールダイヤフラム５０における接合面５０５の内周側の全面に渡って表面処理部５０６を形成したが，これに代えて，接合面５０５の内周側に隣接する円環状の表面処理部を形成することもできる。この場合，０．１ｍｍ幅程度の表面処理部を形成すれば，半田の流動を十分に抑止することができる。
【００３１】
ここで，センサハウジング４０とシールダイヤフラム５０との半田付け接合の方法について，その接合手順に沿って説明する。
センサハウジング４０の当接面４５８に，シールダイヤフラム５０を半田付け接合するに当たっては，図４及び図５に示すごとく，まず，センサハウジング４０の略円環状を呈する当接面４５８に沿って，略円環状を呈するようにペースト状の半田４５９を印刷する。
【００３２】
そして，図６に示すごとく，シールダイヤフラム５０の接合面５０５を，センサハウジング４０の当接面４５８に押し付けて，接合面５０５と当接面４５８との間に，半田ペーストよりなる薄膜状の半田層４５５を形成する。
その後，該半田層４５５を配設した接合箇所を加熱して半田層４５５をなす半田を溶融させる。
【００３３】
そうすると，図６に示すごとく，上記接合面５０５と当接面４５８との間隙の隅々に至るまで，溶融した半田が行き渡ることになる。そしてその後，徐冷すれば，シールダイヤフラム５０とセンサハウジング４０とを，接合面積を十分に確保した状態で，強固に接合することができる。
ここで，センサハウジング４０の当接面４５８に印刷した半田４５９の量が多かったり，接合面５０５と当接面４５８との押し付け圧力が大きかったりすると，接合箇所から余剰半田が流れ出るおそれがある。
【００３４】
本例のシールダイヤフラム５０では，上記のごとく，接合面５０５の内周側の全面に渡って，樹脂コーティングよりなる表面処理部５０６を形成してある。該表面処理部５０６の表面は，センサハウジング４０の作用部４５７の内周表面と比べて，半田との濡れ性を低くして，半田材料とのなじみを悪くしてある。
【００３５】
そのため，図７に示すごとく，シールダイヤフラム５０の接合面５０５と，センサハウジング４０の当接面４５８との接合箇所から流出した余剰半田を，センサハウジング４０の作用部４５７の内周面に沿って流動させることができる。
一方，シールダイヤフラム５０は，表面処理部５０６によって余剰半田の流入を阻止できるため，その表面に余剰半田が付着するおそれが少ない。
【００３６】
すなわち，図７に示すごとく，本例のシールダイヤフラム５０によれば，該シールダイヤフラム５０とセンサハウジング４０との接合箇所から，該センサハウジング４０の作用部４５７の内周面に向けて，余剰半田が流動するように流動方向を制御することができる。
そのため，上記シールダイヤフラム５０を半田付け接合してなるセンサハウジング４０では，余剰半田よりなる半田４５４を，作用部４５７の内周面に保持できる。
【００３７】
次に，上記のコネクタハウジング３０は，図８に示すごとく，ＰＰＳ樹脂よりなり，感圧素子２０と電気的に接続するターミナルピン１０をインサート成形してなると共に，センサハウジング４０（図２）に挿入する挿入部３５と，外部機器のコネクタ（図示略）と電気的に接続するためのソケット部３００とを有してなる。
【００３８】
コネクタハウジング３０における挿入部３５は，図８に示すごとく，略円柱形状の挿入基部３５３と，該挿入基部３５３よりも小径の挿入先端部３５１とよりなる。
そして，該挿入先端部３５１と挿入基部３５３との間には，コネクタテーパ面３５２を配設してある。
【００３９】
この挿入先端部３５１は，図８に示すごとく，その先端側の外周に，圧力室５２をシールするＯリング８０及びバックアップリング８１（図１０）を配設するリング溝３５０を設けてなる。
なお，本例のリング溝３５０は，上記挿入方向の壁面がない不完全な溝形状を呈しており，後述するスペーサ５１（図９）との組み合わせにおいて，完全な溝形状を形成するように構成してある。
【００４０】
ソケット部３００は，図８に示すごとく，外部機器（図示略）と電気的に接続するための外部コネクタ（図示略）を挿入するように構成してあると共に，該ソケット部３００の内部には，それぞれのターミナルピン１０における一方の端部を突出させてある。
そして，それぞれのターミナルピン１０は，ソケット部３００に挿入された上記外部コネクタの各電極と電気的に接触するよう構成してある。
【００４１】
コネクタハウジング３０の挿入方向の端面である受圧面３２には，図８に示すごとく，凹状にへこむ部分であって，感圧素子２０を配設するための配設部３２０を設けてある。
そして，受圧面３２における配設部３２０の外周側には，さらに，受圧面３２に向けて突出する３本のターミナルピン１０をそれぞれ収容する３箇所のピン凹部３２２を形成してある。
また，受圧面３２における配設部３２０及びピン凹部３２２以外の部分には，略均一高さを呈する当たり面３２１を形成してある。
【００４２】
上記配設部３２０の底面には，図８に示すごとく，感圧素子２０を接合してある。そして，この感圧素子２０は，ピン凹部３２２にそれぞれ収容したターミナルピン１０とボンディングワイヤ２０１を介して電気的に接続してある。
上記ターミナルピン１０としては，電源用，グランド用及び信号出力用の３本がある。これらのターミナルピン１０は，すべてソケット部３００から受圧面３２へ向けてコネクタハウジング３０を貫通するように，コネクタハウジング３０内にインサート成形してある。
なお，受圧面３２に露出する各ターミナルピン１０とＰＰＳ樹脂との境界部は，フッ素系シール材からなるシール層３２３によりシールしてあり，該シール層３２３により圧力室５２のシール性を高く維持し得るように構成してある。
【００４３】
また，本例の圧力センサ１は，図９及び図１０に示すごとく，センサハウジング４０と，コネクタハウジング３０との間の挿入方向の間隙に，スペーサ５１を配置するように構成してある。
該スペーサ５１は，図９に示すごとく，ＰＢＴよりなり，中央に貫通孔５１０を形成してなる略円板状の部材である。
【００４４】
このスペーサ５１におけるセンサハウジング４０側となる端面には，図９に示すごとく，シールダイヤフラム５０の外周部を介設して，センサハウジング４０の当接面４５８と対面する当たり面５１８を形成してある。
スペーサ５１におけるコネクタハウジング４０側となる端面の外周には，コネクタハウジング３０と組み合わせたとき，上記リング溝３５０と一体となって，Ｏリング８０（図１０）を配置するための溝形状を構成するリング溝５１５を形成してある。また，該リング溝５１５の内周には，ボンディングワイヤ２０１（図１０）との干渉を避けるためのリング状の凹みである凹部５１６を形成してある。
【００４５】
本例のコネクタハウジング３０とセンサハウジング４０とを組み立ててなる圧力センサ１では，図１０に示すごとく，センサハウジング４０のカシメ部４１を内径方向に変形してある。
そして，内径方向に変形させたカシメ部４１を，センサハウジング４０に挿入したコネクタハウジング３０の挿入部３５に係合することにより，センサハウジング４０とコネクタハウジング３０とを固定してある。
【００４６】
また，コネクタハウジング３０とセンサハウジング４０とは，図１０に示すごとく，それぞれが有するコネクタテーパ面３５２（図８）及びセンサテーパ面４５２（図１）を相互に当接することにより，両者の挿入方向の位置を規制してある。
ここで，本例の圧力センサ１では，圧力室５２の容積を安定させるため，コネクタテーパ面３５２とセンサテーパ面４５２との間に挿入方向の荷重を作用させた状態で，両者を当接してある。
【００４７】
この圧力センサ１は，図１０に示すごとく，コネクタハウジング３０の受圧面３２と，センサハウジング４０に半田接合したシールダイヤフラム５０とが対峙して形成された空間よりなる圧力室５２を有している。
そして，本例の圧力室５２には，上記圧力伝達媒体としてシリコンオイルを充填してある。
【００４８】
以上のごとく構成した圧力センサ１を用いて圧力を計測するに当たっては，該圧力センサ１を，センサハウジング４０に設けたねじ部４４２を介して，圧力計測対象としての流体等を収容する配管パイプ等に取り付ける。
この圧力センサ１は，計測対象である流体を，圧力導入孔４４１を経由してシールダイヤフラム５０側に導入し，その圧力をシールダイヤフラム５０を介して圧力室５２内の圧力伝達媒体に伝達するように構成してある。
【００４９】
以上のごとく，本例の圧力センサ１は，余剰半田に対する流動制御部としての表面処理部５０６を，シールダイヤフラム５０に有している。
そのため，本例の圧力センサ１では，シールダイヤフラム５０を半田付け接合する際に余剰半田が生じた場合であっても，シールダイヤフラム５０の表面処理部５０６に，その余剰半田が付着するおそれが少ない。従って，余剰半田の付着によるシールダイヤフラム５０のばね定数の変化を抑制できる。
それ故，このシールダイヤフラム５０は，設計値通りの特性を呈するものとなり，このシールダイヤフラム５０を備えた圧力センサ１は高い計測精度を呈する優れたセンサとなる。
【００５０】
また，製造上の観点に基づけば，本例の半田付け接合では，次のような有利な点がある。
すなわち，本例の上記シールダイヤフラム５０では，その表面に，余剰半田が付着するおそれが少ないため，半田付け接合における余剰半田の発生を許容できる。
それ故，上記のシールダイヤフラム５０とセンサハウジング４０との半田付け接合に当たって，使用する半田の量を厳密に管理する必要性が少ない。また，同様に，半田付け接合する際，シールダイヤフラム５０の接合面５０５に印加すべき押圧力を，厳密に管理する必要性が少ない。
したがって，上記のように表面処理部５０５を形成してなるシールダイヤフラム５０は，半田付け接合が容易であって，その生産コストの抑制が可能である。
【００５１】
（実施例２）
本例の圧力センサ１は，実施例１の圧力センサに基づいて，流動制御部をセンサハウジングに配設したものである。本例の内容について，図１１〜図１３を用いて説明する。
本例のセンサハウジング４０は，図１１及び図１２に示すごとく，作用部４５７における第１凹部４５１側の端部に流動制御部としての半田溜まり部４５６を有してなる。
本例では，作用部４５７の内周面全周に渡って溝状の凹みを形成することにより，リング状の半田溜まり部４５６を形成した。
【００５２】
半田溜まり部４５６を有してなるセンサハウジング４０では，図１３に示すごとく，シールダイヤフラム５０の接合面５０５と，センサハウジング４０の当接面４５８との接合箇所から流出した余剰半田の大半は，半田溜まり部４５６に流入することになる。
【００５３】
そのため，上記半田溜まり部４５６によれば，図１３に示すごとく，上記シールダイヤフラム５０の表面に沿って内周側へ流動するおそれのある余剰半田の量を，相対的に抑制することができる。
それ故，本例のセンサハウジング４０においては，余剰半田は，主として，半田溜まり部４５６内の半田４５４となるため，シールダイヤフラム５０の接合面５０５の内周側の表面に付着するおそれは少ない。
【００５４】
なお，その他の構成及び作用効果については実施例１と同様である。
さらになお，本例のセンサハウジング４０に配設した半田溜まり部４５６と，実施例１のシールダイヤフラムに形成した表面処理部との組み合わせによれば，さらに確実性高く，シールダイヤフラムの表面に余剰半田が付着するおそれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における，センサハウジングの構造を示す断面図。
【図２】実施例１における，シールダイヤフラムの構造を示す断面図。
【図３】実施例１における，シールダイヤフラムを示す正面図。
【図４】実施例１における，センサハウジングと，シールダイヤフラムとの組み付け手順を示す説明図。
【図５】実施例１における，センサハウジングに対するペースト状半田の印刷形状を示す説明図。
【図６】実施例１における，シールダイヤフラムを装着したセンサハウジングの構造を示す断面図。
【図７】実施例１における，シールダイヤフラムとセンサハウジングとの接合箇所の構造を示す断面図。
【図８】実施例１における，コネクタハウジングの構造を示す断面図。
【図９】実施例１における，スペーサの構造を示す断面図。
【図１０】実施例１における，圧力センサの構造を示す断面図。
【図１１】実施例２における，センサハウジングの構造を示す断面図。
【図１２】実施例２における，センサハウジングの当接面周辺（図１１におけるＡ領域）の構造を示す拡大断面図。
【図１３】実施例２における，シールダイヤフラムとセンサハウジングとの接合箇所の構造を示す断面図。
【符号の説明】
１．．．圧力センサ，
１０．．．ターミナルピン，
２０．．．感圧素子，
３０．．．コネクタハウジング，
４０．．．センサハウジング，
４５６．．．半田溜まり部，
４５８．．．当接面，
５０．．．シールダイヤフラム，
５０５．．．接合面，
５０６．．．表面処理部，
５１．．．スペーサ，

Claims (7)

1. 感圧素子を配置した受圧面を有するコネクタハウジングと，該コネクタハウジングを挿入するよう構成したセンサハウジングと，上記コネクタハウジングの上記受圧面と上記センサハウジングとの間に形成される空間を，シールダイヤフラムにより密閉してなる圧力室とを有する圧力センサにおいて，上記シールダイヤフラムは，その外周部に，上記センサハウジングの当接面と半田付け接合するための接合面を有してなり，
   上記センサハウジング又は上記シールダイヤフラムの少なくともいずれか一方は，上記半田付け接合を行う際の余剰半田が，上記シールダイヤフラムの表面に沿って上記接合面から内周側へ向かって流動することを抑制するように構成した流動制御部を有していることを特徴とする圧力センサ。
2. 請求項１において，上記シールダイヤフラムが，上記流動制御部を有しており，該流動制御部は，上記シールダイヤフラムにおける上記接合面の内周側に隣接する表面に表面処理膜を形成してなる表面処理部であり，該表面処理部における半田の濡れ角は，上記センサハウジングにおける上記当接面に隣接する表面の半田の濡れ角よりも大きいことを特徴とする圧力センサ。
3. 請求項２において，上記表面処理部は，半田との濡れ角が４５度以上であることを特徴とする圧力センサ。
4. 請求項２又は３において，上記表面処理部は，上記シールダイヤフラムにおける上記接合面の内周側の全面に渡って形成してあることを特徴とする圧力センサ。
5. 請求項２〜４のいずれか１項において，上記表面処理部をなす上記表面処理膜は，フッ素系コーティング，シリコーン系コーティング，又は，パリレンコーティングよりなる樹脂コーティング被膜であることを特徴とする圧力センサ。
6. 請求項１において，上記センサハウジングが，上記流動制御部を有しており，該流動制御部は，上記センサハウジングにおける上記当接面に隣接して形成された溝状を呈する半田溜まり部であることを特徴とする圧力センサ。
7. 請求項６において，上記センサハウジングは，上記コネクタハウジングを挿入する収容部と，該収容部と同軸に配設されて相互に連通すると共に，該収容部よりも小径の作用部とを有してなり，
   上記当接面は，上記収容部と上記作用部との間に形成された軸方向に略直交する棚面に配置してあり，
   上記半田溜まり部は，上記作用部における上記棚面近傍の内周面から凹んでなり，周方向に延びる略円環状の溝であることを特徴とする圧力センサ。

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