JP2004343253A

JP2004343253A - 逓倍回路

Info

Publication number: JP2004343253A
Application number: JP2003135035A
Authority: JP
Inventors: Akira Akimoto; 昭秋本
Original assignee: SPC Electronics Corp
Current assignee: SPC Electronics Corp
Priority date: 2003-05-13
Filing date: 2003-05-13
Publication date: 2004-12-02

Abstract

【課題】各ポートでの使用周波数成分の反射特性を改善できる逓倍回路を提供すること。
【解決手段】入力ポートおよび出力ポートを有する逓倍回路において、前記入力ポートおよび出力ポートの一方もしくは両方に、前記逓倍回路の使用周波数成分は吸収せずに前記逓倍回路で発生した不要波のみを吸収する手段を接続する。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非線形動作をするＦＥＴやそれに類する素子を用いて、入力周波数成分に対し逓倍された周波数成分を出力するための逓倍回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開２００１−２４４４０号公報
【０００３】
逓倍回路とは、非線形動作をするＦＥＴやそれに類する素子を用い、その動作の非線形領域で素子を動作させ、故意に入力信号を歪ませることにより、入力周波数成分の整数倍の出力周波数成分を出力させる回路のことを指す。
このような逓倍回路において出力ポートに出力される信号は、必要な周波数成分だけでなく、入力信号およびその整数倍の高調波が必ず同時に出力されてくる。
必要な周波数成分以外の周波数成分は通常不要であり、出力信号成分に含まれることは通常好ましくない。
【０００４】
この不要波成分を抑圧するために、出力ポート側に必要な周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタや、不要な周波数成分を反射させるバンドリジェクションフィルタや、それに類する回路を用い、不要波成分を非線形素子側へ反射させることにより出力信号成分への漏れ込みを抑圧していた（例えば、特許文献１参照）。
また、この不要な信号成分が入力ポート側へ漏れ混むことを防ぐ目的で、入力ポート側にも必要な周波数成分のみを通過させるバンドパスフィルタや、不要な周波数成分を反射させるバンドリジェクションフィルタや、それに類する回路を用い、同様に不要周波数成分が入力されることを防いだ。
【０００５】
図２４は従来の逓倍回路の一例で、２８は入力ポート、２７_１は入力側の不要周波数成分反射回路、２４は逓倍器（入力整合回路２２、非線形動作するＦＥＴ２１、および出力整合回路２３からなる）、２７_２は出力側の不要周波数成分反射回路、２９は出力ポートであり、不要周波数成分はすべて反射させ漏れ出さないようにした回路である。
【０００６】
図２５は従来の逓倍回路の他の例で、図２４の回路に、反射した不要周波数成分を吸収させる不要周波数成分吸収抵抗２６をシリーズにつないだものであり、この場合は不要周波数成分が不要周波数成分吸収抵抗２６で消費されるが、使用周波数成分も同様に消費される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の回路および方法では、不要な入力周波数成分を出力側で反射させて出力信号への漏れこみを抑圧するため、その周波数成分が入力ポート側まで反射することによって入力ポートに現れ、結果として入力ポートの反射特性を劣化させている欠点があり、同様に、入力信号として不要な出力周波数成分を入力側で反射させて抑圧するため、出力ポートに現れ、結果として出力ポートの反射特性を劣化させている欠点があった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は、各ポートでの使用周波数成分の反射特性を改善することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、不要周波数成分を反射させずに吸収させることによって抑圧することを特徴とする。
【００１０】
本発明の逓倍回路は、入力ポートおよび出力ポートを有し、非線形動作をするＦＥＴやそれに類する素子を用いて非線形動作させることにより、故意に入力周波数成分を歪ませて整数倍の高調波を発生させる回路に、使用周波数成分は吸収せずに不要周波数成分を吸収させる吸収手段が接続されている逓倍回路である。
【００１１】
本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分吸収手段は、たとえば（１）使用周波数成分に対して開放に見える伝送線路の主線路側に不要周波数成分を吸収するための抵抗を有するものや、（２）不要周波数成分に対して短絡に見える伝送線路の主線路側に不要周波数成分を吸収するための抵抗を有するものや、（３）使用周波数成分の通過を阻止するフィルタ回路の主線路側に不要周波数成分を吸収するための抵抗を有するものや、（４）不要周波数成分を通過させるフィルタ回路の主線路側に不要周波数成分を吸収するための抵抗を有するものを好ましく使用することができる。
【００１２】
前記伝送線路は、使用周波数成分の波長をλとして、λ／４の奇数倍の長さを持つ短絡型伝送線路や、λ／２の整数倍の長さを持つ開放型伝送線路を使用することも可能である。
さらに、前記伝送線路は、不要周波数成分の長さをλとして、λ／４の奇数倍の長さを持つ開放型伝送線路や、λ／２の整数倍の長さを持つ短絡型伝送線路を使用することも可能である。
前記フィルタ回路は、ＬＣ共振回路を用いることもできる。
【００１３】
不要周波数成分吸収手段に短絡型伝送線路や、ＬＣ並列共振回路およびフィルタを用いるとき、直流電流の短絡を防ぐため、主線路と接地（ＧＮＤ）との間に直流短絡防止コンデンサを用いることもできる。
前記不要周波数成分吸収手段に用いる抵抗の値は、その不要周波数成分吸収手段の前後につく回路の不要周波数成分におけるインピーダンスの並列和と等しいことが望ましい。
前記不要周波数成分吸収手段は、入出力にそれぞれ複数用い広帯域に不要周波数成分を抑圧することもできる。
【００１４】
本発明の不要波抑圧逓倍回路は、不要周波数成分を反射や通過させずに抵抗を用いて吸収することによって抑圧するので、その抑圧回路で反射する不要周波数成分によって逓倍回路の反射特性が劣化することを防ぐことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明による逓倍回路の実施の形態を詳細に説明する。なお、図中で同様の働きをする部分には同一符号を付している。
【００１６】
まず、本発明の第１実施形態を図１に基づいて説明する。図１において、１は非線形動作をするＦＥＴ、２は入力整合回路、３は出力整合回路、４は逓倍器、５は不要周波数成分抑圧回路、６は不要周波数成分吸収抵抗、７は不要周波数成分反射回路、８は入力ポート、９は出力ポートを示す。逓倍器４は、非線形動作をするＦＥＴ１、入力整合回路２、および出力整合回路３からなり、ＦＥＴ１のゲートに入力整合回路２が接続され、ＦＥＴ１のドレインに出力整合回路３が接続される。そして、このような逓倍器４の入力側に入力側主線路Ｌ_１を介して入力ポート８が接続され、入力側主線路Ｌ_１には不要周波数成分反射回路７が接続される。一方、逓倍器４の出力側は出力側主線路Ｌ_２を介して出力ポート９に接続され、出力側主線路Ｌ_２には不要周波数成分抑圧回路５が接続される。不要周波数成分抑圧回路５は、不要周波数成分反射回路の出力側主線路Ｌ_２側に不要周波数成分吸収抵抗６を接続して構成されるもので、不要周波数成分反射回路は後述する図４〜図２３に伝送線路、共振回路、およびフィルタ回路として具体例を示す。なお、ＦＥＴ１はそれに類する非線形動作をする素子に置き換え可能である。
【００１７】
上記のように、図１の第１実施形態では、不要周波数成分が漏れるのを防ぐ方法として、逓倍回路の入力側には従来通りの不要周波数成分反射回路７を接続し、逓倍回路の出力側には、不要周波数成分反射回路の出力側主線路Ｌ_２側に不要周波数成分を吸収するための不要周波数成分吸収抵抗６を接続した不要周波数成分抑圧回路５が接続される。
不要周波数成分反射回路７は場合によっては省略されることもある。
【００１８】
不要周波数成分抑圧回路５および不要周波数成分反射回路７は、使用周波数成分には開放に見えるような回路を選び、その為使用周波数成分の通過には影響をもたらさない。
不要周波数成分抑圧回路５および不要周波数成分反射回路７は、不要周波数成分にはある一定のインピーダンスもしくは短絡に見える。
その為、不要周波数成分反射回路７では不要周波数成分が反射し、その先に現れる量が減少する。
また、不要周波数成分抑圧回路５では、不要周波数成分吸収抵抗６が接続されていることにより、不要周波数成分を反射させずに、不要周波数成分吸収抵抗６に吸収させることが出来る。
そして、この不要周波数成分吸収抵抗６により不要周波数成分を吸収しているので、不要周波数成分が反射しＦＥＴ１を超えて再び入力ポート８に戻ることを防ぐことが出来、結果として入力ポート８の反射特性を改善することが出来る。
【００１９】
図２は本発明の第２実施形態の逓倍回路の構成を示す回路図であり、出力ポート９の反射特性を改善するために図１とは逆に不要周波数成分抑圧回路５を入力側に接続し、不要周波数成分反射回路７を出力側に接続したものである。この場合は、入力ポート８での不要周波数成分である出力周波数成分をＦＥＴ１の入力側で吸収させることが出来るから、出力ポート９の反射特性が良くなる利点がある。
【００２０】
図３は本発明の第３実施形態の逓倍回路の構成を示す回路図であり、入力ポート８および出力ポート９の両反射特性を改善するために入出力共に不要周波数成分抑圧回路５を接続したものである。この場合は、入力ポート８での不要周波数成分である出力周波数成分をＦＥＴ１の入力側で吸収させることが出来、同時に出力ポート９での不要周波数成分である入力周波数成分をＦＥＴ１の出力側で吸収させることが出来るから、入力ポート８と出力ポート９の両反射特性が良くなる利点がある。
【００２１】
なお、不要周波数成分抑圧回路５は片ポート側に複数用いることも可能であるし、入力整合回路２や出力整合回路３と接続順を入れ替えることも可能である。
【００２２】
図４は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１具体例（請求項４および請求項７に対応する）を示す回路図であり、使用周波数成分の波長をλとしてλ／２の整数倍、もしくは不要周波数成分の波長をλとしてλ／４の奇数倍の長さを持つ開放型伝送線路１０を用い、その開放型伝送線路１０と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記開放型伝送線路１０によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６で吸収される。
【００２３】
図５は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第２具体例（請求項５および請求項８に対応する）を示す回路図であり、使用周波数成分の波長をλとしてλ／４の奇数倍、もしくは不要周波数成分の波長をλとしてλ／２の整数倍の長さを持つ短絡型伝送線路１１を用い、その短絡型伝送線路１１と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記短絡型伝送線路１１によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６で吸収される。
【００２４】
図６は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第３具体例（請求項６および請求項９に対応する）を示す回路図であり、使用周波数成分の波長をλとしてλ／４の奇数倍、もしくは不要周波数成分の波長をλとしてλ／２の整数倍の長さを持つ短絡型伝送線路１１と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、前記短絡型伝送線路１１と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記短絡型伝送線路１１およびコンデンサ１２によって使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００２５】
図７は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第４具体例（請求項１０に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたＬＣ並列共振回路１３を用い、その共振周波数を使用周波数成分と一致するように定数を設定し、そのＬＣ並列共振回路１３と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ＬＣ並列共振回路１３によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００２６】
図８は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第５具体例（請求項１１に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたＬＣ並列共振回路１３と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、前記ＬＣ並列共振回路１３の共振周波数を使用周波数成分と一致するように定数を設定し、そのＬＣ並列共振回路１３と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ＬＣ並列共振回路１３およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００２７】
図９は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第６具体例（請求項１２に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたＬＣ直列共振回路１４を用い、その共振周波数を不要周波数成分と一致するように定数を設定し、そのＬＣ直列共振回路１４と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ＬＣ直列共振回路１４によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００２８】
図１０は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第７具体例（請求項１３に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたローパスフィルタ１５を用い、使用周波数成分の通過は阻止し、且つ使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分は通過するようにローパスフィルタ１５の定数を設定し、そのローパスフィルタ１５と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ローパスフィルタ１５によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００２９】
図１１は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第８具体例（請求項１４に対応す）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたローパスフィルタ１５と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、使用周波数成分の通過は阻止し、且つ使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分は通過するようにローパスフィルタ１５の定数を設定し、かつそのローパスフィルタ１５と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、ローパスフィルタ１５およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３０】
図１２は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第９具体例（請求項１５に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたハイパスフィルタ１６を用い、使用周波数成分の通過は阻止し、且つ使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分は通過するようにハイパスフィルタ１６の定数を設定し、そのハイパスフィルタ１６と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ハイパスフィルタ１６によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３１】
図１３は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１０具体例（請求項１６に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたハイパスフィルタ１６と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、使用周波数成分の通過は阻止し、且つ使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分は通過するようにハイパスフィルタ１６の定数を設定し、かつそのハイパスフィルタ１６と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、ハイパスフィルタ１６およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３２】
図１４は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１１具体例（請求項１７に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたバンドリジェクションフィルタ１７を用い、阻止帯域に使用周波数成分がくるようにバンドリジェクションフィルタ１７の定数を設定し、そのバンドリジェクションフィルタ１７と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記バンドリジェクションフィルタ１７によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３３】
図１５は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１２具体例（請求項１８に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたバンドリジェクションフィルタ１７と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、阻止帯域に使用周波数成分がくるようにバンドリジェクションフィルタ１７の定数を設定し、そのバンドリジェクションフィルタ１７と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドリジェクションフィルタ１７およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３４】
図１６は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１３具体例（請求項１９に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたバンドパスフィルタ１８を用い、通過帯域に不要周波数成分がくるようにバンドパスフィルタ１８の定数を設定し、そのバンドパスフィルタ１８と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドパスフィルタ１８によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、特定の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３５】
図１７は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１４具体例（請求項２０に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対してシャントに用いられたバンドパスフィルタ１８と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、通過帯域に不要周波数成分がくるようにバンドパスフィルタ１８の定数を設定し、そのバンドパスフィルタ１８と主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドパスフィルタ１８およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、特定の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３６】
図１８は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１５具体例（請求項２１に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたローパスフィルタ１５を用い、使用周波数成分は通過し、且つ使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分は阻止するようにローパスフィルタ１５の定数を設定し、そのローパスフィルタ１５の、主線路Ｌに対してシャントに用いられたコンデンサと前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ローパスフィルタ１５によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より高い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３７】
図１９は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１６具体例（請求項２２に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたハイパスフィルタ１６を用い、使用周波数成分は通過し、且つ使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分は阻止するようにハイパスフィルタ１６の定数を設定し、そのハイパスフィルタ１６の、主線路Ｌに対してシャントに用いられたインダクタと前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、前記ハイパスフィルタ１６によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３８】
図２０は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１７具体例（請求項２３に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたハイパスフィルタ１６と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、使用周波数成分は通過し、且つ使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分は阻止するようにハイパスフィルタ１６の定数を設定し、かつそのハイパスフィルタ１６の、主線路Ｌに対してシャントに用いられたインダクタと前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、ハイパスフィルタ１６およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、使用周波数成分より低い周波数の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００３９】
図２１は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１８具体例（請求項２４に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたバンドリジェクションフィルタ１７を用い、阻止帯域に不要周波数成分がくるようにバンドリジェクションフィルタ１７の定数を設定し、そのバンドリジェクションフィルタ１７の、主線路Ｌに対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させる回路と前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドリジェクションフィルタ１７によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、特定の不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００４０】
図２２は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第１９具体例（請求項２５に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたバンドパスフィルタ１８を用い、通過帯域に使用周波数成分がくるようにバンドパスフィルタ１８の定数を設定し、そのバンドパスフィルタ１８の、主線路Ｌに対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させる回路と前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドパスフィルタ１８によって、使用周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００４１】
図２３は本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路５の第２０具体例（請求項２６に対応する）を示す回路図であり、主線路Ｌに対して用いられたバンドパスフィルタ１８と、高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサ１２とを用い、阻止帯域に不要周波数成分がくるようにバンドパスフィルタ１８の定数を設定し、そのバンドパスフィルタ１８の、主線路Ｌに対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させる回路と前記主線路Ｌとの間に不要周波数成分吸収抵抗６を接続したものであり、バンドパスフィルタ１８およびコンデンサ１２によって、使用周波数成分および直流成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷が影響せず、不要周波数成分に対しては不要周波数成分吸収抵抗６の負荷で吸収される。
【００４２】
なお、図６、図８、図１１、図１３、図１７、図２０、および図２３において、直流成分の短絡を阻止するコンデンサ１２は、詳しくは、短絡型伝送路１１、ＬＣ並列共振回路１３、ローパスフィルタ１５、ハイパスフィルタ１６、バンドパスフィルタ１８、ハイパスフィルタ１６、またはバンドパスフィルタ１８と接地との間に接続されている。
【００４３】
図２６は、図２４に示された従来の逓倍回路を入力周波数５ＧＨｚで設計した場合の入力ポート２８の反射特性ａと、図２５に示された従来の逓倍回路、すなわち図２４に示された従来の逓倍回路に、反射した不要周波数成分を吸収させる不要周波数成分吸収抵抗２６をシリーズで接続した回路を入力周波数５ＧＨｚで設計した場合の入力ポート２８の反射特性ｂと、図１に示された本発明の逓倍回路を入力周波数５ＧＨｚで設計した場合の入力ポート８の反射特性ｃとを比較して示すものである。この図から、以上のような回路構成の不要周波数成分抑圧回路５を付加した本発明の逓倍回路は、反射特性が改善されていることが分かる。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように本発明の逓倍回路によれば、各ポートでの使用周波数成分の反射特性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の逓倍回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第２実施形態の逓倍回路の構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第３実施形態の逓倍回路の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１具体例を示す回路図である。
【図５】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第２具体例を示す回路図である。
【図６】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第３具体例を示す回路図である。
【図７】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第４具体例を示す回路図である。
【図８】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第５具体例を示す回路図である。
【図９】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第６具体例を示す回路図である。
【図１０】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第７具体例を示す回路図である。
【図１１】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第８具体例を示す回路図である。
【図１２】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第９具体例を示す回路図である。
【図１３】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１０具体例を示す回路図である。
【図１４】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１１具体例を示す回路図である。
【図１５】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１２具体例を示す回路図である。
【図１６】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１３具体例を示す回路図である。
【図１７】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１４具体例を示す回路図である。
【図１８】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１５具体例を示す回路図である。
【図１９】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１６具体例を示す回路図である。
【図２０】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１７具体例を示す回路図である。
【図２１】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１８具体例を示す回路図である。
【図２２】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第１９具体例を示す回路図である。
【図２３】本発明の逓倍回路に用いる不要周波数成分抑圧回路の第２０具体例を示す回路図である。
【図２４】従来の逓倍回路の構成を示す回路図である。
【図２５】従来の反射電力を抑圧した逓倍回路の構成を示す回路図である。
【図２６】従来の逓倍回路および従来の反射電力を抑圧した逓倍回路と本発明の逓倍回路の入力ポートの反射特性を比較した特性図である。
【符号の説明】
１ＦＥＴ
２入力整合回路
３出力整合回路
４逓倍器
５不要周波数成分抑圧回路
６不要周波数成分吸収抵抗
７不要周波数成分反射回路
８入力ポート
９出力ポート
１０開放型伝送線路
１１短絡型伝送線路
１２直流短絡阻止コンデンサ
１３ＬＣ並列共振回路
１４ＬＣ直列共振回路
１５ローパスフィルタ
１６ハイパスフィルタ
１７バンドリジェクションフィルタ
１８バンドパスフィルタ
Ｌ，Ｌ_１，Ｌ_２主線路

Claims

入力ポートおよび出力ポートを有する逓倍回路において、前記入力ポートおよび出力ポートの一方もしくは両方に、前記逓倍回路の使用周波数成分は吸収せずに前記逓倍回路で発生した不要波のみを吸収する手段を接続したことを特徴とする逓倍回路。
前記吸収手段は、前記出力ポートに入力周波数成分が漏れ出さないようにすると同時に、前記入力ポートに入力周波数成分が反射して前記逓倍回路の入力ポートの反射特性の劣化が無いようにすることを特徴とする請求項１に記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、前記入力ポートに出力周波数成分が漏れ出さないようにすると同時に、前記出力ポートに出力周波数成分が反射して前記逓倍回路の出力ポートの反射特性の劣化が無いようにすることを特徴とする請求項１に記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、使用周波数に対する波長をλとしてλ／２の整数倍の長さを持った開放型伝送線路を備え、さらにその開放型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、使用周波数に対する波長をλとしてλ／４の奇数倍の長さを持った短絡型伝送線路を備え、さらにその短絡型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、使用周波数に対する波長をλとしてλ／４の奇数倍の長さを持った短絡型伝送線路を備え、さらにその短絡型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、不要周波数に対する波長をλとしてλ／４の奇数倍の長さを持った開放型伝送線路を備え、さらにその開放型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、不要周波数に対する波長をλとしてλ／２の整数倍の長さを持った短絡型伝送線路を備え、さらにその短絡型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、不要周波数に対する波長をλとしてλ／２の整数倍の長さを持った短絡型伝送線路を備え、さらにその短絡型伝送線路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止するＬＣ並列共振回路を備え、さらにそのＬＣ並列共振回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止するＬＣ並列共振回路を備え、さらにそのＬＣ並列共振回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させるＬＣ直列共振回路を備え、さらにそのＬＣ直列共振回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止し且つ使用周波数成分より周波数の低い不要周波数成分を通過させるローパスフィルタ回路を備え、さらにそのローパスフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止し且つ使用周波数成分より低い不要周波数成分を通過させるローパスフィルタ回路を備え、さらにそのローパスフィルタと主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止し且つ使用周波数成分より周波数の高い不要周波数成分を通過させるハイパスフィルタ回路を備え、さらにそのハイパスフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止し且つ使用周波数成分より周波数の高い不要周波数成分を通過させるハイパスフィルタ回路を備え、さらにそのハイパスフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止するバンドリジェクションフィルタ回路を備え、さらにそのバンドリジェクションフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた使用周波数成分の通過を阻止するバンドリジェクションフィルタ回路を備え、さらにそのバンドリジェクションフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させるバンドパスフィルタ回路を備え、さらにそのバンドパスフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対してシャントに用いられた不要周波数成分を通過させるバンドパスフィルタ回路を備え、さらにそのバンドパスフィルタ回路と主線路との間に不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた不要周波数成分の通過を阻止し且つ不要周波数成分より周波数の低い使用周波数成分を通過させるローパスフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路にシャントに用いられた前記ローパスフィルタ回路のコンデンサとの間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた不要周波数成分の通過を阻止し且つ不要周波数成分より周波数の高い使用周波数成分を通過させるハイパスフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路にシャントに用いられた前記ハイパスフィルタ回路のインダクタとの間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた不要周波数成分の通過を阻止し且つ不要周波数成分より周波数の高い使用周波数成分を通過させるハイパスフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路にシャントに用いられた前記ハイパスフィルタ回路のインダクタとの間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた不要周波数成分の通過を阻止するバンドリジェクションフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路に対してシャントに用いられた前記バンドリジェクションフィルタ回路の不要周波数成分を通過させる回路との間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた使用周波数成分を通過させるバンドパスフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路に対してシャントに用いられた前記バンドパスフィルタ回路の不要周波数成分を通過させる回路との間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。
前記吸収手段は、主線路に対して用いられた使用周波数成分を通過させるバンドパスフィルタ回路を備え、さらに主線路と該主線路に対してシャントに用いられた前記バンドパスフィルタ回路の不要周波数成分を通過させる回路との間に、不要周波数成分を吸収させるための抵抗を有し、さらに高周波成分は通過させるが直流成分の短絡は阻止するコンデンサを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の逓倍回路。