JPH09266401A

JPH09266401A - 吸収型高調波フィルタ

Info

Publication number: JPH09266401A
Application number: JP7500396A
Authority: JP
Inventors: Hideshi Hanshiyou; 秀史繁昌
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1996-03-28
Filing date: 1996-03-28
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】２，３次高調波の帯域においてＶＳＷＲが大
きくなり、設計通りの減衰特性が得られないという課題
があった。【解決手段】ローパスフィルタの主線路２ｆにほぼ平
行に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有
する２次高調波吸収用薄膜４を設けると共に、その２次
高調波吸収用薄膜４に５０Ω終端抵抗５を接続したもの
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体基板上に
形成される吸収型高調波フィルタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１３は従来のストリップ線路高調波フ
ィルタを示す構成図であり、図において、１は誘電体基
板、２はその誘電体基板１上に形成されたＲＦ（ラジオ
波）用導体膜、３は誘電体基板１の底面に配置された接
地導体板である。また、２ａ，２ｃ，２ｅはＲＦ用導体
膜２によって形成された共振線路、２ｂ，２ｄは同じく
ＲＦ用導体膜２によって形成された結合線路であり、こ
れら共振線路２ａ，２ｃ，２ｅおよび結合線路２ｂ，２
ｄによりローパスフィルタを構成する。２ｆ，２ｇは同
じくＲＦ用導体膜２によって形成されたローパスフィル
タの入力側および出力側の主線路である。

【０００３】次に動作について説明する。図１３に示し
たストリップ線路高調波フィルタは、２，３次高調波の
スプリアス成分等の不要波を除去するものであり、入力
側の主線路２ｆより入力されたＲＦは、共振線路２ａ，
２ｃ，２ｅおよび結合線路２ｂ，２ｄにより構成された
ローパスフィルタの減衰特性に応じて出力側の主線路２
ｇより出力される。このとき、そのＲＦの減衰分である
２，３次高調波のスプリアス成分等の不要波は入力側の
主線路２ｆに反射されることになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のストリップ線路
高調波フィルタは以上のように構成されているので、
２，３次高調波のスプリアス成分等の不要波を反射する
反射型のローパスフィルタのため、ローパスフィルタの
帯域外、即ち、２，３次高調波のスプリアス成分等の帯
域においてＶＳＷＲ（電圧定在波比）が大きくなり、入
出力の負荷が５０Ωの場合は良いが、ＶＳＷＲの良くな
い負荷を接続するとローパスフィルタの減衰特性がその
負荷により変化してしまい、設計通りの減衰特性が得ら
れないなどの課題があった。

【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、２，３次高調波のスプリアス成分
等を吸収し、それら２，３次高調波のスプリアス成分等
の帯域におけるＶＳＷＲを改善できる吸収型高調波フィ
ルタを得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る吸収型高調波フィルタは、ローパスフィルタまたはバ
ンドパスフィルタの主線路にほぼ平行に、入力されるｎ
次高調波（ｎは２以上の整数）の１／４波長の線路長を
有するｎ次高調波吸収用薄膜を設けると共に、そのｎ次
高調波吸収用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものであ
る。

【０００７】請求項２記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、ローパスフィルタの入力側の主線路に平行
に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有す
る２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、その２次高調
波吸収用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【０００８】請求項３記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、ローパスフィルタの入力側の主線路に平行
に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有す
る２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、そのローパス
フィルタの入力側の主線路の上記２次高調波吸収用薄膜
に対向する片側に平行に、入力される３次高調波の１／
４波長の線路長を有する３次高調波吸収用薄膜を設け、
それら２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収用薄
膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【０００９】請求項４記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、ローパスフィルタの入出力側の主線路に平行
に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有す
る２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、そのローパス
フィルタの入出力側の主線路の上記２次高調波吸収用薄
膜に対向する片側に平行に、入力される３次高調波の１
／４波長の線路長を有する３次高調波吸収用薄膜を設
け、それら２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収
用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【００１０】請求項５記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、バンドパスフィルタの入力側の主線路に平行
に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有す
る２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、その２次高調
波吸収用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【００１１】請求項６記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、バンドパスフィルタの入力側の主線路に平行
に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有す
る２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、そのバンドパ
スフィルタの入力側の主線路の上記２次高調波吸収用薄
膜に対向する片側に平行に、入力される３次高調波の１
／４波長の線路長を有する３次高調波吸収用薄膜を設
け、それら２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収
用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【００１２】請求項７記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、バンドパスフィルタの入出力側の主線路に平
行に、入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有
する２次高調波吸収用薄膜を設けると共に、そのバンド
パスフィルタの入出力側の主線路の上記２次高調波吸収
用薄膜に対向する片側に平行に、入力される３次高調波
の１／４波長の線路長を有する３次高調波吸収用薄膜を
設け、それら２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸
収用薄膜に５０Ω終端抵抗を接続したものである。

【００１３】請求項８記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、第１の誘電体基板に第２の誘電体基板を対向
配置したものである。

【００１４】請求項９記載の発明に係る吸収型高調波フ
ィルタは、２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収
用薄膜のうち少なくとも一方を主線路に対してテーパー
状に設けたものである。

【００１５】請求項１０記載の発明に係る吸収型高調波
フィルタは、５０Ω終端抵抗を、５０Ωのチップ抵抗
と、そのチップ抵抗と第１の接地導体板とを接続する短
絡導体膜とにより構成したものである。

【００１６】請求項１１記載の発明に係る吸収型高調波
フィルタは、５０Ω終端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗と、
その薄膜抵抗と第１の接地導体板とを接続する短絡導体
膜とにより構成したものである。

【００１７】請求項１２記載の発明に係る吸収型高調波
フィルタは、５０Ω終端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗と、
その薄膜抵抗に接続された導体膜と、その導体膜と第１
の接地導体板とを接続する第１のリボンとにより構成
し、また、２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収
用薄膜のうち少なくとも一方の短絡端と上記第１の接地
導体板とを第２のリボンで接続したものである。

【００１８】請求項１３記載の発明に係る吸収型高調波
フィルタは、５０Ω終端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗と、
その薄膜抵抗に接続された導体膜と、その導体膜と第１
の接地導体板とを接続する第１のスルーホールとにより
構成し、また、２次高調波吸収用薄膜および３次高調波
吸収用薄膜のうち少なくとも一方の短絡端と上記第１の
接地導体板とを第２のスルーホールで接続したものであ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるス
トリップ線路吸収型高調波フィルタを示す構成図であ
り、図において、１は誘電体基板（第１の誘電体基
板）、２はその誘電体基板１上に形成されたＲＦ（ラジ
オ波）用導体膜、３は誘電体基板１の底面に配置された
接地導体板（第１の接地導体板）である。また、２ａ，
２ｃ，２ｅはＲＦ用導体膜２によって形成された共振線
路、２ｂ，２ｄはＲＦ用導体膜２によって形成された結
合線路であり、これら共振線路２ａ，２ｃ，２ｅおよび
結合線路２ｂ，２ｄによりローパスフィルタを構成す
る。２ｆ，２ｇはＲＦ用導体膜２によって形成されたロ
ーパスフィルタの入力側および出力側の主線路である。

【００２０】４はローパスフィルタの入力側の主線路２
ｆに平行に設けられ、そのローパスフィルタに入力され
るＲＦの２次高調波の１／４波長の線路長を有する２次
高調波吸収用薄膜であり、共振線路２ａ側は開放端であ
る。５はその２次高調波吸収用薄膜４に接続された５０
Ω終端抵抗、６はその２次高調波吸収用薄膜４の入力側
に設けられた短絡端である。

【００２１】次に動作について説明する。入力側の主線
路２ｆより入力されたＲＦは、共振線路２ａ，２ｃ，２
ｅおよび結合線路２ｂ，２ｄにより構成されたローパス
フィルタの減衰特性に応じて出力側の主線路２ｇより出
力される。このとき、そのＲＦの減衰分である２次高調
波のスプリアス成分等の不要波は入力側の主線路２ｆに
反射されることになる。この反射された２次高調波のス
プリアス成分等の不要波は、２次高調波吸収用薄膜４に
より吸収され、さらに、５０Ω終端抵抗５により消費さ
れる。このように、反射された２次高調波のスプリアス
成分等の不要波が入力側に戻らないということは、２次
高調波の帯域において入力側は見かけ上５０Ωの負荷と
なり、その２次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善で
き、減衰特性を設計通りに得ることができる。なお、２
次高調波吸収用薄膜４をベンドに曲げることにより、小
型化できる。

【００２２】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、ローパスフィルタの入力側の主線路２ｆに平行に２
次高調波吸収用薄膜４を設け、その２次高調波吸収用薄
膜４に５０Ω終端抵抗５を接続するように構成したの
で、２次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減
衰特性を設計通りに得ることができる効果がある。

【００２３】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２によるストリップ線路吸収型高調波フィルタを示す
構成図であり、図において、７はローパスフィルタの入
力側の主線路２ｆの２次高調波吸収用薄膜４に対向する
片側に平行に設けられ、そのローパスフィルタに入力さ
れるＲＦの３次高調波の１／４波長の線路長を有する３
次高調波吸収用薄膜であり、共振線路２ａ側は開放端で
ある。５はその３次高調波吸収用薄膜７に接続された５
０Ω終端抵抗、６はその３次高調波吸収用薄膜７の入力
側に設けられた短絡端である。

【００２４】次に動作について説明する。ＲＦの減衰分
である２，３次高調波のスプリアス成分等の不要波は入
力側の主線路２ｆに反射されることになる。この反射さ
れた２，３次高調波のスプリアス成分等の不要波は、２
次高調波吸収用薄膜４、３次高調波吸収用薄膜７により
吸収され、さらに、５０Ω終端抵抗５により消費され
る。このように、反射された２，３次高調波のスプリア
ス成分等の不要波が入力側に戻らないということは、
２，３次高調波の帯域において入力側は見かけ上５０Ω
の負荷となり、その２，３次高調波の帯域におけるＶＳ
ＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得ることができ
る。なお、３次高調波吸収用薄膜７をベンドに曲げるこ
とにより、小型化できる。

【００２５】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、ローパスフィルタの入力側の主線路２ｆの２次高調
波吸収用薄膜４に対向する片側に平行に３次高調波吸収
用薄膜７を設け、その３次高調波吸収用薄膜７に５０Ω
終端抵抗５を接続するように構成したので、２，３次高
調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設
計通りに得ることができる効果がある。

【００２６】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３によるストリップ線路吸収型高調波フィルタを示す
構成図であり、この実施の形態３では、ローパスフィル
タの出力側にも２次高調波吸収用薄膜４、３次高調波吸
収用薄膜７を設けたものである。

【００２７】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、ローパスフィルタの入出力側に２次高調波吸収用薄
膜４、３次高調波吸収用薄膜７を設けるように構成した
ので、２，３次高調波の帯域において入出力側から見か
け上５０Ωの負荷となり、２，３次高調波の帯域におけ
るＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得ること
ができる効果がある。

【００２８】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４によるストリップ線路吸収型高調波フィルタを示す
構成図であり、図において、８はＲＦ用導体膜２によっ
て形成された複数の共振線路、９は同じくＲＦ用導体膜
２によって形成され、それら共振線路８毎に設けられた
容量性線路であり、これら共振線路８および容量性線路
９によりバンドパスフィルタを構成する。

【００２９】次に動作について説明する。入力側の主線
路２ｆより入力されたＲＦは、共振線路８および容量性
線路９により構成されたバンドパスフィルタの減衰特性
に応じて出力側の主線路２ｇより出力される。このと
き、そのＲＦの減衰分である２次高調波のスプリアス成
分等の不要波は入力側の主線路２ｆに反射されることに
なる。この反射された２次高調波のスプリアス成分等の
不要波は、２次高調波吸収用薄膜４により吸収され、さ
らに、５０Ω終端抵抗５により消費される。このよう
に、反射された２次高調波のスプリアス成分等の不要波
が入力側に戻らないということは、２次高調波の帯域に
おいて入力側は見かけ上５０Ωの負荷となり、その２次
高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を
設計通りに得ることができる。

【００３０】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、バンドパスフィルタの入力側の主線路２ｆに平行に
２次高調波吸収用薄膜４を設け、その２次高調波吸収用
薄膜４に５０Ω終端抵抗５を接続するように構成したの
で、２次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減
衰特性を設計通りに得ることができる効果がある。

【００３１】実施の形態５．図５はこの発明の実施の形
態５によるストリップ線路吸収型高調波フィルタを示す
構成図であり、この実施の形態５は、バンドパスフィル
タの入力側の主線路２ｆに２次高調波吸収用薄膜４、３
次高調波吸収用薄膜７を設けたものである。

【００３２】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、バンドパスフィルタの入力側の主線路２ｆに２次高
調波吸収用薄膜４、３次高調波吸収用薄膜７を設けるよ
うに構成したので、２，３次高調波の帯域におけるＶＳ
ＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得ることができ
る効果がある。

【００３３】実施の形態６．図６はこの発明の実施の形
態６によるストリップ線路吸収型高調波フィルタを示す
構成図であり、この実施の形態６では、バンドパスフィ
ルタの出力側にも２次高調波吸収用薄膜４、３次高調波
吸収用薄膜７を設けたものである。

【００３４】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、バンドパスフィルタの入出力側に２次高調波吸収用
薄膜４、３次高調波吸収用薄膜７を設けるように構成し
たので、２，３次高調波の帯域において入出力側から見
かけ上５０Ωの負荷となり、２，３次高調波の帯域にお
けるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得るこ
とができる効果がある。

【００３５】実施の形態７．図７はこの発明の実施の形
態７によるトリプレート線路吸収型高調波フィルタを示
す構成図であり、図において、１ａは誘電体基板（第２
の誘電体基板）、３ａは誘電体基板１ａの底面に配置さ
れた接地導体板（第２の接地導体板）であり、誘電体基
板１ａは誘電体基板１に対向配置されている。

【００３６】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、トリプレート線路吸収型高調波フィルタにおいて、
ローパスフィルタの入出力側に２次高調波吸収用薄膜
４、３次高調波吸収用薄膜７を設けるように構成したの
で、２，３次高調波の帯域において入出力側から見かけ
上５０Ωの負荷となり、２，３次高調波の帯域における
ＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得ることが
できる効果がある。また、パルスＲＦ用ＡＭＰ等のよう
に、ＲＦがパルスで高調波を含む広帯域のスペクトラム
を持つ場合、ストリップ線路の場合は、伝搬特性に分散
性を生じるため高次モードが発生しフィルタに関係なく
高調波成分が幾分か素通りしてしまうのに対して、トリ
プレート線路の場合は、高次モードが発生しないのでよ
り効果的である。なお、上記実施の形態７では、ローパ
スフィルタを用いた場合を示したが、バンドパスフィル
タでも同様の効果を奏する。

【００３７】実施の形態８．図８はこの発明の実施の形
態８による吸収型高調波フィルタを示す構成図であり、
この実施の形態８では、２次高調波吸収用薄膜４を主線
路２ｆに対して幅Ａ＞Ｂのようにテーパー状に設けたも
のである。

【００３８】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、２次高調波吸収用薄膜４を主線路２ｆに対してテー
パー状に設けるように構成したので、吸収できる２次高
調波の帯域を広げることができる効果がある。なお、上
記実施の形態８では、２次高調波吸収用薄膜４をテーパ
ー状に設けたものを示したが、３次高調波吸収用薄膜７
をテーパー状に併用して設けても、また、出力側に設け
ても良くそれぞれの帯域を広げることができる効果を奏
する。

【００３９】実施の形態９．図９はこの発明の実施の形
態９による吸収型高調波フィルタを示す斜視図であり、
図において、１０は５０Ωのチップ抵抗、１１はそのチ
ップ抵抗１０と接地導体板３とを接続する短絡導体膜で
ある。

【００４０】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、５０Ω終端抵抗５を５０Ωのチップ抵抗１０と短絡
導体膜１１とで構成したので、小型化が図れる効果があ
る。なお、上記実施の形態９では、ローパスフィルタに
設けたものを示したがバンドパスフィルタに設けても同
様の効果を奏する。また、トリプレート線路に設けても
良い。

【００４１】実施の形態１０．図１０はこの発明の実施
の形態１０による吸収型高調波フィルタを示す斜視図で
あり、図において、１２は５０Ωの薄膜抵抗である。

【００４２】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、５０Ω終端抵抗５を５０Ωの薄膜抵抗１２と短絡導
体膜１１とで構成したので、半田付け等の工程を削減で
きると共に、トリプレート線路において、誘電体基板１
の上部を切り欠く工程を削減でき、これらの工程の削減
により低コスト化が図れる効果がある。なお、上記実施
の形態１０では、ローパスフィルタに設けたものを示し
たがバンドパスフィルタに設けても同様の効果を奏す
る。

【００４３】実施の形態１１．図１１はこの発明の実施
の形態１１による吸収型高調波フィルタを示す斜視図で
あり、図において、１３は５０Ωの薄膜抵抗１２に接続
された導体膜、１４はその導体膜１３と接地導体板３と
を接続するリボン（第１のリボン）である。また、１５
は２次高調波吸収用薄膜４の短絡端と接地導体板３とを
接続するリボン（第２のリボン）である。

【００４４】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、５０Ω終端抵抗５を５０Ωの薄膜抵抗１２、導体膜
１３およびリボン１４で構成し、２次高調波吸収用薄膜
４の短絡端と接地導体板３とをリボン１５で接続するよ
うに構成したので、リボン１４，１５で接続することに
より、組立を比較的容易にできる効果がある。なお、上
記実施の形態１１では、ローパスフィルタに設けたもの
を示したがバンドパスフィルタに設けても同様の効果を
奏する。また、トリプレート線路に設けても良い。

【００４５】実施の形態１２．図１２はこの発明の実施
の形態１２による吸収型高調波フィルタを示す斜視図で
あり、図において、１６は導体膜１３と接地導体板３と
を接続するスルーホール（第１のスルーホール）であ
る。また、１７は２次高調波吸収用薄膜４の短絡端と接
地導体板３とを接続するスルーホール（第２のスルーホ
ール）である。

【００４６】以上のように、この実施の形態１２によれ
ば、５０Ω終端抵抗５を５０Ωの薄膜抵抗１２，導体膜
１３およびスルーホール１６で構成し、２次高調波吸収
用薄膜４の短絡端と接地導体板３とをスルーホール１７
で接続するように構成したので、スルーホール１６，１
７で接続することにより、組立を極めて容易にできる効
果がある。なお、上記実施の形態１２では、ローパスフ
ィルタに設けたものを示したがバンドパスフィルタに設
けても同様の効果を奏する。また、トリプレート線路に
設けても良い。

【００４７】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタの主
線路にほぼ平行に、入力されるｎ次高調波（ｎは２以上
の整数）の１／４波長の線路長を有するｎ次高調波吸収
用薄膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構成し
たので、ｎ次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善で
き、減衰特性を設計通りに得ることができる効果があ
る。

【００４８】請求項２記載の発明によれば、ローパスフ
ィルタの入力側の主線路に平行に、入力される２次高調
波の１／４波長の線路長を有する２次高調波吸収用薄膜
を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構成したの
で、ローパスフィルタにおいて２次高調波の帯域におけ
るＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得ること
ができる効果がある。

【００４９】請求項３記載の発明によれば、ローパスフ
ィルタの入力側の主線路に平行に、入力される２，３次
高調波の１／４波長の線路長を有する２，３次高調波吸
収用薄膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構成
したので、ローパスフィルタにおいて、２，３次高調波
の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通
りに得ることができる効果がある。

【００５０】請求項４記載の発明によれば、ローパスフ
ィルタの入出力側の主線路に平行に、入力される２，３
次高調波の１／４波長の線路長を有する２，３次高調波
吸収用薄膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構
成したので、ローパスフィルタにおいて、２，３次高調
波の帯域において入出力側から見かけ上５０Ωの負荷と
なり、２，３次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善で
き、減衰特性を設計通りに得ることができる効果があ
る。

【００５１】請求項５記載の発明によれば、バンドパス
フィルタの入力側の主線路に平行に、入力される２次高
調波の１／４波長の線路長を有する２次高調波吸収用薄
膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構成したの
で、バンドパスフィルタにおいて、２次高調波の帯域に
おけるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設計通りに得る
ことができる効果がある。

【００５２】請求項６記載の発明によれば、バンドパス
フィルタの入力側の主線路に平行に、入力される２，３
次高調波の１／４波長の線路長を有する２，３次高調波
吸収用薄膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように構
成したので、バンドパスフィルタにおいて、２，３次高
調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善でき、減衰特性を設
計通りに得ることができる効果がある。

【００５３】請求項７記載の発明によれば、バンドパス
フィルタの入出力側の主線路に平行に、入力される２，
３次高調波の１／４波長の線路長を有する２，３次高調
波吸収用薄膜を設け、５０Ω終端抵抗を接続するように
構成したので、バンドパスフィルタにおいて、２，３次
高調波の帯域において入出力側から見かけ上５０Ωの負
荷となり、２，３次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改
善でき、減衰特性を設計通りに得ることができる効果が
ある。

【００５４】請求項８記載の発明によれば、第１の誘電
体基板に第２の誘電体基板を対向配置するように構成し
たので、トリプレート線路吸収型高調波フィルタにおい
て、２，３次高調波の帯域におけるＶＳＷＲを改善で
き、減衰特性を設計通りに得ることができる効果があ
る。また、入力されるＲＦがパルスで高調波を含む広帯
域のスペクトラムを持つ場合、ストリップ線路の場合
は、伝搬特性に分散性を生じるため高次モードが発生し
フィルタに関係なく高調波成分が幾分か素通りしてしま
うのに対して、トリプレート線路の場合は、高次モード
が発生しない効果がある。

【００５５】請求項９記載の発明によれば、２次高調波
吸収用薄膜および３次高調波吸収用薄膜のうち少なくと
も一方を主線路に対してテーパー状に設けるように構成
したので、吸収できる２，３次高調波の帯域を広げるこ
とができる効果がある。

【００５６】請求項１０記載の発明によれば、５０Ω終
端抵抗を、５０Ωのチップ抵抗と、短絡導体膜とにより
構成したので、小型化が図れる効果がある。

【００５７】請求項１１記載の発明によれば、５０Ω終
端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗と、短絡導体膜とにより構
成したので、半田付け等の工程を削減できると共に、ト
リプレート線路において、第１の誘電体基板の上部を切
り欠く工程を削減でき、これら工程の削減により低コス
ト化が図れる効果がある。

【００５８】請求項１２記載の発明によれば、５０Ω終
端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗、導体膜および第１のリボ
ンで構成し、２，３次高調波吸収用薄膜の短絡端と接地
導体板とを第２のリボンで接続するように構成したの
で、第１，第２のリボンで接続することにより、組立を
比較的容易にできる効果がある。

【００５９】請求項１３記載の発明によれば、５０Ω終
端抵抗を、５０Ωの薄膜抵抗、導体膜および第１のスル
ーホールで構成し、２，３次高調波吸収用薄膜の短絡端
と接地導体板とを第２のスルーホールで接続するように
構成したので、第１，第２のスルーホールで接続するこ
とにより、組立を極めて容易にできる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図２】この発明の実施の形態２によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図３】この発明の実施の形態３によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図４】この発明の実施の形態４によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図５】この発明の実施の形態５によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図６】この発明の実施の形態６によるストリップ線
路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図７】この発明の実施の形態７によるトリプレート
線路吸収型高調波フィルタを示す構成図である。

【図８】この発明の実施の形態８による吸収型高調波
フィルタを示す構成図である。

【図９】この発明の実施の形態９による吸収型高調波
フィルタを示す斜視図である。

【図１０】この発明の実施の形態１０による吸収型高
調波フィルタを示す斜視図である。

【図１１】この発明の実施の形態１１による吸収型高
調波フィルタを示す斜視図である。

【図１２】この発明の実施の形態１２による吸収型高
調波フィルタを示す斜視図である。

【図１３】従来のストリップ線路高調波フィルタを示
す構成図である。

【符号の説明】

１誘電体基板（第１の誘電体基板）、１ａ誘電体基
板（第２の誘電体基板）、２ＲＦ用導体膜、２ａ，２
ｃ，２ｅ，８共振線路、２ｂ，２ｄ結合線路、２
ｆ，２ｇ主線路、３接地導体板（第１の接地導体
板）、３ａ接地導体板（第２の接地導体板）、４２
次高調波吸収用薄膜、５５０Ω終端抵抗、７３次高
調波吸収用薄膜、９容量性線路、１０チップ抵抗、
１１短絡導体膜、１２薄膜抵抗、１３導体膜、１
４リボン（第１のリボン）、１５リボン（第２のリボ
ン）、１６スルーホール（第１のスルーホール）、１
７スルーホール（第２のスルーホール）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の誘電体基板の表面にローパスフィ
ルタまたはバンドパスフィルタを形成したＲＦ用導体膜
と、上記ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタの
入力側または出力側の主線路にほぼ平行に設けられその
ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタに入力され
るｎ次高調波（ｎは２以上の整数）の１／４波長の線路
長を有するｎ次高調波吸収用薄膜と、そのｎ次高調波吸
収用薄膜に接続された５０Ω終端抵抗とを備えた吸収型
高調波フィルタ。
【請求項２】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および結合線路から成るローパスフィルタを形成した
ＲＦ用導体膜と、上記ローパスフィルタの入力側の主線
路に平行に設けられそのローパスフィルタに入力される
２次高調波の１／４波長の線路長を有する２次高調波吸
収用薄膜と、その２次高調波吸収用薄膜に接続された５
０Ω終端抵抗とを備えた吸収型高調波フィルタ。
【請求項３】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および結合線路から成るローパスフィルタを形成した
ＲＦ用導体膜と、上記ローパスフィルタの入力側の主線
路に平行に設けられそのローパスフィルタに入力される
２次高調波の１／４波長の線路長を有する２次高調波吸
収用薄膜と、上記ローパスフィルタの入力側の主線路の
上記２次高調波吸収用薄膜に対向する片側に平行に設け
られそのローパスフィルタに入力される３次高調波の１
／４波長の線路長を有する３次高調波吸収用薄膜と、そ
れら２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収用薄膜
に接続された５０Ω終端抵抗とを備えた吸収型高調波フ
ィルタ。
【請求項４】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および結合線路から成るローパスフィルタを形成した
ＲＦ用導体膜と、上記ローパスフィルタの入出力側の主
線路にそれぞれ平行に設けられそのローパスフィルタに
入力される２次高調波の１／４波長の線路長を有する２
次高調波吸収用薄膜と、上記ローパスフィルタの入出力
側の主線路の上記２次高調波吸収用薄膜に対向する片側
にそれぞれ平行に設けられそのローパスフィルタに入力
される３次高調波の１／４波長の線路長を有する３次高
調波吸収用薄膜と、それら２次高調波吸収用薄膜および
３次高調波吸収用薄膜に接続された５０Ω終端抵抗とを
備えた吸収型高調波フィルタ。
【請求項５】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および容量性線路から成るバンドパスフィルタを形成
したＲＦ用導体膜と、上記バンドパスフィルタの入力側
の主線路に平行に設けられそのバンドパスフィルタに入
力される２次高調波の１／４波長の線路長を有する２次
高調波吸収用薄膜と、その２次高調波吸収用薄膜に接続
された５０Ω終端抵抗とを備えた吸収型高調波フィル
タ。
【請求項６】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および容量性線路から成るバンドパスフィルタを形成
したＲＦ用導体膜と、上記バンドパスフィルタの入力側
の主線路に平行に設けられそのバンドパスフィルタに入
力される２次高調波の１／４波長の線路長を有する２次
高調波吸収用薄膜と、上記バンドパスフィルタの入力側
の主線路の上記２次高調波吸収用薄膜に対向する片側に
平行に設けられそのバンドパスフィルタに入力される３
次高調波の１／４波長の線路長を有する３次高調波吸収
用薄膜と、それら２次高調波吸収用薄膜および３次高調
波吸収用薄膜に接続された５０Ω終端抵抗とを備えた吸
収型高調波フィルタ。
【請求項７】底面に第１の接地導体板を配置した第１
の誘電体基板と、その第１の誘電体基板の表面に共振線
路および容量性線路から成るバンドパスフィルタを形成
したＲＦ用導体膜と、上記バンドパスフィルタの入出力
側の主線路にそれぞれ平行に設けられそのバンドパスフ
ィルタに入力される２次高調波の１／４波長の線路長を
有する２次高調波吸収用薄膜と、上記バンドパスフィル
タの入出力側の主線路の上記２次高調波吸収用薄膜に対
向する片側にそれぞれ平行に設けられそのバンドパスフ
ィルタに入力される３次高調波の１／４波長の線路長を
有する３次高調波吸収用薄膜と、それら２次高調波吸収
用薄膜および３次高調波吸収用薄膜に接続された５０Ω
終端抵抗とを備えた吸収型高調波フィルタ。
【請求項８】底面に第２の接地導体板を配置すると共
に、第１の誘電体基板に対向配置された第２の誘電体基
板を備えたことを特徴とする請求項１から請求項７のう
ちのいずれか１項記載の吸収型高調波フィルタ。
【請求項９】２次高調波吸収用薄膜および３次高調波
吸収用薄膜のうち少なくとも一方を主線路に対してテー
パー状に設けたことを特徴とする請求項１から請求項８
のうちのいずれか１項記載の吸収型高調波フィルタ。
【請求項１０】５０Ω終端抵抗は、５０Ωのチップ抵
抗と、そのチップ抵抗と第１の接地導体板とを接続する
短絡導体膜とにより構成されることを特徴とする請求項
１から請求項９のうちのいずれか１項記載の吸収型高調
波フィルタ。
【請求項１１】５０Ω終端抵抗は、５０Ωの薄膜抵抗
と、その薄膜抵抗と第１の接地導体板とを接続する短絡
導体膜とにより構成されることを特徴とする請求項１か
ら請求項９のうちのいずれか１項記載の吸収型高調波フ
ィルタ。
【請求項１２】５０Ω終端抵抗は、５０Ωの薄膜抵抗
と、その薄膜抵抗に接続された導体膜と、その導体膜と
第１の接地導体板とを接続する第１のリボンとにより構
成され、２次高調波吸収用薄膜および３次高調波吸収用
薄膜のうち少なくとも一方の短絡端と上記第１の接地導
体板とを第２のリボンで接続することを特徴とする請求
項１から請求項９のうちのいずれか１項記載の吸収型高
調波フィルタ。
【請求項１３】５０Ω終端抵抗は、５０Ωの薄膜抵抗
と、その薄膜抵抗に接続された導体膜と、その導体膜と
第１の接地導体板とを接続する第１のスルーホールとに
より構成され、２次高調波吸収用薄膜および３次高調波
吸収用薄膜のうち少なくとも一方の短絡端と上記第１の
接地導体板とを第２のスルーホールで接続することを特
徴とする請求項１から請求項９のうちのいずれか１項記
載の吸収型高調波フィルタ。