JP2004343094A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004343094A5
JP2004343094A5 JP2004124095A JP2004124095A JP2004343094A5 JP 2004343094 A5 JP2004343094 A5 JP 2004343094A5 JP 2004124095 A JP2004124095 A JP 2004124095A JP 2004124095 A JP2004124095 A JP 2004124095A JP 2004343094 A5 JP2004343094 A5 JP 2004343094A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide film
gas
processing
silicon oxide
chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004124095A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4039385B2 (ja
JP2004343094A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004124095A priority Critical patent/JP4039385B2/ja
Priority claimed from JP2004124095A external-priority patent/JP4039385B2/ja
Publication of JP2004343094A publication Critical patent/JP2004343094A/ja
Publication of JP2004343094A5 publication Critical patent/JP2004343094A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4039385B2 publication Critical patent/JP4039385B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004124095A 2003-04-22 2004-04-20 ケミカル酸化膜の除去方法 Expired - Fee Related JP4039385B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004124095A JP4039385B2 (ja) 2003-04-22 2004-04-20 ケミカル酸化膜の除去方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003117664 2003-04-22
JP2004124095A JP4039385B2 (ja) 2003-04-22 2004-04-20 ケミカル酸化膜の除去方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004343094A JP2004343094A (ja) 2004-12-02
JP2004343094A5 true JP2004343094A5 (fr) 2005-08-11
JP4039385B2 JP4039385B2 (ja) 2008-01-30

Family

ID=33543141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004124095A Expired - Fee Related JP4039385B2 (ja) 2003-04-22 2004-04-20 ケミカル酸化膜の除去方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4039385B2 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4895256B2 (ja) * 2005-02-23 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板の表面処理方法
JP5046506B2 (ja) * 2005-10-19 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体
JP4762998B2 (ja) * 2005-10-27 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び記録媒体
JP4976002B2 (ja) * 2005-11-08 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理方法及び記録媒体
JP4946017B2 (ja) * 2005-11-25 2012-06-06 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4890025B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び記録媒体
JP5119604B2 (ja) * 2006-03-16 2013-01-16 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007311376A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP5158068B2 (ja) 2009-02-20 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法
JP5661523B2 (ja) * 2011-03-18 2015-01-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9023734B2 (en) * 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
JP6726610B2 (ja) * 2016-12-13 2020-07-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び基板処理システム
JP7407162B2 (ja) * 2021-11-17 2023-12-28 株式会社アルバック エッチング方法、および、エッチング装置
JP2023179001A (ja) 2022-06-07 2023-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2024062579A (ja) 2022-10-25 2024-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI641046B (zh) 積體電路的製造方法
JP2004343094A5 (fr)
TW258821B (fr)
CN101158032B (zh) 成膜装置及其使用方法
WO2004095559A1 (fr) Procede de retrait de film d'oxyde de silicium et appareil de traitement
JP2007208042A (ja) 減圧処理装置
TW200933730A (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
TW201616577A (zh) 蝕刻方法
JP2007266609A5 (fr)
JP6868686B2 (ja) 成膜装置及びそのクリーニング方法
TW202104636A (zh) 成膜方法及成膜裝置
JP2005064305A (ja) 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP4039385B2 (ja) ケミカル酸化膜の除去方法
WO2020184284A1 (fr) Procédé de formation de film et dispositif de formation de film
JP2008031510A (ja) 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
TW200522165A (en) Thin film forming apparatus and method of cleaning the same
JP6952766B2 (ja) ドライエッチング方法またはドライクリーニング方法
TW202032667A (zh) 氮化膜之成膜方法及氮化膜之成膜裝置
JP4686157B2 (ja) 成膜装置のクリーニング方法
JP2001156065A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2005039153A (ja) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JPH0289313A (ja) 珪素基板表面の清浄化方法
JP2000058530A (ja) 真空処理装置
WO2020235596A1 (fr) Procédé de formation de film, appareil de formation de film et procédé de nettoyage de cuve de traitement
JP4423282B2 (ja) 半導体装置の製造方法