JP2004341513A - 表示装置 - Google Patents
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の表示装置は、映像信号を伝達するための第1の配線と、発光素子に電流を供給するための第2の配線とを有し、前記第1の配線と前記第2の配線とは互いに平行に延びており、絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されていることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
(実施の形態1)
本発明の一態様について図1を用いて説明する。
本発明の一態様について図3を用いて説明する。
実施の形態1又は実施の形態2で示した表示装置では、電流供給線104又は配線305と、発光素子の第1の電極130又は330とは同じ層で設けられている。
Claims (12)
- 映像信号を伝達するための第1の配線と、
発光素子に電流を供給するための第2の配線とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは互いに平行に延びており、
絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されている
ことを特徴する表示装置。 - 映像信号を伝達するための第1の配線と、
発光素子に電流を供給するための第2の配線と、
前記第1の配線及び前記第2の配線と平行に延びた第3の配線とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、同じ層で形成されており、
前記第3の配線は、前記第1の配線及び前記第2の配線よりも上層又は下層に、絶縁膜を挟んで、前記第1の配線又は前記第2の配線と、少なくとも一部が重なるように形成されており、
前記第2の配線と第3の配線とは接続していること
を特徴とする表示装置。 - 映像信号を伝達するための第1の配線と、
発光素子に電流を供給するための第2の配線と、
前記第1の配線及び前記第2の配線と平行に延びた第3の配線とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されており、
前記第3の配線は、絶縁膜を挟んで、前記第1又は第2の配線のいずれかひとつと、少なくとも一部が重なるように形成されており、
前記第2の配線と前記第3の配線とは接続していること
を特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置に於いて、前記第1の配線又は前記第2の配線のうち、上層に形成された方の配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項2に記載の表示装置に於いて、前記第1の配線又は前記第3の配線のうち、上層に形成された方の配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項3に記載の表示装置に於いて、前記第1の配線又は第2の配線又は前記第3の配線のうち、最上層に形成された配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
- 発光素子と、
映像信号によって前記発光素子の発光・非発光を決定する第1のトランジスタと、
前記映像信号の入力を制御する第2のトランジスタと、
前記映像信号に関わらず、前記発光素子を非発光状態にする第3のトランジスタと、
前記第2のトランジスタに接続し、前記映像信号を伝達するための第1の配線と、
前記第1のトランジスタに接続し、前記第1及び第2のトランジスタを介して前記発光素子に電流を供給するための第2の配線とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線とは、互いに平行に延び、
絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されていること
を特徴とする表示装置。 - 発光素子と、
映像信号によって前記発光素子の発光・非発光を決定する第1のトランジスタと、
前記映像信号の入力を制御する第2のトランジスタと、
前記映像信号に関わらず、前記発光素子を非発光状態にする第3のトランジスタと、
前記第2のトランジスタに接続し、前記映像信号を伝達するための第1の配線と、
前記第1のトランジスタに接続し、前記第1及び第2のトランジスタを介して前記発光素子に電流を供給するための第2の配線と、
前記第1の配線及び前記第2の配線と平行に延びた第3の配線とを有し、
前記第1の配線又は前記第2の配線とは同じ層で形成されており、
前記第3の配線は、前記第1の配線又は前記第2の配線と、絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されていること
を特徴とする表示装置。 - 請求項7に記載の表示装置に於いて、前記第1の配線又は前記第2の配線のうち、上層に形成された方の配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
- 請求項2に記載の表示装置に於いて、前記第1の配線又は前記第3の配線のうち、上層に形成された方の配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
- 発光素子と、
前記発光素子に流れる電流値を決定するための第1のトランジスタと、
映像信号によって前記発光素子の発光・非発光を決定する第2のトランジスタと、
前記映像信号の入力を制御する第3のトランジスタと、
前記映像信号に関わらず、前記発光素子を非発光状態にする第4のトランジスタと、
前記第3のトランジスタに接続し、前記映像信号を伝達するための第1の配線と、
前記第2のトランジスタに接続し、前記第1及び第2のトランジスタを介して前記発光素子に電流を供給するための第2の配線と、
前記第1のトランジスタのゲート電極に接続する第3の配線とを有し、
前記第1の配線と前記第2の配線と前記第3の配線とは、互いに平行に延びており、
前記第1の配線と前記第3の配線とは、同じ層で形成されており、
第1の配線及び第3の配線と、第2の配線とは、絶縁膜を挟んで、少なくとも一部が重なるように形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項11に記載の表示装置において、前記第1の配線又は前記第2の配線のうち、上層に形成された配線と同じ層で画素電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126945A JP4689188B2 (ja) | 2003-04-25 | 2004-04-22 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003122988 | 2003-04-25 | ||
JP2003122988 | 2003-04-25 | ||
JP2004126945A JP4689188B2 (ja) | 2003-04-25 | 2004-04-22 | 表示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010264586A Division JP4809928B2 (ja) | 2003-04-25 | 2010-11-29 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004341513A true JP2004341513A (ja) | 2004-12-02 |
JP2004341513A5 JP2004341513A5 (ja) | 2007-06-07 |
JP4689188B2 JP4689188B2 (ja) | 2011-05-25 |
Family
ID=33543324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004126945A Expired - Fee Related JP4689188B2 (ja) | 2003-04-25 | 2004-04-22 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4689188B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4689188B2 (ja) | 2011-05-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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