JP2004330363A - Mems素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】転写板300の上に選択的に形成された導電性ペーストパターン601の一部を、電極基板120の支持部材125の上に転写することで、支持部材125の上に選択的に導電性ペーストからなるスペーサパターン801を形成し、ここに、ミラー基板100の枠部103aを接着する。
【選択図】 図9
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも微細な可動部を備えた構造体を他の構造体に貼り合わせることで光スイッチ素子などのMEMS(Micro Electro Mechanical System)素子を製造するMEMS素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
MEMS(Micro Electro Mechanical System)素子におけるシリコンや金属の構造体からなるアクチュエータの駆動は、これに対向して配置した電極の発生する静電力によって行われている。例えば、MEMS素子の一つである光スイッチ素子では、シリコンなどの構造体からなるミラーの駆動(回動)を、この下方に配置した電極の発生する静電力によって行っている。この光スイッチ素子は、微細なミラーで光の経路を切り換えることで、光信号を電気信号に切り換えることなくスイッチングするものである(特許文献1,非特許文献1参照)。
【0003】
上述した光スイッチは、例えば、図15に示すように構成されている。図15は、MEMS素子である光スイッチ素子の構成例を示す平面図(a),および断面図(b)である。この光スイッチ素子は、回動するミラー1505を備えたミラー基板1500と、ミラー1505を回動させるための制御電極1524を備えた電極基板1520とを貼り合わせることで形成されたものである。
【0004】
ミラー基板1500は、例えばSOI(Silicon on Insulator)基板1501の埋め込み酸化膜1502上の単結晶シリコン層1503を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、回動する可動枠1504およびミラー1505を形成したものである。可動枠1504は、この周囲の枠部1503aに一対の連結部1506によって回動可能に連結されている。また、ミラー1505は、可動枠1504に一対のミラー連結部1507によって回動可能に連結されている。
【0005】
また、基板1501および埋め込み酸化膜1502の、ミラー1505が形成されている領域には、開口部が形成され、ミラー1505や可動枠1504を回動可能としている。
一方、電極基板1520は、例えば単結晶シリコンからなる基板1521の上に、絶縁膜1522を介して形成された配線層1523に接続する制御電極1524を備え、また、導電性を有する支持部1525を備えている。
【0006】
このように形成された電極基板1520とミラー基板1500とは、支持部1525を、導電性ペーストパターン1531により単結晶シリコン層1503(枠部1503a)の表面に接着することで、接合している。制御電極1524および支持部1525は、例えば、配線層1523の上に金属膜を形成し、これを、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、同時に形成するようにしている。このため、制御電極1524と支持部1525とは、同じ高さに形成される。
【0007】
従って、導電性ペーストパターン1531を所定の厚さに形成することで、制御電極1524とミラー1505とを、導電性ペーストパターン1531の厚さだけ離間させることができる。また、導電性ペーストパターン1531により支持部1525と枠部1503aとが電気的に接続された状態が得られ、可動枠1504およびミラー1505を所定の電位とすることが可能となる。
なお、図15では、光スイッチ素子の一部を示すものであり、特に、1つのミラー1505が形成されている部分を示すものである。
【0008】
ところで、導電性ペーストパターン1531は、つぎのようにして、支持部1525の上につけるようにしている。まず、転写板を用意し、この上に導電性ペースト膜を形成する。これに電極基板1520の支持部1525の形成面を押し付けることで、転写板の上の導電性ペーストを支持部1525の上面に転写し、支持部1525の上に導電性ペーストパターン1531を形成する(特許文献2参照)。
【0009】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を本件の出願時までに発見するには至らなかった。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−1652582号公報(2〜4頁,図1,2,7〜9)
【特許文献2】
特開平4−088645号公報(2頁,第5〜第8図)
【非特許文献1】
2002年電子情報通信学会通信ソサイエティ大会B−12−3 443頁 (図1)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した接合の方法では、支持部1525の上に転写しようとする導電性ペーストが、制御電極1524の上にも転写されてしまう。これを解消するために、支持部材の方を制御電極より高く形成する方法もある。しかしながら、異なる高さのパターンを形成する場合、同時に形成することができず、製造工程が増加し、また、複雑となり、製造コストの上昇を招いてしまう。
【0012】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、製造コストの上昇を招くことなく、貼り合わせることでMEMS素子が形成できるようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMEMS素子の製造方法は、電極基板の上に制御電極および導電性を有する支持部を形成する工程と、ミラー基板に回動するミラーを形成する工程と、支持部に対応する導電性ペーストのパターンを印刷法により転写板の上に形成する工程と、転写板のパターンの形成面と電極基板の支持部の形成面とを対向させて互いに押し付け、パターンに支持部の上面を当接させ、パターンの一部を支持部の上面に転写し、支持部の上に導電性ペーストからなるスペーサパターンを形成する工程と、ミラー基板をスペーサパターンにより支持部の上に接着し、電極基板とミラー基板とを接合する工程とを少なくとも備えたものである。
この製造方法では、転写板の上に選択的に形成された導電性ペーストパターンの一部を、支持部の上に転写することで、支持部の上に選択的に導電性ペーストからなるスペーサパターンを形成する。
【0014】
上記MEMS素子の製造方法において、転写板は、制御電極の形成領域に対応する領域に凹部が形成され、支持部の形成領域に対応する転写板の領域は凸部とされたものを用い、パターンは、転写板の凸部に形成するようにしてもよい。
また、上記MEMS素子の製造方法において、パターンは、スクリーン印刷法により転写板の上に形成すればよい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
まず、図1に示すような、ミラー基板100を用意する。図1は、MEMS素子の一部を構成するミラー基板100の構成例を示す模式的な断面図(a)および平面図(b)である。ミラー基板100は、例えばSOI(Silicon on Insulator)基板101の埋め込み酸化膜102上の単結晶シリコン層103を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、回動する可動枠104およびミラー105を形成したものである。
【0016】
図1の例では、各々1つのミラー105を備えた9個のセルが、3行3列に配列された例を示している。個々の部分において、可動枠104は、この周囲の枠部103aに一対の連結部106によって回動可能に連結されている。また、ミラー105は、可動枠104に一対のミラー連結部107によって回動可能に連結されている。
また、基板101および埋め込み酸化膜102の、ミラー105が形成されている領域には、開口部が形成され、ミラー105や可動枠104を回動可能としている。
【0017】
以上のようにミラー基板100を用意するとともに、図2に示すように、電極基板120を用意する。図2は、MEMS素子の一部を構成する電極基板120の構成例を示す模式的な断面図(a)および平面図(b)である。電極基板120は、例えば単結晶シリコンからなる基板121の上に、絶縁膜122を介して形成された配線層123に接続する制御電極124を備え、また、制御電極124と同時に形成された複数の支持部材125を備えている。
【0018】
電極基板120も、9個のセルが3行3列に配置されたものである。個々のセルにおいて、ミラー105を回動させるための制御電極124と可動枠104を回動させるための制御電極124とを備えている。また、個々のセルを囲うように、支持部材125が設けられている。なお、図2(b)の平面図において、一点鎖線で囲う1つの領域が、1つのセルを示している。また、各セルにおいて、点線で囲う領域が、制御電極形成領域である。なお、図2(b)では、配線層123は省略している。
【0019】
以上に説明したように、ミラー基板100と電極基板120とを用意したら、つぎに、図3に示すような、転写板300を用意する。図3は、本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法で用いる転写板300の構成例を示す平面図(a)および断面図(b)である。本実施の形態における転写板300は、電極基板120の制御電極形成領域に対応する部分に、凹部301を備え、3行3列に配列された凹部301を各々囲うように、凸部302を備えている。凸部302は、平面視格子状の配列されたものである。
【0020】
このような転写板300を用意したら、印刷法により、凸部302の上に導電性ペーストのパターンを形成する。例えば、以下に示すスクリーン印刷法により導電性ペーストのパターンを形成すればよい。スクリーン印刷法によるパターンの形成では、まず、図4に示すような、スクリーンマスク400を用意する。スクリーンマスク400は、枠403に張着されたスクリーン402を備え、スクリーン402の外面に、開口パターンを有する版膜401が被着されている。版膜401の開口パターンは、転写板300の凸部302の領域に対応する部分に設けられている。
【0021】
このようなスクリーンマスク400を用意したら、図5に示すように、版膜401の開口パターンの部分が凸部302の部に配置されるように、転写板300とスクリーンマスク400との相対位置関係を合わせる。相対位置関係を合わせた後、スクリーンマスク400の裏面より、導電性ペースト502を投入する。導電性ペースト502は、例えば、銀(Ag)の微粒子が樹脂ペースト中に分散した銀ペーストである。次いで、スクリーンマスク400と転写板300とを所定の間隔となるまで近づかせて固定した後、スキージ501によりスクリーンマスク400の内面を加圧摺動する。
【0022】
このことにより、導電性ペースト502の一部は、版膜401の開口部内に露出しているスクリーン402の目を通過する。この通過した導電性ペーストにより、図6に示すように、転写板300の凸部302に導電性ペーストパターン601が形成される。ここで、導電性ペーストパターン601の厚さは、図4(b)に示すスクリーンマスク400の厚さt,導電性ペーストの粘性,スキージ501の加圧力などによって変化する。
【0023】
これらを制御し、導電性ペーストパターン601の膜厚を、所望の厚さに制御する。導電性ペーストパターン601の膜厚は、例えば、0.1mm以下とすればよい。また、導電性ペーストパターン601の幅は、凸部302の幅より狭くする。このようにすることで、導電性ペーストパターン601の位置が多少ずれても、これらが凸部302よりはみ出すことが抑制されるようになる。
【0024】
以上示したように、転写板300の凸部302の上に、選択的に導電性ペーストパターン601を形成したら、図7に示すように、電極基板120の支持部材125を導電性ペーストパターン601に押し付ける。このとき、電極基板120は、例えばダイボンダー701の上に固定し、転写板300は、ステージ702の上に固定し、ダイボンダー701とステージ702との間に所定の力を加えることで、電極基板120の支持部材125を導電性ペーストパターン601に押し付ける。
【0025】
また、支持部材125の形成位置と導電性ペーストパターン601の形成位置を合わせ、制御電極形成領域が、転写板300の凹部301に配置されるようにする。
ここで、導電性ペーストパターン601の膜厚が厚すぎると、押し付けたときに導電性ペーストパターン601が潰れて変形し、変形して平面方向にはみ出た部分が制御電極124に接触する場合がある。従って、導電性ペーストパターン601の厚さは、変形により制御電極124に接触しない範囲にする。
【0026】
以上に示したことにより、複数の支持部材125を導電性ペーストパターン601に押し付けた後、転写板300より電極基板120を離間させることで、各々の支持部材125の上に導電性ペーストパターン601の一部を転写して、図8に示すように、支持部材125の上にスペーサパターン801が形成された状態とする。
【0027】
この後、図9に示すように、スペーサパターン801の上にミラー基板100の所定領域を当接させる。このとき、電極基板120はダイボンダー701に固定し、ミラー基板100はステージ901に固定した状態で、両者を対向配置し、スペーサパターン801にミラー基板100(枠部103a)の所定領域を当接させる。
【0028】
この状態で、スペーサパターン801を焼成し、電極基板120が、支持部材125において、スペーサパターン801を焼成した導電性スペーサ部により、ミラー基板100の枠部103aに接着した状態とする。
以上のことにより、ミラー105と制御電極124とが、上記導電性スペーサ部の厚さだけ離間した状態に配置された状態が得られる。
【0029】
ところで、上述した実施の形態では、図2に示したように、セルの周囲に支持部材125を配列したが、これに限るものではなく、図10,図11,図12,図13,図14の平面図に示すように、セルの周囲に支持部材125を配置するようにしても良い。これらのように、支持部材125の数を減らすことで、セルの大きさをより小さくすることが可能となり、MEMS素子の微細化を促進できるようになる。
【0030】
また、支持部材125の数を減らすことで、支持部材125の下の基板121に形成する配線層の配線パターンの自由度を大きくすることが可能となる。また、支持部材125を構成する材料の節減にもなる。
また、例えば、図12に示すように支持部材125を配置する場合、図13に示すように、転写板300の凸部302の上に、導電性ペーストパターン1301を形成するようにすればよい。
【0031】
いずれの場合においても、各セルの対角線上の2隅には支持部材125を配置するようにしているので、ミラーと制御電極との間隔のバラツキが、小さく抑制された状態となる。
なお、上述した実施の形態では、転写板300に凹部301を設けるようにしたが、これに限るものではない。平坦な転写板を用い、この平坦な面に、印刷法により導電性ペーストパターンを形成するようにしても良い。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、転写板の上に選択的に形成された導電性ペーストパターンの一部を、支持部の上に転写することで、支持部の上に選択的に導電性ペーストからなるスペーサパターンを形成するようにした。この結果、本発明によれば、回動するミラーと制御電極とは、離間された状態に形成されるようになるので、製造コストの上昇を招くことなく、貼り合わせることでMEMS素子が形成できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】MEMS素子の一部を構成するミラー基板100の構成例を示す模式的な断面図(a)および平面図(b)である。
【図2】MEMS素子の一部を構成する電極基板120の構成例を示す模式的な断面図(a)および平面図(b)である。
【図3】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法で用いる転写板300の構成例を示す平面図(a)および断面図(b)である。
【図4】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法で用いるスクリーンマスク400の構成例を示す平面図(a)および断面図(b)である。
【図5】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する一部工程図である。
【図6】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法で用いる転写板300に導電性ペーストパターン601が形成された状態を示す平面図(a)および断面図(b)である。
【図7】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する一部工程図である。
【図8】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する一部工程図である。
【図9】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法を説明する一部工程図である。
【図10】MEMS素子の一部を構成する電極基板120の他の構成例を示す模式的な平面図である。
【図11】MEMS素子の一部を構成する電極基板120の他の構成例を示す模式的な平面図である。
【図12】MEMS素子の一部を構成する電極基板120の他の構成例を示す模式的な平面図である。
【図13】本発明の実施の形態におけるMEMS素子の製造方法で用いる転写板300に導電性ペーストパターン1301が形成された状態を示す平面図である。
【図14】MEMS素子の一部を構成する電極基板120の他の構成例を示す模式的な平面図である。
【図15】MEMS素子である光スイッチ素子の構成例を示す平面図(a),および断面図(b)である。
【符号の説明】
100…ミラー基板、101…SOI(Silicon on Insulator)基板、102…埋め込み酸化膜、103…単結晶シリコン層、103a…枠部、104…可動枠、105…ミラー、106…連結部、107…ミラー連結部、120…電極基板、121…基板、122…絶縁膜、123…配線層、124…制御電極、125…支持部材、300…転写板、301…凹部、302…凸部、400…スクリーンマスク、401…版膜、402…スクリーン、403…枠、501…スキージ、502…導電性ペースト、701…ダイボンダー、702,901…ステージ、801…スペーサパターン。
Claims (3)
- 電極基板の上に制御電極および導電性を有する支持部を形成する工程と、
ミラー基板に回動するミラーを形成する工程と、
前記支持部に対応する導電性ペーストのパターンを印刷法により転写板の上に形成する工程と、
前記転写板の前記パターンの形成面と前記電極基板の前記支持部の形成面とを対向させて互いに押し付け、前記パターンに前記支持部の上面を当接させ、前記パターンの一部を前記支持部の上面に転写し、前記支持部の上に前記導電性ペーストからなるスペーサパターンを形成する工程と、
前記ミラー基板を前記スペーサパターンにより前記支持部の上に接着し、前記電極基板と前記ミラー基板とを接合する工程と
を少なくとも備えたことを特徴とするMEMS素子の製造方法。 - 請求項1記載のMEMS素子の製造方法において、
前記転写板には、前記制御電極の形成領域に対応する領域に凹部が形成され、
前記支持部の形成領域に対応する前記転写板の領域は凸部とされ、
前記パターンは、前記転写板の前記凸部に形成する
ことを特徴とするMEMS素子の製造方法。 - 請求項1または2記載のMEMS素子の製造方法において、
前記パターンは、スクリーン印刷法により前記転写板の上に形成する
ことを特徴とするMEMS素子の製造方法。
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- 2003-05-08 JP JP2003129888A patent/JP4430332B2/ja not_active Expired - Lifetime
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