JP2004327554A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インターポーザー1上に半導体素子2をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載し、半導体素子2のフリップチップ接合部に形成される間隙及び半導体素子2の背面側を同一材料で封止して形成される半導体装置に関する。半導体素子2の背面側に封止される封止材3の厚みを半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2〜2倍の範囲に設定する。また封止材3として最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2以下のフィラーを配合したものを用いる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インターポーザーに半導体素子をフリップチップ実装すると共に封止して形成される半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
インターポーザーなどの基板に半導体素子を実装するにあたって、従来では、半導体素子の電極と基板の端子とを金線やアルニミウム細線で接続するいわゆるワイヤボンディング法が主として用いられてきた。しかし、近年、半導体分野の進展に伴い、より高速な信号を効率よく伝達するために、ワイヤボンディング法に代わって、フリップチップ接合法が脚光を浴びている。
【0003】
フリップチップ接合は、例えば図4(a)に示すFC−CSP(Flip Chip−Chip Scale Package)のように、半導体素子2に半田や金などでバンプ6を形成し、インターポーザー1に半導体素子2をフェースダウンで搭載し、インターポーザー1の端子にこのバンプ6を接合することによって、バンプ6と端子を金属結合によって直接、電気的に接続するようにしたものである。そしてこの際、半導体素子2の表面を湿度から保護したり、バンプ6を機械的ストレスから保護したりするために、通常、半導体素子2とインターポーザー1との間の微細な間隙を樹脂で埋めるアンダーフィルと呼ばれる封止が行なわれる。このアンダーフィルの形成は、インターポーザー1と半導体素子2の間は15〜100μm程度の微細な間隙であるので、低粘度液状材料の封止材3aを毛細管現象によって注入させた後、加熱硬化させることによって行なうのが一般的である。11はインターボーザー1に設けた外部接続用の半田ボールである。
【0004】
このようにインターポーザー1に半導体素子2をフリップチップ接合した半導体装置は、従来のワイヤボンディングした半導体装置に比べて、電気的接続の性能に優れるだけでなく、ワイヤボンディングを保護するための厚い封止材の層が不要であり、モバイル端末機の用途に要求の高い薄型パッケージを容易に実現することができるという利点も有する。しかし、インターポーザー1と半導体素子2の間の微細な間隙に低粘度液状材料の封止材3aを毛細管現象で注入させるのに時間がかかるために、アンダーフィルの生産性に問題があり、また毛細管現象という自然現象に頼るために、バンプパターンやフラックス残りなどの影響を受けて低粘度液状材料の封止材3aの流動性が変化し、ボイドがアンダーフィルに残って信頼性低下につながるおそれがあるという問題がある。さらに半導体素子2は背面側が露出しているので、この部分にマーキングを行なうことができず、また半導体装置をマウントする際のピックアップ性に問題を有する。
【0005】
また、上記のようにインターポーザー1と半導体素子2の間隙に低粘度液状材料の封止材3aでアンダーフィルを形成した後、図4(b)のように、半導体素子2の背面側にも封止材3bをモールド成形して封止することも行なわれている。この場合には、半導体素子2は全面が封止されているので、マーキング性やピックアップ性の問題はなくなるが、アンダーフィル封止の工程とモールド封止の工程の両方が必要となって、生産性が一層低下するという問題があり、またアンダーフィルの封止材3aとモールド封止の封止材3bの間に界面ができるため、界面剥離が発生し易いなど、耐半田性などにおいて新たに問題が生じるおそれがある。
【0006】
そこで、減圧化が可能な成形金型を用い、半導体素子2をフリップチップ接合したインターポーザー1を成形金型のキャビティ内にセットし、減圧状態でキャビティ内に封止材を注入することによって、図4(c)のようにインターポーザー1と半導体素子2の間の間隙に封止材3を充填すると共に半導体素子2の背面側を封止材3で封止するようにした半導体装置が提案されている(特許文献1参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−74194号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1の発明では、減圧状態でモールド成形を行なうことによって、インターポーザー1と半導体素子2の間の微細な間隙に封止材3を充填することが可能になり、インターポーザー1と半導体素子2の間隙と半導体素子2の背面側とを同一の封止材3で同時に封止することができるものである。従ってこのものでは封止材3に界面が存在せず、界面剥離が発生することがなくなって、耐半田性などの信頼性を高く得ることができるものである。
【0009】
しかし、このように半導体素子2の背面側を封止材3で封止すると、この封止材3の厚みTで半導体装置の全体としての厚みが厚くなり、インターポーザー1に半導体素子2をフェースダウンでフリップチップ接合して形成される半導体装置の薄型という特長が損なわれてしまうという問題を有するものであった。
【0010】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、薄型の特長を保持しつつ、半導体素子のフリップチップ接合部の間隙及び半導体素子の背面側を同一材料で、未充填なく封止した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る半導体装置は、インターポーザー1上に半導体素子2をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載し、半導体素子2のフリップチップ接合部に形成される間隙及び半導体素子2の背面側を同一材料で封止して形成される半導体装置において、半導体素子2の背面側に封止される封止材3の厚みを半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2〜2倍の範囲に設定し、封止材3として最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2以下のフィラーを配合したものを用いて成ることを特徴とするものである。
【0012】
本発明の請求項2に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子2をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合したインターポーザー1をトランスファー成形金型4のキャビティ5内にセットし、最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部に形成される間隙の寸法の1/2以下のフィラーを配合した封止材料を減圧状態のキャビティ5内に注入することによって、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に封止材3を充填すると共に半導体素子2の背面側を半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2〜2倍の範囲の厚みに封止材3で封止することを特徴とするものである。
【0013】
また請求項3の発明は、請求項2において、封止材3を注入する際のキャビティ5内の減圧度を27hPa以下に設定することを特徴とするものである。
【0014】
また請求項4の発明は、請求項2又は3において、トランスファー成形温度を、半導体素子2をインターポーザー1にフリップチップ接合するバンプ6の金属の融点より5℃以上低い温度に設定することを特徴とするものである。
【0015】
また請求項5の発明は、請求項2乃至4のいずれかにおいて、インターポーザー1上に複数の半導体素子2を搭載し、各半導体素子2を一括して封止材3で封止した後、隣り合う半導体素子2間においてインターポーザー1を切断して分割することを特徴とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
インターポーザー1としては、有機基板、セラミック基板、フレキシブル基板等や、これらと金属基板を組み合わせたものなどを例示することができるが、インターポーザー1として通常使用できるものであれば、何でもよい。
【0018】
また半導体素子2としては、シリコンベアチップなどの任意の半導体ベアチップを用いることができるものであり、その片側の回路形成面に半田や金などの金属材料でバンプ6が設けてある。
【0019】
そして、インターポーザー1の上に半導体素子2を回路形成面がインターポーザー1の側を向くフェースダウンで配置し、半導体素子2をバンプ6でフリップチップ接合することによって、インターポーザー1の上に搭載するようにしてある。
【0020】
ここで、図1(a)のように、半導体素子2を単体で用い、インターポーザー1に直接、半導体素子2をフェースダウンでフリップチップ接合するようにすることができるが、図1(b)(c)のように他の受動部品12も同時に搭載されたいわゆるモジュールとして用いるようにしてもよい。図1(b)の実施の形態では、インターポーザー1の上に受動部品12を介して半導体素子2がフェースダウンでフリップチップ接合してあり、受動部品12を金線等のワイヤー13でインターポーザー1に接続することによって、半導体素子2を受動部品12を介してインターポーザー1に電気的に接続するようにしてある。また図1(c)の実施の形態では、半導体素子2の上に受動部品12を搭載すると共に受動部品12の上に半導体素子2がフェースダウンでフリップチップ接合して上下二つの半導体素子2を有するモジュールとして用いるようにしてあり、下側の半導体素子2はインターポーザー1にフェースダウンで直接フリップチップ接合してある。受動部品12はワイヤー13でインターポーザー1に接続してあり、上側の半導体素子2は受動部品12を介してインターポーザー1に電気的に接続するようにしてある。このように、半導体素子2をインターポーザー1に直接的にフェースダウンでフリップチップ接合するようにしてもよく、あるいは半導体素子2を受動部品12などを介して間接的にフェースダウンでフリップチップ接合するようにしてもよいものであり、要するに本発明では、少なくとも一つの半導体素子2がフェースダウンでフリップチップ接合されることによって、インターポーザー1に搭載されていればよいものである。
【0021】
上記のようにフェースダウンでフリップチップ接合した半導体素子2の回路形成面には、フリップチップ接合部においてバンプ6の厚みにほぼ相当する空隙が間隙として形成されている。そして本発明において、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に封止材3を充填してアンダーフィル封止すると共に、同じ封止材3で半導体素子2の背面や側面をモールド封止することによって、図1のような半導体装置Aを作製するようにしてあり、半導体素子2の背面側に封止される封止材3の厚みTは、半導体素子2のフリップチップ接合部に形成される間隙の寸法(間隙の厚み)Lの1/2〜2倍の範囲に設定してある(L×1/2≦T≦L×2)。尚、図1(c)のように半導体素子2を複数段重ねた場合、背面側の封止材3の厚みTとフリップチップ接合部の間隙寸法Lの関係が問題になる半導体素子2は、上段の半導体素子2である。また図1にはインターポーザー1の背面に半田ボール11を設けたものを示したが、ランドにより接続されるタイプなど、他の接続方式で外部接続されるものであってもよい。さらに図1はCSPタイプのものを示しているが、端部まで封止材3で封止されていないBGA(Ball Grid Array)のタイプのものであってもよい。
【0022】
このように半導体素子2の背面側の封止材3の厚みTをフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2〜2倍の範囲に設定することによって、半導体素子2の背面側の封止材3の厚みTを十分に薄くすることができるものであり、封止材3の厚みで半導体装置Aの全体としての厚みが厚くなるようなことはないものである。従って、インターポーザー1に半導体素子2をフェースダウンでフリップチップ接合して形成される半導体装置Aの、薄型という特長が損なわれることを防ぐことができるものである。
【0023】
次に、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙及び半導体素子2の背面側を封止成形する方法について説明する。図2はトランスファー成形金型4を示すものであり、上下一対の型板15,16から形成してある。上型板15の下面と下型板16の上面にはそれぞれキャビティ5を形成する凹部が設けてあり、このキャビティ5にゲート17を介してランナー18が接続してある。またキャビティのゲート17と反対側には真空ポンプ(図示省略)に連結される吸引路19が接続してある。さらに、これらのキャビティ5、ランナー18、吸引路19を囲むように型板15,16の間にパッキン20を設け、成形金型4の型板15,16を型締めしたときにキャビティ5からの空気漏れがパッキン20で防止できるようにしてある。
【0024】
そしてまず、半導体素子2をフェースダウンで配置すると共にバンプ6でフリップチップ接合し、インターポーザー1の上に半導体素子2を搭載する。次に、成形金型4を開いて、搭載した半導体素子2が上になるようにインターポーザー1を下型板16のキャビティ5にセットした後、下型板16の上に上型板15を閉じる。そして、上下の型板15,16間がパッキン20で密閉され、且つ上下の型板15,16のクランプが行なわれない状態で、真空ポンプを作動させて吸引路19を通してキャビティ5内の脱気を行なうと同時に、成形金型4のポット(図示省略)に封止材料のタブレットを投入してポット内の空気漏れを防ぎ、1〜5秒保持して真空度を高めた後、上下の型板15,16をクランプし、ポットのプランジャ(図示省略)を作動させて、ランナー18からゲート17を介して溶融した封止材料を上型板15のキャビティ5内に注入する。
【0025】
ここで、上下の型板15,16をクランプして成形金型4を型締めした状態で、キャビティ5内にセットしたインターポーザー1に搭載されている半導体素子2の背面とキャビティ5の対向する内面との間の隙間寸法Sは、この半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2〜2倍の範囲に設定してある(L×1/2≦S≦L×2)。
【0026】
また、封止材料としては、トランスファー成形による半導体封止に適用可能なものを用いることができるものであり、例えばエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物などを使用することができる。封止材料には一般にシリカなどのフィラーを配合したものが使用されるが、このフィラーとしては、最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2以下であるものを用いるのが好ましい。フィラーの最大粒径の下限値は特に設定されないが、微細過ぎると粘度上昇を起こし、封止成形の際の流動性が悪くなって充填不足を起こすおそれがあるので、1μm程度以上であることが好ましい。
【0027】
上記のようにキャビティ5内を減圧状態にして、封止材料を上型板15のキャビティ5内に注入すると、成形材料はイ矢印のように半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に流入すると共に、ロ矢印のように半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との隙間に流入し、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に封止材3を充填してアンダーフィル封止すると同時に、同じ封止材3で半導体素子2の背面や側面をモールド封止することができるものであり、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙の部分及び半導体素子2の背面や側面を境界面のない封止材3で封止した、既述の図1のような半導体装置Aを作製することができるものである。そしてこのものにあって、半導体素子2の背面側に封止される封止材3の厚みTは、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面の隙間寸法S、すなわち半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2〜2倍の範囲に設定されるものである。
【0028】
このとき、キャビティ5内は減圧されているため、半導体素子2のフリップチップ接合部の微小な間隙や、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との間の微小な隙間に、空気溜りなどが生じることなく封止材料を良好に流入させることができ、充填不良が発生することなく、短時間で封止材料を充填して封止材3による封止を行なうことができるものである。
【0029】
通常、半田バンプ6を用いた半導体素子2のフリップチップ接合の間隙寸法Lは50〜90μm程度であり、例えば間隙寸法L=80μmの場合、半導体素子2の背面にオーバーコートして成形される封止材3の厚みTは40〜160μmである。また金バンプ6を用いた半導体素子2のフリプチップ接合の間隙寸法Lは10〜40μm程度が一般的であるが、例えば間隙寸法L=20μmの場合、半導体素子2の背面にオーバーコートして成形される封止材3の厚みTは10〜40μmである。このような微小な隙間に封止材料を充填して微小な厚みで封止材3を成形する場合、通常の常圧でのトランスファー封止成形では未充填となり、微小な厚みで封止材3を成形することは不可能である。従って本発明では減圧状態でトランスファー封止成形を行なうものであり、キャビティ5内の減圧度を27hPa(20Torr)以下に設定するのが好ましく、より好ましくは13hPa(10Torr)以下に設定するのがよい。キャビティ5内の減圧度は低いほど好ましく、0Paであることが理想的である。
【0030】
ここで、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との隙間寸法Sが半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2未満であると、溶融した封止材料のキャビティ5内での流れは、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に流入するイ矢印の流れが先に進行し、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との隙間の周囲が封止材料で囲まれて未充填が生じ易くなり、半導体素子2の背面に封止不良が発生するおそれがある。逆に半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との隙間寸法Sが半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの2倍を超えると、溶融した封止材料のキャビティ5内での流れは、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面との隙間に流入するロ矢印の流れが先に進行し、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙の周囲が封止材料で囲まれて未充填が生じ易くなり、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙に封止不良が発生するおそれがある。また本発明の本来の目的である半導体装置の薄型化が損なわれることにもなる。
【0031】
また、封止材料に配合されるフィラーが、その最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2を超えるものであると、半導体素子2のフリップチップ接合部の微小な間隙や、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面の微小な隙間に封止材料が流入し難くなり、半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙や、半導体素子2の背面とキャビティ5の内面の隙間に未充填が生じ、封止不良が発生するおそれがある。このため、封止材料に配合されるフィラーとして、最大粒径が半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙寸法Lの1/2以下であるものを用いるのが好ましいのである。
【0032】
さらに、上記のようにトランスファー封止成形を行なうにあたって、成形温度すなわち成形金型4の温度は、半導体素子2に設けたバンプ6を構成する金属の融点から5℃低い温度(融点−5℃)よりも低い温度であることが好ましく、融点から10℃低い温度よりも低い温度であることがより好ましい。成形温度がこの温度を超えて高いと、インターポーザー1に半導体素子2をフリップチップ接合しているバンプ6の強度が弱くなり、トランスファー成形時の溶融封止材料の注入圧力に対してフリップチップ接合が外れ、半導体素子2の脱落やフリップチップ接合不良などのトラブルを生じ易くなるものである。成形温度の下限は特に設定されるものではないが、封止材料を硬化させる温度よりも高い温度である必要はある。
【0033】
図3は本発明の他の実施の形態を示すものであり、インターポーザー1の上に複数の半導体素子2をマトリクスアレイ状に配置し、各半導体素子2をフェースダウンでフリップチップ接合して搭載してある。そしてこの複数の半導体素子2を搭載したインターポーザー1を上記と同様にしてトランスファー成形金型4のキャビティ5にセットし、減圧状態でキャビティ5内に封止材料を注入するトランスファー封止成形を行なうことによって、図3(a)のように、各半導体素子2のフリップチップ接合部の間隙の部分及び各半導体素子2の背面や側面を封止材3で一括して封止する。このように各半導体素子2を封止した後、成形金型4から取り出し、隣り合う半導体素子2の間の箇所でインターポーザー1及び封止材3をダイシング工程で切断することによって(切断箇所を図3(a)に鎖線で示す)、各半導体素子2を搭載した部分を分割して個片化し、図3(b)のような半導体装置Aを得ることができるものである。
【0034】
このようにして、インターポーザー1上の複数の半導体素子2を一括して封止成形した後、切断して切り離すことによって、多数の半導体装置Aを同時に製造することができるものであり、高い生産性で多数の半導体装置Aを製造することができるものである。また半導体装置Aの品種変更やサイズ変更をする場合、封止成形する成形金型4を特に変更することなく、インターポーザー1上の半導体素子2の配置や、切断位置を変更することによって対処することができるものであり、半導体装置Aの設計変更にフレキシブルに対応することができるものである。
【0035】
【実施例】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0036】
(実施例1)
0.25mmピッチで120個の共晶半田バンプ(融点183℃)を周辺部に設けた、8mm×8mm×厚さ0.3mmの半導体素子を用いた。またインターポーザーとして50mm×50mm×厚さ0.2mmのFR−5タイプのエポキシ樹脂プリント配線板を用いた。そしてこのインターポーザーの片面に4列×4列のマトリクスアレイ配置で半導体素子をフリップチップ接合し、フェースダウンで搭載した。このインターポーザーは、後記のように個片化することによって10.5mm×10.5mmのパッケージとなるように設計した回路形成がしてある。また半導体素子とインターポーザーの間のフリップチップ接合部の間隙寸法は70〜75μmであった。
【0037】
次に、この半導体素子を搭載したインターポーザーを成形金型にセットしてクランプした。この成形金型として、封止材料を注入する注入空間の寸法が45mm×45mm×0.5mmのキャビティを形成したものを用いた。そしてキャビティ内を真空ポンプで引いて減圧した状態で、表1に示す配合の封止材料を6.9MPa(70kgf/cm2)の成形圧で3分間トランスファー成形することによって、図3(a)のように各半導体素子を封止材で一括して封止した。これを成形金型から取り出して、175℃で5時間アフターキュアー処理を行なった後、ダイシングカットして個片化を行なうことによって、図3(b)の構成のフリップチップタイプCSPパッケージの半導体装置を得た。
【0038】
ここで、トランスファー成形は、成形温度170℃、キャビティの減圧度1.3hPa(1Torr)で行ない、封止材料のフィラーとして、平均粒径5μm、最大粒径21μmのシリカを用いた。そして、封止成形して得られた半導体装置を切断して、半導体素子の背面にオーバーコートして封止された封止材の厚みを測定したところ、130μmであり、フリップチップ接合部の間隙寸法の1.8倍であった。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】
【0041】
【表3】
【0042】
(実施例2、実施例3)
キャビティの減圧度を表2のように設定して、トランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。そして得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0043】
(実施例4、実施例5)
成形温度を表2のように設定して、トランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。そして得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0044】
(実施例6)
封止材料を注入する注入空間の寸法が45mm×45mm×0.42mmのキャビティを形成した成形金型を用いてトランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。そして得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0045】
(実施例7)
0.25mmピッチで800個の共晶半田バンプ(融点183℃)をアレイ状に設けた、8mm×8mm×厚さ0.2mmの半導体素子を用いた。またインターポーザーとして35mm×35mm×厚さ0.4mmのFR−5タイプのエポキシ樹脂プリント配線板を用いた。そしてこのインターポーザーに半導体素子をフリップチップ接合し、フェースダウンで搭載した。半導体素子とインターポーザーの間のフリップチップ接合部の間隙寸法は80〜85μmであった。
【0046】
あとは、封止材料を注入する注入空間の寸法が27mm×27mm×0.4mmのキャビティを形成した成形金型を用い、実施例1と同様にしてトランスファー成形を行なうことによって、図1(a)の構成のフリップチップタイプBGAパッケージの半導体装置を得た。そして得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0047】
(比較例1)
実施例1と同様にしてインターポーザーに半導体素子を搭載した。そしてまず、浸入型アンダーフィル封止材料(松下電工株式会社製「CV5183F」)を各半導体素子のフリップチップ接合部の間隙に注入し、100℃、1時間の条件で硬化させた。
【0048】
このようにアンダーフィル封止をした後、半導体素子を搭載したインターポーザーを実施例1と同じ成形金型にセットし、実施例1と同様にしてトランスファー成形を行ない、図4(b)の構成の半導体装置を得た。得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0049】
(比較例2)
キャビティの減圧を行なわないで、トランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0050】
(比較例3、比較例4)
最大粒径が表2のように大きいフィラーを配合した封止材料を用いて、トランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0051】
(比較例5)
封止材料を注入する注入空間の寸法が45mm×45mm×0.4mmのキャビティを形成した成形金型を用いてトランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0052】
(比較例6)
封止材料を注入する注入空間の寸法が45mm×45mm×0.65mmのキャビティを形成した成形金型を用いてトランスファー成形を行なうようにした他は、実施例1と同様にして半導体装置を得た。得られた半導体装置の半導体素子の背面のオーバーコート封止材の厚みを表3に示す。
【0053】
上記の実施例1〜7及び比較例1〜6で得た半導体装置について、パッケージ厚、アンダーフィル部充填性、オーバーコート部充填性、耐半田性、温度サイクル信頼性、PCT信頼性を測定した。
【0054】
ここで、パッケージ厚は、トランスポーザーと封止部の厚みの合計厚である。オーバーコート部充填性は、半導体素子の背面側の面積に対して封止材が充填されている面積割合を目視で測定し、充填率として算出して評価した。またアンダーフィル部充填性は、トランスポーザーを剥がして、半導体素子の接合側の面積に対して封止材が充填されている面積割合を目視で測定し、充填率として算出して評価した。耐半田性は試料数11個で試験を行ない、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)が定めるレベル2をクリアするとき「◎」、レベル3をクリアするとき「○」、レベル3をクリアできないとき「×」と評価した。温度サイクル信頼性は、−65℃で15分間、室温で5分間、150℃で15分間を1サイクルとして、11個の試料について寒熱サイクル試験を2000サイクルまで行ない、不良発生までのサイクル回数をカウントして評価した。PCT信頼性は、121℃、2気圧でプレッシャクッカーテストを行ない、不良発生までの時間を測定して評価した。これらの結果を表4に示す。
【0055】
【表4】
【0056】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項1に係る半導体装置は、半導体素子のフリップチップ接合部の間隙の他に、半導体素子の背面側を薄い厚みの封止材で未充填なく封止されており、フリップチップ接合における薄型の特長を保持しつつ、半導体素子のフリップチップ接合部の間隙及び半導体素子の背面側を同一材料で、界面なく封止された半導体装置を得ることができるものである。
【0057】
本発明の請求項2に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子のフリップチップ接合部の微小な間隙や、半導体素子の背面側の微小な隙間に未充填なく封止材料を充填して成形することができ、フリップチップ接合における薄型の特長を保持しつつ、半導体素子のフリップチップ接合部の間隙及び半導体素子の背面側を同一材料で、界面のない封止を行なった半導体装置を製造することができるものである。
【0058】
また請求項3の発明によって、半導体素子のフリップチップ接合部の微小な間隙や、半導体素子の背面側の微小な隙間に、未充填なく封止材料を充填して成形することができるものである。
【0059】
また請求項4の発明によって、フリップチップ接合しているバンプの強度を低下させないで成形を行なうことができ、トランスファー成形時の溶融封止材料の注入圧力でフリップチップ接合が外れるようなことを防止することができるものである。
【0060】
また請求項5の発明によって、多数の半導体装置を同時に製造することができるものであり、高い生産性で製造を行なうことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示すものであり、(a),(b),(c)はそれぞれ断面図である。
【図2】同上のトランスファー成形を示す断面図である。
【図3】同上の他の実施の形態を示すものであり、(a),(b)はそれぞれ断面図である。
【図4】従来例を示すものであり、(a),(b),(c)はそれぞれ断面図である。
【符号の説明】
1 インターポーザー
2 半導体素子
3 封止材
4 成形金型
5 キャビティ
6 バンプ
Claims (5)
- インターポーザー上に半導体素子をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載し、半導体素子のフリップチップ接合部に形成される間隙及び半導体素子の背面側を同一材料で封止して形成される半導体装置において、半導体素子の背面側に封止される封止材の厚みを半導体素子のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2〜2倍の範囲に設定し、封止材として最大粒径が半導体素子のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2以下のフィラーを配合したものを用いて成ることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合したインターポーザーをトランスファー成形金型のキャビティ内にセットし、最大粒径が半導体素子のフリップチップ接合部に形成される間隙の寸法の1/2以下のフィラーを配合した封止材料を減圧状態のキャビティ内注入することによって、半導体素子のフリップチップ接合部の間隙に封止材を充填すると共に半導体素子の背面側を半導体素子のフリップチップ接合部の間隙寸法の1/2〜2倍の範囲の厚みに封止材で封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 封止材を注入する際のキャビティ内の減圧度を27hPa以下に設定することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- トランスファー成形温度を、半導体素子をインターポーザーにフリップチップ接合するバンプ金属の融点より5℃以上低い温度に設定することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- インターポーザー上に複数の半導体素子を搭載し、各半導体素子を一括して封止材で封止した後、隣り合う半導体素子間においてインターポーザーを切断して分割することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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