JP2004323247A5 - - Google Patents
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003115967A JP4265269B2 (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | SiC単結晶製造炉 |
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JP2004323247A JP2004323247A (ja) | 2004-11-18 |
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JP4265269B2 JP4265269B2 (ja) | 2009-05-20 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003115967A Expired - Fee Related JP4265269B2 (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | SiC単結晶製造炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4265269B2 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4736401B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2011-07-27 | 住友金属工業株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP4830496B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2011-12-07 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP5304600B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2013-10-02 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造装置及び製造方法 |
JP5439353B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-03-12 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造装置及びそれに用いられる坩堝 |
JP5517913B2 (ja) | 2010-12-27 | 2014-06-11 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造装置、製造装置に用いられる治具、及びSiC単結晶の製造方法 |
JP5528396B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2014-06-25 | 新日鐵住金株式会社 | 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置、当該製造装置を用いたSiC単結晶の製造方法及び当該製造装置に用いられる坩堝 |
JP5801730B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2015-10-28 | トヨタ自動車株式会社 | 単結晶の製造装置に用いられる種結晶保持軸及び単結晶の製造方法 |
JP6424806B2 (ja) * | 2015-12-01 | 2018-11-21 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
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2003
- 2003-04-21 JP JP2003115967A patent/JP4265269B2/ja not_active Expired - Fee Related
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