CN208685104U - 一种多坩埚晶体生长炉 - Google Patents

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郭宗海
张可生
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Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.
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QINHUANGDAO BENZHENG CRYSTAL TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

一种多坩埚晶体生长炉。主要解决了现在的晶体生长炉无法多坩埚生长的问题。其特征在于：所述炉体内横向设有隔热支撑板（2），所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体（11）和下炉体（12），所述上炉体内腔设有第一内腔（3），所述下炉体设有第二内腔（4），所述第一腔内设有加热体（6），所述隔热支撑板上设有隔热安装板（5），所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚（9）底部安装的安装孔（51），所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔（21）。本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，该隔热安装板可以安装多个坩埚，实现多坩埚生长，另一方面可以产生适合晶体生长的温度梯度，得到高质量的晶体。

Description

一种多坩埚晶体生长炉
技术领域
本实用新型涉及晶体生长炉技术领域，特别涉及一种多坩埚晶体生长炉。
背景技术
所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。人类在数千年前就会晒盐和制糖。人工模仿天然矿物并首次合成成功的是刚玉宝石(α氧化铝)一法国化学家A。维尔纳叶约在1890年开始试验用氢氧焰熔融氧化铝粉末，以生长宝石，这个方法一直沿用至今，仍是生长轴承用宝石种装饰品宝石的主要方法。第二次世界大战后，由于天然水晶作为战略物资而引起人们的重视，科学家们又发明了水热法生长人工水晶。人们还在超高压下合成了金刚石，在高温条件下生长了成分复杂的云母等重要矿物，以补充天然矿物的不足。20世纪50年代。锗、硅单晶的生长成功，促进了半导体技术和电子工业的发展。20世纪60年代，由于研制出红宝石和钇铝石榴石单晶，为激光技术打下了牢固的基础。
晶体生长技术中，坩埚下降法是使用比较多的方法，这种方法的生产效率和单晶产率决定了晶体材料的成本，实现多坩埚晶体生长可用的多坩埚炉的设计是难点。
实用新型内容
为了克服背景技术的不足，本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，主要解决了现在的晶体生长炉无法多坩埚生长的问题。
本实用新型所采用的技术方案是：
一种多坩埚晶体生长炉，包括炉体，所述炉体内横向设有隔热支撑板，所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体和下炉体，所述上炉体内腔设有第一内腔，所述下炉体设有第二内腔，所述第一内腔内设有加热体，所述隔热支撑板上设有隔热安装板，所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚底部安装的安装孔，所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔。
所述隔热支撑板和所述隔热安装板由耐火隔热材料制成。
所述隔热支撑板和所述隔热安装板由莫来石制成。
所述炉体上还设有可开合的上盖。
所述安装孔设有8个。
所述上盖底部设有凸台，所述凸台与所述上炉体内壁卡接配合。
所述加热体为电阻丝加热体。
本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，该隔热安装板可以安装多个坩埚，实现多坩埚生长，另一方面
可以产生适合晶体生长的温度梯度，得到高质量的晶体。
附图说明
图1为本实用新型一个实施例的剖视示意图。
图2为本实用新型一个实施例的隔热安装板的立体示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明：如图所示，一种多坩埚晶体生长炉，包括炉体1，所述炉体内横向设有隔热支撑板2，所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体11和下炉体12，所述上炉体内腔设有第一内腔3，所述下炉体设有第二内腔4，所述第一内腔内设有加热体6，所述隔热支撑板上设有隔热安装板5，所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚9底部安装的安装孔51，所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔21。本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，该隔热安装板可以安装多个坩埚，实现多坩埚生长，另一方面可以产生适合晶体生长的温度梯度，得到高质量的晶体。该第一内腔内设有加热体，可以使第一内腔和第二内腔形成不一样的温度（该温度可以根据实际需求设置），使整个炉体内产生适合晶体生长的温度梯度。
在本实施例中，如图所示，所述隔热支撑板和所述隔热安装板由耐火隔热材料制成。
在本实施例中，如图所示，所述隔热支撑板和所述隔热安装板由莫来石制成。莫来石是耐火材料,具有耐高温、强度高导热系数小，节能效果显著等特点，可直接接触火焰。
在本实施例中，如图所示，所述炉体上还设有可开合的上盖7。
在本实施例中，如图所示，所述安装孔设有8个。合理利用空间。
在本实施例中，如图所示，所述上盖底部设有凸台71，所述凸台与所述上炉体内壁卡接配合。安装方便。
在本实施例中，如图所示，所述加热体为电阻丝加热体。成本较低，使用方便，该电阻丝加热体与电源连接。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。实施例不应视为对本实用新型的限制，但任何基于本实用新型的精神所作的改进，都应在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种多坩埚晶体生长炉，包括炉体（1），其特征在于：所述炉体内横向设有隔热支撑板（2），所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体（11）和下炉体（12），所述上炉体内腔设有第一内腔（3），所述下炉体设有第二内腔（4），所述第一内腔内设有加热体（6），所述隔热支撑板上设有隔热安装板（5），所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚（9）底部安装的安装孔（51），所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔（21）。
2.根据权利要求1所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述隔热支撑板和所述隔热安装板由耐火隔热材料制成。
3.根据权利要求2所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述隔热支撑板和所述隔热安装板由莫来石制成。
4.根据权利要求3所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述炉体上还设有可开合的上盖（7）。
5.根据权利要求4所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述安装孔设有8个。
6.根据权利要求5所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述上盖底部设有凸台（71），所述凸台与所述上炉体内壁卡接配合。
7.根据权利要求6所述的一种多坩埚晶体生长炉，其特征在于：所述加热体为电阻丝加热体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110923802A (zh) * 2019-12-24 2020-03-27 西安交通大学 一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法

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Patentee after: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

Address before: 066000 No. 1 Xihu Road, Qinhuangdao Economic and Technological Development Zone, Hebei Province

Patentee before: INTRINIC CRYSTAL TECHNOLOGY CO.,LTD.

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Denomination of utility model: A multi - crucible crystal growth furnace

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Pledgor: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

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Granted publication date: 20190402

Pledgee: Shangcheng County Jinyuan Financing Guarantee Co.,Ltd.

Pledgor: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980031412

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Denomination of utility model: A multi crucible crystal growth furnace

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Granted publication date: 20190402

Pledgee: Bank of China Limited Xinyang branch

Pledgor: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980064186

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Granted publication date: 20190402

Pledgee: Bank of China Limited Xinyang branch

Pledgor: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980064186

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Denomination of utility model: A multi crucible crystal growth furnace

Granted publication date: 20190402

Pledgee: Bank of China Limited Xinyang branch

Pledgor: Henan micron Optical Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2024980003262

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