JP2004311750A

JP2004311750A - Base film for working semiconductor wafer

Info

Publication number: JP2004311750A
Application number: JP2003103907A
Authority: JP
Inventors: Koji Furuya; 幸治古谷
Original assignee: Teijin DuPont Films Japan Ltd
Current assignee: Toyobo Film Solutions Ltd
Priority date: 2003-04-08
Filing date: 2003-04-08
Publication date: 2004-11-04

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain excellent working aptitude upon working a semiconductor wafer and especially upon employing a base film for the substrate of a back grind tape or the substrate of a dicing tape. <P>SOLUTION: The base film for working a semiconductor wafer is a biaxially oriented film consisting of the main constituent of polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, while the amount of extracted oligomer of the film is specified so as to be not more than 0.8 wt% and the refractive index in the thickness direction of the film is specified, so as to be not less than 1.501 and not more than 1.515. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向ベースフィルム用いた、半導体ウェハ加工用フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造におけるウェハ裏面の研磨工程（バックグラインド工程）と、完成したウェハからＩＣチップを切断する工程（ダイシング工程）では、種々の粘着剤を積層した粘着テープがウェハの固定用に使用される。バックグラインド工程において表面に回路形成されたウェハは粘着テープに固定された状態で裏面を研磨され、ＵＶ照射や加熱などにより粘着剤の粘着力が低減された後、次のダイシング工程へ移動する。ダイシング工程では粘着テープに固定されたウェハが個々のＩＣチップ単位にカッティングされ、バックグラインド工程と同様にＵＶ照射や加熱などにより粘着剤の粘着力が低減された後、一つづつ取り出される。取り出されたＩＣチップは次のボンディング工程、モールディング工程に移送される。
【０００３】
従来、ダイシングテープの粘着フィルム及び離形フィルムの基材フィルムとしては、ポリオレフィン及びその共重合体、ポリ塩化ビニル及びその共重合体、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド等のプラスチックフィルムが用いられており、最近では機械的強度、寸法安定性、耐熱性、価格等の点で、例えば、特開平５−１７５３３２号公報、特開平１−５８３８号公報に示されたようにポリエステルフィルムが用いられるようになってきている。一方、ポリエステルフィルム及びシリコーン樹脂（離形層）に含まれている不純物に起因するシリコンウェハの歩留り低下を防止する目的で重合触媒にゲルマニウム化合物を適用する（特開平１０−２１４８０１号公報）方法が開示されている。また、同様な低汚染性の観点からバックグラインドテープやダイシングテープの保管における粘着層保護用の離型フィルムに関する技術が特開平１１−２０１０５号公報により開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１７５３３２号公報
【特許文献２】
特開平１−５８３８号公報
【特許文献３】
特開平１０−２１４８０１号公報
【特許文献４】
特開平１１−２０１０５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近頃の半導体の高集積化に伴った半導体ウェハの薄肉化が急速に進行している中で、ウェハ厚みの薄肉化に適した新たな半導体ウェハ加工技術が考案されてきている。特にウェハ厚みが非常に薄くなってきたために従来の研磨方法では、ウェハの破損や従来よりも研磨に時間がかかる等の課題があり、加工技術として例えばプラズマでエッチングをする方法等が考案されてきている。
【０００６】
しかしながら、新たに考案された加工方法では、従来の加工方法に比べて加工温度が高温になるため、従来のポリエステルフィルムを基材とした半導体ウェハ加工用フィルムでは、その熱寸法安定性や機械強度が課題となってきている。また、ダイシング工程では一般にテープ剥離の際、加熱やＵＶ照射により粘着剤の粘着力を弱めた後、切断した各チップをピックアップするためにテープのエキスパンドを行う方法やテープ側からチップを突上げる方法を用いてチップ間に隙間を開けているが、加熱時のテープの寸法収縮が大きいとチップのピックアップ不良が発生し、半導体ウェハの生産効率が悪くなることが課題となってきている。さらに、半導体ウェハの生産性を向上させるために、工程内のクリーン化や加工性の改良の追求が常になされている。
【０００７】
本発明の目的は、かかる従来技術の課題を解決して、半導体ウェハ加工、特にバックグラインドテープの基材あるいはダイシングテープの基材として用いた際における、優れた加工適性を有する半導体加工用ベースフィルムを得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体ウェハ加工用ベースフィルムは、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる二軸配向フィルムであって、フィルムの抽出オリゴマー量が０．８重量％以下であり、フィルムの厚み方向の屈折率が１．５０１以上１．５１５以下であることを特徴とする。
【０００９】
＜ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルム＞
本発明のフィルムは、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなるものである。このポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートは、主たるジカルボン酸成分は、ナフタレンジカルボン酸であり、主たるグリコール成分は、エチレングリコールである。ここで、ナフタレンジカルボン酸としては、たとえば２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸等を挙げることができ、これらの中で２，６−ナフタレンジカルボン酸が好ましい。また主たるとは、本発明のフィルムの成分であるポリマーの構成成分において全繰返し単位の少なくとも８０ｍｏｌ％がエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートであることを意味する。更に好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上である。
【００１０】
本発明のフィルムの成分であるポリマーの構成成分は、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主成分とするコポリマー又は混合体でもよく、エチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートが全繰り返し単位の８０ｍｏｌ％以上であり、更に好ましくは９０ｍｏｌ％以上、特に好ましくは９５ｍｏｌ％以上であり、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルム本来の特性を極端に失うことがなく、高温下の使用での寸法安定性、機械強度を確保できればよい。
【００１１】
コポリマーである場合は、主たる成分のエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート以外のコポリマーを構成する共重合成分としては、分子内に２つのエステル形成性官能基を有する化合物を用いることができ、かかる化合物として例えば、シュウ酸、アジピン酸、フタル酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、イソフタル酸、テレフタル酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、フェニルインダンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、テトラリンジカルボン酸、デカリンジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸等の如きジカルボン酸；ｐ−オキシ安息香酸、ｐ−オキシエトキシ安息香酸等の如きオキシカルボン酸；或いはプロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ビスフェノールスルホンのエチレンオキサイド付加物、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物、ジエチレングリコール、ポリエチレンオキシドグリコール等の如き２価アルコール類等を好ましく用いることができる。
【００１２】
これらの化合物は１種のみでなく２種以上を同時に用いることができる。またこれらの中で好ましくは酸成分としてはイソフタル酸、テレフタル酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、ｐ−オキシ安息香酸、グリコール成分としてはトリメチレングリコール、ヘキサメチレングリコールネオペンチルグリコール、ビスフェノールスルホンのエチレンオキサイド付加物である。
【００１３】
また、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートは例えば安息香酸、メトキシポリアルキレングリコールなどの一官能性化合物によって末端の水酸基および／またはカルボキシル基の一部または全部を封鎖したものであってもよく、或いは例えば極く少量のグリセリン、ペンタエリスリトール等の如き三官能以上のエステル形成性化合物で実質的に線状のポリマーが得られる範囲内で共重合したものであってもよい。
【００１４】
さらにまた本発明のフィルムは、主たる成分のポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートのほかに、有機高分子を混合した混合体からなっていても良い。かかる有機高分子としてポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリエチレン−４，４’−テトラメチレンジフェニルジカルボキシレート、ポリエチレン−２，７−ナフタレンジカルボキシレート、ポリトリメチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリネオペンチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリ（ビス（４−エチレンオキシフェニル）スルホン）−２，６−ナフタレンジカルボキシレート等を挙げることができ、これらの中でポリエチレンイソフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリ（ビス（４−エチレンオキシフェニル）スルホン）−２，６−ナフタレンジカルボキシレートが好ましい。
【００１５】
これらの有機高分子は１種のみならず２種以上を、本発明の半導体ウェハ加工用ベースフィルムにおいて、高分子の繰返し単位で２０ｍｏｌ％相当、好ましくは１０ｍｏｌ％相当、特に好ましくは５ｍｏｌ％相当まで、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートと共に混合した混合体となるように使用できる。かかる混合体の製造は一般に知られたポリエステル組成物の製造方法によって実施できる。
【００１６】
本発明におけるポリエステルは従来公知の方法で、例えばジカルボン酸とグリコールの反応で直接低重合度ポリエステルを得る方法や、ジカルボン酸の低級アルキルエステルとグリコールとを従来公知のエステル交換触媒である、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、ストロンチウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、コバルトを含む化合物の一種または二種以上を用いて反応させた後、重合触媒の存在下で重合が行なわれる。重合触媒としては三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン、三塩化アンチモン、三臭化アンチモン、アンチモングリコレート、酢酸アンチモン等のアンチモン化合物、二酸化ゲルマニウムで代表されるようなゲルマニウム化合物、テトラエチルチタネート、テトラプロピルチタネート、テトラフェニルチタネートまたはこれらの部分加水分解物、蓚酸チタニルアンモニウム、蓚酸チタニルカリウム、チタントリスアセチルアセトネートのようなチタン化合物が挙げられる。
【００１７】
上記の重合触媒のなかでも、ゲルマニウム化合物が特に好ましく用いられる。かかるゲルマニウム化合物を、例えばエステル化反応あるいはエステル交換反応完了前から重合反応開始直後の間に重縮合反応触媒として得られたエステル交換反応物に添加し、減圧状態で撹拌しながら加熱して重縮合反応を行なわせることが好ましい。本発明において重縮合反応触媒に用いるゲルマニウム化合物としては、例えば（イ）無定形酸化ゲルマニウム（ロ）微細な結晶性酸化ゲルマニウム（ハ）酸化ゲルマニウムを水に溶解した溶液等を好ましく用いることができる。これらの酸化ゲルマニウムのなかでも、結晶性二酸化ゲルマニウム、非晶性二酸化ゲルマニウム、ゲルマニウムテトラエトキシド、ゲルマニウムテトラ−ｎ−ブトキシド等の如きゲルマニウム化合物を好ましく使用でき、特に結晶性二酸化ゲルマニウムおよび非晶性二酸化ゲルマニウムを好ましく使用できる。
【００１８】
重縮合反応触媒に用いるゲルマニウム化合物の量は、あまり少ないと十分な重合反応の促進効果が得られず、また極端に多くすると得られるポリエステルの軟化点が低下したりすることがあるので、ポリエステル中に残存するゲルマニウムの金属元素として１０〜１０００重量ｐｐｍであることが好ましく、１０〜５００重量ｐｐｍであることがさらに好ましく、１０〜２００重量ｐｐｍであることが特に好ましい。なお、金属元素含有濃度は、乾燥したサンプルを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ，日立計測機器サービス（株）製の商品名「Ｓ５７０型」）にセットし、それに連結したエネルギー分散型Ｘ線マイクローアナライザー（ＸＭＡ，（株）堀場製作所製の商品名「ＥＭＡＸ−７０００」）にて定量分析を行った値である。
【００１９】
エステル交換反応を経由して重合を行う場合は、重合反応前にエステル交換触媒を失活させる目的でリン化合物を含有することが好ましい。かかるリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、ホスホネート化合物及びそれらの誘導体等があげられ、これらは単独で使用しても二種以上を併用してもよい。これらの中でも、リン化合物としては、下記式（Ｉ）で表されるホスホネート化合物が好ましい。
Ｒ^１Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｘ−Ｐ（Ｏ）−（ＯＲ^２）_２ …（Ｉ）
ここで、式中の、Ｒ^１およびＲ^２は炭素数原子数１〜４のアルキル基、Ｘは−ＣＨ_２−または―ＣＨ（Ｙ）−（Ｙは、ベンゼン環を示す。）であり、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ同一でも異なっていても良い。
【００２０】
特に好ましいリン化合物は、カルボメトキシメタンホスホン酸、カルボエトキシメタンホスホン酸、カルボプロポキシメタンホスホン酸、カルボプトキシメタンホスホン酸、カルボメトキシ−ホスホノ−フェニル酢酸、カルボエトキシ−ホスホノ−フェニル酢酸、カルボプロトキシ−ホスホノ−フェニル酢酸およびカルボブトキシ−ホスホノ−フェニル酢酸のジメチルエステル、ジエチルエステル、ジプロピルエステルおよびジブチルエステルである。
【００２１】
本発明において、これらのホスホネート化合物の好ましい理由は、通常安定剤として使用されリン化合物に比べ、金属化合物との反応が比較的緩やかに進行することから、重縮合反応中の金属化合物の触媒活性の持続時間が長く、結果としてポリエステルへの触媒の添加量を少なくでき、触媒に対して多量の安定剤を添加してもポリエステルの熱安定性を損ないにくいためである。
【００２２】
これらリン化合物の添加時期は、エステル交換反応が実質的に終了した後であればいつでもよく、例えば、重縮合反応を開始する以前の大気圧下、重縮合反応を開始した後の減圧下、重縮合反応の末期または重縮合反応の終了後すなわちポリマーを得た後に添加してもよい。
【００２３】
本発明におけるポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートは、２，６−ナフタレンジカルボン酸とエチレングリコールを原料として用いたものでも、２，６−ジメチルナフタレートに代表される２，６−ナフタレンジカルボン酸のエステル形成性誘導体とエチレングリコールを原料として用いたものでもよい。エステル交換反応を経由する製造方法においてはエステル交換反応を０．０５ＭＰａ以上０．２０ＭＰａ以下の加圧下にて実施することで、金属化合物の添加量をさらに低減できる。
【００２４】
なお、ポリエステルは溶融重合後これをチップ化し、加熱減圧下または窒素などの不活性気流中において固相重合することもできる。
【００２５】
＜添加剤＞
本発明のフィルムにはフィルムに滑り性を付与するために不活性微粒子を少割合含有させることが好ましい。かかる不活性微粒子としては、例えば球状シリカ、多孔質シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、二酸化チタン、カオリンクレー、硫酸バリウム、ゼオライトの如き無機粒子、或いはシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン粒子の如き有機粒子を挙げることができる。無機粒子は粒径が均一であること等の理由で天然品よりも、合成品であることが好ましく、あらゆる結晶形態、硬度、比重、色の無機粒子を使用することができる。
【００２６】
無機粒子としては例えば、炭酸カルシウム、多孔質シリカ、球状シリカ、カオリン、タルク、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、リン酸リチウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、フッ化リチウム等を挙げることができる。
【００２７】
本発明の半導体ウェハ加工用ベースフィルムは上記の例示の中で炭酸カルシウム粒子、球状シリカ粒子、多孔質シリカ粒子、板状珪酸アルミニウムを含有することがさらに好ましい。有機塩粒子としては例えば蓚酸カルシウムやカルシウム、バリウム、亜鉛、マンガン、マグネシウム等のテレフタル酸塩などが挙げられる。
【００２８】
架橋高分子粒子としては例えば、ジビニルベンゼン、スチレン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸もしくはメタクリル酸のビニル系モノマーの単独または共重合体等が挙げられ、この他、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、熱硬化エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性フェノール樹脂などの有機微粒子も用いられる。架橋高分子粒子の中でもシリコーン樹脂粒子、架橋ポリスチレン粒子が特に好ましい。
【００２９】
これらフィルム中に添加される不活性微粒子の粒子径は各々の種類の粒子について、平均粒径が０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以上３．５μｍ以下であることがさらに好ましく、０．１０μｍ以上３μｍ以下であることが特に好ましい。また、フィルム中に含まれる不活性微粒子の全添加量は０．０５重量％以上３重量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０８重量％以上２．０重量％以下であり、０．１量重量％以上１．０重量％以下であることが特に好ましい。
【００３０】
フィルムに添加する不活性微粒子は上記に例示した中から選ばれた単一成分でもよく、二成分あるいは三成分以上を含む多成分でもよい。また、単一成分の場合には平均粒径が異なった２種類以上の粒子を含有しても良い。
【００３１】
なお、不活性微粒子の平均粒径は、（株）島津製作所製の商品名「ＣＰ−５０型セントリフューグルパーティクルサイズアナライザー（ＣｅｎｔｒｉｆｕｇａｌＰａｒｔｉｃｌｅＳｉｚｅＡｎｎａｌｙｚｅｒ）」を用いて測定し、得られる遠心沈降曲線を基に算出した各粒径の粒子とその存在量との積算曲線から、５０重量％に相当する粒径を読み取った値である（「粒度測定技術」日刊工業新聞発行、１９７５年頁２４２〜２４７参照）。
【００３２】
本発明のフィルムは、平均粒径が０．３μｍ以上０．８μｍ以下である炭酸カルシウム粒子を０．０５重量％以上０．４重量％以下、および／または平均粒径が０．１μｍ以上０．６μｍ以下である球状シリカ粒子を０．０３重量％以上０．５重量％以下、および／または平均粒径が０．１μｍ以上０．６μｍ以下であるシリコーン粒子を０．０３重量％以上０．４重量％以下の割合で含有することが特に好ましい。さらに、同じ種類の不活性微粒子で粒径が異なる粒子が同時に含まれていても良く、その場合は同じ種類の不活性微粒子全体の含有量が上記の範囲内になっていればよい。
【００３３】
本発明のフィルムは、その用途に応じて結晶核剤、酸化防止剤、熱安定化剤、易滑剤、難燃剤、帯電防止剤、ポリシロキサン等を配合することができる。
【００３４】
不活性微粒子やその他の添加剤の添加時期はポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを製膜するまでの段階であれば特に制限はなく、例えば重合段階で添加してもよく、また製膜の際に添加してもよい。均一分散の見地からは、エチレングリコール中に添加して重合時に高濃度添加し、マスターチップとし、無添加チップで希釈するのが好ましい。
【００３５】
本発明のフィルムは２層以上の複数層からなってもよく、半導体ウェハとの密着面の平坦性およびベースフィルムの巻取り性を両立する上では好ましく用いられる。複数層を構成する手段としては、共押出し法、押出しラミネート法、コーティング法等を用いることができ特に限定はされないが、生産性の観点から上述したポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを使用して複数台の押出し機から各々樹脂を押し出す共押出し法で複数層を構成することが好ましい。
【００３６】
＜抽出オリゴマー量＞
本発明のフィルムのクロロホルムによるオリゴマー抽出量は、０．８重量％以下であることが必要である。さらに好ましくは０．６重量％以下、特に好ましくは０．５重量％以下である。オリゴマー抽出量が０．８重量％を超えると半導体ウェハ加工用ベースフィルムとして用いた場合に、工程内の加工温度環境下や粘着剤層塗設工程においてオリゴマーがベースフィルム表面に析出し、加工工程内の汚染や粘着剤層とベースフィルム間の接着強度が低下する等の問題を引き起こすため好ましくない。フィルム表面へのオリゴマーの析出を抑制するには、フィルム中に含まれるオリゴマー量を低減させることが最も効果的であり、本用途向けにはオリゴマー抽出量を少なくすることが好ましい。
【００３７】
なお、オリゴマー抽出量を少なくするために、ポリエステルの固有粘度を０．４５ｄｌ／ｇ以上０．９０ｄｌ／ｇ以下にすることが好ましく、さらに好ましくは０．４８〜０．８５ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．５０〜０．８０ｄｌ／ｇである。なお、固有粘度はｏ−クロロフェノールを溶媒として用いて、３５℃で測定した値（単位：ｄｌ／ｇ）である。
【００３８】
＜厚み方向の屈折率＞
本発明のフィルムの厚み方向の屈折率（ｎｚ）は１．５０１以上１．５１５以下であることが必要である。より好ましくは１．５０３以上１．５１３以下であり、特に好ましくは１．５０４以上１．５１２以下である。厚み方向の屈折率が１．５０１未満であるとフィルムの耐デラミ性が悪化するため、フィルムの切断端面にバリが発生するようになり、場合によっては切粉が工程内を汚染するため好ましくない。また、厚み方向の屈折率が１．５１５を超えるとフィルムが脆くなり、バックグラインドテープやダイシングテープのベースフィルムとして用いられた場合のテープ剥離の際にフィルム破れが発生するため好ましくない。
【００３９】
＜動摩擦係数＞
本発明のフィルムは、フィルム同士の動摩擦係数（μｄ）が０．５以下であることが好ましい。動摩擦係数（μｄ）が０．５を超えると、製膜工程中および粘着剤層塗布加工中でのハンドリング性が悪くなり、例えば工程内のロール上での走行中またはロール状に巻取る際にしわやスクラッチ等の欠点を生じる。
【００４０】
＜フィルムの厚みのバラツキ＞
本発明のフィルムの任意の場所における厚みのバラツキはフィルムの平均厚みに対して１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、８％以下であることが特に好ましい。フィルムの厚みのバラツキが小さい程、バックグラインドテープと半導体ウェハおよびダイシングテープと半導体ウェハとの接着面の接着強度が均一化し安定したテーピングが可能となるため、より精密なバックグラインドおよびダイシングが可能となり、高精細化、高密度化に好ましいチップを供給できるため好ましい。
【００４１】
＜熱収縮率＞
本発明のフィルムは、フィルムを２００℃で１０分間熱処理した際のフィルムの面内方向の熱収縮率は、フィルム連続製膜方向の熱収縮率（ＳＭＤ）とそれに垂直な方向の熱収縮率（ＳＴＤ）とでその差の絶対値（｜ＳＭＤ−ＳＴＤ｜）が０．６０％以下であることが好ましい。この値はさらに好ましくは０．５０％以下、特に好ましくは０．４０％以下である。この熱収縮率の差の絶対値が０．６０％を超えると、バックグラインドテープやダイシングテープのベースフィルムとして使用した場合にフィルムの寸法変化量の異方性が大きく、半導体ウェハの反りが発生する場合があるため好ましくない。
【００４２】
さらにまた本発明のフィルムは、２００℃で１０分間加熱処理したときのそれぞれの方向での熱収縮率（ＳＭＤおよびＳＴＤ）は、１．００％以下であることがより好ましく、０．８０％以下であることがさらにより好ましい。
【００４３】
＜フィルムの厚み＞
本発明のフィルムの厚みは９μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは９μｍ以上１００μｍ以下、特に好ましくは１２μｍ以上８０μｍ以下である。フィルムの厚みが９μｍ未満であると、ウェハ加工における支持体としての機械強度やウェハ表面の保護機能が不足するため好ましくない。一方、フィルムの厚みが１５０μｍを超えると非常にフィルムのスティフネスが強くなりすぎ、テープの粘着強度が若干でも強い場合には、テープ剥離の際にウェハが破損したり、ダイシング後にフィルムをエキスパンドするための力が大きくなりすぎるため好ましくない。
【００４４】
＜塗布層＞
本発明のフィルムには、粘着剤との易接着性を向上させる目的でその少なくとも片面に塗布層を設けることができる。塗布層はポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ビニル系樹脂から選ばれる少なくとも１種の水溶性または水分散性高分子樹脂からなることが好ましく、特にポリエステル樹脂とアクリル樹脂の両方を含むのが好ましい。本発明で用いる塗布層のポリエステル樹脂は、ガラス転移点（Ｔｇ）が０〜１００℃、更に好ましくは１０〜９０℃のものである。該ポリエステル樹脂は、水に可溶性または分散性のポリエステルが好ましいが、多少の有機溶剤を含有しても良い。
【００４５】
かかるポリエステル樹脂としては、以下のような多塩基酸またはそのエステル形成誘導体とポリオールまたはそのエステル形成誘導体から成る。すなわち、多塩基酸成分としてはテレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、無水フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、アジピン酸、セバシン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ダイマー酸、５−ナトリウムスルホイソフタル酸等が挙げられる。これら酸成分を２種以上用いて共重合ポリエステル樹脂を合成する。また、若干量ながら不飽和多塩基酸成分のマレイン酸、イタコン酸等及びｐ−ヒドロキシ安息香酸等の如きヒドロキシカルボン酸を用いることができる。また、ポリオール成分としては、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、キシレングリコール、ジメチロールプロパン、ポリ（エチレンオキシド）グリコール、ポリ（テトラメチレンオキシド）グリコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡのエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイド付加体等が挙げられる。また、これらモノマーが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明で用いる塗布層のアクリル樹脂は、ガラス転移点（Ｔｇ）が−５０〜５０℃、更に好ましくは−５０〜２５℃のものである。該アクリル樹脂は、水に可溶性または分散性のアクリルが好ましいが、多少の有機溶剤を含有しても良い。
【００４７】
かかるアクリル樹脂としては以下のようなアクリルモノマーから共重合できる。このアクリルモノマーとしては、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート（アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等）；２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート等のヒドロキシ含有モノマー；グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸、スチレンスルホン酸及びその塩（ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第三級アミン塩等）等のカルボキシ基またはその塩を含有するモノマー；アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリレート（アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基等）、Ｎーアルコキシアクリルアミド、Ｎ−アルコキシメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルコキシアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルコキシメタクリルアミド（アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基等）、アクリロイルモルホリン、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−フェニルメタクリルアミド等のアミド基を含有するモノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物のモノマー；ビニルイソシアネート、アリルイソシアネート、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルトリアルコキシシラン、アルキルマレイン酸モノエステル、アルキルフマール酸モノエステル、アルキルイタコン酸モノエステル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニリデン、エチレン、プロピレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ブタジエン等のモノマーが挙げられる。また、これらモノマーを挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００４８】
本発明で用いられる上記組成物は、塗膜を形成させるために、水溶液、水分散液或いは乳化液等の水性塗液の形態で使用されるのが好ましい。塗膜を形成するために、必要に応じて、前記組成物以外の他の樹脂、例えばオキサゾリン基を有する重合体、メラミン、エポキシ、アジリジン等の架橋剤、帯電防止剤、着色剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、滑剤（フィラー、ワックス）などを添加することができる。フィルムの滑り性の向上あるいは耐ブロッキング性の向上を目的として、必要に応じて滑剤を添加することができる。
【００４９】
水性塗液の固形分濃度は、通常２０重量％以下であり、更には１〜１０重量％であることが好ましい。この割合が１重量％未満であると、ポリエステルフィルムへの塗れ性が不足し、一方、２０重量％を越えると塗剤の安定性や塗布外観が悪化することがある。
【００５０】
塗布層は、未延伸フィルムまたは一軸延伸が終了したフィルムに水性塗液を塗布し、その後、２方向または１方向に延伸し熱固定することでフィルム上に強固に設けることができる。塗工方法としてはロールコート法、グラビアコート法、ロールブラッシュ法、スプレー法、エアーナイフコート法、含浸法、カーテンコート法等を単独または組み合わせて用いることが出来る。
【００５１】
＜粘着剤＞
本発明のフィルムをバックグラインドテープやダイシングテープの基材として使用する際には、フィルムの少なくとも片面に粘着剤層を構成することができる。粘着剤としては従来公知のものが広く用いられうるが、アクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、具体的には、アクリル酸エステルを主たる構成単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単量体との共重合体およびこれら重合体の混合物が用いられる。たとえば、炭素数１〜１０のアルキルアルコールのアクリル酸エステル、炭素数１〜１０のアルキルアルコールのメタクリル酸エステル、酢酸ビニルエステル、アクリロニトリル、ビニルアルキルエーテルなどを好ましく使用できる。また上記アクリル系共重合体は、１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
また、官能性単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート等が用いられる。官能性単量体を有する共重合体粘着剤は、架橋剤を使用することにより接着力と凝集力とを任意の値に設定することができる。このような架橋剤としては、多価イソシアネート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等がある。多価イソシアネート化合物としては、具体的にはトルイレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートおよびこれらのアダクトタイプのもの等が用いられる。多価エポキシ化合物としては、具体的にはエチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が用いられる。多価アジリジン化合物としては、具体的にはトリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。またキレート化合物としては、具体的にはエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が用いられる。
【００５３】
これらのモノマーを重合して得られるアクリル系共重合体の分子量は、１．０×１０^５〜１０．０×１０^５であり、好ましくは４．０×１０^５〜８．０×１０^５である。さらに、粘着剤層として、放射線を照射することにより硬化して、ピックアップ時の接着力を低下できるものも用いることができる。具体的には、上記アクリル系共重合体を主剤として、これに放射線重合性化合物を含ませた粘着剤を用いることが好ましい。このような放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００５４】
さらに放射線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネートなどを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなどを反応させて得られる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少なくとも１個以上有する放射線重合性化合物である。
【００５５】
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーとして、特に分子量が３０００〜３００００、好ましくは３０００〜１００００、さらに好ましくは４０００〜８０００であるものを用いると、半導体ウェハ表面が粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。またウレタンアクリレート系オリゴマーを放射線重合性化合物として用いる場合には、特開昭６０−１９６，９５６号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物を用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れたものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前の接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力が充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着剤が残存することはない。
【００５６】
また必要に応じては、粘着剤層中に、上記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。このような放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層に含ませることによって、粘着シートに放射線が照射された後には該シートは着色され、したがって光センサーによってウェハチップを検出する際に検出精度が高まり、ウェハチップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。また粘着シートに放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明するという効果が得られる。
【００５７】
放射線照射により着色する化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に粘着剤層中に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着剤層中に含ませてもよい。この化合物は、粘着剤層中に０．０１〜１０重量％好ましくは０．５〜５重量％の量で用いられることが望ましい。
【００５８】
＜製造条件＞
本発明の半導体ウェハ加工用ベースフィルムの製造方法について、詳述する。本発明のポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムは、例えば通常の押出温度、すなわち融点（以下Ｔｍと表わす）以上（Ｔｍ＋７０℃）以下の温度で、樹脂を溶融押出して得られたフィルム状溶融物を、回転冷却ドラムの表面で急冷し、固有粘度が０．４５〜０．９０ｄｌ／ｇの未延伸フィルムを得る。この工程でフィルム状溶融物と回転冷却ドラムとの密着性を高める目的で、フィルム状溶融物に静電荷を付与する静電密着法が知られている。一般にポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートは溶融物の電気抵抗が高いため、上記の冷却ドラムとの静電密着が不十分になる場合があり、この対策としては、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートの全２官能性カルボン酸成分に対し、０．１〜１０ｍｍｏｌ％のエステル形成性官能基を有するスルホン酸４級ホスホニウムを含有させるのが好ましい。
【００５９】
このようにして得られた未延伸フィルムは、１２０〜１７０℃、より好ましくは１３０〜１６０℃の温度で、縦方向に２．８〜３．５倍の延伸倍率で延伸され、次いで横方向に１２０〜１５０℃の温度で２．８〜３．６倍の延伸倍率で延伸され、二軸配向フィルムとなる。なお、横延伸倍率は縦延伸倍率の０．９０〜１．１５倍程度の倍率にすることがフィルムの厚みのバラツキを所望の範囲にする上で好ましい。また、これらの延伸は複数段階に分割して行なわれる多段延伸であってもよい。
【００６０】
このようにして得られた二軸配向フィルムは、２３５〜２５５℃、より好ましくは２４０℃〜２５０℃の温度で０．３〜２０秒間熱固定するのが好ましい。その後、熱収縮率を低下させる目的で、縦方向および／または横方向に、弛緩率０．５〜１５％の範囲で熱弛緩処理を行うのがさらに好ましい。なお、延伸機の機構から、一般に横方向の弛緩がやり易く、横方向の熱収縮率は０％に近づけることが容易であるが、縦方向の熱収縮率、特に２００℃近辺の熱収縮率を小さくすることは難しい。この対策としては、前述のように、縦方向と横方向の延伸倍率および延伸温度を調整することが効果的である。
【００６１】
また、本発明のポリエステルフィルムは、前記のような熱処理のほかに、巻き取った後に熱処理することがより好ましい。巻き取った後の熱処理の方法は特定されないが、懸垂式の弛緩熱処理法が特に好ましい。懸垂式の弛緩熱処理法とは、処理するフィルムを上方に設置したローラーを経て下方に自重で垂下させ、その途中で加熱した後、下方のローラーで冷却しながらほぼ水平方向に向きを変え、ニップローラーで巻取り張力を遮断した上で巻き取るものが好ましく挙げられる。垂下距離は２〜１０ｍ程度がよく、２ｍ未満では自重が小さすぎて平面性が損われ易く、また、加熱範囲が短いので弛緩効果を得ることが非常に難しい。他方、垂下距離が１０ｍを超えると、作業性が悪く、自重が重くなるので、加熱域の位置によっては所望の熱収縮率が得られないことがある。
【００６２】
この製膜工程後の熱処理は、得られる二軸配向ポリエステルフィルムの２００℃における熱収縮率が所望の範囲になるものならフィルムの製膜工程内（熱固定後の弛緩処理）で行われてもフィルムを製膜し一度巻き取った後の弛緩熱処理で行われても特にその処理方法は限定されない。好ましい加熱方式は、即時にフィルムを加熱できることから赤外線加熱である。また、好ましい弛緩熱処理などの温度は、フィルム温度が２００〜２４０℃となるように処理するものである。フィルム温度が２００℃未満では２００℃での熱収縮率を小さくすることが難しく、他方、フィルム温度が２４０℃を超えると平面性が悪化し易く、ひどい場合はオリゴマーが析出してフィルムが白くなることがある。この白化は圧力履歴に左右され、例えば吊りベルトをフィルムロールのフィルム部分に架けて運搬すると、２００℃以下であっても、ベルトと接触した部分が白化する場合がある。なお、フィルム温度は、非接触の赤外線式温度計（例えばバーンズ式輻射温度計）を用いて測定できる。これらの熱処理方法の中、よりフィルムの広範囲な範囲の熱収縮率を均一に抑えやすいことから、製膜工程での熱処理よりも懸垂式弛緩熱処理法が好ましい。
【００６３】
【実施例】
（１）エチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートの成分量（主成分ｍｏｌ比、共重合成分ｍｏｌ比）の算出
フィルムサンプルを測定溶媒（ＣＤＣｌ３：ＣＦ３ＣＯＯＤ＝１：１）に溶解後、１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、得られた各シグナルの積分比をもって算出する。
【００６４】
（２）オリゴマー抽出量
幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍに切り出したフィルムサンプル５ｇをソクスレー抽出器を用いてクロロホルム内で２４時間抽出操作を行った。乾燥後のフィルムサンプルの重量を測定し、抽出前重量Ｗ０（ｇ）と抽出後重量Ｗ１（ｇ）とからオリゴマー抽出量Ｋ（重量％）を下式（１）により求めた。
Ｋ＝［（Ｗ１−Ｗ０）／Ｗ０］×１００ …（１）
【００６５】
（３）フィルムの厚み方向の屈折率（ｎｚ）
アツベの屈折率計（株式会社アタゴ製）を使用して、２５℃にてＮａ−Ｄ線を用いてフィルムの厚み方向（ｚ）の屈折率を求めた。
【００６６】
（４）動摩擦係数（μｄ）
７５ｍｍ（幅）×１００ｍｍ（長さ）のカットフィルム（サンプル）を２枚重ねた上に重量２００ｇのおもりを荷重Ｗ（ｇ）として乗せ、上側のフィルムを１５０ｍｍ／分の速度で滑らせ、滑らせている時の力Ｆｄ（ｇ）から動摩擦係数（μｄ）を計算する。
動摩擦係数＝Ｆｄ／Ｗ
なおフィルムは２３℃、６５％ＲＨで２４時間調湿した後に測定する。
【００６７】
（５）熱収縮率の差
２００℃に温度設定されたオーブンの中に無緊張状態で１０分間フィルムを保持し、フィルムの連続製膜方向（ＭＤ）およびそれに垂直な方向（ＴＤ）のそれぞれにおいて、各々の加熱処理前後での寸法変化から熱収縮率Ｓ（％）を下式により算出し、両方向の熱収縮率の差を算出する。
Ｓ＝［（Ｌ０−Ｌ）／Ｌ０］×１００
ただし、Ｌ０：熱処理前の標点間距離、Ｌ：熱処理後の漂点間距離。
【００６８】
（６）フィルム厚み
マイクロメーター（アンリツ（株）製の商品名「Ｋ−４０２Ｂ型」）を用いて、フィルムのフィルムの連続製膜方向（ＭＤ）およびそれに垂直な方向（ＴＤ）において各々１０ｃｍ間隔で測定を行い、全部で３００ヶ所のフィルム厚みを測定する。得られた３００ヶ所のフィルム厚みの平均値を算出してフィルム平均厚みｔ０（μｍ）を得る。
【００６９】
さらに電子マイクロメーター（アンリツ（株）製の商品名「Ｋ−３１２Ａ型」）を用いて、針圧３０ｇ、走行速度２５ｍｍ／秒でフィルムの連続製膜方向（ＭＤ）およびそれに垂直な方向（ＴＤ）それぞれ２ｍの長さにわたって測定し、連続厚みチャートを得る。このチャートから最大厚みｔ１（μｍ）と最小厚みｔ２（μｍ）を読み取る。
【００７０】
こうして得られたフィルム平均厚みｔ０（μｍ）および最大厚みｔ１（μｍ）と最小厚みｔ２（μｍ）とから、下式により厚みのバラツキＤ（％）を求める。
Ｄ＝［（ｔ１−ｔ２）／ｔ０］×１００
【００７１】
（７）半導体ウェハの加工性
上述した各実施例および比較例の二軸配向ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムにアクリル系粘着剤（ｎ−ブチルアクリレートとアクリル酸との共重合体）を厚さ１４μｍとなるように塗布し、粘着シートを作製した。得られた粘着シートの粘着剤層上に８インチのシリコンウェハを貼着してウェハのバックグラインドおよびテープ剥離のテストをそれぞれ行なった。なお、テスト条件は、バックグラインド加工温度：１８０℃、テープ剥離前の熱処理温度：１５０℃である。
【００７２】
［実施例１〜３］
フィルム製膜に用いるポリマーは、次のようにして製造した。２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル１００部とエチレングリコール６０部の混合物に、酢酸マンガン・４水塩０．０３部を添加し、１５０℃から２４０℃に徐々に昇温しながらエステル交換反応を行った。途中、反応温度が１７０℃に達した時点で三酸化アンチモン０．０２４部を添加し、さらに平均粒径０．６μｍ、粒径比１．１の球状シリカ粒子を０．１重量％添加した。そして、反応温度が２２０℃に達した時点で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩０．０４２部（２ｍｍｏｌ％に相当）を添加した。その後、引き続いてエステル交換反応を行い、エステル交換反応終了後、燐酸トリメチル０．０２３部を添加した。ついで、反応生成物を重合反応器に移し、２９０℃まで昇温し、０．２ｍｍＨｇ以下の高真空下にて重縮合反応を行い、２５℃のｏ−クロロフェノール溶液で測定した固有粘度が０．４３ｄｌ／ｇのポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートポリマー（ポリマーＡ）および固有粘度が０．６９ｄｌ／ｇのポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートポリマー（ポリマーＢ）を得た。さらにポリマーＡを固相重合し、固有粘度が０．７８ｄｌ／ｇ（ポリマーＣ）とした。
【００７３】
ポリマーＢを１７０℃で６時間乾燥させた後、押出機に供給し、溶融温度３０５℃で溶融し、開度１ｍｍのスリット状ダイを通して、表面仕上げ０．３Ｓ、表面温度５０℃の回転ドラム上に押出し、未延伸フィルムを得た。
【００７４】
こうして得られた未延伸フィルムを、１４５℃で縦方向（フィルム連続製膜方向）に３．０倍に延伸し、次いで１４０℃で横方向（連続製膜方向に垂直な方向）に３．０倍延伸し、さらに２４６℃で５秒間熱固定処理及び幅方向に４％収縮させ（トウイン）、厚み３０μｍ、固有粘度０．５９ｄｌ／ｇの二軸配向ＰＥＮフィルムを１５００ｍｍ幅で３０００ｍのロール状に巻き取った。その後、得られた二軸配向ＰＥＮフィルムを、上方に設置されたニップローラーを経て下方に自重で垂下させながら、その途中でフィルム温度が２２５℃となるように赤外線加熱装置で加熱した後、上方に設置されたローラーより４ｍ下方にあるニップローラーで冷却しながらほぼ水平方向に向きを変え、ニップローラーで巻取り張力を遮断した後に巻き取り、弛緩熱処理を行った。弛緩は上方のニップローラーと巻取り張力の遮断を行うニップローラーとの速度の差をつけて行った。
【００７５】
こうして得られた弛緩熱処理後の二軸配向ＰＥＮフィルムを実施例１とした。次に実施例２としては、実施例１においてポリマーＣを使用した以外は、実施例１と同様な操作を繰り返し、厚み５０μｍの二軸配向ＰＥＮフィルムを得た。さらに実施例３としては、実施例１において１４５℃で縦方向に３．３倍に延伸し、次いで１４０℃で横方向に３．３倍延伸した以外は、実施例１と同様な操作を繰り返し、厚み３０μｍの二軸配向ＰＥＮフィルムを得た。こうして得られた実施例のフィルムの特性評価結果を、表１に示す。特にこれら実施例フィルムのウェハ加工性については、粘着層塗設工程内および半導体ウェハ加工工程内を汚染することなく、また、テープ剥離ではフィルム破れがなく、半導体ウェハの製造における加工性は良好であった。
【００７６】
［比較例１〜３］
比較例１としては、実施例１においてポリマーＡを使用した以外は、実施例１と同様な操作を繰り返し、厚み５０ｕｍの二軸配向ＰＥＮフィルムを得た。また比較例２としては、実施例３において、フィルム中に含まれる不活性微粒子の量を０．０１重量％とし、さらに熱固定温度を２３３℃にした以外は、実施例３と同様な操作を繰り返し、厚み３０μｍの二軸配向ＰＥＮフィルムを得た。さらに比較例３としては、実施例１において１４５℃で縦方向に２．７倍に延伸し、次いで１４０℃で横方向に２．７倍延伸した以外は、実施例１と同様な操作を繰り返し、厚み３０μｍの二軸配向ＰＥＮフィルムを得た。こうして得られた比較例のフィルムの特性評価結果を、表１に示す。特にこれら比較例フィルムのウェハ加工性については、フィルム表面へのオリゴマー析出やフィルムの切粉等による工程内汚染やテープ剥離の際のフィルム破れが発生し、半導体ウェハの製造における加工性に問題があった。
【００７７】
【表１】

【００７８】
【発明の効果】
本発明により従来技術の課題を解決して、半導体ウェハ加工、特にバックグラインドテープの基材あるいはダイシングテープの基材として用いた際における、優れた加工適性を有する半導体加工用ベースフィルムを得ることができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a film for processing a semiconductor wafer using a biaxially oriented base film containing polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as a main component.
[0002]
[Prior art]
In the step of polishing the back surface of the wafer (back grinding step) and the step of cutting IC chips from the completed wafer (dicing step) in semiconductor manufacturing, an adhesive tape on which various adhesives are laminated is used for fixing the wafer. In the back grinding process, the back surface of the wafer on which the circuit is formed is polished while being fixed to the adhesive tape, and the adhesive force of the adhesive is reduced by UV irradiation, heating, or the like, and then the process moves to the next dicing process. In the dicing process, the wafers fixed on the adhesive tape are cut into individual IC chip units, and the adhesive is reduced one by one by UV irradiation or heating, as in the back grinding process, and then taken out one by one. The removed IC chip is transferred to the next bonding step and molding step.
[0003]
Conventionally, plastic films such as polyolefin and its copolymer, polyvinyl chloride and its copolymer, polyester, polycarbonate, polyamide, and polyimide have been used as the base film of the adhesive film and the release film of the dicing tape. Recently, in terms of mechanical strength, dimensional stability, heat resistance, price, etc., for example, as disclosed in JP-A-5-175332 and JP-A-1-5838, a polyester film is used. It has become to. On the other hand, a method in which a germanium compound is applied to a polymerization catalyst for the purpose of preventing a decrease in the yield of a silicon wafer due to impurities contained in a polyester film and a silicone resin (release layer) (Japanese Patent Laid-Open No. 10-214801). It has been disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-201005 discloses a technique relating to a release film for protecting an adhesive layer in storage of a back-grinding tape or a dicing tape from the same viewpoint of low contamination.
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-5-175332
[Patent Document 2]
JP-A-1-5838
[Patent Document 3]
JP-A-10-214801
[Patent Document 4]
JP-A-11-20105
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in recent years, as semiconductor wafers are rapidly becoming thinner with high integration of semiconductors, new semiconductor wafer processing techniques suitable for reducing the thickness of wafers have been devised. Particularly, since the thickness of the wafer has become extremely thin, the conventional polishing method has problems such as breakage of the wafer and longer polishing time than before, and a processing technique such as a method of etching with plasma has been devised. ing.
[0006]
However, since the newly devised processing method requires a higher processing temperature than the conventional processing method, a conventional polyester film-based film for processing a semiconductor wafer has a thermal dimensional stability and mechanical strength. Is becoming an issue. Also, in the dicing process, generally, when the tape is peeled, the adhesive is weakened by heating or UV irradiation, then the tape is expanded to pick up each cut chip, or the chip is pushed up from the tape side. However, if the tape shrinks greatly during heating, chip pick-up failures occur, and the production efficiency of semiconductor wafers becomes poor. Further, in order to improve the productivity of semiconductor wafers, the pursuit of cleanliness in the process and the improvement of the workability are always being pursued.
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, and to process semiconductor wafers, particularly when used as a substrate of a back grinding tape or a substrate of a dicing tape, a semiconductor processing base film having excellent processability. The purpose is to obtain.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The base film for processing a semiconductor wafer of the present invention is a biaxially oriented film containing polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as a main component, wherein the amount of extracted oligomer of the film is 0.8% by weight or less. Has a refractive index in the thickness direction of 1.501 or more and 1.515 or less.
[0009]
<Polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate film>
The film of the present invention comprises polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as a main component. In this polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, the main dicarboxylic acid component is naphthalenedicarboxylic acid, and the main glycol component is ethylene glycol. Here, examples of the naphthalenedicarboxylic acid include 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2,7-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, and the like. Acids are preferred. Mainly means that at least 80 mol% of all the repeating units in the polymer constituting the film of the present invention are ethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate. It is more preferably at least 90 mol%, particularly preferably at least 95 mol%.
[0010]
The component of the polymer which is a component of the film of the present invention may be a copolymer or a mixture containing polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as a main component, wherein ethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate is composed of all repeating units. 80 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, particularly preferably 95 mol% or more, without extremely losing the original properties of the polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate film, and can be used under high temperature. It is sufficient that dimensional stability and mechanical strength can be ensured.
[0011]
In the case of a copolymer, a compound having two ester-forming functional groups in a molecule can be used as a copolymerization component constituting a copolymer other than the main component ethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, Such compounds include, for example, oxalic acid, adipic acid, phthalic acid, sebacic acid, dodecanedicarboxylic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4′-diphenyldicarboxylic acid, phenylindanedicarboxylic acid, Dicarboxylic acids such as 7,7-naphthalenedicarboxylic acid, tetralindicarboxylic acid, decalindicarboxylic acid, and diphenyletherdicarboxylic acid; oxycarboxylic acids such as p-oxybenzoic acid and p-oxyethoxybenzoic acid; or propylene glycol and trimethylene glycol And dihydric alcohols such as tetramethylene glycol, hexamethylene glycol, cyclohexanemethylene glycol, neopentyl glycol, ethylene oxide adducts of bisphenolsulfone, ethylene oxide adducts of bisphenol A, diethylene glycol and polyethylene oxide glycol. Can be.
[0012]
These compounds can be used alone or in combination of two or more. Of these, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-diphenyldicarboxylic acid, 2,7-naphthalenedicarboxylic acid, p-oxybenzoic acid are preferred as acid components, and trimethylene glycol and hexamethylene are preferred as glycol components. Glycol neopentyl glycol is an ethylene oxide adduct of bisphenolsulfone.
[0013]
Further, the polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate may be one in which a terminal hydroxyl group and / or a carboxyl group is partially or entirely blocked with a monofunctional compound such as benzoic acid or methoxypolyalkylene glycol. Alternatively, a tri- or higher-functional ester-forming compound such as glycerin or pentaerythritol may be copolymerized within a range where a substantially linear polymer can be obtained.
[0014]
Further, the film of the present invention may be composed of a mixture of an organic polymer and polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as the main component. Such organic polymers include polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polytrimethylene terephthalate, polyethylene-4,4'-tetramethylenediphenyldicarboxylate, polyethylene-2,7-naphthalenedicarboxylate, and polytrimethylene-2,6- Naphthalenedicarboxylate, polyneopentylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, poly (bis (4-ethyleneoxyphenyl) sulfone) -2,6-naphthalenedicarboxylate and the like can be mentioned. With polyethylene isophthalate, polytrimethylene terephthalate, polytrimethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, poly (bis (4-ethyleneoxyphenyl) sulfone) -2,6-naphthalenedicarboxylate Is preferred.
[0015]
In the base film for processing a semiconductor wafer of the present invention, not only one kind but also two or more kinds of these organic polymers are equivalent to 20 mol%, preferably 10 mol%, particularly preferably 5 mol%, in terms of the repeating unit of the polymer. , Polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate. The production of such a mixture can be carried out by a generally known method for producing a polyester composition.
[0016]
The polyester in the present invention is a conventionally known method, for example, a method of directly obtaining a low-polymerization degree polyester by a reaction of a dicarboxylic acid and a glycol, or a conventionally known transesterification catalyst for converting a lower alkyl ester of a dicarboxylic acid and a glycol into, for example, sodium. , Potassium, magnesium, calcium, zinc, strontium, titanium, zirconium, manganese, and one or more compounds containing cobalt, and then the polymerization is carried out in the presence of a polymerization catalyst. Antimony trioxide, antimony tetroxide, antimony pentoxide, antimony trichloride, antimony tribromide, antimony glycolate, antimony compounds such as antimony acetate, germanium compounds typified by germanium dioxide, tetraethyl titanate, Examples thereof include titanium compounds such as tetrapropyl titanate, tetraphenyl titanate or partial hydrolysates thereof, titanyl ammonium oxalate, potassium titanyl oxalate, and titanium trisacetylacetonate.
[0017]
Among the above polymerization catalysts, germanium compounds are particularly preferably used. Such a germanium compound is added to the transesterification reaction product obtained as a polycondensation reaction catalyst, for example, between before the completion of the esterification reaction or the transesterification reaction and immediately after the start of the polymerization reaction, and the polycondensation is performed by heating while stirring under reduced pressure. Preferably, the reaction is performed. As the germanium compound used for the polycondensation reaction catalyst in the present invention, for example, a solution in which (a) amorphous germanium oxide (b) fine crystalline germanium oxide (c) germanium oxide is dissolved in water can be preferably used. Among these germanium oxides, germanium compounds such as crystalline germanium dioxide, amorphous germanium dioxide, germanium tetraethoxide, and germanium tetra-n-butoxide can be preferably used, and in particular, crystalline germanium dioxide and amorphous dioxide are preferred. Germanium can be preferably used.
[0018]
If the amount of the germanium compound used for the polycondensation reaction catalyst is too small, a sufficient effect of promoting the polymerization reaction cannot be obtained, and if the amount is extremely large, the softening point of the obtained polyester may be lowered. Is preferably 10 to 1000 ppm by weight, more preferably 10 to 500 ppm by weight, and particularly preferably 10 to 200 ppm by weight, as a metal element of germanium remaining in the metal. The concentration of the metal element was determined by setting the dried sample on a scanning electron microscope (SEM, trade name “S570” manufactured by Hitachi Instrument Service Co., Ltd.) and connecting it to an energy dispersive X-ray microanalyzer ( XMA is a value obtained by performing a quantitative analysis under the trade name “EMAX-7000” manufactured by Horiba, Ltd.).
[0019]
When the polymerization is carried out via a transesterification reaction, it is preferable to contain a phosphorus compound for the purpose of deactivating the transesterification catalyst before the polymerization reaction. Examples of such phosphorus compounds include phosphoric acid, phosphorous acid, phosphonic acid, phosphonate compounds and derivatives thereof, and these may be used alone or in combination of two or more. Among these, a phosphonate compound represented by the following formula (I) is preferable as the phosphorus compound.
R ¹ OC (O) -XP (O)-(OR ² ) ₂ … (I)
Where R in the formula ¹ And R ² Is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is -CH ₂ — Or —CH (Y) — (Y represents a benzene ring); ¹ And R ² May be the same or different.
[0020]
Particularly preferred phosphorus compounds are carbomethoxymethanephosphonic acid, carbethoxymethanephosphonic acid, carbpropoxymethanephosphonic acid, carboptoxymethanephosphonic acid, carboxymethoxy-phosphono-phenylacetic acid, carbethoxy-phosphono-phenylacetic acid, carboxyprotoxy. Dimethyl, diethyl, dipropyl and dibutyl esters of phosphono-phenylacetic acid and carboxy-phosphono-phenylacetic acid.
[0021]
In the present invention, these phosphonate compounds are preferably used because the reaction with the metal compound proceeds relatively slowly as compared with the phosphorus compound which is usually used as a stabilizer, so that the catalytic activity of the metal compound during the polycondensation reaction is reduced. This is because the duration is long, and as a result, the amount of the catalyst to be added to the polyester can be reduced, and even if a large amount of a stabilizer is added to the catalyst, the thermal stability of the polyester is not easily impaired.
[0022]
The phosphorus compound may be added at any time after the transesterification reaction is substantially completed.For example, under atmospheric pressure before starting the polycondensation reaction, under reduced pressure after starting the polycondensation reaction, It may be added at the end of the condensation reaction or after the completion of the polycondensation reaction, that is, after the polymer is obtained.
[0023]
The polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate used in the present invention may be prepared by using 2,6-naphthalenedicarboxylic acid and ethylene glycol as raw materials, or may be 2,6-naphthalenedicarboxylate represented by 2,6-dimethylnaphthalate. Those using an ester-forming derivative of an acid and ethylene glycol as raw materials may be used. In the production method via a transesterification reaction, the transesterification reaction is performed under a pressure of 0.05 MPa or more and 0.20 MPa or less, whereby the amount of the metal compound added can be further reduced.
[0024]
The polyester may be formed into chips after melt polymerization and solid-phase polymerized under reduced pressure under heating or in an inert gas stream such as nitrogen.
[0025]
<Additives>
The film of the present invention preferably contains a small proportion of inert fine particles in order to impart lubricity to the film. Examples of such inert fine particles include inorganic particles such as spherical silica, porous silica, calcium carbonate, alumina, titanium dioxide, kaolin clay, barium sulfate, and zeolite, or organic particles such as silicone resin particles and crosslinked polystyrene particles. Can be. The inorganic particles are preferably synthetic products rather than natural products for reasons such as uniform particle size, and inorganic particles of any crystal form, hardness, specific gravity, and color can be used.
[0026]
Examples of the inorganic particles include calcium carbonate, porous silica, spherical silica, kaolin, talc, magnesium carbonate, barium carbonate, calcium sulfate, barium sulfate, lithium phosphate, calcium phosphate, magnesium phosphate, aluminum oxide, silicon oxide, and titanium oxide. , Zirconium oxide, lithium fluoride and the like.
[0027]
The base film for processing a semiconductor wafer of the present invention more preferably contains calcium carbonate particles, spherical silica particles, porous silica particles, and plate-like aluminum silicate among the above examples. Examples of the organic salt particles include terephthalates such as calcium oxalate, calcium, barium, zinc, manganese, and magnesium.
[0028]
Examples of the crosslinked polymer particles include divinylbenzene, styrene, acrylic acid, methacrylic acid, homopolymers or copolymers of vinyl monomers of acrylic acid or methacrylic acid, and others, polytetrafluoroethylene, silicone resin, Organic fine particles such as benzoguanamine resin, thermosetting epoxy resin, unsaturated polyester resin, thermosetting urea resin, and thermosetting phenol resin are also used. Among the crosslinked polymer particles, silicone resin particles and crosslinked polystyrene particles are particularly preferable.
[0029]
The particle diameter of the inert fine particles added to these films is preferably 0.05 μm or more and 5 μm or less, and more preferably 0.08 μm or more and 3.5 μm or less for each type of particles. It is particularly preferably from 0.10 μm to 3 μm. Further, the total amount of inert fine particles contained in the film is preferably 0.05% by weight or more and 3% by weight or less, more preferably 0.08% by weight or more and 2.0% by weight or less. It is particularly preferable that the content be from 0.1% by weight to 1.0% by weight.
[0030]
The inert fine particles to be added to the film may be a single component selected from those exemplified above, or a multi-component containing two or more than three components. In the case of a single component, two or more kinds of particles having different average particle sizes may be contained.
[0031]
The average particle size of the inert fine particles was measured using a trade name “CP-50 Centrifugal Particle Size Analyzer” (trade name, manufactured by Shimadzu Corporation), and the resulting centrifugal sedimentation curve was measured. It is a value obtained by reading the particle size corresponding to 50% by weight from the integrated curve of the particles of each particle size calculated based on the particle size and the abundance thereof (“Particle Size Measurement Technology”, published by Nikkan Kogyo Shimbun, 1975, pages 242 to 247). reference).
[0032]
In the film of the present invention, calcium carbonate particles having an average particle diameter of 0.3 μm to 0.8 μm are contained in an amount of 0.05% to 0.4% by weight, and / or an average particle diameter of 0.1 μm to 0.4 μm. 0.03% by weight or more and 0.5% by weight or less of spherical silica particles having a size of 6 μm or less and / or 0.03% by weight or more of 0.4% by weight or less of silicone particles having an average particle size of 0.1 μm or more and 0.6 μm or less. It is particularly preferable that the content be contained at a ratio of not more than% by weight. Further, particles of the same type of inert fine particles having different particle diameters may be simultaneously contained. In such a case, the content of the entirety of the same type of inert fine particles may be within the above range.
[0033]
The film of the present invention may contain a nucleating agent, an antioxidant, a heat stabilizer, a lubricating agent, a flame retardant, an antistatic agent, a polysiloxane, etc., depending on the use.
[0034]
There is no particular limitation on the timing of addition of the inert fine particles and other additives as long as they are at the stage before the formation of polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate. For example, they may be added at the polymerization stage. May be added at this time. From the viewpoint of uniform dispersion, it is preferable to add the compound in ethylene glycol at a high concentration at the time of polymerization to prepare a master chip and dilute the mixture with a non-added chip.
[0035]
The film of the present invention may be composed of two or more layers, and is preferably used for achieving both flatness of the contact surface with the semiconductor wafer and winding property of the base film. As a means for forming a plurality of layers, a co-extrusion method, an extrusion lamination method, a coating method and the like can be used, and there is no particular limitation. However, from the viewpoint of productivity, the above-mentioned polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate is used. It is preferable to form a plurality of layers by a co-extrusion method in which a resin is extruded from a plurality of extruders.
[0036]
<Amount of extracted oligomer>
The oligomer extraction amount of the film of the present invention by chloroform needs to be 0.8% by weight or less. It is more preferably at most 0.6% by weight, particularly preferably at most 0.5% by weight. When the oligomer extraction amount exceeds 0.8% by weight, when the oligomer is used as a base film for processing a semiconductor wafer, the oligomer precipitates on the surface of the base film in a processing temperature environment in the process or in a pressure-sensitive adhesive layer coating process. This is not preferable because it causes problems such as contamination in the inside and a decrease in the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film. The most effective way to suppress the precipitation of oligomers on the film surface is to reduce the amount of oligomers contained in the film, and it is preferable to reduce the amount of oligomers extracted for this application.
[0037]
In order to reduce the amount of oligomers extracted, the intrinsic viscosity of the polyester is preferably adjusted to 0.45 dl / g or more and 0.90 dl / g or less, more preferably 0.48 to 0.85 dl / g, and particularly preferably. It is 0.50 to 0.80 dl / g. The intrinsic viscosity is a value (unit: dl / g) measured at 35 ° C. using o-chlorophenol as a solvent.
[0038]
<Refractive index in thickness direction>
The refractive index (nz) in the thickness direction of the film of the present invention needs to be 1.501 or more and 1.515 or less. It is more preferably 1.503 or more and 1.513 or less, and particularly preferably 1.504 or more and 1.512 or less. If the refractive index in the thickness direction is less than 1.501, the delamination resistance of the film is deteriorated, so that burrs are generated on the cut end surface of the film, and in some cases, chips are not preferable because the inside of the process is contaminated. . On the other hand, if the refractive index in the thickness direction exceeds 1.515, the film becomes brittle, and when the tape is used as a base film of a back grinding tape or a dicing tape, the film breaks when peeling off, which is not preferable.
[0039]
<Dynamic friction coefficient>
The film of the present invention preferably has a coefficient of dynamic friction (μd) between the films of 0.5 or less. If the coefficient of kinetic friction (μd) exceeds 0.5, the handling properties during the film forming process and during the application of the pressure-sensitive adhesive layer become poor, for example, during running on a roll in the process or when winding into a roll. It causes defects such as wrinkles and scratches.
[0040]
<Variation in film thickness>
The variation in the thickness of the film of the present invention at an arbitrary position is preferably 15% or less, more preferably 10% or less, and particularly preferably 8% or less based on the average thickness of the film. The smaller the variation in film thickness, the more uniform the bonding strength between the back grinding tape and the semiconductor wafer and the bonding surface between the dicing tape and the semiconductor wafer, and stable taping becomes possible, enabling more precise back grinding and dicing. This is preferable because a chip suitable for high definition and high density can be supplied.
[0041]
<Heat shrinkage>
In the film of the present invention, when the film is heat-treated at 200 ° C. for 10 minutes, the heat shrinkage in the in-plane direction of the film is determined by the heat shrinkage (SMD) in the continuous film forming direction and the heat shrinkage in the direction perpendicular thereto (SMD). STD), the absolute value of the difference (| SMD-STD |) is preferably 0.60% or less. This value is more preferably at most 0.50%, particularly preferably at most 0.40%. When the absolute value of the difference in the heat shrinkage exceeds 0.60%, when used as a base film of a back grinding tape or a dicing tape, the anisotropy of the dimensional change of the film is large, and warpage of the semiconductor wafer occurs. It is not preferable because it may be performed.
[0042]
Furthermore, in the film of the present invention, the heat shrinkage (SMD and STD) in each direction when subjected to heat treatment at 200 ° C. for 10 minutes is more preferably 1.00% or less, and 0.80% or less. Is even more preferred.
[0043]
<Film thickness>
The thickness of the film of the present invention is preferably from 9 μm to 150 μm, more preferably from 9 μm to 100 μm, particularly preferably from 12 μm to 80 μm. If the thickness of the film is less than 9 μm, it is not preferable because the mechanical strength as a support in wafer processing and the protective function of the wafer surface are insufficient. On the other hand, if the thickness of the film exceeds 150 μm, the stiffness of the film becomes too strong, and even if the adhesive strength of the tape is slightly strong, the wafer may be damaged at the time of tape peeling, or the film may be expanded after dicing. Is too large, which is not preferable.
[0044]
<Coating layer>
The film of the present invention can be provided with a coating layer on at least one side thereof for the purpose of improving the easy adhesion with the pressure-sensitive adhesive. The coating layer is preferably made of at least one water-soluble or water-dispersible polymer resin selected from polyester resins, urethane resins, acrylic resins, and vinyl resins, and particularly preferably contains both a polyester resin and an acrylic resin. . The polyester resin of the coating layer used in the present invention has a glass transition point (Tg) of 0 to 100C, more preferably 10 to 90C. The polyester resin is preferably a water-soluble or dispersible polyester, but may contain some organic solvent.
[0045]
Such polyester resins are composed of the following polybasic acids or their ester-forming derivatives and polyols or their ester-forming derivatives. That is, as the polybasic acid component, terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, phthalic anhydride, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, adipic acid, sebacic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid , Dimer acid, 5-sodium sulfoisophthalic acid, and the like. A copolymerized polyester resin is synthesized using two or more of these acid components. Also, it is possible to use a small amount of an unsaturated polybasic acid component such as maleic acid, itaconic acid and the like, and hydroxycarboxylic acids such as p-hydroxybenzoic acid and the like. Examples of the polyol component include ethylene glycol, 1,4-butanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, 1,6-hexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, xylene glycol, dimethylolpropane, and poly (ethylene oxide) glycol. , Poly (tetramethylene oxide) glycol, bisphenol A, an ethylene oxide or propylene oxide adduct of bisphenol A, and the like. In addition, these monomers may be mentioned, but not limited thereto.
[0046]
The acrylic resin of the coating layer used in the present invention has a glass transition point (Tg) of -50 to 50C, more preferably -50 to 25C. The acrylic resin is preferably water-soluble or dispersible acrylic, but may contain some organic solvent.
[0047]
Such an acrylic resin can be copolymerized from the following acrylic monomers. Examples of the acrylic monomer include alkyl acrylate and alkyl methacrylate (alkyl groups include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, 2-ethylhexyl, cyclohexyl) A hydroxy-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, or 2-hydroxypropyl methacrylate; an epoxy-containing monomer such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, or allyl glycidyl ether; acrylic Acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, styrenesulfonic acid and salts thereof (sodium salt, potassium salt, ammonium salt, tertiary amine salt) ) Or a monomer containing a carboxy group or a salt thereof; acrylamide, methacrylamide, N-alkylacrylamide, N-alkylmethacrylamide, N, N-dialkylacrylamide, N, N-dialkylmethacrylate (where the alkyl group is a methyl group , Ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, 2-ethylhexyl, cyclohexyl, etc.), N-alkoxyacrylamide, N-alkoxymethacrylamide, N, N- Dialkoxyacrylamide, N, N-dialkoxymethacrylamide (alkoxy groups include methoxy, ethoxy, butoxy, isobutoxy, etc.), acryloylmorpholine, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide Amide group-containing monomers such as N-phenylacrylamide and N-phenylmethacrylamide; monomers of acid anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride; vinyl isocyanate, allyl isocyanate, styrene, α-methylstyrene and vinylmethyl Ether, vinyl ethyl ether, vinyl trialkoxysilane, alkyl maleic acid monoester, alkyl fumaric acid monoester, alkyl itaconic acid monoester, acrylonitrile, methacrylonitrile, vinylidene chloride, ethylene, propylene, vinyl chloride, vinyl acetate, butadiene, etc. Of the monomer. In addition, these monomers may be mentioned, but not limited thereto.
[0048]
The composition used in the present invention is preferably used in the form of an aqueous coating solution such as an aqueous solution, an aqueous dispersion or an emulsion to form a coating film. To form a coating film, if necessary, other resins other than the composition, for example, a polymer having an oxazoline group, a crosslinking agent such as melamine, epoxy, and aziridine, an antistatic agent, a coloring agent, and a surfactant. , An ultraviolet absorber, a lubricant (filler, wax) and the like can be added. For the purpose of improving the slipperiness or blocking resistance of the film, a lubricant may be added as necessary.
[0049]
The solid content concentration of the aqueous coating solution is usually 20% by weight or less, and more preferably 1 to 10% by weight. If this proportion is less than 1% by weight, the coatability on a polyester film is insufficient, while if it exceeds 20% by weight, the stability of the coating agent and the appearance of the applied coating may be deteriorated.
[0050]
The coating layer can be firmly provided on the film by applying an aqueous coating solution to an unstretched film or a film which has been uniaxially stretched, and then stretching the film in two or one direction and heat fixing. As a coating method, a roll coating method, a gravure coating method, a roll brushing method, a spray method, an air knife coating method, an impregnation method, a curtain coating method, or the like can be used alone or in combination.
[0051]
<Adhesive>
When the film of the present invention is used as a base material for a back grinding tape or a dicing tape, an adhesive layer can be formed on at least one surface of the film. As the pressure-sensitive adhesive, conventionally known pressure-sensitive adhesives can be widely used, but an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. As the acrylic pressure-sensitive adhesive, specifically, a copolymer with an acrylic polymer or another functional monomer selected from a homopolymer and a copolymer having an acrylate ester as a main structural unit and these A mixture of polymers is used. For example, acrylic acid esters of alkyl alcohols having 1 to 10 carbon atoms, methacrylic acid esters of alkyl alcohols having 1 to 10 carbon atoms, vinyl acetate, acrylonitrile, vinyl alkyl ether, and the like can be preferably used. The acrylic copolymers can be used alone or in combination of two or more.
[0052]
In addition, as the functional monomer, acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, or the like is used. The adhesive force and cohesive force of a copolymer pressure-sensitive adhesive having a functional monomer can be set to arbitrary values by using a crosslinking agent. Examples of such a crosslinking agent include a polyvalent isocyanate compound, a polyvalent epoxy compound, a polyvalent aziridine compound, a chelate compound and the like. Specific examples of the polyvalent isocyanate compound include toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, and adducts thereof. Specific examples of the polyvalent epoxy compound include ethylene glycol diglycidyl ether, terephthalic acid diglycidyl ester acrylate, and the like. As the polyvalent aziridine compound, specifically, tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) -aziridinyl] phosphine oxide, hexa [ 1- (2-methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine and the like are used. As the chelate compound, specifically, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate) and the like are used.
[0053]
The molecular weight of the acrylic copolymer obtained by polymerizing these monomers is 1.0 × 10 ⁵ ~ 10.0 × 10 ⁵ And preferably 4.0 × 10 ⁵ ~ 8.0 × 10 ⁵ It is. Further, as the pressure-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer that can be cured by irradiation with radiation to reduce the adhesive strength at the time of pickup can be used. Specifically, it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive containing the above-mentioned acrylic copolymer as a main component and a radiation-polymerizable compound. Such radiation-polymerizable compounds include, for example, a molecule which can be three-dimensionally reticulated by light irradiation as disclosed in JP-A-60-19695 and JP-A-60-223139. Low molecular weight compounds having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds are widely used, specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, Dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available Such as ester acrylate is used.
[0054]
Further, as the radiation polymerizable compound, a urethane acrylate oligomer can be used in addition to the acrylate compound as described above. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4 Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, on a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate or the like. , 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate Obtained by. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.
[0055]
When such a urethane acrylate oligomer having a molecular weight of 3000 to 30000, preferably 3000 to 10000, and more preferably 4000 to 8000 is used, even when the surface of the semiconductor wafer is rough, the chip can be picked up when picking up the wafer chip. This is preferable because the pressure-sensitive adhesive does not adhere to the surface. When a urethane acrylate oligomer is used as the radiation polymerizable compound, it has at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in JP-A-60-19695. As compared with the case where a low molecular weight compound is used, an extremely excellent pressure-sensitive adhesive sheet is obtained. That is, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive sheet before the irradiation is sufficiently large, and the adhesive force is sufficiently reduced after the radiation irradiation, so that the pressure-sensitive adhesive does not remain on the chip surface when the wafer chip is picked up.
[0056]
If necessary, the pressure-sensitive adhesive layer may contain, in addition to the pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound, a compound that is colored by irradiation with radiation. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer by such radiation irradiation, the sheet is colored after the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with radiation, and thus the detection accuracy when detecting a wafer chip by an optical sensor is improved. As a result, malfunction does not occur during wafer chip pickup. Further, there is obtained an effect that whether or not the adhesive sheet has been irradiated can be immediately determined by visual inspection.
[0057]
Preferable specific examples of the compound colored by irradiation with radiation include leuco dye. As the leuco dye, commonly used triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramine-based and spiropyran-based dyes are preferably used. Examples of the developer preferably used together with these leuco dyes include a conventionally used phenol formalin resin initial polymer, an aromatic carboxylic acid derivative, and an electron acceptor such as activated clay, which further changes the color tone. In this case, various known color formers can be used in combination. Such a compound colored by irradiation with radiation may be once dissolved in an organic solvent or the like and then included in the pressure-sensitive adhesive layer, or may be finely powdered and included in the pressure-sensitive adhesive layer. This compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight.
[0058]
<Manufacturing conditions>
The method for producing a base film for processing a semiconductor wafer of the present invention will be described in detail. The polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate film of the present invention is, for example, a film obtained by melt-extruding a resin at a normal extrusion temperature, that is, at a temperature not lower than the melting point (hereinafter referred to as Tm) and not higher than (Tm + 70 ° C.). The melt is quenched on the surface of a rotating cooling drum to obtain an unstretched film having an intrinsic viscosity of 0.45 to 0.90 dl / g. In order to increase the adhesion between the film-like melt and the rotary cooling drum in this step, an electrostatic adhesion method for applying an electrostatic charge to the film-like melt is known. In general, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate has a high electrical resistance of the melt, so that the electrostatic adhesion to the cooling drum may be insufficient. It is preferable to contain 0.1 to 10 mmol% of a quaternary phosphonium sulfonate having an ester-forming functional group, based on all bifunctional carboxylic acid components of naphthalenedicarboxylate.
[0059]
The unstretched film thus obtained is stretched in the longitudinal direction at a temperature of 120 to 170 ° C., more preferably 130 to 160 ° C., at a stretch ratio of 2.8 to 3.5 times, and then in the transverse direction. The film is stretched at a stretching ratio of 2.8 to 3.6 times at a temperature of 120 to 150 ° C., and becomes a biaxially oriented film. In addition, it is preferable to set the transverse stretching ratio to a ratio of about 0.90 to 1.15 times the longitudinal stretching ratio in order to make the thickness variation of the film into a desired range. Further, these stretching may be multi-stage stretching performed in a plurality of stages.
[0060]
The biaxially oriented film thus obtained is preferably heat-set at a temperature of 235 to 255 ° C, more preferably 240 to 250 ° C, for 0.3 to 20 seconds. Thereafter, for the purpose of lowering the heat shrinkage, it is more preferable to perform the heat relaxation treatment in the vertical direction and / or the horizontal direction at a relaxation ratio of 0.5 to 15%. The stretching machine generally facilitates the relaxation in the horizontal direction and the thermal shrinkage in the horizontal direction can easily approach 0%. However, the thermal shrinkage in the vertical direction, particularly, the thermal shrinkage in the vicinity of 200 ° C. It is difficult to make small. As a countermeasure for this, as described above, it is effective to adjust the stretching ratio and the stretching temperature in the longitudinal and transverse directions.
[0061]
Further, in addition to the above-described heat treatment, the polyester film of the present invention is more preferably subjected to a heat treatment after winding. The method of heat treatment after winding is not specified, but a suspension relaxation heat treatment is particularly preferred. The suspension-type relaxation heat treatment method is a method in which a film to be processed is suspended downward by its own weight via a roller placed above, heated in the middle, then turned in a substantially horizontal direction while being cooled by a roller below, and then nipped. One that winds up after winding off the winding tension with a roller is preferred. The hanging distance is preferably about 2 to 10 m. If it is less than 2 m, its own weight is too small to easily impair the flatness, and since the heating range is short, it is very difficult to obtain a relaxation effect. On the other hand, if the hanging distance exceeds 10 m, the workability is poor and the self-weight becomes heavy, so that a desired heat shrinkage rate may not be obtained depending on the position of the heating area.
[0062]
The heat treatment after the film forming step may be performed in the film forming step (relaxation treatment after heat fixing) of the obtained biaxially oriented polyester film if the heat shrinkage at 200 ° C. falls within a desired range. Even if the film is formed and then subjected to relaxation heat treatment after once winding, the treatment method is not particularly limited. A preferred heating method is infrared heating because the film can be heated immediately. The preferred temperature of the relaxation heat treatment is such that the film temperature is 200 to 240 ° C. When the film temperature is lower than 200 ° C., it is difficult to reduce the heat shrinkage at 200 ° C. On the other hand, when the film temperature is higher than 240 ° C., the flatness tends to deteriorate, and when the film temperature is severe, oligomers are precipitated and the film becomes white Sometimes. The whitening depends on the pressure history. For example, when the hanging belt is transported over the film portion of the film roll, even at a temperature of 200 ° C. or lower, the portion in contact with the belt may be whitened. The film temperature can be measured using a non-contact infrared thermometer (for example, a Barnes radiation thermometer). Among these heat treatment methods, the suspension relaxation heat treatment method is preferable to the heat treatment in the film forming process because the heat shrinkage in a wider range of the film can be easily suppressed uniformly.
[0063]
【Example】
(1) Calculation of component amounts (mol ratio of main component, mol ratio of copolymer component) of ethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate
After dissolving the film sample in a measurement solvent (CDCl3: CF3COOD = 1: 1), 1H-NMR measurement is performed, and calculation is performed based on the integration ratio of each obtained signal.
[0064]
(2) Oligomer extraction amount
5 g of a film sample cut out to a width of 5 mm and a length of 20 mm was subjected to an extraction operation in chloroform for 24 hours using a Soxhlet extractor. The weight of the dried film sample was measured, and the oligomer extraction amount K (% by weight) was determined from the weight before extraction W0 (g) and the weight after extraction W1 (g) by the following equation (1).
K = [(W1−W0) / W0] × 100 (1)
[0065]
(3) Refractive index (nz) in the thickness direction of the film
Using an Atsube refractometer (manufactured by Atago Co., Ltd.), the refractive index in the thickness direction (z) of the film was determined at 25 ° C. using a Na-D line.
[0066]
(4) Dynamic friction coefficient (μd)
A stack of two cut films (samples) of 75 mm (width) x 100 mm (length) is placed on top of each other, and a weight of 200 g is placed as a load W (g), and the upper film is slid at a speed of 150 mm / min. The kinetic friction coefficient (μd) is calculated from the force Fd (g) during the operation.
Dynamic friction coefficient = Fd / W
The film is measured after conditioning at 23 ° C. and 65% RH for 24 hours.
[0067]
(5) Difference in heat shrinkage
The film is held in an oven set at a temperature of 200 ° C. in a tension-free state for 10 minutes, and before and after each heat treatment in each of a continuous film forming direction (MD) and a direction perpendicular to the film forming direction (TD). The heat shrinkage S (%) is calculated from the dimensional change by the following equation, and the difference between the heat shrinkage in both directions is calculated.
S = [(L0−L) / L0] × 100
Here, L0: distance between gauge points before heat treatment, L: distance between drift points after heat treatment.
[0068]
(6) Film thickness
Using a micrometer (trade name “K-402B” manufactured by Anritsu Co., Ltd.), measurement was performed at 10 cm intervals in the continuous film forming direction (MD) and the direction perpendicular to the film forming direction (TD) of the film. A total of 300 film thicknesses are measured. The average value of the obtained film thicknesses at 300 locations is calculated to obtain an average film thickness t0 (μm).
[0069]
Further, using an electronic micrometer (trade name "K-312A" manufactured by Anritsu Corporation), a continuous film forming direction (MD) and a direction perpendicular to the film forming direction (MD) at a stylus pressure of 30 g and a running speed of 25 mm / sec. ) Measure over a length of 2 m each to obtain a continuous thickness chart. The maximum thickness t1 (μm) and the minimum thickness t2 (μm) are read from this chart.
[0070]
From the average thickness t0 (μm), the maximum thickness t1 (μm), and the minimum thickness t2 (μm) thus obtained, the thickness variation D (%) is determined by the following equation.
D = [(t1−t2) / t0] × 100
[0071]
(7) Processability of semiconductor wafer
An acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid) was applied to the biaxially oriented polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate film of each of the above Examples and Comparative Examples so as to have a thickness of 14 μm. It was applied to prepare an adhesive sheet. An 8-inch silicon wafer was stuck on the pressure-sensitive adhesive layer of the obtained pressure-sensitive adhesive sheet, and back grinding and tape peeling tests were performed on the wafer. The test conditions were as follows: back grinding temperature: 180 ° C., heat treatment temperature before tape peeling: 150 ° C.
[0072]
[Examples 1 to 3]
The polymer used for film formation was produced as follows. To a mixture of 100 parts of dimethyl 2,6-naphthalenedicarboxylate and 60 parts of ethylene glycol, 0.03 part of manganese acetate tetrahydrate was added, and transesterification was performed while gradually raising the temperature from 150 ° C to 240 ° C. Was. On the way, when the reaction temperature reached 170 ° C., 0.024 parts of antimony trioxide was added, and 0.1% by weight of spherical silica particles having an average particle diameter of 0.6 μm and a particle diameter ratio of 1.1 were added. Then, when the reaction temperature reached 220 ° C., 0.042 parts (corresponding to 2 mmol%) of 3,5-dicarboxybenzenesulfonic acid tetrabutylphosphonium salt was added. Thereafter, a transesterification reaction was subsequently performed, and after the transesterification reaction was completed, 0.023 parts of trimethyl phosphate was added. Next, the reaction product was transferred to a polymerization reactor, the temperature was raised to 290 ° C., a polycondensation reaction was performed under a high vacuum of 0.2 mmHg or less, and the intrinsic viscosity measured with an o-chlorophenol solution at 25 ° C. was 0%. 0.43 dl / g of a polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate polymer (polymer A) and an intrinsic viscosity of 0.69 dl / g of a polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate polymer (polymer B) were obtained. Further, polymer A was subjected to solid-state polymerization to have an intrinsic viscosity of 0.78 dl / g (polymer C).
[0073]
After drying the polymer B at 170 ° C. for 6 hours, it is supplied to an extruder, melted at a melting temperature of 305 ° C., and passed through a slit die having an opening of 1 mm, on a rotating drum having a surface finish of 0.3 S and a surface temperature of 50 ° C. To obtain an unstretched film.
[0074]
The unstretched film thus obtained is stretched 3.0 times in the longitudinal direction (the direction of continuous film formation) at 145 ° C., and then 3.0 times in the transverse direction (the direction perpendicular to the direction of continuous film formation) at 140 ° C. The film is heat-set at 246 ° C. for 5 seconds and shrunk by 4% in the width direction (tow-in). A biaxially oriented PEN film having a thickness of 30 μm and an intrinsic viscosity of 0.59 dl / g is formed into a roll having a width of 1500 mm and a length of 3000 m. Wound up. Then, while the obtained biaxially oriented PEN film is suspended downward by its own weight via a nip roller installed above, while being heated by an infrared heating device so that the film temperature becomes 225 ° C. in the middle, While cooling with a nip roller 4 m below the roller installed in the above, the direction was changed in a substantially horizontal direction, the winding tension was cut off by the nip roller, and the film was wound and subjected to relaxation heat treatment. The relaxation was carried out with a difference in speed between the upper nip roller and the nip roller for interrupting the winding tension.
[0075]
The thus obtained biaxially oriented PEN film after the relaxation heat treatment was used as Example 1. Next, as Example 2, the same operation as in Example 1 was repeated except that Polymer C was used in Example 1, to obtain a biaxially oriented PEN film having a thickness of 50 μm. Further, as Example 3, the same operation as in Example 1 was repeated except that the film was stretched 3.3 times in the longitudinal direction at 145 ° C. and then stretched 3.3 times in the horizontal direction at 140 ° C. And a biaxially oriented PEN film having a thickness of 30 μm. Table 1 shows the property evaluation results of the films of the examples thus obtained. In particular, regarding the wafer workability of the films of these examples, the inside of the adhesive layer coating step and the inside of the semiconductor wafer processing step were not contaminated, and there was no film breakage during tape peeling, and the workability in the production of semiconductor wafers was good. there were.
[0076]
[Comparative Examples 1 to 3]
As Comparative Example 1, the same operation as in Example 1 was repeated except that Polymer A was used in Example 1, and a biaxially oriented PEN film having a thickness of 50 μm was obtained. As Comparative Example 2, the same operation as in Example 3 was performed except that the amount of the inert fine particles contained in the film was set to 0.01% by weight and the heat setting temperature was set to 233 ° C. By repeating this, a biaxially oriented PEN film having a thickness of 30 μm was obtained. Further, as Comparative Example 3, the same operation as in Example 1 was repeated except that the film was stretched 2.7 times in the longitudinal direction at 145 ° C. and then stretched 2.7 times in the transverse direction at 140 ° C. in Example 1. And a biaxially oriented PEN film having a thickness of 30 μm. Table 1 shows the evaluation results of the characteristics of the films of the comparative examples thus obtained. In particular, regarding the wafer processability of these comparative films, oligomer deposition on the film surface, in-process contamination due to chipping of the film, and film tearing at the time of tape peeling occur, which poses a problem in processability in the production of semiconductor wafers. there were.
[0077]
[Table 1]

[0078]
【The invention's effect】
By solving the problems of the prior art by the present invention, it is possible to obtain a base film for semiconductor processing which has excellent processing suitability when used as a substrate for semiconductor wafer processing, particularly, a back grinding tape base or a dicing tape base. it can.

Claims

A biaxially oriented film containing polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate as a main component, wherein the amount of extracted oligomer of the film is 0.8% by weight or less, and the refractive index in the thickness direction of the film is 1.501 or more. A base film for processing a semiconductor wafer, having a ratio of 1.515 or less.

2. The base film for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the dynamic friction coefficient of the film is 0.5 or less.

3. The base film for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein a variation in the thickness of the film is 15% or less.

When the film was heat-treated at 200 ° C. for 10 minutes, the absolute value of the difference between the thermal shrinkage in the in-plane direction of the film and the thermal shrinkage in the direction perpendicular thereto in the in-plane direction of the film was 0. The base film for processing a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 3, wherein the base film is 60% or less.

The base film for processing a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the film is 9 µm or more and 150 µm or less.

The base film for processing a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 5, wherein the film is used as a base material of a back grinding tape.

The base film for processing a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 5, wherein the film is used as a base material of a dicing tape.