JP2022104608A - Mask sheet for QFN semiconductor package - Google Patents

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Abstract

To provide a mask sheet for a QFN semiconductor package with a slipping property between an adhesion layer and a reinforcement layer.SOLUTION: The mask sheet for a QFN semiconductor package comprises a support film 10, an adhesive layer 20 positioned on one face of the support film, and a reinforcement layer 30 positioned on a face of the support film opposite the face where the adhesive layer is positioned. The slip friction force of the reinforcement layer with respect to the adhesive layer is 700 gf/50 mm or less, and the mask sheet has an effect of preventing generation of bubbles and wrinkles regardless of long-term rolled storage.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ）半導体パッケージ用マスクシートに関し、かつ、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ）半導体パッケージ用マスクシートを用いたリードフレームと半導体パッケージに関する。 The present invention relates to a mask sheet for a QFN (Quad Flat Non-led) semiconductor package, and relates to a lead frame and a semiconductor package using a mask sheet for a QFN (Quad Flat Non-readed) semiconductor package.

過去から現在まで、パーソナルコンピュータの開発によりリードされてきた半導体技術は、主に半導体回路の集積化に重点を置いたが、最近、モバイル（Ｍｏｂｉｌｅ）によって求められている電子部品の軽薄短小化の傾向に伴い、半導体技術は、半導体パッケージの小型化と薄型化による集積度の向上に注力している実情であり、このため半導体装置の製造工程も変化しつつある。 From the past to the present, semiconductor technology, which has been led by the development of personal computers, has mainly focused on the integration of semiconductor circuits, but recently, the miniaturization of electronic components required by mobile has been achieved. Along with this trend, semiconductor technology is focusing on improving the degree of integration by downsizing and thinning semiconductor packages, and for this reason, the manufacturing process of semiconductor devices is also changing.

かかる例として、ＱＦＮ、Ｓｔａｃｋｅｄ ＣＳＰ、ＷＬＰ、Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂａｒｅ Ｄｉｅ、Ｆｉｎｅ－Ｐｉｔｃｈ ＢＧＡ、ＭＣＰ、ＭＩＳ ｐａｃｋａｇｅ等の軽薄短小及び高付加価値パッケージング技術が今後、市場を主導すると展望されている。 As such examples, light, thin, short and small and high value-added packaging technologies such as QFN, Stacked CSP, WLP, Flip Chip Barre Die, Fine-Pitch BGA, MCP, and MIS package are expected to lead the market in the future.

このうち、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の一種であり、その大きさが小さく、基板上の接続面積を減らして、多くの搭載量を可能にすることで、最終は、ボードの空間を最大化させる効果を有しているが、その構造上、下部に電気接続部が露出している状態でパッケージング工程が行われなければならないため、製造工程で露出部位をマスクシートでマスキングする工程を必ず要する。 Of these, QFN (Quad Flat Non-Lead Package) is a type of CSP (Chip Structure Package), which is small in size, reduces the connection area on the board, and enables a large loading capacity. Finally, it has the effect of maximizing the space of the board, but due to its structure, the packaging process must be performed with the electrical connection part exposed at the bottom, so it is exposed in the manufacturing process. A process of masking the part with a mask sheet is always required.

このようなＱＦＮ半導体パッケージの製造方法は、次記の順序を含む。 Such a method for manufacturing a QFN semiconductor package includes the following order.

先ず、リードフレームの一方の面にマスクシートを付着させた後、リードフレーム上に形成された半導体素子搭載部（ダイパッド又はリードパッド）に半導体チップを個別に搭載する。 First, a mask sheet is attached to one surface of the lead frame, and then semiconductor chips are individually mounted on a semiconductor element mounting portion (die pad or lead pad) formed on the lead frame.

そして、リードフレームをプラズマ処理した後、リードフレームの各半導体チップ搭載部の周りに配列されたリードと半導体チップをボンディングワイヤによって電気的に連結する。 Then, after plasma processing the lead frame, the leads arranged around the semiconductor chip mounting portions of the lead frame and the semiconductor chips are electrically connected by bonding wires.

次に、リードフレームに搭載された前記半導体チップを密封樹脂で封止する。 Next, the semiconductor chip mounted on the lead frame is sealed with a sealing resin.

リードフレームからマスクシートを剥離して、ＱＦＮパッケージが配列されたＱＦＮユニットを形成する。 The mask sheet is peeled off from the lead frame to form a QFN unit in which the QFN package is arranged.

ＱＦＮユニットを各ＱＦＮパッケージの外周に沿ってソーイング（Ｓａｗｉｎｇ）することで、個別ＱＦＮ半導体パッケージを製造することになる。 By sewing the QFN unit along the outer circumference of each QFN package, an individual QFN semiconductor package is manufactured.

このように、ＱＦＮ半導体パッケージの製造にはマスクシートが必ず使用されるが、前記マスクシートは、ＱＦＮ半導体パッケージの製造過程に伴う高熱とプラズマ処理過程に耐えられる物性を有しなければならない。 As described above, a mask sheet is always used for manufacturing a QFN semiconductor package, but the mask sheet must have physical characteristics that can withstand the high heat and plasma processing process associated with the manufacturing process of the QFN semiconductor package.

のみならず、前記マスクシートは、長期間巻き取って保管されるのが通常である。マスクシートを巻き取るとき、粘着層と支持フィルムとが互いにスリップ（ｓｌｉｐ）するこそ、良好に巻き取られ、長期間保管にもマスクシートの物性が低下しない。しかし、特に、補強層を備えた支持フィルムを用いたマスクシートの場合、マスクシートを巻き取るとき、粘着層と補強層とが互いにスリップせずに引っ付く性質があり、マスクシートに気泡又はシワが生じる問題点がある。 Not only that, the mask sheet is usually wound and stored for a long period of time. When the mask sheet is wound, the adhesive layer and the support film slip each other, so that the mask sheet is wound well and the physical properties of the mask sheet do not deteriorate even after long-term storage. However, in particular, in the case of a mask sheet using a support film provided with a reinforcing layer, when the mask sheet is wound up, the adhesive layer and the reinforcing layer have a property of sticking to each other without slipping, and bubbles or wrinkles are formed on the mask sheet. There is a problem that occurs.

これによって、ＱＦＮ半導体パッケージの製造過程に伴う高熱とプラズマ処理過程に耐えられる物性を有し、かつ、長期間巻き取って保管されるにもかかわらず、耐久性及び物性の劣化しないＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートが求められる。 As a result, it has physical properties that can withstand the high heat and plasma treatment process associated with the manufacturing process of QFN semiconductor packages, and is for QFN semiconductor packages that do not deteriorate in durability and physical properties even though they are wound and stored for a long period of time. A mask sheet is required.

本発明は、上述した技術的問題点を解決するために、接着層と補強層との間にスリップ性を付与したＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a mask sheet for a QFN semiconductor package in which a slip property is imparted between an adhesive layer and a reinforcing layer in order to solve the above-mentioned technical problems.

また本発明は、ＱＦＮ半導体パッケージの製造過程に伴う高熱とプラズマ処理過程に耐えられる物性を有するＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートを提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide a mask sheet for a QFN semiconductor package having physical properties that can withstand the high heat and plasma processing process associated with the manufacturing process of the QFN semiconductor package.

また本発明は、前記マスクシートを備えたリードフレームとＱＦＮ半導体パッケージを提供することを目的とする。 Another object of the present invention is to provide a lead frame provided with the mask sheet and a QFN semiconductor package.

上記課題を解決すべく本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートは、支持フィルム、前記支持フィルムの片面に位置した粘着層、前記支持フィルムの前記粘着層が位置した面とは反対側の面に位置した補強層、とを含み、前記粘着層に対する前記補強層のスリップ摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍ以下であることを構成的特徴とする。 In order to solve the above problems, the mask sheet for a QFN semiconductor package according to the present invention is located on a support film, an adhesive layer located on one side of the support film, and a surface of the support film opposite to the surface on which the adhesive layer is located. It is a structural feature that the slip friction force of the reinforcing layer with respect to the adhesive layer is 700 gf / 50 mm or less.

本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートは、前記粘着層と補強層のスリップ性が改善して、マスクシートが長期間巻き取って保管されるにもかかわらず、耐久性や物性の劣化しない優れた効果を有する。 The mask sheet for QFN semiconductor package according to the present invention has improved slipperiness between the adhesive layer and the reinforcing layer, and is excellent in durability and physical properties even though the mask sheet is wound and stored for a long period of time. Has an effect.

また、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートは、ＱＦＮ半導体パッケージの製造過程に伴う高熱とプラズマ処理過程にもかかわらず、物性の劣化しない優れた効果を有する。 Further, the mask sheet for a QFN semiconductor package according to the present invention has an excellent effect that the physical properties do not deteriorate despite the high heat and plasma treatment process associated with the manufacturing process of the QFN semiconductor package.

本発明の一実施例によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシートを示した断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a mask sheet for a QFN semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

前述した目的、特徴及び長所は、詳細に後述され、これによって、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる。本発明の説明において、本発明に係る公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には詳細な説明を省略する。以下では、本発明による好ましい実施例を詳説することとする。 The above-mentioned objectives, features and advantages will be described in detail later, whereby a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs can easily carry out the technical idea of the present invention. In the description of the present invention, if it is determined that the specific description of the publicly known technique according to the present invention obscures the gist of the present invention, detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

本発明は、以下に開示する実施例に限定されるものではなく、相異する様々な形態に具現することができる。ただし、本実施例は、本発明の開示を完全にして、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。 The present invention is not limited to the examples disclosed below, and can be embodied in various different forms. However, the present embodiment is provided in order to complete the disclosure of the present invention and to fully inform a person having ordinary knowledge of the scope of the invention.

以下、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート、及びこれを含むリードフレームと半導体パッケージについて詳説することとする。 Hereinafter, the mask sheet for a QFN semiconductor package according to the present invention, and the lead frame and the semiconductor package including the mask sheet will be described in detail.

＜ＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート＞
図１を参照すると、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、支持フィルム１０、前記支持フィルム１０の片面に位置した粘着層２０、前記支持フィルムの前記粘着層が位置した面とは反対側の面に位置した補強層３０、とを含む積層構造を有する。さらに、前記積層構造は、半導体パッケージにそのまま適用される。 <Mask sheet for QFN semiconductor package>
Referring to FIG. 1, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention has a support film 10, an adhesive layer 20 located on one side of the support film 10, and a side opposite to the surface of the support film on which the adhesive layer is located. It has a laminated structure including a reinforcing layer 30 located on the surface of the surface. Further, the laminated structure is directly applied to the semiconductor package.

特に、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、前記粘着層２０に対する補強層３０のスリップ摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍ以下である。 In particular, in the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention, the slip friction force of the reinforcing layer 30 with respect to the adhesive layer 20 is 700 gf / 50 mm or less.

ここで、前記スリップ摩擦力は、粘着層上に補強層を位置させた後、その上に１ｋｇの重りを上げて、前記補強層に水平力を加え、前記粘着層から前記補強層がスリップ（ｓｌｉｐ）する力と定義する。 Here, the slip friction force is such that after the reinforcing layer is positioned on the adhesive layer, a weight of 1 kg is raised on the reinforcing layer, a horizontal force is applied to the reinforcing layer, and the reinforcing layer slips from the adhesive layer ( It is defined as the force to slip).

本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、スリップ摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍ以下に相当し、マスクシートを巻き取るとき、粘着層と補強層との間に適宜なスリップ現象によって気泡やシワが発生しない。前記スリム摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍを超える場合は、粘着層と補強層とが互いにスリップせずに引っ付くため、気泡やシワの発生する確率が非常に高い問題がある。 The mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention has a slip friction force corresponding to 700 gf / 50 mm or less, and when the mask sheet is wound, bubbles and wrinkles are generated between the adhesive layer and the reinforcing layer due to an appropriate slip phenomenon. do not do. When the slim frictional force exceeds 700 gf / 50 mm, the adhesive layer and the reinforcing layer stick to each other without slipping, so that there is a problem that the probability of bubbles and wrinkles is very high.

前述したように、図１を参照すると、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、支持フィルム１０とその上に位置した粘着層２０と、前記支持フィルム１０の下面に位置した補強層３０とを含む。 As described above, referring to FIG. 1, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention includes a support film 10, an adhesive layer 20 located on the support film 10, and a reinforcing layer 30 located on the lower surface of the support film 10. including.

先ず、支持フィルム１０について説明する。前記支持フィルム１０は、特に制限されるものではなく、耐熱性樹脂フィルムを用いることができる。耐熱性樹脂フィルムは、２００℃以上の高温条件で劣化しない長所がある。また、前記支持フィルム１０のガラス転移温度（Ｔｇ）は、耐熱性向上の観点から、２００℃以上であるのが好ましい。 First, the support film 10 will be described. The support film 10 is not particularly limited, and a heat-resistant resin film can be used. The heat-resistant resin film has an advantage that it does not deteriorate under high temperature conditions of 200 ° C. or higher. Further, the glass transition temperature (Tg) of the support film 10 is preferably 200 ° C. or higher from the viewpoint of improving heat resistance.

前記耐熱性樹脂フィルムは、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリスルホン、芳香族ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリアリレート、芳香族ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート等を用いることができる。 The heat-resistant resin film includes aromatic polyimide, aromatic polyamide, aromatic polyamideimide, aromatic polysulfone, aromatic polyethersulfone, polyphenylene sulfide, aromatic polyetherketone, polyallylate, aromatic polyetheretherketone, and polyethylene. Naphthalate, polyethylene terephthalate and the like can be used.

より好ましくは、前記支持フィルム１０は、耐熱性を有し、かつ粘着層に対する密着性をより向上することができる点から、ポリイミドフィルムを用いることができる。前記ポリイミドフィルムは、プラズマ処理、コロナ処理、プライマー処理等の高密着処理されていてもよい。前記支持フィルム１０は、粘着層２０に対する密着性が低い場合、リードフレーム及び封止層からマスクシート１００を除去した際、前記粘着層２０と支持フィルム１０との界面で剥離が生じて、リードフレーム及び封止層側に粘着層２０が残留する問題がある。よって、支持フィルム１０は、粘着層２０に対する密着性が十分に高いことが好ましい。 More preferably, the support film 10 can be a polyimide film because it has heat resistance and can further improve the adhesion to the adhesive layer. The polyimide film may be subjected to high adhesion treatment such as plasma treatment, corona treatment, and primer treatment. When the support film 10 has low adhesion to the adhesive layer 20, when the mask sheet 100 is removed from the lead frame and the sealing layer, peeling occurs at the interface between the adhesive layer 20 and the support film 10, and the lead frame And there is a problem that the adhesive layer 20 remains on the sealing layer side. Therefore, it is preferable that the support film 10 has sufficiently high adhesion to the adhesive layer 20.

支持フィルム１０の厚さは、特に制限されないが、リードフレームの残留応力を低減するために、５μｍ～５０μｍであってもよい。 The thickness of the support film 10 is not particularly limited, but may be 5 μm to 50 μm in order to reduce the residual stress of the lead frame.

次に、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００に含まれる粘着層２０について説明する。 Next, the adhesive layer 20 included in the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention will be described.

前記粘着層２０の成分が制限されるものではないが、主成分として熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。 The component of the adhesive layer 20 is not limited, but a thermoplastic resin may be contained as the main component.

特に、前記粘着層２０は、アミド基（－ＮＨＣＯ－）、エステル基（－ＣＯ－Ｏ－）、イミド基（－ＮＲ２、但し、Ｒはそれぞれ－ＣＯ－である。）、エーテル基（－Ｏ－）又はスルホン基（－ＳＯ２－）を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。より具体的に、前記粘着層２０は、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエステル、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミドイミド、芳香族ポリエーテル、芳香族ポリエーテルアミドイミド、芳香族ポリエーテルアミド、芳香族ポリエステルイミド、及び芳香族ポリエーテルイミド等を含んでいてもよい。 In particular, the adhesive layer 20 has an amide group (-NHCO-), an ester group (-CO-O-), an imide group (-NR2, where R is -CO-, respectively), and an ether group (-O). -) Or a thermoplastic resin having a sulfone group (-SO2-) may be contained. More specifically, the adhesive layer 20 is composed of aromatic polyamide, aromatic polyester, aromatic polyimide, aromatic polyamideimide, aromatic polyether, aromatic polyetheramideimide, aromatic polyetheramide, and aromatic polyesterimide. , And aromatic polyetherimide and the like may be contained.

好ましくは、前記粘着層２０は、スリップ性等を改善する観点から、イミド基（－ＮＲ２、但し、Ｒはそれぞれ－ＣＯ－である。）を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。 Preferably, the adhesive layer 20 may contain a thermoplastic resin having an imide group (-NR2, where R is -CO-, respectively) from the viewpoint of improving slipperiness and the like.

上述した熱可塑性樹脂は、いずれも塩基成分である芳香族ジアミン又はビスフェノール等と、酸成分であるジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸、あるいは芳香族塩化物、又はこれらの反応性誘導体を重縮合させて製造することができる。すなわち、アミンと酸の反応に使用されている通常の方法により行うことができ、多くの条件等についても特に制限はない。芳香族ジカルボン酸、芳香族トリカルボン酸、又はこれらの反応性誘導体とジアミンの重縮合反応については、通常の方法が使用される。 The above-mentioned thermoplastic resin is a polycondensation of an aromatic diamine or bisphenol, which is a basic component, with an acid component, a dicarboxylic acid, a tricarboxylic acid, a tetracarboxylic acid, an aromatic chloride, or a reactive derivative thereof. Can be manufactured. That is, it can be carried out by the usual method used for the reaction between an amine and an acid, and there are no particular restrictions on many conditions and the like. For aromatic dicarboxylic acids, aromatic tricarboxylic acids, or polycondensation reactions of diamines with these reactive derivatives, conventional methods are used.

より具体的に、本発明の粘着層２０に含まれるイミド基を有する熱可塑性樹脂を製造するために、テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリト酸二無水物（ＰＭＤＡ）、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、ビフェニル－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、ベンゾフェノン－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、ジフェニルスルホン－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４，４’－（２，２’－ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジフタル酸二無水物（６ＦＤＡ）、ｍ（ｐ）－テルフェニル－３，４，３’，４’－テトラカルボン酸二無水物、シクロブタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸二無水物（ＣＢＤＡ）、１－カルボキシジメチル－２，３，５－シクロペンタントリカルボン酸－２，６，３，５－二無水物（ＴＣＡＡＨ）、シクロヘキサン－１，２，４，５－テトラカルボン酸二無水物（ＣＨＤＡ）、ブタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸二無水物（ＢｕＤＡ）、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物（ＣＰＤＡ）、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロフリル）－３－メチルシクロヘキサン－１，２－ジカルボン酸二無水物（ＤＯＣＤＡ）、４－（２，５－ジオキソテトラヒドロフリル－３－イル）－テトラリン－１，２－ジカルボン酸二無水物（ＤＯＴＤＡ）、ビシクロオクテン－２，３，５，６－テトラカルボン酸二無水物（ＢＯＤＡ）、ナフタレン－１，４，５，８－テトラカルボン酸二無水物（ＮＴＤＡ）等から選択されるテトラカルボン酸二無水物を１種又は２種以上用いることができる。 More specifically, in order to produce a thermoplastic resin having an imide group contained in the pressure-sensitive adhesive layer 20 of the present invention, the tetracarboxylic acid dianhydride includes pyromerylic acid dianhydride (PMDA) and oxydiphthalic acid dianhydride. (ODPA), biphenyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid dianhydride (BPDA), benzophenone-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid dianhydride (BTDA), diphenylsulfone -3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid dianhydride (DSDA), 4,4'-(2,2'-hexafluoroisopropylidene) diphthalic acid dianhydride (6FDA), m (p) -Terphenyl-3,4,3', 4'-tetracarboxylic acid dianhydride, cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid dianhydride (CBDA), 1-carboxydimethyl-2,3 5-Cyclopentanetricarboxylic acid-2,6,3,5-2 anhydride (TCAAH), cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride (CHDA), butane-1,2,3 4-Tetracarboxylic acid dianhydride (BuDA), 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid dianhydride (CPDA), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methylcyclohexane- 1,2-Dicarboxylic acid dianhydride (DOCDA), 4- (2,5-dioxotetrahydrofuryl-3-yl) -tetralin-1,2-dicarboxylic acid dianhydride (DOTDA), bicyclooctene-2, One or more tetracarboxylic acid dianhydride selected from 3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride (BODA), naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride (NTDA) and the like. Two or more types can be used.

一方、さらに他の単量体である芳香族ジアミンとしては、シロキサン誘導体、２’－（メタクリロイルオキシ）エチル３，５－ジアミノ安息香酸、３，５－ジアミノベンゼンシンナマート、クマロニル３，５－ジアミノ安息香酸の中から選択される１種又は２種以上の感光性機能基を含有する芳香族ジアミンを必須成分として用いる。 On the other hand, as the aromatic diamine which is still another monomer, a siloxane derivative, 2'-(methacryloyloxy) ethyl 3,5-diaminobenzoic acid, 3,5-diaminobenzene cinnamate, kumaronyl 3,5-diamino An aromatic diamine containing one or more photosensitive functional groups selected from benzoic acid is used as an essential component.

また本発明は、上記したジアミン単量体のほかも、該当分野における通常使用されてきた芳香族ジアミン単量体、例えば、パラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）、メタフェニレンジアミン（ＭＰＤ）、２，４－トルエンジアミン（ＴＤＡ）、４，４’－ジアミノジフェニルメタン（ＭＤＡ）、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＰＥ）、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル（３，４’－ＤＰＥ）、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＢ）、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ｍ－ＴＢ）、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）、３，７－ジアミノ－ジメチルジベンゾチオフェン－５，５－ジオキシド（ＴＳＮ）、４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ＢＴＤＡ）、３，３’－ジアミノベンゾフェノン（３，３’－ＢＴＤＡ）、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド（ＡＳＤ）、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン（ＡＳＮ）、４，４’－ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、１，ｎ－（４－アミノフェノキシ）アルカン（ＤＡｎＭＧ）、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）２，２－ジメチルプロパン（ＤＡＮＰＧ）、１，２－ビス［２－（４－アミノフェノキシ）エトキシ］エタン（ＤＡ３ＥＧ）、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）、５（６）－アミノ－１－（４－アミノメチル）－１，３，３－トリメチルインダン（ＰＩＤＮ）、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｑ）、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｒ）、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、４，４’－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ－Ｍ）、２，２－ビス[4-（４－アミノフェノキシ）フェニル]プロパン（ＢＡＰＰ）、２，２－ビス（３－アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ－Ｍ）、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ－Ｍ）、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）、３，３’－ジカルボキシ－４，４’－ジアミノジフェニルメタン（ＭＢＡＡ）、４，６－ジヒドロキシ－１，３－フェニレンジアミン（ＤＡＤＨＢ）、３，３’－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）、３，３’，４，４’－テトラアミノビフェニル（ＴＡＢ）、１，６－ジアミノヘキサン（ＨＭＤ）、１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルシロキサン、１－アミノ－３－アミノメチル－３，５，５－トリメチルシクロヘキサン（ＤＡＩＰ）、４，４’－メチレンビス（４－シクロヘキシルアミン）（ＤＣＨＭ）、１，４－アミノシクロヘキサン（ＤＡＣＨ）、ビシクロ［２，２，１］ヘプタンビス（メチルアミン）（ＮＢＤＡ）、トリシクロ［３，３，１，１３，７］デカン－１，３－ジアミン、４－アミノ安息香酸－４－アミノフェニルエーテル（ＡＰＡＢ）、２－（４－アミノフェニル）－５－アミノベンゾオキサゾール（５ＡＢＯ）、９，９－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）フルオレン（ＢＡＯＦＬ）、２，２－ビス（３－ビス（３－スルホプロポキシ）－４，４’－ジアミノビフェニル（３，３’－ＢＳＰＢ）、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル－３，３’－ジスルホン酸（ｐＢＡＰＢＤＳ）、ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＤＡ）、５－ジアミノ安息香酸、２，４－ジアミノベンゼンスルホン酸、２，５－ジアミノベンゼンスルホン酸、２，２－ジアミノベンゼンジスルホン酸等から選択された１種又は２種以上のジアミン単量体を用いることができる。 In addition to the above-mentioned diamine monomers, the present invention also comprises aromatic diamine monomers commonly used in the art, such as paraphenylenediamine (PPD), metaphenylenediamine (MPD), 2,4-. Toluenediamine (TDA), 4,4'-diaminodiphenylmethane (MDA), 4,4'-diaminodiphenyl ether (DPE), 3,4'-diaminodiphenyl ether (3,4'-DPE), 3,3'-dimethyl -4,4'-diaminobiphenyl (TB), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diamino Biphenyl (TFMB), 3,7-diamino-dimethyldibenzothiophene-5,5-dioxide (TSN), 4,4'-diaminobenzophenone (BTDA), 3,3'-diaminobenzophenone (3,3'-BTDA) , 4,4'-Diaminodiphenylsulfide (ASD), 4,4'-diaminodiphenylsulfone (ASN), 4,4'-diaminobenzanilide (DABA), 1,n- (4-aminophenoxy) alkane (DAnMG) ), 1,3-Bis (4-aminophenoxy) 2,2-dimethylpropane (DAMPG), 1,2-bis [2- (4-aminophenoxy) ethoxy] ethane (DA3EG), 9,9-bis ( 4-aminophenyl) fluorene (FDA), 5 (6) -amino-1- (4-aminomethyl) -1,3,3-trimethylindan (PIDN), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), 4,4'-bis (4-amino) Phenoxy) Biphenyl (BABP), 4,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl (BABP-M), 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), 2,2 -Bis (3-aminophenoxyphenyl) propane (BAPP-M), bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS), bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone (BAPS-M) ), 2,2-Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane (HFBAPP), 3,3'-dicarboxy-4,4'-diaminodiphenylmethane (MBAA), 4,6-dihydro Roxy-1,3-phenylenediamine (DADHB), 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl (HAB), 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (6FAP) ), 3,3', 4,4'-tetraaminobiphenyl (TAB), 1,6-diaminohexane (HMD), 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetra Methylsiloxane, 1-amino-3-aminomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexane (DAIP), 4,4'-methylenebis (4-cyclohexylamine) (DCHM), 1,4-aminocyclohexane (DACH), Bicyclo [2,2,1] heptambis (methylamine) (NBDA), tricyclo [3,3,1,13,7] decane-1,3-diamine, 4-aminobenzoic acid-4-aminophenyl ether (APAB) ), 2- (4-Aminophenyl) -5-aminobenzoxazole (5ABO), 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) fluorene (BAOFL), 2,2-bis (3-bis) (3-sulfopropoxy) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-BSPB), 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl-3,3'-disulfonic acid (pBABPDS), bis ( 4-Aminophenyl) Hexafluoropropane (HFDA), 5-diaminobenzoic acid, 2,4-diaminobenzenesulfonic acid, 2,5-diaminobenzenesulfonic acid, 2,2-diaminobenzenedisulfonic acid and the like selected from 1 Seeds or two or more diamine monomers can be used.

さらに、前記粘着層２０は、必要に応じて、無機フィラー等、追加成分をさらに含んでいてもよいことは勿論である。 Further, it goes without saying that the adhesive layer 20 may further contain additional components such as an inorganic filler, if necessary.

また、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００に含まれる粘着層２０は、２３０℃～２５０℃でプレス後、接着力が５ｇｆ／２５ｍｍ以上６００ｇｆ／２５ｍｍ以下であるのが好ましい。前記プレス後、接着力が５ｇｆ／２５ｍｍ未満である場合、移動又は装備ローディング等の取り扱い中、マスクシートがリードフレームから引き剥がされやすい問題点があり、６００ｇｆ／２５ｍｍを超える場合、最終工程でマスクシートを引き剥がす場合、良好に引き剥がされるか糊残りが多く残り得る問題点がある。 Further, the adhesive layer 20 included in the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention preferably has an adhesive strength of 5 gf / 25 mm or more and 600 gf / 25 mm or less after being pressed at 230 ° C. to 250 ° C. After the pressing, if the adhesive force is less than 5 gf / 25 mm, there is a problem that the mask sheet is easily peeled off from the lead frame during handling such as movement or equipment loading, and if it exceeds 600 gf / 25 mm, the mask is masked in the final step. When the sheet is peeled off, there is a problem that the sheet may be peeled off well or a large amount of adhesive residue may remain.

ここで、前記接着力は、前記マスクシート１００がリードフレーム及び封止層に対する接着力を意味し、熱処理による封止工程後の接着力を意味する。 Here, the adhesive force means the adhesive force of the mask sheet 100 to the lead frame and the sealing layer, and means the adhesive force after the sealing step by heat treatment.

また、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００に含まれる粘着層２０は、常温での貼り付け性が維持されるために、ガラス転移温度が１００～２５０℃であるのが好ましい。ここで、前記ガラス転移温度の測定方法が特に限定されるものではないが、一般に示差走査熱量測定、示差熱測定、動的粘弾性測定、又は熱機械分析により測定される値を意味する。 Further, the pressure-sensitive adhesive layer 20 included in the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention preferably has a glass transition temperature of 100 to 250 ° C. in order to maintain the adhesiveness at room temperature. Here, the method for measuring the glass transition temperature is not particularly limited, but generally means a value measured by differential scanning calorimetry, differential heat measurement, dynamic viscoelasticity measurement, or thermomechanical analysis.

次に、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００に含まれる補強層３０について説明する。 Next, the reinforcing layer 30 included in the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention will be described.

前記補強層３０は特に制限されないが、上述した粘着層２０と同様の成分に製造することができる。 The reinforcing layer 30 is not particularly limited, but can be manufactured with the same components as the adhesive layer 20 described above.

但し、特に本発明による補強層３０は、粘着層２０とのスリップ性を改善するために、無機粒子を０．１～５重量％含むのが好ましい。前記無機粒子が０．１重量％未満に補強層３０に含まれる場合、スリップ性を改善する効果が弱い問題がある。逆に、前記無機粒子を５重量％超えて補強層３０に含むと、スリップ性を改善する効果は良くなるものの、却って補強層としての機能が制限され得る。スリップ摩擦力を改善する観点から、前記無機粒子は、前記補強層３０に０．５～３重量％含まれるのが特に好ましい。 However, in particular, the reinforcing layer 30 according to the present invention preferably contains 0.1 to 5% by weight of inorganic particles in order to improve the slip property with the adhesive layer 20. When the inorganic particles are contained in the reinforcing layer 30 in an amount of less than 0.1% by weight, there is a problem that the effect of improving the slip property is weak. On the contrary, when the inorganic particles are contained in the reinforcing layer 30 in an amount of more than 5% by weight, the effect of improving the slip property is improved, but the function as the reinforcing layer may be rather limited. From the viewpoint of improving the slip frictional force, it is particularly preferable that the reinforcing layer 30 contains 0.5 to 3% by weight of the inorganic particles.

前記無機粒子は、特に制限されないが、フュームドシリカのような無機粒子を用いることができ、前記無機粒子の粒子サイズは、スリップ性を改善する観点から５ｎｍ～３０ｎｍであるのが好ましい。 The inorganic particles are not particularly limited, but inorganic particles such as fumed silica can be used, and the particle size of the inorganic particles is preferably 5 nm to 30 nm from the viewpoint of improving slipperiness.

次に、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、２３０℃で弾性率が５ＭＰａ以上であるのが好ましい。前記弾性率は、２３０℃で測定された固体せん断弾性率を意味する。前記弾性率が５ＭＰａ以上であることによって、本発明によるマスクシート１００は、封止工程後、リードフレーム及び封止層に対する糊残りの発生が抑制される。ここで、前記弾性率は、５ｍｍ×８ｍｍサイズを有するマスクシートの試験片を固体せん断測定ジグにセットし、動的粘弾性測定装置（例として、ユービーエム株式会社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００）を用いて測定することができる。 Next, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention preferably has an elastic modulus of 5 MPa or more at 230 ° C. The elastic modulus means a solid shear elastic modulus measured at 230 ° C. When the elastic modulus is 5 MPa or more, the mask sheet 100 according to the present invention suppresses the generation of adhesive residue on the lead frame and the sealing layer after the sealing step. Here, for the elastic modulus, a test piece of a mask sheet having a size of 5 mm × 8 mm is set in a solid shear measurement jig, and a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, Rheogel-E4000 manufactured by UBM Co., Ltd.) is used. Can be measured.

さらに、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、５％重量損失温度が４００℃以上であるのが好ましい。これによって、本発明によるマスクシート１００は、アウトガス量が減少し、ワイヤボンド性が一層良好なものとなる。前記５％重量損失温度は、示差熱天秤（例えば、セイコーインスツル株式会社製、ＳＳＣ５２００型）を用いて昇温速度１０℃／分、空気雰囲気下の条件で測定することができる。 Further, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention preferably has a 5% weight loss temperature of 400 ° C. or higher. As a result, the mask sheet 100 according to the present invention has a reduced amount of outgas and has better wire bondability. The 5% weight loss temperature can be measured using a differential heat balance (for example, SSC5200 type manufactured by Seiko Instruments Inc.) at a heating rate of 10 ° C./min under the condition of an air atmosphere.

さらに、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、前記粘着層２０の前記支持フィルム１０が位置した面とは反対側の面に保護フィルム（不図示）をさらに含んでいてもよい。前記保護フィルムは、特に制限されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いるのが好ましくて、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムは、離型層を有し得る。前記保護フィルムの厚さは、１０μｍ～１００μｍ以下であってもよい。 Further, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention may further contain a protective film (not shown) on the surface of the adhesive layer 20 opposite to the surface on which the support film 10 is located. The protective film is not particularly limited, but it is preferable to use a polyethylene terephthalate film, and the polyethylene terephthalate film may have a release layer. The thickness of the protective film may be 10 μm to 100 μm or less.

以上、説明した本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、前記粘着層と補強層のスリップ性が改善し、マスクシートが長期間巻き取って保管されるにもかかわらず、耐久性や物性の劣化しない優れた効果を有する。 The mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention described above has improved slipperiness between the adhesive layer and the reinforcing layer, and is durable and has physical properties even though the mask sheet is wound and stored for a long period of time. It has an excellent effect that does not deteriorate.

また、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート１００は、ＱＦＮ半導体パッケージの製造過程に伴う高熱とプラズマ処理過程にもかかわらず、物性の劣化しない優れた効果を有する。 Further, the mask sheet 100 for a QFN semiconductor package according to the present invention has an excellent effect that the physical properties do not deteriorate despite the high heat and plasma treatment process associated with the manufacturing process of the QFN semiconductor package.

＜リードフレーム及びＱＦＮ半導体パッケージ＞
以下では、本発明によるリードフレーム及びＱＦＮ半導体パッケージについて詳説する。 <Lead frame and QFN semiconductor package>
Hereinafter, the lead frame and the QFN semiconductor package according to the present invention will be described in detail.

本発明によるリードフレームは、ダイパッド及びインナーリードを含むリードフレームと、本発明によるマスクシート１００とを備えて、前記マスクシート１００は、前記粘着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けた構成を有する。 The lead frame according to the present invention includes a lead frame including a die pad and an inner lead, and a mask sheet 100 according to the present invention. The mask sheet 100 includes the lead frame so that the adhesive layer is in contact with one side of the lead frame. It has a structure pasted on.

さらに、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージは、ダイパッド及びインナーリードを含むリードフレーム、前記ダイパッドに搭載した半導体素子、前記半導体素子と前記インナーリードを接続するワイヤ、前記半導体素子及び前記ワイヤを封止している封止層、本発明によるマスクシート１００、とを備えて、前記マスクシートは、前記接着層が前記リードフレームの前記半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている構成を有する。 Further, the QFN semiconductor package according to the present invention seals a lead frame including a die pad and an inner lead, a semiconductor element mounted on the die pad, a wire connecting the semiconductor element and the inner lead, the semiconductor element and the wire. The mask sheet is provided with the sealing layer and the mask sheet 100 according to the present invention, and the mask sheet is attached to a surface of the lead frame opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted. Has a configuration that

本発明による半導体パッケージは、ダイパッド及びインナーリードを有するリードフレームの裏面にマスクシート１００を前記接着層２０によって貼り付ける工程と、ダイパッドの他面上に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームをプラズマクリーニングする工程と、半導体素子とインナーリードを接続するワイヤを設ける工程と、半導体素子及びワイヤを封止する封止層を形成して、リードフレーム、半導体素子及び封止層を含む半導体パッケージを製造する工程と、前記半導体パッケージからマスクシート１００を剥離する工程によって製造される。 The semiconductor package according to the present invention includes a step of attaching a mask sheet 100 to the back surface of a lead frame having a die pad and an inner lead by the adhesive layer 20, a step of mounting a semiconductor element on the other surface of the die pad, and the lead frame. A step of plasma cleaning, a step of providing a wire connecting the semiconductor element and the inner lead, and a sealing layer for sealing the semiconductor element and the wire are formed to form a semiconductor package including the lead frame, the semiconductor element and the sealing layer. It is manufactured by a step of manufacturing and a step of peeling the mask sheet 100 from the semiconductor package.

リードフレームにマスクシートを貼り付ける工程は、高温（例えば、１５０～２００℃）でプレスすることによって行うことができる。 The step of attaching the mask sheet to the lead frame can be performed by pressing at a high temperature (for example, 150 to 200 ° C.).

前記リードフレームの材質は、特に制限されないが、例えば、鉄系合金、銅又は銅系合金等が用いられてもよい。銅及び銅系合金を用いる場合、前記リードフレームの表面にパラジウム、金、銀等の被覆処理されていてもよい。封止材との密着力を向上させるために、リードフレームの表面を物理的に粗くすることができる。また、銀ペーストのブリードアウトを防止するエポキシブリードアウット（ＥＢＯ）防止処理等の化学的処理をリードフレームの表面に施してもよい。 The material of the lead frame is not particularly limited, but for example, an iron-based alloy, copper, a copper-based alloy, or the like may be used. When copper and a copper-based alloy are used, the surface of the lead frame may be coated with palladium, gold, silver or the like. The surface of the lead frame can be physically roughened in order to improve the adhesion to the encapsulant. Further, the surface of the lead frame may be subjected to a chemical treatment such as an epoxy bleed out (EBO) prevention treatment for preventing the bleed-out of the silver paste.

半導体素子は、通常、接着剤（例えば、銀ペースト）を介してダイパッドに搭載される。加熱処理（例えば、１４０～２００℃、３０分～２時間）によって接着剤を硬化させ得る。 The semiconductor device is usually mounted on a die pad via an adhesive (eg, silver paste). The adhesive can be cured by heat treatment (eg, 140-200 ° C., 30 minutes-2 hours).

ワイヤは特に制限されないが、例えば、金線、銀線、銅線又はパラジウム被覆銅線を用いることができる。例として、２００～２７０℃で３～６０分加熱し、超音波とプレス圧力を用いて半導体素子及びインナーリードをワイヤと接合することができる。 The wire is not particularly limited, and for example, a gold wire, a silver wire, a copper wire, or a palladium-coated copper wire can be used. As an example, the semiconductor element and the inner lead can be joined to the wire by heating at 200 to 270 ° C. for 3 to 60 minutes and using ultrasonic waves and press pressure.

ワイヤボンド工程の前に、リードフレームにプラズマクリーニング処理を施してもよい。プラズマクリーニング処理によって封止層とリードフレームとの密着性をより高め、半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。プラズマクリーニング処理は、例として、減圧条件（例えば、９．３３Ｐａ以下）で、アルゴン、窒素、酸素等のガスを所定のガス流量で注入して、プラズマ照射する方法を利用することができる。プラズマの照射出力は、１０～１０００Ｗであってもよい。また、プラズマ処理の時間は、５～３００秒であってもよい。プラズマ処理におけるガス流量は、５～５０ｓｃｃｍであってもよい。 The lead frame may be subjected to plasma cleaning treatment prior to the wire bonding process. The plasma cleaning process can further improve the adhesion between the sealing layer and the lead frame, and improve the reliability of the semiconductor package. As an example of the plasma cleaning process, a method of injecting a gas such as argon, nitrogen, or oxygen at a predetermined gas flow rate under reduced pressure conditions (for example, 9.33 Pa or less) and irradiating with plasma can be used. The irradiation output of the plasma may be 10 to 1000 W. Further, the plasma processing time may be 5 to 300 seconds. The gas flow rate in the plasma treatment may be 5 to 50 sccm.

封止工程では、封止材を用いて封止層が形成される。封止工程によって、複数の半導体素子及びこれらを一括して封止する封止層を含む半導体パッケージを得ることができる。封止工程の間、マスクシートによって封止材がリードフレームの裏面側に回り込むことが抑制される。 In the sealing step, a sealing layer is formed using the sealing material. By the sealing step, a semiconductor package including a plurality of semiconductor elements and a sealing layer for collectively sealing these can be obtained. During the sealing process, the mask sheet prevents the sealing material from wrapping around to the back surface side of the lead frame.

封止温度は、１４０～２００℃であってもよく、１６０～１８０℃であってもよい。封止工程の間の圧力は、６～１５ＭＰａであってもよく、加熱時間は、１～５分であってもよい。 The sealing temperature may be 140 to 200 ° C. or 160 to 180 ° C. The pressure during the sealing step may be 6 to 15 MPa and the heating time may be 1 to 5 minutes.

前記封止層は、必要に応じて加熱硬化されてもよい。硬化温度は、１５０～２００℃であってもよく、硬化のための加熱時間は、４～７時間であってもよい。 The sealing layer may be heat-cured if necessary. The curing temperature may be 150 to 200 ° C., and the heating time for curing may be 4 to 7 hours.

封止材の材質は特に制限されないが、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。前記封止材には、例えば、フィラー、ブロム化合物等の難燃性物質、ワックス成分等の添加剤が添加されていてもよい。 The material of the encapsulant is not particularly limited, and for example, an epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, biphenyl diepoxy resin, and naphthol novolac epoxy resin can be used. For example, a flame-retardant substance such as a filler or a brom compound, or an additive such as a wax component may be added to the sealing material.

封止工程後、得られた半導体パッケージにおけるリードフレーム及び封止層からマスクシートが剥離される。封止層を硬化する場合、硬化の前又は後に、マスクシートを剥離してもよい。 After the sealing step, the mask sheet is peeled off from the lead frame and the sealing layer in the obtained semiconductor package. When the sealing layer is cured, the mask sheet may be peeled off before or after curing.

剥離温度は特に制限されないが、常温（例えば、５～３５℃）で行うことができる。 The peeling temperature is not particularly limited, but it can be carried out at room temperature (for example, 5 to 35 ° C.).

必要に応じて剥離工程後、リードフレーム及び封止層上に残留する接着層の残りを除去する工程が更に行われてもよい。この場合、例えば、溶剤を用いて残留する接着層を除去することができる。溶剤としては、例えば、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、水等を用いることができる。溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いることができる。溶剤に界面活性剤が添加されていても良い。溶剤が水を含有する場合、溶剤は、アルカリ性に調整された溶液（アルカリ性溶液）であっても良い。アルカリ性溶液のｐＨは、１０以上又は１２以上であっても良い。溶剤による除去とともに、必要に応じて、機械的ブラッシングを行っても良い。 If necessary, after the peeling step, a step of removing the residue of the adhesive layer remaining on the lead frame and the sealing layer may be further performed. In this case, for example, a solvent can be used to remove the residual adhesive layer. As the solvent, for example, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, water or the like can be used. The solvent may be used alone or in combination of two or more. A surfactant may be added to the solvent. When the solvent contains water, the solvent may be a solution adjusted to be alkaline (alkaline solution). The pH of the alkaline solution may be 10 or more or 12 or more. Along with removal with a solvent, mechanical brushing may be performed if necessary.

リードフレームがダイパッド及びインナーリードを有する複数のパターンを含む場合、必要に応じて、封止されたパッケージを分割して、それぞれ１つの半導体素子を有する半導体パッケージを複数本得ることができる。 When the lead frame contains a plurality of patterns having a die pad and an inner lead, the sealed package can be divided into a plurality of semiconductor packages each having one semiconductor element, if necessary.

このように、本発明によるＱＦＮ半導体パッケージは、高密度化、小面積化、薄型化等の点で優れており、例えば、携帯電話、スマートフォン、パソコン、タブレット等の電子機器に好適に利用することができる。 As described above, the QFN semiconductor package according to the present invention is excellent in terms of high density, small area, thinning, etc., and is suitably used for, for example, electronic devices such as mobile phones, smartphones, personal computers, and tablets. Can be done.

以下に、好ましい実施例により本発明を更に詳説する。このような実施例は、本発明をより詳説するために例示として提示したものに過ぎない。よって、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to preferred embodiments. Such examples are merely illustrated to illustrate the invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to the following examples.

＜実施例＞
１．粘着層の製造
下記の表１のように、マスクシートに適用される粘着層を製造した。 <Example>
1. 1. Production of Adhesive Layer As shown in Table 1 below, an adhesive layer applied to the mask sheet was produced.

下記のモル比を有するポリイミド樹脂を用いてワニスを製造し、粘着層用の調液を製造した。 A varnish was produced using a polyimide resin having the following molar ratio, and a liquid preparation for an adhesive layer was produced.

Figure 2022104608000002
Figure 2022104608000002

＊ＴＰＥ－Ｒ：１，３’－Ｂｉｓ（４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｂｅｎｚｅｎｅ
＊ＢＡＰＰ：２，２－Ｂｉｓ［４－（４－ａｍｉｎｏｐｈｅｎｏｘｙ）ｐｈｅｎｙｌ］ｐｒｏｐａｎｅ
＊ｐ－ＰＤＡ：ｐ－Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ
＊ｍ－Ｔｄ：ｍ－ｔｏｌｉｄｉｎｅ
＊ＰＡＭ－Ｅ：Ａｍｉｎｏ－ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｉｌｉｃｏｎｅ ｆｌｕｉｄｓ（Ｓｈｉｎｅｔｓｕ ｓｉｌｉｃｏｎｅ社製）
＊ＢＰＤＡ：Ｂｉｐｈｅｎｙｌｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ
＊ＰＭＤＡ：Ｐｙｒｏｍｅｌｌｉｔｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ
＊Ｒ９７２：ＡＥＲＯＳＩＬ（登録商標） Ｒ ９７２（Ｅｖｏｎｉｋ社製） * TPE-R: 1,3'-Bis (4-aminophenoxy) benzene
* BAPP: 2,2-Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane
* P-PDA: p-Phenylenediamine
* M-Td: m-polyline
* PAM-E: Amino-modified reactive silicone fluids (manufactured by Shin-Etsu Silicone)
* BPDA: Biphenylttracarboxylic dyandride
* PMDA: Pharmaceuticals and Medical Devices
* R972: AEROSIL (registered trademark) R972 (manufactured by Evonik)

２．補強層の製造
下記の表２のように、マスクシートに適用される補強層を製造した。 2. 2. Manufacture of Reinforcing Layer As shown in Table 2 below, a reinforcing layer applied to the mask sheet was manufactured.

下記のモル比を有するポリイミド樹脂を用いてワニスを製造し、補強層用の調液を製造した。 A varnish was produced using a polyimide resin having the following molar ratio, and a liquid preparation for a reinforcing layer was produced.

Figure 2022104608000003
Figure 2022104608000003

３．マスクシートの製造
下記の表３のように、支持フィルムの上面に上記表１製造の調液をコートして接着層を形成し、支持フィルムの他の片面に上記表２製造の調液をコートして補強層を形成し、実施例及び比較例によるマスクシートを製造した。 3. 3. Manufacture of mask sheet As shown in Table 3 below, the preparation liquid manufactured in Table 1 above is coated on the upper surface of the support film to form an adhesive layer, and the liquid preparation manufactured in Table 2 above is coated on the other side of the support film. A reinforcing layer was formed, and mask sheets according to Examples and Comparative Examples were manufactured.

支持フィルムは、いずれも同様にＰＩフィルムを用いた。 As the support film, a PI film was used in the same manner.

Figure 2022104608000004
Figure 2022104608000004

４．実施例によるマスクシートの物性評価
実施例１～７によるマスクシートの物性を評価した。物性評価結果は、下記の表４のとおりである。 4. Evaluation of Physical Properties of Mask Sheet According to Examples The physical properties of the mask sheet according to Examples 1 to 7 were evaluated. The results of physical property evaluation are shown in Table 4 below.

Figure 2022104608000005
Figure 2022104608000005

上記表４に記載の物性は、下記のように測定された。 The physical characteristics shown in Table 4 above were measured as follows.

１）５％重量損失温度
示差熱天秤（セイコーインスツル株式会社製、ＳＳＣ５２００型）を用いて、空気雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。 1) Measurement was performed using a 5% weight loss temperature differential thermal balance (manufactured by Seiko Instruments Inc., SSC5200 type) under an air atmosphere and a temperature rise rate of 10 ° C./min.

２）弾性率
マスクシートを５ｍｍ×８ｍｍサイズに切って得た試験片を固体せん断測定ジグにセットし、動的粘弾性測定装置（ユービーエム社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００）を用いて、正弦波、３０～２５０℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数４００Ｈｚの条件で固体せん断弾性率を測定した。なお、入力厚みは０．１ｍｍで固定し、歪み制御１．９５μｍ、１．９５％とした。測定結果から、２３０℃における固体せん断弾性率を読み取った。 2) Elastic modulus A test piece obtained by cutting a mask sheet into a size of 5 mm × 8 mm is set in a solid shear measurement jig, and a sine wave is used using a dynamic viscoelasticity measuring device (Rheogel-E4000 manufactured by UBM). The solid shear elastic modulus was measured under the conditions of 30 to 250 ° C., a heating rate of 5 ° C./min, and a frequency of 400 Hz. The input thickness was fixed at 0.1 mm, and the strain control was 1.95 μm and 1.95%. From the measurement results, the solid shear modulus at 230 ° C. was read.

３）糊残り
ＣＤＡ１９４フレーム（リードフレーム、新光電気工業製）に、実施例及び比較例のマスクシートを、接着層がリードフレームに接する向きで、常温（２４℃）、荷重２０Ｎの条件で貼り付けた。リードフレーム及びマスクシートを空気雰囲気下、オーブン内で、１８０℃で６０分間、２００℃で６０分の順で条件を変更しながら加熱した。リードフレームのマスクシートとは反対側の面上にプラズマ処理をアルゴンガス雰囲気下（流量：２０ｓｃｃｍ）、１５０Ｗ、１５秒の条件で行った。 3) Adhesive residue The mask sheets of Examples and Comparative Examples are attached to a CDA194 frame (lead frame, manufactured by Shinko Electric Industry Co., Ltd.) under the conditions of room temperature (24 ° C.) and a load of 20 N with the adhesive layer in contact with the lead frame. rice field. The lead frame and the mask sheet were heated in an oven under an air atmosphere at 180 ° C. for 60 minutes and then at 200 ° C. for 60 minutes while changing the conditions. Plasma treatment was performed on the surface of the lead frame opposite to the mask sheet under the conditions of an argon gas atmosphere (flow rate: 20 sccm), 150 W, and 15 seconds.

モールド成形機（アピックヤマダ株式会社製）を用いて１７５℃、６．８ＭＰａ、２分間の条件で封止成形を行い、リードフレームのマスクシートとは反対側の面上に封止材（商品名：ＧＥ－７４７０Ｌ－Ａ、日立化学製）により封止層を形成した。 Sealing was performed using a molding machine (manufactured by Apic Yamada Corporation) at 175 ° C, 6.8 MPa, and 2 minutes, and a sealing material (trade name:) was placed on the surface of the lead frame opposite to the mask sheet. A sealing layer was formed by GE-7470L-A (manufactured by Hitachi Chemical).

その後１８０゜方向に５０ｍｍ／分の速度で各マスクシートを引き剥がし、引き剥がした後の封止層及びリードフレーム上の糊残りの状態を確認した。封止層及びリードフレームの表面を合わせた全体の面積に対する、糊残りのあった部分の面積割合に基づいて、以下の基準で６段階で糊残りの存在有無を評価した。 After that, each mask sheet was peeled off at a speed of 50 mm / min in the 180 ° direction, and the state of the adhesive residue on the sealing layer and the lead frame after the peeling was confirmed. Based on the area ratio of the portion where the adhesive residue was present to the total area of the surface of the sealing layer and the lead frame combined, the presence or absence of the adhesive residue was evaluated in 6 steps according to the following criteria.

５：６０～１００％（残っている接着層が全般に比較的厚い）
４：６０～１００％（残っている接着層が全般に比較的薄い）
３：３０％以上６０％未満
２：１０％以上３０％未満
１：０％超１０％未満
Ｘ：０％ 5: 60-100% (remaining adhesive layer is generally relatively thick)
4: 60-100% (remaining adhesive layer is generally relatively thin)
3: 30% or more and less than 60% 2: 10% or more and less than 30% 1: 0% or more and less than 10% X: 0%

４）リードフレームに対する接着力
各々の実施例のマスクシートを１００ｍｍ（長さ）×２５ｍｍ（幅）に切断し、２３０℃～２５０℃の温度で銅素材のリードフレームとプレスし、接着力を評価するための試片を製造した。その後、接着力測定装置（ＣＨＥＭＩ ＬＡＢ ＳｕｒＴＡ）を用いて剥離強度１８０度、剥離温度２５℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎでリードフレームからマスクシートを剥離させたときの剥離強度を測定した。 4) Adhesive strength to lead frame The mask sheet of each example is cut into 100 mm (length) x 25 mm (width) and pressed against a copper material lead frame at a temperature of 230 ° C to 250 ° C to evaluate the adhesive strength. Manufactured a sample to be used. Then, using an adhesive force measuring device (CHEMI LAB SurTA), the peeling strength when the mask sheet was peeled from the lead frame was measured at a peeling strength of 180 degrees, a peeling temperature of 25 ° C., and a peeling speed of 300 mm / min.

５．実施例と比較例のスリップ摩擦力の対比評価
実施例と比較例のスリップ摩擦力を評価した。評価結果は、下記の表５のとおりである。 5. Comparative evaluation of slip friction force between Examples and Comparative Examples The slip friction forces of Examples and Comparative Examples were evaluated. The evaluation results are shown in Table 5 below.

スリップ摩擦力は、実施例と比較例に使用されたマスクシートをそれぞれ１対ずつ準備し、そのうち一マスクシートの粘着層上に他マスクシートの補強層を突き合わせて位置させた後、その上に１ｋｇの重りを上げて、前記補強層に水平力を加え、前記粘着層から前記補強層がスリップ（ｓｌｉｐ）する力でそれぞれ測定した。 For the slip friction force, one pair of mask sheets used in the examples and one pair of the comparative examples are prepared, and the reinforcing layer of the other mask sheet is abutted and positioned on the adhesive layer of one of the mask sheets, and then the reinforcing layer of the other mask sheet is placed on the adhesive layer. A 1 kg weight was lifted, a horizontal force was applied to the reinforcing layer, and the force by which the reinforcing layer slipped from the adhesive layer was measured.

巻き取り性は、実施例、比較例それぞれのマスクシートを３ｍ／分の一定速度で巻り取る場合、シワや襞が発生するか否かで判定する。 The take-up property is determined by whether or not wrinkles or folds occur when the mask sheets of the examples and the comparative examples are wound at a constant speed of 3 m / min.

Figure 2022104608000006
Figure 2022104608000006

上記表５の結果のように、本発明によるマスクシートは、スリップ摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍ以下であるため、長期間巻き取り保管時、気泡やシワが発生しない。しかし、比較例によるマスクシートは、スリップ摩擦力が１４５０ｇｆ／５０ｍｍと非常に高いため、粘着層と補強層とが互いに引っ付いて巻き取り保管時、問題が発生する可能性が非常に高い。 As shown in the results of Table 5 above, the mask sheet according to the present invention has a slip friction force of 700 gf / 50 mm or less, so that bubbles and wrinkles do not occur during long-term winding and storage. However, since the mask sheet according to the comparative example has a very high slip friction force of 1450 gf / 50 mm, there is a high possibility that a problem will occur during winding and storage because the adhesive layer and the reinforcing layer are attracted to each other.

以上のように、本発明について説明したが、本明細書に開示の実施例によって本発明が限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で通常の技術者によって様々な変形を行うことができることは自明である。さらに、本発明の実施例を前述しながら本発明の構成による作用効果を明示的に記載して説明しなかったとしても、該構成によって予測可能な効果も認めるべきであることは当然である。 As described above, the present invention has been described, but the present invention is not limited by the examples disclosed in the present specification, and various modifications are made by ordinary engineers within the scope of the technical idea of the present invention. It is self-evident that you can do it. Furthermore, even if the embodiments of the present invention are described above and the action and effect of the configuration of the present invention are not explicitly described and described, it is natural that a predictable effect should be recognized by the configuration.

Claims (12)

支持フィルム、
前記支持フィルムの片面に位置した粘着層、
前記支持フィルムの前記粘着層が位置した面とは反対側の面に位置した補強層、とを含み、
前記粘着層に対する前記補強層のスリップ摩擦力が７００ｇｆ／５０ｍｍ以下である、
ＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 Support film,
An adhesive layer located on one side of the support film,
The support film includes a reinforcing layer located on a surface opposite to the surface on which the adhesive layer is located.
The slip friction force of the reinforcing layer with respect to the adhesive layer is 700 gf / 50 mm or less.
Mask sheet for QFN semiconductor package. 前記補強層は、無機粒子を０．１～５重量％含む、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The reinforcing layer contains 0.1 to 5% by weight of inorganic particles.
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記粘着層は、
イミド基を有する熱可塑性樹脂を含む、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The adhesive layer is
Includes thermoplastic resins with imide groups,
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記補強層は、
イミド基を有する熱可塑性樹脂を含む、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The reinforcing layer is
Includes thermoplastic resins with imide groups,
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記支持フィルムは、
ポリイミドフィルムである、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The support film is
It is a polyimide film,
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記粘着層は、
２３０℃～２５０℃でプレス後、接着力が５ｇｆ／２５ｍｍ～６００ｇｆ／２５ｍｍである、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The adhesive layer is
After pressing at 230 ° C to 250 ° C, the adhesive strength is 5 gf / 25 mm to 600 gf / 25 mm.
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記粘着層は、
ガラス転移温度が１００～２５０℃である、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The adhesive layer is
The glass transition temperature is 100-250 ° C.
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. ２３０℃における弾性率が５ＭＰａ以上である、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 The elastic modulus at 230 ° C. is 5 MPa or more.
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. ５％重量損失温度が４００℃以上である、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 5% weight loss temperature is 400 ° C or higher,
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. 前記粘着層の前記支持フィルムが位置した面とは反対側の面に保護フィルムが備えられた、
請求項１に記載のＱＦＮ半導体パッケージ用マスクシート。 A protective film was provided on the surface of the adhesive layer opposite to the surface on which the support film was located.
The mask sheet for a QFN semiconductor package according to claim 1. ダイパッド及びインナーリードを含むリードフレーム、
請求項１～請求項１０のうちいずれか一項に記載のマスクシート、とを備えて、
前記マスクシートは、前記粘着層が前記リードフレームの片面に接するように前記リードフレームに貼り付けられている、
リードフレーム。 Lead frames, including die pads and inner leads,
The mask sheet according to any one of claims 1 to 10 is provided.
The mask sheet is attached to the lead frame so that the adhesive layer is in contact with one side of the lead frame.
Lead frame. ダイパッド及びインナーリードを含むリードフレーム、
前記ダイパッドに搭載された半導体素子、
前記半導体素子と前記インナーリードを接続するワイヤ、
前記半導体素子及び前記ワイヤを封止している封止層、
請求項１～請求項１０のうちいずれか一項に記載のマスクシート、とを備えて、
前記マスクシートは、前記接着層が前記リードフレームの前記半導体素子が搭載されている面とは反対側の面に貼り付けられている、
ＱＦＮ半導体パッケージ。 Lead frames, including die pads and inner leads,
The semiconductor element mounted on the die pad,
A wire connecting the semiconductor element and the inner lead,
A sealing layer that seals the semiconductor element and the wire,
The mask sheet according to any one of claims 1 to 10 is provided.
The mask sheet is attached to a surface of the lead frame opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted.
QFN semiconductor package.
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