JP2004311030A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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- 0 *c1c(*)[n]c(*=C2N=C(*)C(*)=C2*)c1* Chemical compound *c1c(*)[n]c(*=C2N=C(*)C(*)=C2*)c1* 0.000 description 14
- FXXYADMTBGBMTQ-RUUVMHMZSA-N CC(C1=C2C3c4ccccc4C1c1c3cccc1)=[IH](C)/C2=N\C1=C(C(c2c(C34)cccc2)c2c3cccc2)C4=C(C)[N+]1(C)[O-] Chemical compound CC(C1=C2C3c4ccccc4C1c1c3cccc1)=[IH](C)/C2=N\C1=C(C(c2c(C34)cccc2)c2c3cccc2)C4=C(C)[N+]1(C)[O-] FXXYADMTBGBMTQ-RUUVMHMZSA-N 0.000 description 1
- NXTWVBRYAVXPGS-XEFITQELSA-N CC(CC1)=C(C=CC=C2)C2=NC2=C1C1c3c(-c4ccc(Cc5c-6cccc5)c-6c4)[nH]c(/C(/c4ccccc4)=C(/C(C4CC5)=C6C5c5c4nc(cccc4)c4n5)\NC6c4ccc(Cc5c-6cccc5)c-6c4)c3C3C21CC3 Chemical compound CC(CC1)=C(C=CC=C2)C2=NC2=C1C1c3c(-c4ccc(Cc5c-6cccc5)c-6c4)[nH]c(/C(/c4ccccc4)=C(/C(C4CC5)=C6C5c5c4nc(cccc4)c4n5)\NC6c4ccc(Cc5c-6cccc5)c-6c4)c3C3C21CC3 NXTWVBRYAVXPGS-XEFITQELSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは、主として有機物からなる層(以下、単に「有機物層」と称す)、例えば、正孔輸送層と電子輸送層との組み合わせにより、電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、薄膜型の電界発光(EL)素子としては、無機材料のII〜VI族化合物半導体であるZnS、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子は、
1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、
2)駆動電圧が高い(〜200 V)、
3)フルカラー化が困難(特に青色)、
4)周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
【0003】
しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンからなる正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る電子輸送層とを設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいている。
【0004】
更に、素子の発光効率の向上や発光色を変えること等を目的として、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phys.,65巻,3610頁,1989年)等も行われている。これらのドープ色素の一例として、ピロメテン誘導体については、例えば特開2001−297881号公報には下記に示す化合物などが例示され、このようなピロメテン誘導体として、特に赤色発光素子のドープ色素として、適当なドープ濃度を選定すれば、高い発光効率を有する有機EL素子が得られることが示されている。
【0005】
【化4】
【0006】
しかし、従来のピロメテン誘導体は、分子の平面性が高く、高い濃度でドープした場合に濃度消光を起こす問題点、また昇華性が高く、ドープ濃度の制御が困難であったり、蒸着装置内部を汚染しやすいという問題点があった。特に、赤色発光ドープ色素に比べ、分子内の共役系の広がりが小さく、比較的分子量も小さい場合が多い、青色や緑色発光を得るドーパントとして、従来のピロメテン誘導体を用いることは困難である。
【0007】
このように、従来提案されているピロメテン誘導体では、有機電界発光のピーク波長が580nmより短波長である有機電界発光素子に関し、広いドープ濃度範囲において、高発光効率を有する素子が得られなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ピロメテン誘導体を用いた有機電界発光素子であって、例えば有機電界発光のピーク波長が580nmより短波長であっても、高発光効率での駆動が可能な有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機電界発光素子は、対向する陽極と陰極との間に、主として有機物からなる層を有する有機電界発光素子であって、該有機物層のうち少なくとも1層が、下記一般式(I)で表される化合物又はその錯体化合物を含有することを特徴とする。
【0010】
【化5】
(式中、Zは−N=又は−CR7=を表す。
R1〜R7は各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表すか、隣接する基同士が結合して環を形成する。
R1〜R7のうちの少なくとも1つは、任意の置換基であるか、隣接する基同士で結合して環を形成している。該環は置換されていても良い。
該任意の置換基又は該環のうち少なくとも1つが、橋頭位をもつ縮合環構造を含有する。該橋頭位をもつ縮合環構造は置換されていても良い。)
【0011】
即ち、本発明者らは、ピロメテン骨格を有する化合物に、ビシクロ環に代表される、橋頭位をもつ縮合環構造を導入することにより、該化合物を用いた有機電界発光素子の濃度消光が緩和され、また有機電界発光のピーク波長が580nmより短波長である有機電界発光素子においても高発光効率での駆動が可能となり、更に安定性も向上すること見出し、本発明を完成させた。
【0012】
本発明に係る、ピロメテン骨格と橋頭位をもつ縮合環構造とを有するピロメテン誘導体は、分散状態で蛍光強度が強く、耐光性、耐熱性も良好である。よって、このようなピロメテン誘導体を用いることにより、有機電界発光素子の発光特性を向上させることができる。
【0013】
なお、本発明において、「主として有機物からなる層」とは、実質的に有機物からなる層であって、本発明の性能を損わない範囲で無機物を含んでいても良い。本発明において、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物は、対向する陽極と陰極との間に存在する有機物層に含まれ、かかる有機物層としては特に限定されないが、後述する如く、発光層、正孔輸送層又は電子輸送層等が挙げられる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
【0015】
まず、本発明の有機電界発光素子において、対向する陽極と陰極との間の有機物層に含有される前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物(以下、これらを「本発明に係るピロメテン誘導体」と称す場合がある。)について説明する。
【0016】
前記一般式(I)において、Zは−N=又は−CR7=を表し、R1〜R7は各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表すか、隣接する基同士が結合して環を形成する。このR1〜R7のうちの少なくとも1つは、任意の置換基であるか、隣接する基同士で結合して、置換されていても良い環を形成し、これら任意の置換基又は環のうち少なくとも1つが、橋頭位をもつ縮合環構造を含有することにより、前記一般式(I)で表される化合物又はその錯体化合物は、少なくとも1つの橋頭位をもつ縮合環構造を有する。なお、この橋頭位をもつ縮合環構造は置換されていても良い。
【0017】
前記一般式(I)で表される化合物及びその錯体化合物は、橋頭位をもつ縮合環構造をどのような形態で含むものであっても良く、例えば下記▲1▼及び/又は▲2▼のような含有形態が挙げられる。
【0018】
▲1▼ 置換基R1〜R7としての橋頭位をもつ縮合環構造。
この場合、橋頭位をもつ縮合環構造を有する基としては、下記▲1▼−1〜▲1▼−3などが挙げられる。
▲1▼−1:橋頭位をもつ縮合環基。この縮合環基は任意の置換基を有していても良く、また、更にこの置換基同士が結合することにより、縮合環に他の環が縮合した形態となっていても良い。
▲1▼−2:任意の連結基を介する、橋頭位をもつ縮合環基。この縮合環基及び/又は連結基は任意の置換基を有していても良く、また、この置換基同士が結合することにより、橋頭位をもつ縮合環に更に他の環が縮合した形態となっていても良い。
▲1▼−3:橋頭位をもつ縮合環が縮合した任意の環基。この縮合環及び/又は環基は任意の置換基を有していても良く、また、この置換基同士が結合することにより、更に他の環が縮合した形態となっていても良い。
【0019】
▲2▼ R1〜R7のうち隣接する基同士で結合して形成された橋頭位をもつ縮合環構造。
この場合、この橋頭位をもつ縮合環構造としては、下記▲2▼−1,▲2▼−2などが挙げられる。
▲2▼−1:R1〜R3を有する環又はR4〜R6を有する環に直接縮合する橋頭位をもつ縮合環。この縮合環は任意の置換基を有していても良く、更にこの置換基同士が結合することにより、他の環が縮合した形態となっていても良い。
▲2▼−2:R1〜R3を有する環又はR4〜R6を有する環に縮合する他の任意の環に縮合した橋頭位をもつ縮合環。この他の任意の環及び/又は縮合環は任意の置換基を有していても良く、また、この置換基同士が結合することにより、更に他の環が縮合した形態となっていても良い。
【0020】
前記一般式(I)で表される化合物及びその錯体化合物は、上述のような橋頭位をもつ縮合環を、1つのみ含有するものに限らず、2以上含むものであっても良い。
【0021】
本発明においては、好ましくは、橋頭位をもつ縮合環は、上記▲1▼のように置換基として導入されたものよりも、上記▲2▼のようにピロメテン骨格に縮合していること、特にピロメテン骨格に直接縮合していることが好ましい。これは、次のような理由による。
【0022】
即ち、ピロメテン骨格を有する化合物を発光材料として用いる場合、高発光効率を得るためには、濃度消光の主原因となる、分子間でのピロメテン骨格同士の相互作用を少なくすることが望ましい。橋頭位をもつ縮合環が、ピロメテン骨格の直近に存在すれば、ピロメテン骨格周辺が立体的に嵩高くなり、分子間のピロメテン骨格同士の相互作用をより少なくすることができる。このため、本発明に係るピロメテン誘導体は、橋頭位をもつ縮合環がピロメテン骨格に直接縮合しているものであることが好ましい。
【0023】
本発明に係るピロメテン誘導体において、特に好ましい橋頭位をもつ縮合環の含有形態は、前記一般式(I)において、R1とR2、R2とR3、R4とR5、及び/又はR5とR6が互いに結合して環を形成しており、該環が橋頭位を有する縮合環である場合である。具体的には、これらの組み合せのうちの1組が互いに結合して環を形成している場合、R1とR2及びR2とR3のうちのいずれか一方が互いに結合して環を形成すると共に、R4とR5及びR5とR6のうちのいずれか一方が互いに結合して環を形成している場合である。中でも、R2とR3、及び、R4とR5の少なくとも一方、より好ましくは双方が結合してそれぞれ環を形成しており、この場合において、この環が橋頭位をもつ縮合環であることが最も好ましい。
【0024】
この橋頭位をもつ縮合環は、環構成原子が炭素原子のみからなる炭化水素環であっても良く、環構成原子が炭素原子以外の窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する複素環であっても良い。
【0025】
橋頭位をもつ縮合環としては、ビシクロ[2.2.2]環、ジアザビシクロ[2.2.2]環、ビシクロ[2.2.1]環、ジアザビシクロ[2.2.1]環、ビシクロ[3.3.1]環、ビシクロ[3.2.1]環等のビシクロ環や、トリシクロ[5.2.1.02.6]環などが挙げられるが、好ましくはビシクロ環、より好ましくは[l.m.n](但し、lは1〜6の整数であり、m及びnは、n≧mを満たす1以上の整数である。)で表されるビシクロ環、特に好ましくは、下記一般式(III)で表されるビシクロ[2.2.2]環である。
【0026】
【化6】
【0027】
なお、橋頭位をもつ縮合環が置換基を有する場合、この置換基としては、例えばアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、2級若しくは3級アミノ基、アミド基、アシル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキル基、飽和複素環基、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基などが挙げられ、橋頭位をもつ縮合環は2以上の置換基を有していても良い。また、橋頭位をもつ縮合環に環が縮合している場合、この環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、ピレン環、ペリレン環、ペンタセン環等の芳香族炭化水素環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、キノリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、フェノチアジン環、フェノキサジン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、トリアジン環等の複素環が挙げられ、橋頭位をもつ縮合環には、2以上の環が縮合していても良い。
【0028】
R1〜R7のうち環を形成していないものは、各々独立に、水素原子又は任意の置換基であり、任意の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子;メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基等の炭素数1〜8のアルキル基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜7のアルケニル基;エチニル基、プロピニル基等の炭素数2〜7のアルキニル基;シアノ基;アミノ基(置換基を有するアミノ基として、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等の、炭素数1〜10のアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基、ビナフチルアミノ基、フェニルフェナントリルアミノ基等のアリールアミノ基;ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのアラルキルアミノ基);アミド基(置換基を有するアミド基として、メチルアミド、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基等の炭素数2〜7のアルキルアミド基;ベンジルアミド基、ジベンジルアミド基等のアリールアミド基);ニトロ基;アシル基;カルボキシル基;メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ヘキシルスルホニル基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニル基;水酸基;−OR基(但し、Rは炭素数1〜10のアルキル基、炭素数5〜8のシクロアルキル基、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基又は炭素数2〜6のアルキルカルボニル基を表し、これらは更に置換されていても良い。);シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチオフェニル基、ピロリジル基等の飽和複素環基;フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などの芳香族炭化水素基;ピリジル基、トリアジル基などの芳香族複素環基などが挙げられ、これらは更に置換されていても良い。
【0029】
R1〜R7のいずれかがアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、2級若しくは3級アミノ基、アミド基、アシル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキル基、飽和複素環基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す場合には、各基の炭化水素部分に、更に置換基を有していても良い。また、前述の如く、R1〜R7のいずれかが−OR基の場合、Rはその炭化水素部分に更に置換基を有していても良い。これらの「更なる置換基」としては、例えばフッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;水酸基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチオフェニル基、ピロリジル基等の飽和複素環基等が挙げられる。
【0030】
R1〜R6のうち環を形成していないものとしては、好ましくは各々独立に、水素原子;フッ素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;シアノ基;メチルアミノ基;ジメチルアミノ基;ジエチルアミノ基;ジフェニルアミノ基;フェニルナフチルアミノ基;ビナフチルアミノ基;フェニルフェナントリルアミノ基;メトキシ基;エトキシ基;フェノキシ基;シクロヘキシルオキシ基;フェニル基;ナフチル基;ピリジル基;オキサゾリル基;ピリジル基が挙げられ、また、R7としては、好ましくは水素原子;フッ素原子;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;シアノ基;メチルアミノ基;ジメチルアミノ基;ジエチルアミノ基;ジフェニルアミノ基;フェニルナフチルアミノ基;ビナフチルアミノ基;フェニルフェナントリルアミノ基;メトキシ基;エトキシ基;フェノキシ基;シクロヘキシルオキシ基;フェニル基;ナフチル基;ピリジル基;オキサゾリル基;ピリジル基が挙げられる。
【0031】
本発明に係るピロメテン誘導体が、前記一般式(I)で表される化合物が金属に配位してなる錯体化合物である場合、この化合物が配位する中心金属としては、特に限定されるものではないが、通常用いられる元素の一例として、ホウ素、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金、パラジウムなどを挙げることができる。
【0032】
前記一般式(I)で表される化合物が錯体化合物を形成している場合、この錯体化合物は、中心金属の配位数に応じて、配位子として、前記一般式(I)で表される化合物を2以上含有するものであっても良い。また、配位子として前記一般式(I)で表される化合物のみを有するものに限定されず、他の配位子が配位した混合配位子錯体であっても良い。この場合、他の配位子としては、ハロゲン原子、アルキルオキシ基、フェノキシ基、酸素原子を介して結合された芳香環又は複素環化合物、含窒素複素環などが挙げられる。また、中心金属を2以上含有するものであっても良く、この場合の中心金属は同一のものであっても異なるものであっても良い。
【0033】
本発明に係るピロメテン誘導体を発光材料として用いる場合、高発光効率を得るためには、蛍光量子収率の高いものが好ましい。そのため、本発明に係る錯体化合物は下記一般式(II)で表されるホウ素錯体であることが好ましい。このホウ素錯体においても、前述の理由から、橋頭位をもつ縮合環がピロメテン骨格に直接縮合していることが好ましく、特に、下記一般式(II)において、R2とR3、及び、R4とR5の少なくとも一方、より好ましくは双方が結合してそれぞれ環を形成しており、この場合において、この環が橋頭位をもつ縮合環であることが最も好ましい。
【0034】
【化7】
(式中、Z及びR1〜R6は一般式(I)におけると同義である。
R8及びR9は、各々独立に、R1〜R6と同様の基を表す。)
【0035】
本発明に係るピロメテン誘導体の分子量は、1500以下が好ましく、1000以下がより好ましい。
【0036】
本発明に係る、ピロメテン骨格と橋頭位をもつ縮合環構造とを有するピロメテン誘導体の具体例としては、下記のような構造が挙げられるが、本発明に係るピロメテン誘導体は、何らこれらに限定されるものではない。
【0037】
【化8】
【0038】
【化9】
【0039】
【化10】
【0040】
【化11】
【0041】
【化12】
【0042】
【化13】
【0043】
【化14】
【0044】
【化15】
【0045】
【化16】
【0046】
【化17】
【0047】
【化18】
【0048】
【化19】
【0049】
【化20】
【0050】
【化21】
【0051】
【化22】
【0052】
【化23】
【0053】
【化24】
【0054】
【化25】
【0055】
【化26】
【0056】
【化27】
【0057】
【化28】
【0058】
【化29】
【0059】
【化30】
【0060】
本発明の有機電界発光素子は、有機物層中にこのような本発明に係るピロメテン誘導体を1種のみ含んでいても良く、2種以上含有していても良い。また、ピロメテン誘導体を含む有機物層を2層以上有していても良い。この場合、異なる有機物層に含有される本発明に係るピロメテン誘導体は、同一であっても異なっていても良い。
【0061】
以下に、図面を参照して本発明の有機電界発光素子の構成を詳細に説明する。
【0062】
図1は本発明の有機電界発光素子の、基本的な実施形態を示す模式的な断面図であり、1は基板、2は陽極、4は正孔輸送層、5は発光層、7は電子輸送層、8は陰極を各々表わす。
【0063】
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が低すぎると、基板を通過する外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板のどちらか片側もしくは両側に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【0064】
基板1上には陽極2が設けられるが、陽極2は正孔輸送層4への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或は、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。更に、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。陽極2は異なる2種以上の物質を積層して形成することも可能である。陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましく、この場合、厚みの下限は通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、上限は1000nm以下、好ましくは500nm以下である。不透明でよい場合は陽極2は基板1の厚みと同程度でも良い。また更に、上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【0065】
陽極2の上には正孔輸送層4が設けられる。正孔輸送層4に用いられる正孔輸送性材料としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率良く輸送することができることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、更に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子には更に耐熱性が要求される。従って、ガラス転移温度(Tg)として70℃以上の値を有する材料が望ましい。
【0066】
このような正孔輸送材料としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン(特開平5−234681号公報)、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン(米国特許第4,923,774号)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン(米国特許第4,764,625号)、α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報)、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報)、ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報)、エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン(特開平4−264189号公報)、スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報)、チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結したもの(特開平4−304466号公報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公報)、ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報)、フルオレン基で3級アミンを連結したもの(特開平5−25473号公報)、トリアミン化合物(特開平5−239455号公報)、ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報)、N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報)、フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報)、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報)、ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報)、シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報)、シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報)、ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報)、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いても良いし、必要に応じて、各々、混合して用いても良い。
【0067】
上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,59巻,2760頁,1991年)、ポリフォスファゼン(特開平5−310949号公報)、ポリアミド(特開平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、トリフェニルアミン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公報)、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子(Synthetic Metals,55−57巻,4163頁,1993年)、芳香族アミンを含有するポリメタクリレート(J.Polym.Sci.,Polym.Chem.Ed.,21巻,969頁,1983年)等の高分子材料が挙げられる。
【0068】
正孔輸送層4は、通常、上記の正孔輸送材料を塗布法或は真空蒸着法により前記陽極2上に積層することにより形成される。塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種又は2種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。
【0069】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板1上の陽極2上に正孔輸送層4を形成させる。
【0070】
正孔輸送層4の膜厚の下限は通常10nm以上、好ましくは30nm以上であり、上限は通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。このように薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【0071】
図1において、正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5の膜厚の下限は通常10nm以上、好ましくは30nm以上であり、上限は通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。発光層5も正孔輸送層4と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【0072】
本発明の有機電界発光素子において、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物は、この発光層5に含有されていることが好ましく、特に、電子輸送性材料及び/又は正孔輸送性材料をホスト材料とし、このホスト材料に、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物がドープされて発光層5中に含有されていることが好ましい。
【0073】
この場合、ホスト材料としては、前述の正孔輸送性材料、後述する電子輸送性材料、その他公知の発光層ホスト材料から適宜選択し、使用すればよい。
具体的には、例えば8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、同2−222484号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2−247278号公報)、(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体(特開平8−315983号公報)、シロール誘導体等が挙げられる。また、正孔輸送性材料として前述した、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物やヒドラゾン化合物なども、ホスト材料として用いることが出来る。
【0074】
発光層5には、本発明に係るピロメテン誘導体以外に、公知の蛍光色素または燐光色素を併用しても良い。併用可能な色素として、例えば青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【0075】
上記の蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究,8巻,694頁,803頁,958頁(1980年);同9巻,85頁(1981年)、に列挙されている蛍光色素が発光層用のドープ材料として使用することができる。
【0076】
前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物がドープされる領域は、発光層5の層全体であってもその一部分であっても良く、各層の膜厚方向において均一にドープされていても、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば発光層5中の、正孔輸送層4との界面近傍にのみドープしたり、逆に陰極側界面近傍にのみドープしても良い。更には、発光層5へのドープに加え、正孔輸送層4や電子輸送層7の一部及び/又は全部にドープしても良い。なお、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物のドープされる量は、ホスト材料に対して10−3重量%以上であることが好ましく、上限としては、50重量%以下、特に30重量%以下であることが好ましい。
【0077】
前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物のホスト材料へのドープは、ホストとなる層の形成方法に準じ、塗布法或は真空蒸着法による層形成時に行われる。塗布法により、電子輸送材料をホスト材料として発光層5を形成する場合には、例えば電子輸送材料と、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物、更に必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加して溶解した塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層4上に塗布し、乾燥して発光層5を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、50重量%以下が好ましい。
【0078】
真空蒸着法の場合には、例えば、ホスト材料である電子輸送性材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、前記一般式(I)で表される化合物又はその錯体化合物を別のルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−6Torr(約1.3×10−4Pa)程度にまで排気した後、各々のルツボを同時に加熱して蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のルツボを用いて蒸発させても良い。
【0079】
正孔輸送性材料をホスト材料としてドープする場合も、上記と同様にして行うことができる。
【0080】
前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物は、溶液状態で強い蛍光を示し、このようにしてホスト材料にドープされた場合、素子の発光効率が向上する。特に、このピロメテン骨格を有する化合物はホスト材料にドープされた場合、580nmより短波長に発光ピークを有する可視光を効率良く得ることができるため好ましい。特に550nmより短波長の発光ピークを得る上で、より好ましい。
【0081】
図1において、発光層5の上には電子輸送層7が設けられる。
【0082】
電子輸送層7に用いられる電子輸送性材料としては、陰極8からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を正孔輸送層4の方向に効率良く輸送することができる化合物であることが必要である。そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、更に安定性に優れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい材料であることが要求される。
【0083】
このような条件を満たす材料としては、テトラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭57−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの錯体化合物(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの錯体化合物(特開平6−322362号公報)、混合配位子アルミニウムキレート錯体(特開平5−198377号公報、特開平5−198378号公報、特開平5−214332号公報、特開平6−172751号公報シクロペンタジエン誘導体(特開平2−289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−289676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、同2−222484号公報)、ペリレン誘導体(特開平2−189890号公報、同3−791号公報)、クマリン化合物(特開平2−191694号公報、同3−792号公報)、希土類錯体(特開平1−256584号公報)、ジスチリルピラジン誘導体(特開平2−252793号公報)、p−フェニレン化合物(特開平3−33183号公報)、チアジアゾロピリジン誘導体(特開平3−37292号公報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37293号公報)、ナフチリジン誘導体(特開平3−203982号公報)、シロール誘導体(日本化学会第70春季年会,2D102及び2D103,1996年)などが挙げられる。
【0084】
電子輸送層7の膜厚の下限は通常10nm以上好ましくは30nm以上であり、上限は通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。
【0085】
電子輸送層7も正孔輸送層4と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【0086】
陰極8は、電子輸送層7に電子を注入する役割を果たす。陰極8として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。陰極7の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増すため好ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【0087】
図1の構成の素子では、正孔輸送層4は陽極2から正孔を受け取る(正孔注入)機能と、受け取った正孔を発光層5の方へ運ぶ(正孔輸送)機能を果たしており、電子輸送層7は、陰極8から電子を受け取る(電子注入)機能と、陰極8から受け取った電子を発光層5へ運ぶ(電子輸送)機能、及び発光層5から陰極8に正孔が到達するのを阻止する(正孔阻止)機能をも果たしている。しかし、本発明の素子の、更なる発光特性や駆動安定性の向上のために、例えば図2に示すように、電子輸送層7と発光層5の間に正孔阻止層6を設けたり、図2及び図3に示すように陽極2と正孔輸送層4の間に陽極バッファ層3を設けるなど、機能毎に層を分ける構造、即ち機能分離型の素子にすることも可能である。
【0088】
図2に示すように、電子輸送層7と発光層5との間に正孔阻止層6を設けることにより、正孔が発光層内で再結合することなく陰極8に到達することによる、発光効率の低下が抑制され、素子の発光効率を更に向上させることが可能である。この正孔阻止層6に用いられる材料には、電子の輸送能力が大きく、正孔の輸送能力が小さいことが要求される。このような材料としては、シラノールアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(特開平11−40367号公報)、トリス(5,7−ジクロル−8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム(特開平2−195683号公報)、シラシクロペンタジエン(特開平9−87616号公報)、1,2,4−トリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)等が挙げられる。正孔阻止層6の膜厚の下限は通常5nm以上好ましくは10nm以上であり、上限は通常200nm以下好ましくは100nm以下である。
【0089】
更に、陽極2と正孔輸送層4とのコンタクトを向上させるために、図2及び図3に示すように、陽極バッファ層3を設けることが考えられる。陽極バッファ層3に用いられる材料に要求される条件としては、陽極3とのコンタクトが良く均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即ち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては100℃以上が要求される。更に、イオン化ポテンシャルが低く陽極2からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。この目的のために、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物(特開昭63−295695号公報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平4−308688号公報)、ヒドラゾン化合物(特開平4−320483号公報)、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体(特開平4−220995号公報)、p−(9−アントリル)−N,N−ジ−p−トリルアニリン(特開平3−111485号公報)、ポリチエニレンビニレンやポリ−p−フェニレンビニレン(特開平4−145192号公報)、ポリアニリン(Appl.Phys.Lett.,64巻,1245頁,1994年参照)等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜(特開平8−31573号公報)や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物(第43回応用物理学関係連合講演会,27a−SY−9,1996年)が報告されている。
【0090】
上記陽極バッファ層3の材料としてよく使用される化合物としては、ポルフィン化合物又はフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していても良いし、無金属のものでも良い。好ましいこれらの化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
ポルフィン
5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィン
5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィンコバルト(II)
5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィン銅(II)
5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィン亜鉛(II)
5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィンバナジウム(IV)オキシド
5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィン
29H,31H−フタロシアニン
銅(II)フタロシアニン
亜鉛(II)フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅(II)4,4’,4’’,4’’’−テトラアザ−29H,31H−フタロシアニン
【0091】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層(特開平11−251067号公報、特開2000−159221号公報等に記載)や、芳香族アミノ基等を有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層(特開平11−283750号公報、特開2000−36390号公報、特開2000−150168号公報、特開2001−223084号公報など)なども、好ましい。
【0092】
陽極バッファ層3も、正孔輸送層4と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられる。
【0093】
以上のようにして形成される陽極バッファ層3の膜厚の下限は通常3nm以上好ましくは10nm以上であり、上限は通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
【0094】
なお、上述の図1〜図3のいずれの構造の素子の場合も、陰極8と電子輸送層7とのコンタクトを向上させるために、両者の間に界面層を設けても良い。この陰極界面層に用いられる化合物としては、芳香族ジアミン化合物(特開平6−267658号公報)、キナクリドン化合物(特開平6−330031号公報)、ナフタセン誘導体(特開平6−330032号公報)、有機シリコン化合物(特開平6−325871号公報)、有機リン化合物(特開平5−325872号公報)、N−フェニルカルバゾール骨格を有する化合物(特開平8−60144号公報)、N−ビニルカルバゾール重合体(特開平8−60145号公報)等が例示できる。
【0095】
このような界面層の膜厚の下限は通常2nm以上好ましくは5nm以上、上限は通常100nm以下、好ましくは30nm以下である。
【0096】
また、このような界面層を設ける代わりに、電子輸送層7の陰極界面近傍に上記界面層の材料を50重量%以上含む領域を設けても良い。
【0097】
図1〜図3は、本発明で採用される素子構造の一例を示すものであって、本発明は何ら図示のものに限定されるものではない。例えば、図1とは逆の構造、即ち、基板上に陰極8、電子輸送層7、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2及び図3に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【0098】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【0099】
【実施例】
次に、本発明を合成例、実施例及び比較例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【0100】
合成例1
【化31】
【0101】
エチル4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−2H−イソインドール−1−カルボキシレート1.09g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これにベンズアルデヒド0.30ml(3.0mmol)、トリフルオロ酢酸(TFA)1.5mlを加え12時間還流させた。放冷後、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン(DDQ)0.681g(3.00mmol)をジクロロエタン20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0102】
粗結晶をトルエン130mlに溶かし、トリエチルアミン1.04ml(7.50mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体1.57ml(12.5mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
収量0.326g(収率23%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.02(4H,m,CH2),1.28(4H,m,CH2),1.43(4H,m,CH2),1.44(6H,t,J=7.0,CO2Et),1.62(4H,m,CH2),1.69(2H,m,CH),3.40(2H,m,CH),4.46(4H,q,CO2Et),7.33−7.37(2H,m,ArH),7.45−7.56(3H,m,ArH)
【0103】
合成例2
【化32】
【0104】
エチル4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−2H−イソインドール−1−カルボキシレート1.09g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これに2,6−ジクロロベンズアルデヒド0.438g(2.50mmol)、TFA0.5mlを加え18時間還流させた。放冷後、DDQ1.14g(5.00mmol)をジクロロエタン50mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0105】
粗結晶をトルエン100mlに溶かし、トリエチルアミン5.00ml(36.1mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体5.00ml(39.8mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
収量0.798g(収率50%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.14(4H,m,CH2),1.33(4H,m,CH2),1.45(6H,t,J=7.0Hz,CO2Et),1.48(4H,m,CH2),1.63(4H,m,CH2),1.72(2H,m,CH),3.42(2H,m,CH),4.47(4H,q,J=7.0Hz,CO2Et),7.45−7.49(3H,m,ArH)
【0106】
合成例3
【化33】
【0107】
エチル4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−2H−イソインドール−1−カルボキシレート1.09g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これにp−メトキシベンズアルデヒド0.30ml(2.5mmol)、TFA0.5mlを加え18時間還流させた。放冷後、DDQ0.681g(3.00mmol)をジクロロエタン20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0108】
粗結晶をトルエン80mlに溶かし、トリエチルアミン3.00ml(21.6mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体4.00ml(31.8mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
収量0.957g(収率64%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.04(4H,m,CH2),1.29(4H,m,CH2),1.44(6H,t,J=7.0Hz,CO2Et),1.46(4H,m,CH2),1.59(4H,m,CH2),1.85(2H,m,CH),3.40(2H,m,CH),3.92(3H,s,OCH3),4.45(4H,q,J=7.0Hz,CO2Et),7.00(2H,d,J=8.8Hz,ArH),7.27(2H,d,J=8.8Hz,ArH)
【0109】
合成例4
【化34】
【0110】
エチル4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−2H−イソインゾール−1−カルボキシレート1.09g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これに2,4,6−トリメチルベンズアルデヒド0.363g(2.50mmol)、TFA1.0mlを加え一晩還流させた。放冷後、DDQ0.681g(3.00mmol)をジクロロエタン20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0111】
粗結晶をトルエン100mlに溶かし、トリエチルアミン4.00ml(28.8mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体4.00ml(31.8mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
収量0.0961g(収率6%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ0.99(4H,m,CH2),1.30(4H,m,CH2),1.45(6H,t,J=7.0Hz,CO2Et),1.48(4H,m,CH2),1.62(4H,m,CH2),1.75(2H,m,CH),2.07(6H,s,CH3),2.39(3H,s,CH3),3.40(2H,m,CH),4.46(4H,q,J=7.0Hz,CO2Et),6.95(2H,s,ArH)
【0112】
合成例5
【化35】
【0113】
エチル4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−2H−イソインドール−1−カルボキシレート0.872g(4.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これにテレフタルアルデヒド0.134g(1.00mmol)、TFA1.0mlを加え一晩還流させた。放冷後、DDQ0.454g(2.00mmol)をジクロロエタン20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0114】
粗結晶をジクロロエタン15mlに溶かし、トリエチルアミン1.00ml(7.20mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体1.00ml(8.00mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
【0115】
なお、目的物質のクロロホルム中でのPLスペクトルの極大吸収波長は575nmであり、その蛍光量子収率は0.21(ローダミンBを比較サンプルとして測定した。)であった。
収量0.0474g(収率4%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.12(8H,m,CH2),1.33(8H,m,CH2),1.45(12H,m,CH3),1.55(8H,m,CH2),1.69(8H,m,CH2),2.05(4H,m,CH),3.42(4H,m,CH),4.47(8H,m,CH2),7.61(4H,s,ArH)
【0116】
合成例6
【化36】
【0117】
4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−1−メチル−2H−イソインドール0.806g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これに2,6−ジクロロベンズアルデヒド0.438g(2.50mmol)、TFA0.2mlを加え12時間還流させた。放冷後、DDQ0.681g(3.00mmol)をクロロホルム20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0118】
粗結晶をトルエン100mlに溶かし、トリエチルアミン3.00ml(21.6mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体4.00ml(31.8mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
収量0.161g(収率12%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.12(4H,m,CH2),1.28(4H,m,CH2),1.46(4H,m,CH2),1.62(4H,m,CH2),1.72(2H,m,CH),2.57(6H,s,CH3),2.95(2H,m,CH),7.39−7.44(3H,m,ArH)
【0119】
合成例7
【化37】
【0120】
4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−1−メチル−2H−イソインドール0.90g(4.1mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これに4−フェニルベンゾイルクロライド1.74g(8.2mmol)を加え12時間還流させた。放冷後、DDQ0.681g(3.0mmol)をクロロホルム20mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0121】
粗結晶をトルエン100mlに溶かし、トリエチルアミン0.86ml(6.2mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体1.29ml(10.3mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
【0122】
なお、目的物質のクロロホルム中でのPLスペクトルの極大吸収波長は567nmであり、その蛍光量子収率は0.33(ローダミンBを比較サンプルとして測定した。)であった。
収量0.05g(収率5%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.05(4H,m,CH2),1.23(4H,m,CH2),1.40(4H,m,CH2),1.62(4H,m,CH2),1.87(2H,m,CH),2.57(6H,s,CH3),2.94(2H,m,CH),7.40−7.53(5H,m,ArH),7.68−7.76(4H,m,ArH)
【0123】
合成例8
【化38】
【0124】
4,5,6,7−テトラヒドロ−4,7−エタノ−1−メチル−2H−イソインドール0.806g(5.00mmol)を反応容器に入れアルゴン置換した後、乾燥ジクロロエタン80mlに溶かした。これにテレフタルアルデヒド0.168ml(1.25mmol)、TFA0.2mlを加え一晩還流させた。放冷後、DDQ0.567g(2.50mmol)をジクロロエタン30mlに溶かし、これを反応溶液中に加え、3時間攪拌した。この溶液を濃縮し、次の反応にそのまま用いた。
【0125】
粗結晶をトルエン100mlに溶かし、トリエチルアミン4.00ml(28.8mmol)を加え室温で20分攪拌した。次にボロントリフルオライドエチルエーテル錯体5.00ml(39.8mmol)を加え、30分還流した。反応終了後、室温まで放冷し、不溶物をセライト濾過で濾別し、有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧下濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより目的物質を得た。
【0126】
なお、目的物質のクロロホルム中でのPLスペクトルの極大吸収波長は584nmであり、その蛍光量子収率は0.27(ローダミンBを比較サンプルとして測定した。)であった。
収量0.119g(収率11%)
1H−NMR(CDCl3,270MHz) δ1.09(8H,m,CH2),1.26(8H,m,CH2),1.50(8H,m,CH2),1.67(8H,m,CH2),2.04(4H,m,CH),2.58(12H,s,CH3),2.98(4H,m,CH),7.50(4H,s,ArH)
【0127】
実施例1
図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜を120nm堆積したもの(ジオマテック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が2×10−6Torr(約2.7×10−4Pa)以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、下記構造式(H1)で表される芳香族アミン化合物を、ルツボの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は248〜256℃の範囲で、蒸発時の真空度は1.8×10−6Torr(約2.4×10−4Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒であった。このようにして、膜厚60nmの正孔輸送層4を蒸着した。蒸着時間は2分58秒であった。
【0128】
【化39】
【0129】
引き続き、発光層5の材料として、下記の構造式(E1)に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体、Al(C9H6NO)3及びドープする化合物として「Tetrahedron Letters42(2001)6711.」に記載の方法に準じて合成した下記化合物(D1)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。
【0130】
【化40】
【0131】
【化41】
【0132】
この時の各ルツボの温度は、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E1)に対しては282〜294℃の範囲、化合物(D1)に対しては154〜160℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E1)の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は2分24秒であった。結果として、膜厚30.3nmで化合物(D1)が錯体(E1)に対して1.1重量%ドープされた発光層5が得られた。
【0133】
更に、化合物(D1)の加熱を停止し、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のみを282〜294℃の範囲で温度制御し、膜厚45nmの電子輸送層7を蒸着した。このときの真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、蒸着速度は0.1〜0.4nm/秒で、蒸着時間は2分43秒であった。
【0134】
上記の正孔輸送層4、発光層5及び電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【0135】
電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2×10−6Torr(約2.7×10−4Pa)以下になるまで排気した。陰極8として、まずフッ化マグネシウム(MgF2)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.1nm/秒、真空度7×10−6Torr(約9.3×10−4Pa)で、1.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートを用いて加熱し、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10−5Torr(約1.3×10−3Pa)で、40nmの膜厚でフッ化マグネシウムの上に成膜した。更に引き続き、陰極の導電性を高めるために銀を、同様にモリブデンボートを用いて加熱し、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10−5Torr(約1.3×10−3Pa)で、40nmの膜厚でアルミニウム膜の上に積層して陰極8を完成させた。以上の3層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【0136】
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【0137】
この素子の発光特性を表1及び表2に示す。
表1において、発光輝度は250mA/cm2の電流密度での値、発光効率は100cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特性の傾きを、駆動電圧は100cd/m2での値を各々示す。
表2における発光波長及びCIE色度座標(JIS Z8701)値は、発光輝度100cd/m2での値である。
【0138】
この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は541nm、ピークの半値幅は32nm、CIE色度座標値はx=0.37、y=0.61であった。ホスト材料(E1)の発光のピーク波長は537nm、半値幅は105nmで黄緑色である(後述比較例1参照)。従って、化合物(D1)をドープすることにより発光波長を変えることができ、更に580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0139】
実施例2
図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。実施例1と同様にして作製したITOガラス基板上に、前記装置内に配置されたモリブデンボート入れた下記の銅フタロシアニンを、モリブデンボートに通電することにより加熱して真空容器内で蒸発させ、膜厚10nmの陽極バッファ層3を蒸着した。蒸発時の真空度は1.5×10−6Torr(約2.0×10−4Pa)であった。
【0140】
【化42】
【0141】
次いで、上記装置内に配置されたセラミックルツボに入れた、前記芳香族アミン化合物(H1)を、ルツボの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は250〜260℃、蒸発時の真空度は1.2×10−6Torr(約1.6×10−4Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒であった。このようにして、膜厚60nmの正孔輸送層4を蒸着した。蒸着時間は2分30秒であった。
【0142】
引き続き、発光層5の材料として、前記アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E1)及びドープする化合物として化合物(D1)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。この時の各ルツボの温度は、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体に対しては288〜290℃の範囲、化合物(D1)に対しては154〜159 ℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は3分15秒であった。結果として、膜厚30.3nmで化合物(D1)が錯体(E1)に対して1.1重量%ドープされた発光層5が得られた。
【0143】
次いで、正孔阻止層6として、以下の構造式に示すシラノールアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(HB1)を蒸着した。このときのルツボの温度は222〜227℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は2.0×10−6Torr(約2.6×10−4Pa)、蒸着速度は0.1〜0.4nm/秒で、蒸着時間は36秒であった。結果として、膜厚10nmの正孔阻止層6が得られた。
【0144】
【化43】
【0145】
上記の陽極バッファ層3、正孔輸送層4、発光層5及び正孔阻止層6を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【0146】
ここで、正孔阻止層6までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2×10−6Torr(約2.7×10−4Pa)以下になるまで排気した。
【0147】
次に、電子輸送層7の材料として下記に示す構造式のフェナントロリン誘導体(ET1)とナトリウムを上記正孔阻止層6の上に50:50のモル割合で共蒸着を行った。ナトリウムの蒸着にはクロム酸ナトリウムを有するナトリウムディスペンサー(SAES Getters社製)を用いた。このときのルツボの温度は240〜280℃、ディスペンサーの電流量は4〜5Aの範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.6×10−6Torr(約2.1×10−4Pa)、フェナントロリン誘導体及びナトリウムの蒸着速度は0.05nm/秒で、全膜厚は35nmであった。
【0148】
【化44】
【0149】
続いて、陰極8として、アルミニウムをモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.5nm/秒、真空度1×10−5Torr(約1.3×10−3Pa)で、80 nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。以上の電子輸送層7と陰極8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【0150】
この有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は539nm、半値幅は32nm、CIE色度座標値はx=0.35、y=0.63であった。従って、陽極バッファ層3と正孔輸送層6の導入により、580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0151】
実施例3
図2に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。実施例1と同様にして作製したITOガラス基板上に、前記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた前記銅フタロシアニンを、モリブデンボートに通電することにより加熱して真空容器内で蒸発させ、膜厚10nmの陽極バッファ層3を蒸着した。蒸発時の真空度は1.5×10−6Torr(約2.0×10−4Pa)であった。次に、正孔輸送層4として、前記芳香族アミン化合物(H1)を、ルツボの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は248〜256℃の範囲で、蒸発時の真空度は1.8×10−6Torr(約2.4×10−4Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒であった。このようにして、膜厚20nmの正孔輸送層4が得られた。
【0152】
引き続き前記芳香族アミン化合物(H1)及びドープする化合物として化合物(D1)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。この時の各ルツボの温度は、化合物(H1)に対しては245〜252℃の範囲、化合物(D1)に対しては154〜159 ℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、化合物(H1)の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は3分47秒であった。このようにして、膜厚40.4nmで化合物(D1)が化合物(H1)に対して1.0重量%ドープされた発光層5を蒸着した。
【0153】
上記の正孔輸送層4及び発光層5を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
この後、実施例2と同様にして、正孔阻止層6、電子輸送層7、陰極8を蒸着した。
【0154】
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
この素子は、緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は537nm、ピーク半値幅は34nm、CIE色度座標値はx=0.35、y=0.60であった。ホスト材料の芳香族アミン(H1)に化合物(D1)をドープしない場合、錯体(E1)からの緑色発光が観測され、そのピーク波長は537nmである(後述比較例1参照)。従って、化合物(D1)を芳香族アミンにドープすることにより発光波長を変えることができ、更に580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0155】
実施例4
図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。実施例1と同様にして作製したITOガラス基板上に、前記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた前記銅フタロシアニンを、モリブデンボートに通電することにより加熱して真空容器内で蒸発させ、膜厚20nmの陽極バッファ層3を蒸着した。蒸発時の真空度は1.5×10−6Torr(約2.0×10−4Pa)であった。次に正孔輸送層4として、前記芳香族アミン化合物(H1)を、ルツボの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は248〜256℃の範囲で、蒸発時の真空度は1.8×10−6Torr(約2.4×10−4Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒であった。このようにして、膜厚60nmの正孔輸送層4が得られた。
【0156】
次いで、発光層5の材料として、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E1)及びドープする化合物として、化合物(D1)と同様に合成して得られた化合物(D2)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。
【0157】
【化45】
【0158】
この時の各ルツボの温度は、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体に対しては275〜285℃の範囲、化合物(D2)に対しては180〜195℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は3分であった。結果として、膜厚30.3nmで化合物(D2)が錯体(E1)に対して1.0重量%ドープされた発光層5が得られた。
【0159】
更に、化合物(D2)の加熱を停止し、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のみを282〜294℃の範囲で温度制御し、膜厚45nmの電子輸送層7を蒸着した。このときの真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、蒸着速度は0.1〜0.4nm/秒で、蒸着時間は2分43秒であった。
【0160】
上記の陽極バッファ層3、正孔輸送層4、発光層5及び電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
この後、実施例1と同様にして、陰極8を蒸着した。
【0161】
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は541nm、ピーク半値幅は31nm、CIE色度座標値はx=0.36、y=0.62であった。ホスト材料(E1)の発光のピーク波長は、537nmで緑色である(後述比較例1参照)。従って、化合物(D2)をドープすることにより発光波長を変えることができ、更に580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0162】
実施例5
実施例4と同様の方法で、膜厚30.7nmで化合物(D2)が錯体(E1)に対して2.4重量%ドープされた発光層を有する素子を作製した。
【0163】
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
この素子は、鮮明な緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は541nm、ピーク半値幅は31nm、CIE色度座標値はx=0.36、y=0.62であった。ホスト材料(E1)の発光のピーク波長は、537nmで緑色である(後述比較例1参照)。従って、化合物(D2)を高い濃度でドープした場合においても580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0164】
実施例6
図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。実施例1と同様にして作製したITOガラス基板上に、前記装置内に配置されたモリブデンボートに入れた前記銅フタロシアニンを、モリブデンボートに通電することにより加熱して真空容器内で蒸発させ、膜厚20nmの陽極バッファ層3を蒸着した。蒸発時の真空度は1.5×10−6Torr(約2.0×10−4Pa)であった。次に、正孔輸送層4として、前記芳香族アミン化合物(H1)を、ルツボの周囲のTa線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。ルツボの温度は248〜256℃の範囲で、蒸発時の真空度は1.8×10−6Torr(約2.4×10−4Pa)、蒸着速度は0.2〜0.3nm/秒であった。このようにして、膜厚20nmで蒸着した。
【0165】
引き続き芳香族アミン化合物(H1)及びドープする化合物として化合物(D2)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。この時の各ルツボの温度は、化合物(H1)に対しては245〜252℃の範囲、化合物(D1)に対しては178〜185℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、化合物(H1)の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は3分47秒であった。このようにして、膜厚40.4nmで化合物(D2)が化合物(H1)に対して1.0重量%ドープされた層を蒸着した。この結果、部分的に化合物(D2)がドープされた膜厚60.4nmの正孔輸送層4が得られた。
【0166】
次いで、発光層5の材料として、前記アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(E1)及びドープする化合物として化合物(D2)を、各々、別々のルツボを用いて、同時に加熱して蒸着を行った。この時の各ルツボの温度は、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体に対しては275〜285℃の範囲、化合物(D2)に対しては180〜195℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体の蒸着速度は0.1〜0.3nm/秒で、蒸着時間は3分であった。結果として、膜厚30.3nmで化合物(D2)が錯体(E1)に対して1.0重量%ドープされた発光層5が得られた。
【0167】
更に、化合物(D2)の加熱を停止し、アルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のみを282〜294℃の範囲で温度制御し、膜厚45nmの電子輸送層7を蒸着した。このときの真空度は1.3×10−6Torr(約1.7×10−4Pa)、蒸着速度は0.1〜0.4nm/秒で、蒸着時間は2分43秒であった。
【0168】
上記の陽極バッファ層3、正孔輸送層4、発光層5及び電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
この後、実施例1と同様にして、陰極8を蒸着した。
【0169】
得られた有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
この素子は、緑色の一様な発光を示し、発光のピーク波長は537nm、ピーク半値幅は34nm、CIE色度座標値はx=0.35、y=0.60であった。化合物(D2)をドープしない場合、錯体(E1)からの緑色発光が観測され、そのピーク波長は537nmである(後述比較例1参照)。従って、化合物(D2)を芳香族アミン及びアルミニウム錯体の両者にドープすることにより発光波長を変えることができ、更に580nmより短波長の発光を効率良く得ることができたことが確認された。
【0170】
比較例1
発光層5に前記化合物(D1)をドープしなかったこと以外は実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、537nmに発光のピーク波長を持ち、緑色の一様な発光を示した。
この有機電界発光素子の発光特性を表1及び表2に示す。
【0171】
【表1】
【0172】
【表2】
【0173】
表1,2から明らかなように、本発明のピロメテン骨格及び橋頭位をもつ縮合環構造を有する化合物をドープした素子は、発光開始電圧、発光輝度、発光効率等、いずれの点においても優れており、また発光のピーク半値幅から、より深い緑色発光を得られることが示された。
【0174】
(安定性評価)
実施例1〜6及び比較例1に記述する方法で作製した各々の素子に、大気中25℃で電流密度が250mA/cm2となる定電流を30秒間通電し、通電前後での素子の発光輝度を測定した。測定結果を表3に示す。
表3において、通電による輝度低下の割合は、通電終了時の発光輝度を通電開始時の発光輝度で除した値を百分率で示したものである。
【0175】
【表3】
【0176】
表3より明らかなように、実施例1〜6の素子は、比較例1の素子に比べ、連続通電による発光輝度の低下が抑制された。つまり、本発明に係るピロメテン骨格及び橋頭位をもつ縮合環構造を有する化合物を有機電界発光素子のドープ材料として用いることにより、安定した発光特性をもたらすことが示された。
【0177】
【発明の効果】
以上記述した通り、本発明の有機電界発光素子によれば、陽極/陰極間の有機物層が、特定のピロメテン骨格を有する化合物を含有するために、発光特性及び安定性が向上した素子を得ることができる。従って、本発明による有機電界発光素子はフルカラー表示可能なフラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、発光スペクトルが可視長波長領域にわたる面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、鮮明な赤色発光体としての特徴を生かした光源(例えば計器類の警告表示光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式的断面図である。
【図2】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式的断面図である。
【図3】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 陽極
3 陽極バッファ層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 陰極
Claims (12)
- 対向する陽極と陰極との間に、主として有機物からなる層を有する有機電界発光素子であって、該有機物層のうち少なくとも1層が、下記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
R1〜R7は各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表すか、隣接する基同士が結合して環を形成する。
R1〜R7のうちの少なくとも1つは、任意の置換基であるか、隣接する基同士で結合して環を形成している。該環は置換されていても良い。
該任意の置換基又は該環のうち少なくとも1つが、橋頭位をもつ縮合環構造を含有する。該橋頭位をもつ縮合環構造は置換されていても良い。) - 前記一般式(I)で表される化合物の錯体化合物において、中心金属が、ホウ素、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金及びパラジウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記一般式(I)において、R1〜R7のうちの少なくとも1つが、橋頭位をもつ縮合環構造を含有する置換基であり、該縮合環構造は置換されていても良い、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
- 前記一般式(I)において、R1とR2、R2とR3、R4とR5、及び/又はR5とR6が、互いに結合して環を形成しており、
該環は橋頭位をもつ縮合環構造を含み、かつ
該環は置換されていても良い、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 - R1〜R7のうち環を形成していないものが、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、アシル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、水酸基、−OR基(但し、Rはアルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基又はアルキルカルボニル基を表し、Rはその炭化水素部分に置換基を有していても良い)、シクロアルキル基、飽和複素環基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、これらはいずれも更に置換されていても良い、請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 橋頭位を持つ縮合環構造の少なくとも1つがビシクロ環である、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
- 橋頭位を有する縮合環構造の少なくとも1つが、[l.m.n](但し、lは1〜6の整数であり、mおよびnは、n≧mを満たす1以上の整数である。)で表されるビシクロ環である、請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物を含む層が発光層である、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
- 該発光層が、電子輸送性材料及び/又は正孔輸送性材料をホスト材料とし、該ホスト材料に対して、前記一般式(I)で表される化合物及び/又はその錯体化合物がドープされている、請求項10に記載の有機電界発光素子。
- 有機電界発光のピーク波長が580nmより短波長である、請求項1ないし11のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003068439A JP2004311030A (ja) | 2002-06-03 | 2003-03-13 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002161745 | 2002-06-03 | ||
JP2003044648 | 2003-02-21 | ||
JP2003068439A JP2004311030A (ja) | 2002-06-03 | 2003-03-13 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004311030A true JP2004311030A (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=33479492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003068439A Pending JP2004311030A (ja) | 2002-06-03 | 2003-03-13 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004311030A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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