JP2004295049A - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光ファイバを基板に固定するときに光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる光モジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板5に光ファイバ3を支持するV溝51を形成する。V溝51の2箇所に溝側メタル層57,58を形成する。光ファイバ3の外周面の2箇所に溝側メタル層57,58に対向する光ファイバ側メタル層31,32を形成する。光ファイバ側メタル層31,32にはんだ層を形成する。リフローはんだ付けにより、はんだ層によって溝側メタル層57,58に光ファイバ側メタル層31,32をはんだ付けする。
【選択図】 図1
【解決手段】シリコン基板5に光ファイバ3を支持するV溝51を形成する。V溝51の2箇所に溝側メタル層57,58を形成する。光ファイバ3の外周面の2箇所に溝側メタル層57,58に対向する光ファイバ側メタル層31,32を形成する。光ファイバ側メタル層31,32にはんだ層を形成する。リフローはんだ付けにより、はんだ層によって溝側メタル層57,58に光ファイバ側メタル層31,32をはんだ付けする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は光ファイバが基板に形成された溝で支持され、溝の一端側に光回路素子が配置される光モジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光モジュールとして、2対のV字状の面を有し、光導波路が形成される基板と、2対のV字状の面に接着された光ファイバとを備えるものがある(下記特許文献1参照)。
【0003】
この光モジュールを製造するには、まず、基板を異方性エッチングすることにより2対のV字状の面を形成し、次に、2対のV字状の面に光ファイバを位置決めし、その後、光学接着材等を用いて光ファイバを基板に接着する。
【0004】
【特許文献1】
特開平7−35948号公報(段落0013、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光モジュールでは、光ファイバを基板に接着するときに、光ファイバはV字状の面によって光ファイバの径方向へ自動的に位置決めされるが、光ファイバの光軸方向へは自動的に位置決めされない。
【0006】
このため、従来、通常、光ファイバをその光軸方向へ位置決めしてから光ファイバを基板に接着していた。
【0007】
ところが、光軸方向の位置決めは位置決め装置を用いて行われ、その作業が煩雑であった。
【0008】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は光ファイバを基板に固定するときに光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる光モジュール及びその製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため請求項1の発明の光モジュールは、光ファイバが基板に形成された溝で支持され、前記溝の一端側に光回路素子が配置される光モジュールにおいて、前記溝の一部に溝側メタル層が形成され、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層が形成され、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層がはんだ付けされていることを特徴とする。
【0010】
上述のように基板の溝の一部に溝側メタル層が形成され、光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層が形成されているので、溝側メタル層に光ファイバ側メタル層をはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0011】
請求項2の発明の光モジュールは、請求項1記載の光モジュールにおいて、前記基板がシリコンで形成され、前記溝がV溝であることを特徴とする。
【0012】
上述のように溝がV溝であるので、溝側メタル層に光ファイバ側メタル層をはんだ付けするときに、V溝によって光ファイバがその径方向へ自動的に位置決めされる。
【0013】
請求項3の発明の光モジュールの製造方法は、基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、前記溝側メタル層及び前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一方にはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、前記光ファイバ配置工程の後、前記はんだ層を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする。
【0014】
上述のように溝側メタル層形成工程と光ファイバ側メタル層形成工程とはんだ層形成工程と光ファイバ配置工程とを経た後にはんだ溶融工程が行われるので、はんだ溶融工程時に、溶融したはんだ層の表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0015】
請求項4の発明の光モジュールの製造方法は、基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、前記溝側メタル層にはんだ片を置くはんだ片配置工程と、前記はんだ片配置工程の後、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、前記光ファイバ配置工程の後、前記溝側メタル層と前記光ファイバ側メタル層との間に位置する前記はんだ片を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする。
【0016】
上述のように溝側メタル層形成工程と光ファイバ側メタル層形成工程とはんだ片配置工程と光ファイバ配置工程とを経た後にはんだ溶融工程が行われるので、はんだ溶融工程時に、溶融したはんだ片の表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0018】
図1はこの発明の一実施形態に係る光モジュールの組立前の状態を示す斜視図、図2はその光モジュールの組立後の状態を示す斜視図である。
【0019】
この光モジュールは光ファイバ3とシリコン基板(基板)5とレーザ発光ダイオード(光回路素子)7とを備えている。
【0020】
光ファイバ3の外周面の2箇所には光ファイバ側メタル層31,32が形成されている。光ファイバ3の長手方向aにおける光ファイバ側メタル層31の長さと光ファイバ側メタル層32の長さとは同じである。光ファイバ側メタル層31,32にはそれぞれはんだ層(図示せず)が形成されている。このはんだ層は金の層とすずの層とが交互に積層された多層構造を有する。
【0021】
シリコン基板5にはV溝51が形成されている。V溝51はシリコン基板5の一端面52の近傍から他端面53に達している。
【0022】
また、シリコン基板5の一端部にははんだ付け部54(図10参照)及び導体パターン55,56が形成されている。
【0023】
V溝51の2箇所には溝側メタル層57,58が形成されている。V溝51の長手方向bにおける溝側メタル層57の長さと溝側メタル層58の長さとは同じである。更に、溝側メタル層57,58の長さは光ファイバ側メタル層31,32の長さに等しい。溝側メタル層57,58は光ファイバ3がV溝51内に正しく位置決めされたときにそれぞれ光ファイバ側メタル層31,32と完全に重なる。
【0024】
レーザ発光ダイオード7ははんだ付け部54にはんだ付けされ、導体パターン55,56に電気的に接続される。
【0025】
図3〜図13は図1に示す光モジュールの製造過程を示し、図3は光ファイバ側メタル層を形成するときに用いられる治工具を示し、同図(a)は治工具の平面図、同図(b)は治工具の正面図、図4は光ファイバを配置した状態の治工具の平面図、図5は全体をフォトレジストで覆った状態の治工具の平面図、図6は光ファイバ側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態の治工具の平面図、図7はV溝を形成する前の状態のシリコン基板の平面図、図8はV溝を形成した後の状態のシリコン基板の平面図、図9はフォトレジストで覆った状態のシリコン基板の平面図、図10は基板側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態のシリコン基板の平面図、図11はV溝に光ファイバを配置した状態のシリコン基板を示し、同図(a)は平面図、同図(b)は縦断面図、図12ははんだ付け工程時のシリコン基板の縦断面図、図13ははんだが固まった状態のシリコン基板の縦断面図である。
【0026】
図3〜図13に基づいて光モジュールの製造方法について説明する。
【0027】
まず、図3に示す治工具20を用意する。治工具20はV溝21とストッパ部22と位置決め用凹部23とを有する。
【0028】
次に、図4に示すように、V溝21に光ファイバ3を配置し、光ファイバ3の一端面をストッパ部22に突き当て、光ファイバ3を位置決めする。
【0029】
その後、図5に示すように、光ファイバ3を配置した治工具20の表面にレジスト11を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工程、現像工程を経てフォトレジスト11の所定位置に開口11a,11bを形成する。
【0030】
次に、治工具20に対して蒸着或いはスパッタリング等を行い、開口11a,11bを通じて光ファイバ3の表面にメタル層を形成し(光ファイバ側メタル層形成工程)、更にその上にはんだ層を形成する(はんだ層形成工程)。
【0031】
その後、リフトオフ工程でフォトレジスト11を除去する。
【0032】
以上の工程を経て、図6に示すように、はんだ層(図示せず)で覆われた光ファイバ側メタル層31,32が光ファイバ3に形成される。
【0033】
次に、シリコン基板5の加工について説明する。
【0034】
まず、図7に示すシリコン基板5を用意し、シリコン基板5の上面全体に保護膜(図示せず)を形成する。
【0035】
次に、保護膜の一部を除去してシリコン基板5の上面の一部を帯状に露出させ、図8に示すように、シリコン基板5をアルカリ溶液で異方性エッチングしてV溝51を形成する。
【0036】
その後、図9に示すように、V溝51が形成されたシリコン基板5の表面にフォトレジスト12を塗布する。その後、シリコン基板5にフォトリソグラフィ工程、現像工程を経てフォトレジスト12の所定位置に開口12a,12b,12c,12d,12eを形成する。
【0037】
次に、シリコン基板5に対して蒸着或いはスパッタリング等を行い、開口12a,12b,12c,12d,12eを通じてシリコン基板5の表面にメタル層を形成する(溝側メタル層形成工程)。
その後、リフトオフ工程にによりフォトレジスト12を除去する。
【0038】
以上の工程を経て、図10に示すように、はんだ付け部54、導体パターン55,56及び溝側メタル層57,58がシリコン基板5に形成される。
【0039】
次に、図11に示すように、光ファイバ側メタル層31,32がそれぞれ溝側メタル層57,58の上に重なるようにシリコン基板5のV溝51内に光ファイバ3を配置する(光ファイバ配置工程)。このとき光ファイバ側メタル層31,32が溝側メタル層57,58に対して少しずれても構わない。
【0040】
その後、オーブン等で光ファイバ3及びシリコン基板5をはんだ層の溶融温度以上に加熱する(はんだ溶融工程)。すると、V溝51bによって光ファイバ3がその径方向へ自動的に位置決めされ、更に、図12中の矢印で示すように、溶融したはんだの表面張力により光ファイバ3がその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0041】
このように、溶融したはんだによっていわゆるセルフアライメント効果が生じ、光ファイバ3が自動的に位置決めされたら、光ファイバ3及びシリコン基板5の加熱を止め、光ファイバ3及びシリコン基板5を冷却する。すると、図13に示すように、光ファイバ3はその径方向及び光軸方向へ正確に位置決めされた状態でシリコン基板5にはんだ付けされる。
【0042】
図11〜13において、レーザ発光ダイオード7が示されていないが、レーザ発光ダイオード7は光ファイバ3とともにシリコン基板5にはんだ付けされる。
【0043】
以上のように、この実施形態によれば、光ファイバ3をシリコン基板5に固定するときに光ファイバ3をその径方向および光軸方向へ自動的に正確に位置決めすることができる。
【0044】
なお、この実施形態では基板としてシリコン基板5が用いられているが、基板はシリコン基板に限られず、GaAs基板等でもよい。
【0045】
また、シリコン基板5にはV溝51が形成されているが、溝としてはV溝51に限られず、光ファイバ3を2箇所で支持できる溝であればよい。これに対し、光ファイバ3を2箇所で支持できない溝、例えば、U字形等の溝では、光軸方向のみセルフアライメント機能が働く。
【0046】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32にはんだ層を積層したが、はんだ層を溝側メタル層57,58の方に積層してもよく、また、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58の両方にはんだ層を積層してもよい。更に、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58の両方にはんだ層を積層せず、光ファイバ側メタル層31,32と溝側メタル層57,58との間にはんだ片(はんだで形成された薄いチップ)を配置(はんだ片配置工程)するようにしてもよい。
【0047】
また、この実施形態では、光回路素子としてレーザ発光ダイオード7が用いられているが、光回路素子としてはレーザ発光ダイオード以外のものでもよい。
【0048】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58は単層構造であるが、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58を多層構造にしてもよい。
【0049】
また、この実施形態では、はんだ層は多層構造であるが、単層構造でもよい。
【0050】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32の長さと溝側メタル層57,58の長さとを同じにしたが、必ずしもこのように構成する必要はなく、光ファイバ側メタル層31,32の長手方向の中間点と溝側メタル層57,58の長手方向の中間点とが一致したときに光ファイバ3が正しい位置にあるならば、光ファイバ側メタル層31,32の長さと溝側メタル層57,58の長さとが多少異なっていても構わない。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1の発明の光モジュールによれば、光ファイバを基板にはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0052】
請求項2の発明の光モジュールによれば、光ファイバを基板にはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができ、更に、V溝によって光ファイバをその径方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0053】
請求項3の発明の光モジュールの製造方法によれば、はんだ層を溶融させるはんだ溶融工程時に、溶融したはんだ層の表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0054】
請求項4の発明の光モジュールの製造方法によれば、溝側メタル層と光ファイバ側メタル層との間に位置するはんだ片を溶融させるはんだ溶融工程時に、溶融したはんだ片の表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の一実施形態に係る光モジュールの組立前の状態を示す斜視図である。
【図2】図2はその光モジュールの組立後の状態を示す斜視図である。
【図3】図3は光ファイバ側メタル層を形成するときに用いられる治工具を示し、同図(a)は治工具の平面図、同図(b)は治工具の正面図である。
【図4】図4は光ファイバを配置した状態の治工具の平面図である。
【図5】図5は全体をフォトレジストで覆った状態の治工具の平面図である。
【図6】図6は光ファイバ側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態の治工具の平面図である。
【図7】図7はV溝を形成する前の状態のシリコン基板の平面図である。
【図8】図8はV溝を形成した後の状態のシリコン基板の平面図である。
【図9】図9はフォトレジストで覆った状態のシリコン基板の平面図である。
【図10】図10は基板側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態のシリコン基板の平面図である。
【図11】図11はV溝に光ファイバを配置した状態のシリコン基板を示し、同図(a)は平面図、同図(b)は縦断面図である。
【図12】図12ははんだ付け工程時のシリコン基板の縦断面図である。
【図13】図13ははんだが固まった状態のシリコン基板の縦断面図である。
【符号の説明】
3 光ファイバ
5 シリコン基板
31,32 光ファイバ側メタル層
51 V溝
57,58 溝側メタル層
【発明の属する技術分野】
この発明は光ファイバが基板に形成された溝で支持され、溝の一端側に光回路素子が配置される光モジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の光モジュールとして、2対のV字状の面を有し、光導波路が形成される基板と、2対のV字状の面に接着された光ファイバとを備えるものがある(下記特許文献1参照)。
【0003】
この光モジュールを製造するには、まず、基板を異方性エッチングすることにより2対のV字状の面を形成し、次に、2対のV字状の面に光ファイバを位置決めし、その後、光学接着材等を用いて光ファイバを基板に接着する。
【0004】
【特許文献1】
特開平7−35948号公報(段落0013、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光モジュールでは、光ファイバを基板に接着するときに、光ファイバはV字状の面によって光ファイバの径方向へ自動的に位置決めされるが、光ファイバの光軸方向へは自動的に位置決めされない。
【0006】
このため、従来、通常、光ファイバをその光軸方向へ位置決めしてから光ファイバを基板に接着していた。
【0007】
ところが、光軸方向の位置決めは位置決め装置を用いて行われ、その作業が煩雑であった。
【0008】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は光ファイバを基板に固定するときに光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる光モジュール及びその製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するため請求項1の発明の光モジュールは、光ファイバが基板に形成された溝で支持され、前記溝の一端側に光回路素子が配置される光モジュールにおいて、前記溝の一部に溝側メタル層が形成され、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層が形成され、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層がはんだ付けされていることを特徴とする。
【0010】
上述のように基板の溝の一部に溝側メタル層が形成され、光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層が形成されているので、溝側メタル層に光ファイバ側メタル層をはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0011】
請求項2の発明の光モジュールは、請求項1記載の光モジュールにおいて、前記基板がシリコンで形成され、前記溝がV溝であることを特徴とする。
【0012】
上述のように溝がV溝であるので、溝側メタル層に光ファイバ側メタル層をはんだ付けするときに、V溝によって光ファイバがその径方向へ自動的に位置決めされる。
【0013】
請求項3の発明の光モジュールの製造方法は、基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、前記溝側メタル層及び前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一方にはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、前記光ファイバ配置工程の後、前記はんだ層を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする。
【0014】
上述のように溝側メタル層形成工程と光ファイバ側メタル層形成工程とはんだ層形成工程と光ファイバ配置工程とを経た後にはんだ溶融工程が行われるので、はんだ溶融工程時に、溶融したはんだ層の表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0015】
請求項4の発明の光モジュールの製造方法は、基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、前記溝側メタル層にはんだ片を置くはんだ片配置工程と、前記はんだ片配置工程の後、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、前記光ファイバ配置工程の後、前記溝側メタル層と前記光ファイバ側メタル層との間に位置する前記はんだ片を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする。
【0016】
上述のように溝側メタル層形成工程と光ファイバ側メタル層形成工程とはんだ片配置工程と光ファイバ配置工程とを経た後にはんだ溶融工程が行われるので、はんだ溶融工程時に、溶融したはんだ片の表面張力によって光ファイバがその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0018】
図1はこの発明の一実施形態に係る光モジュールの組立前の状態を示す斜視図、図2はその光モジュールの組立後の状態を示す斜視図である。
【0019】
この光モジュールは光ファイバ3とシリコン基板(基板)5とレーザ発光ダイオード(光回路素子)7とを備えている。
【0020】
光ファイバ3の外周面の2箇所には光ファイバ側メタル層31,32が形成されている。光ファイバ3の長手方向aにおける光ファイバ側メタル層31の長さと光ファイバ側メタル層32の長さとは同じである。光ファイバ側メタル層31,32にはそれぞれはんだ層(図示せず)が形成されている。このはんだ層は金の層とすずの層とが交互に積層された多層構造を有する。
【0021】
シリコン基板5にはV溝51が形成されている。V溝51はシリコン基板5の一端面52の近傍から他端面53に達している。
【0022】
また、シリコン基板5の一端部にははんだ付け部54(図10参照)及び導体パターン55,56が形成されている。
【0023】
V溝51の2箇所には溝側メタル層57,58が形成されている。V溝51の長手方向bにおける溝側メタル層57の長さと溝側メタル層58の長さとは同じである。更に、溝側メタル層57,58の長さは光ファイバ側メタル層31,32の長さに等しい。溝側メタル層57,58は光ファイバ3がV溝51内に正しく位置決めされたときにそれぞれ光ファイバ側メタル層31,32と完全に重なる。
【0024】
レーザ発光ダイオード7ははんだ付け部54にはんだ付けされ、導体パターン55,56に電気的に接続される。
【0025】
図3〜図13は図1に示す光モジュールの製造過程を示し、図3は光ファイバ側メタル層を形成するときに用いられる治工具を示し、同図(a)は治工具の平面図、同図(b)は治工具の正面図、図4は光ファイバを配置した状態の治工具の平面図、図5は全体をフォトレジストで覆った状態の治工具の平面図、図6は光ファイバ側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態の治工具の平面図、図7はV溝を形成する前の状態のシリコン基板の平面図、図8はV溝を形成した後の状態のシリコン基板の平面図、図9はフォトレジストで覆った状態のシリコン基板の平面図、図10は基板側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態のシリコン基板の平面図、図11はV溝に光ファイバを配置した状態のシリコン基板を示し、同図(a)は平面図、同図(b)は縦断面図、図12ははんだ付け工程時のシリコン基板の縦断面図、図13ははんだが固まった状態のシリコン基板の縦断面図である。
【0026】
図3〜図13に基づいて光モジュールの製造方法について説明する。
【0027】
まず、図3に示す治工具20を用意する。治工具20はV溝21とストッパ部22と位置決め用凹部23とを有する。
【0028】
次に、図4に示すように、V溝21に光ファイバ3を配置し、光ファイバ3の一端面をストッパ部22に突き当て、光ファイバ3を位置決めする。
【0029】
その後、図5に示すように、光ファイバ3を配置した治工具20の表面にレジスト11を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工程、現像工程を経てフォトレジスト11の所定位置に開口11a,11bを形成する。
【0030】
次に、治工具20に対して蒸着或いはスパッタリング等を行い、開口11a,11bを通じて光ファイバ3の表面にメタル層を形成し(光ファイバ側メタル層形成工程)、更にその上にはんだ層を形成する(はんだ層形成工程)。
【0031】
その後、リフトオフ工程でフォトレジスト11を除去する。
【0032】
以上の工程を経て、図6に示すように、はんだ層(図示せず)で覆われた光ファイバ側メタル層31,32が光ファイバ3に形成される。
【0033】
次に、シリコン基板5の加工について説明する。
【0034】
まず、図7に示すシリコン基板5を用意し、シリコン基板5の上面全体に保護膜(図示せず)を形成する。
【0035】
次に、保護膜の一部を除去してシリコン基板5の上面の一部を帯状に露出させ、図8に示すように、シリコン基板5をアルカリ溶液で異方性エッチングしてV溝51を形成する。
【0036】
その後、図9に示すように、V溝51が形成されたシリコン基板5の表面にフォトレジスト12を塗布する。その後、シリコン基板5にフォトリソグラフィ工程、現像工程を経てフォトレジスト12の所定位置に開口12a,12b,12c,12d,12eを形成する。
【0037】
次に、シリコン基板5に対して蒸着或いはスパッタリング等を行い、開口12a,12b,12c,12d,12eを通じてシリコン基板5の表面にメタル層を形成する(溝側メタル層形成工程)。
その後、リフトオフ工程にによりフォトレジスト12を除去する。
【0038】
以上の工程を経て、図10に示すように、はんだ付け部54、導体パターン55,56及び溝側メタル層57,58がシリコン基板5に形成される。
【0039】
次に、図11に示すように、光ファイバ側メタル層31,32がそれぞれ溝側メタル層57,58の上に重なるようにシリコン基板5のV溝51内に光ファイバ3を配置する(光ファイバ配置工程)。このとき光ファイバ側メタル層31,32が溝側メタル層57,58に対して少しずれても構わない。
【0040】
その後、オーブン等で光ファイバ3及びシリコン基板5をはんだ層の溶融温度以上に加熱する(はんだ溶融工程)。すると、V溝51bによって光ファイバ3がその径方向へ自動的に位置決めされ、更に、図12中の矢印で示すように、溶融したはんだの表面張力により光ファイバ3がその光軸方向へ自動的に位置決めされる。
【0041】
このように、溶融したはんだによっていわゆるセルフアライメント効果が生じ、光ファイバ3が自動的に位置決めされたら、光ファイバ3及びシリコン基板5の加熱を止め、光ファイバ3及びシリコン基板5を冷却する。すると、図13に示すように、光ファイバ3はその径方向及び光軸方向へ正確に位置決めされた状態でシリコン基板5にはんだ付けされる。
【0042】
図11〜13において、レーザ発光ダイオード7が示されていないが、レーザ発光ダイオード7は光ファイバ3とともにシリコン基板5にはんだ付けされる。
【0043】
以上のように、この実施形態によれば、光ファイバ3をシリコン基板5に固定するときに光ファイバ3をその径方向および光軸方向へ自動的に正確に位置決めすることができる。
【0044】
なお、この実施形態では基板としてシリコン基板5が用いられているが、基板はシリコン基板に限られず、GaAs基板等でもよい。
【0045】
また、シリコン基板5にはV溝51が形成されているが、溝としてはV溝51に限られず、光ファイバ3を2箇所で支持できる溝であればよい。これに対し、光ファイバ3を2箇所で支持できない溝、例えば、U字形等の溝では、光軸方向のみセルフアライメント機能が働く。
【0046】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32にはんだ層を積層したが、はんだ層を溝側メタル層57,58の方に積層してもよく、また、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58の両方にはんだ層を積層してもよい。更に、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58の両方にはんだ層を積層せず、光ファイバ側メタル層31,32と溝側メタル層57,58との間にはんだ片(はんだで形成された薄いチップ)を配置(はんだ片配置工程)するようにしてもよい。
【0047】
また、この実施形態では、光回路素子としてレーザ発光ダイオード7が用いられているが、光回路素子としてはレーザ発光ダイオード以外のものでもよい。
【0048】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58は単層構造であるが、光ファイバ側メタル層31,32及び溝側メタル層57,58を多層構造にしてもよい。
【0049】
また、この実施形態では、はんだ層は多層構造であるが、単層構造でもよい。
【0050】
なお、この実施形態では、光ファイバ側メタル層31,32の長さと溝側メタル層57,58の長さとを同じにしたが、必ずしもこのように構成する必要はなく、光ファイバ側メタル層31,32の長手方向の中間点と溝側メタル層57,58の長手方向の中間点とが一致したときに光ファイバ3が正しい位置にあるならば、光ファイバ側メタル層31,32の長さと溝側メタル層57,58の長さとが多少異なっていても構わない。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1の発明の光モジュールによれば、光ファイバを基板にはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0052】
請求項2の発明の光モジュールによれば、光ファイバを基板にはんだ付けするときに、溶融したはんだの表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができ、更に、V溝によって光ファイバをその径方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0053】
請求項3の発明の光モジュールの製造方法によれば、はんだ層を溶融させるはんだ溶融工程時に、溶融したはんだ層の表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【0054】
請求項4の発明の光モジュールの製造方法によれば、溝側メタル層と光ファイバ側メタル層との間に位置するはんだ片を溶融させるはんだ溶融工程時に、溶融したはんだ片の表面張力によって光ファイバをその光軸方向へ自動的に位置決めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の一実施形態に係る光モジュールの組立前の状態を示す斜視図である。
【図2】図2はその光モジュールの組立後の状態を示す斜視図である。
【図3】図3は光ファイバ側メタル層を形成するときに用いられる治工具を示し、同図(a)は治工具の平面図、同図(b)は治工具の正面図である。
【図4】図4は光ファイバを配置した状態の治工具の平面図である。
【図5】図5は全体をフォトレジストで覆った状態の治工具の平面図である。
【図6】図6は光ファイバ側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態の治工具の平面図である。
【図7】図7はV溝を形成する前の状態のシリコン基板の平面図である。
【図8】図8はV溝を形成した後の状態のシリコン基板の平面図である。
【図9】図9はフォトレジストで覆った状態のシリコン基板の平面図である。
【図10】図10は基板側メタル層を形成した後にフォトレジストを取り除いた状態のシリコン基板の平面図である。
【図11】図11はV溝に光ファイバを配置した状態のシリコン基板を示し、同図(a)は平面図、同図(b)は縦断面図である。
【図12】図12ははんだ付け工程時のシリコン基板の縦断面図である。
【図13】図13ははんだが固まった状態のシリコン基板の縦断面図である。
【符号の説明】
3 光ファイバ
5 シリコン基板
31,32 光ファイバ側メタル層
51 V溝
57,58 溝側メタル層
Claims (4)
- 光ファイバが基板に形成された溝で支持され、前記溝の一端側に光回路素子が配置される光モジュールにおいて、
前記溝の一部に溝側メタル層が形成され、
前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層が形成され、
前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層がはんだ付けされていることを特徴とする光モジュール。 - 前記基板がシリコンで形成され、前記溝がV溝であることを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
- 基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、
前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、
前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、
前記溝側メタル層及び前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一方にはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、
前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、
前記光ファイバ配置工程の後、前記はんだ層を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 基板と、この基板に形成された溝にはんだ付けされる光ファイバとを備えた光モジュールの製造方法において、
前記溝の一部に溝側メタル層を形成する溝側メタル層形成工程と、
前記光ファイバの一部に光ファイバ側メタル層を形成する光ファイバ側メタル層形成工程と、
前記溝側メタル層にはんだ片を置くはんだ片配置工程と、
前記はんだ片配置工程の後、前記溝側メタル層に前記光ファイバ側メタル層の少なくとも一部が重なるように前記光ファイバを前記溝に配置する光ファイバ配置工程と、
前記光ファイバ配置工程の後、前記溝側メタル層と前記光ファイバ側メタル層との間に位置する前記はんだ片を溶融させるはんだ溶融工程とを含むことを特徴とする光モジュールの製造方法。
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JP2003091050A JP2004295049A (ja) | 2003-03-28 | 2003-03-28 | 光モジュール及びその製造方法 |
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JP2008262116A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波回路およびその作製方法 |
JP2010060710A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Fujikura Ltd | 光モジュール |
JP2013092758A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Citizen Holdings Co Ltd | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
-
2003
- 2003-03-28 JP JP2003091050A patent/JP2004295049A/ja not_active Withdrawn
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