JP2004289037A - ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】吸湿率が1.5%以下で85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上の樹脂組成物であり、そのガラス転移温度が−30℃から60℃である。樹脂組成物はアクリル酸共重合体とエポキシ樹脂を含有してなるものが好ましく、ダイボンディング用接着剤として用いることができる。
Description
【発明に属する技術分野】
本発明は、耐熱性および耐湿性に優れるダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップのピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リードフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
【0003】
ピックアップされた半導体チップは、ダイボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などのダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造されている。しかしながら、多段にチップを重ねる必要からウエハーの薄型化が進んでいるが従来のダイボンディング材である樹脂ペーストだと適量の接着剤を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ出したり、硬化後のチップの反りのためパッケージに組込み時の信頼性が低下するという問題があった。また、接着剤の塗布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも、改善・改良が要求されている。
【0004】
この問題の解決のため、液状ダイアタッチ材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材として使用することが提案され、一部では、既に使用されている(例えば、特許文献1,2参照)。しかし、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装するのに必要な耐熱性や耐湿性が不足するという問題が生じている。
ダイボンディング材に起因するリフロークラックのメカニズムはダイボンディング材が吸湿しこの水分がリフローはんだ付け実装時に加熱により水蒸気化し、この時の水蒸気によりダイボンディング材が破壊もしくは剥離が生じリフロークラックが生じるという問題が発生していた。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−353252号公報(全頁)
【特許文献2】
特開2002−294177号公報(全頁)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができるダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
[1] 180℃/1hで処理したフィルム状接着剤の85℃/85%/48時間の吸湿率が1.5%以下であり、85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤、
[2] フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である[1]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[3] フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる[1]又は[2]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[4] アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である[3]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[5] アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である[3]又は[4]項記載のダイボンディング用フィルム状接着剤、
[6] [1]〜[5]項のいずれか記載のダイボンディング用接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム、
[7] (A)[6]項記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる工程、
(B)該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(C)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
(D)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
(E)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法、
[8] [1]〜[5]項のいずれか記載のダイボンディング用接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置
である。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明は、180℃/1hで処理したフィルムの85℃/85%/48時間の吸湿率が1.5%以下であり、また、85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上であるフィルム状接着剤である。
本発明のフィルム状接着剤の吸湿率が1.5%を超えるとリフロー中に発泡しクラックが生じやすくなり、好ましくない。また透湿度が6000g/m2・24h以上であると水分がフィルムから抜けやすくなりリフロー中の耐クラック性に優れるため好ましい。
【0009】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度は−30℃以上60℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が60℃を超えると60℃以下での貼り付け性が難しくなり、−30℃を下回るとタック性が強すぎハンドリング性が悪くなる。
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、ガラス転移温度が−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
本発明に用いられるアクリル酸共重合体のガラス転移温度としては−30℃以上60℃以下であることが好ましい。ガラス転移温度が−30℃を下回るとタック性が強すぎハンドリングが難しくなり、60℃を超えると60℃以下での貼り付け性が悪くなる。
【0010】
本発明に用いるアクリル酸重合体としてはアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルニトリルのうち少なくとも1つをモノマー成分とした共重合体が挙げられ、中でもグリシジルエーテル基を有するグリシジルメタクリレート、水酸基を有するヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を有するカルボキシメタクリレートを含む共重合体が好ましい。
【0011】
これらアクリル酸共重合体の分子量は凝集力を高めることから10万以上が好ましく、15万から100万であることがより好ましい。
また本発明に用いるアクリル酸共重合体は、ニトリル基を含有したものであることが好ましい。
【0012】
本発明に用いられるエポキシ樹脂はモノマー、オリゴマ−及びポリマー全般をいう。例えばビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【0013】
これらのエポキシ樹脂の内では、融点が50〜150℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるために結晶性を示すものである。結晶性エポキシ樹脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するものである。結晶性エポキシ樹脂の融点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃/分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点の温度を示す。
本発明に用いるエポキシ樹脂の配合量は、アクリル酸共重合体100重量部に対しエポキシ樹脂10〜100重量部、好ましくは30〜70重量部である。
【0014】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、シアネート基を有する有機化合物を含んでもよい。シアネート基を有する有機化合物としては、ビスフェノールAジシアネート、ビスフェノールFジシアネート、ビス(4−シアネートフェニル)エーテル、ビスフェノールEジシアネート シアネートノボラック樹脂などが挙げられる。
【0015】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は、フェノール樹脂を含んでいてもよい。この場合,フェノール樹脂はエポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
本発明に用いるフェノール樹脂としてはビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン(通称テトラメチルビスフェノールF)、4,4’−スルホニルジフェノール及び、4,4’−イソプロピリデンジフェノール(通称ビスフェノールA)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタン及びこれらの内ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)メタン、(2−ヒドロキシフェニル)(4−ヒドロキシフェニル)メタンの3種の混合物(例えば、本州化学工業(株)・製、ビスフェノールF−D)等のビスフェノール類、1,2−ベンゼンジオール、1,3−ベンゼンジオール、1,4−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、1,2,4−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、2,2’−ビフェノール、4,4’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【0016】
本発明のフィルム状接着剤を構成する樹脂組成物は紫外線硬化型樹脂を含んでもよく、紫外線硬化型樹脂としては、アクリル系化合物(C−1)が好ましい。例えばアクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマーなどが挙げられる。中でもジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ酸エチレングリコール、ジアクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジメタクリル酸1,6−ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸1,10−デカンジオール、ジメタクリル酸1,10−デカンジオール等の2官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリスリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が1〜15のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルである。
【0017】
本発明に用いる紫外線硬化型樹脂であるアクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導される成分単位の含有量は、アクリル樹脂100重量部に対して、通常20〜55重量部、好ましくは30〜40重量部である。下限値未満であると粘着力に乏しくなり上限値を超えると保護フィルムとの密着力が必要以上となり好ましくない。
【0018】
また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着剤の特性を容易に制御することができる。
紫外線硬化型樹脂には、更に、光重合開始剤(C−2)を混在させることにより、基材から剥離しにくい場合は紫外線を照射することにより粘着剤層の表面を硬化させ剥離しやすくさせることができダイアタッチフィルムとして使用するためにも、重要な成分である。
【0019】
このような光重合開始剤(C−2)としては、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
【0020】
本発明で用いられる紫外線硬化型樹脂は、好ましくは上記成分(C−1)〜(C−2)からなり、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設定されるが、一般的には成分(C−1)100重量部に対して、成分(C−2)は好ましくは1〜30重量部、より好ましくは3〜15重量部程度で用いることが好ましい。1重量部未満であると光開始剤の効果が弱く30重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。
【0021】
本発明のフィルム状接着剤には、フィラーを含有していてもよくそのフィラーの平均粒径は0.1〜25μmであることが好ましい。平均粒径が0.1μm未満であるとフィラー添加の効果が少なく、25μmを超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【0022】
本発明のフィルム状接着剤に用いるフィラーとしては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、セラミック、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。
フィラーの含有量は0%〜30重量%が好ましく、30%を超えるとフィルムとしてもろくなり接着性が低下する。
【0023】
また本発明のフィルム状接着剤には硬化後の被着体との密着性向上のためにカップリング剤を添加する事もできる。
カップリング剤としてはシランカップリング剤、チタンカップリング剤等が挙げられ中でも汎用性、コストの観点からもシランカップリング剤が好ましい。
【0024】
また、本発明は前記のフィルム状接着剤と光透過性基材とからなるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムであり、フィルム状接着剤からなる粘接着層は25℃においてもタック性を有し50℃以下の低温でウエハーを貼り付けることができる。
本発明に用いる光透過性基材としては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげられるが、30〜70重量部、好ましくは40〜60重量部のポリプロピレン樹脂と70〜30重量部、好ましくは60〜40重量部のポリスチレンブロックとビニルイソプレンブロックからなる共重合体との混合物であることが好ましい。
本発明に用いられる光透過性基材の膜厚は、20〜200μmであることが好ましく、特に好ましくは25〜150μmである。
【0025】
本発明において、フィルム状接着剤に用いる樹脂組成物は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、370nm以下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、紫外線照射され硬化したフィルム状接着剤と被接着物との界面において粘着性を持たなくなるという特徴を有することが好ましい。
【0026】
本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上に、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去することによって粘接着剤フィルムとし、これに光透過性基材に積層し、更に粘接着剤フィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
又は、離型シート上に形成された粘接着剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィルム(離型シート)、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
【0027】
または、光透過性基材上に、直接、フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物を同様の方法で塗工し、乾燥させて、フィルム状接着剤に保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる。
【0028】
このようにして形成される粘接着層の厚さは、好ましくは3〜100μmで、10〜75μmであることがより好ましい。厚さが3μm未満であると粘接着剤としての効果が少なくなり、100μmを超えると製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。
【0029】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは60℃以下の温和な条件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイアタッチフィルムをダイシングフィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
【0030】
続いて、上記のようにして得られた半導体チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材面に、紫外線(中心波長=約365nm)を照射する。通常、照度は20〜500mJ/cm2、さらに照射時間は、5〜600秒の範囲内に設定される。上記の紫外線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。
【0031】
次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材のみを剥離する。
このようにして、ダイアタッチフィルムの粘接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、100〜300℃の加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは100〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時間である。つづいて、加熱にすることにより、ダイアタッチフィルム中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは150〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1〜240分間、好ましくは10〜60分間である。
最終的に硬化したダイアタッチフィルムは、高い耐熱性を有するとともに、アクリルゴム樹脂成分のため硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
【0032】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0033】
(A)アクリル酸共重合体樹脂成分又はポリイミド樹脂
[(A−1)エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス(株)製、商品名:SG80HDR、Tg:10℃、分子量Mw=350000)
(A−2)エポキシ基含有アクリルゴム(ナガセケムテックス(株)製、商品名:SGP3DR、Tg:12℃、分子量Mw=850000)
(A−3)シリコーン変性ポリイミド樹脂
ジアミン成分として2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(0.15モル)とα,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(平均分子量837)(0.15モル)、酸成分として4,4’−オキシジフタル酸二無水物(0.15モル)と3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを用いたアニソールに可溶なポリイミド樹脂。分子量Mw=50000。
【0034】
(B)エポキシ基を含む樹脂成分
(B−1)クレゾールノボラックエポキシ樹脂(商品名:EOCN−1020−80、エポキシ当量:200g/eq、メーカー:日本化薬(株))
(C)紫外線硬化型樹脂
〔(C−1)(メタ)アクリル酸エステルモノマー〕1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(メーカー:共栄社化学(株))
〔(C−2)光重合開始剤〕2,2−ジメトキシキ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(メーカー:チバガイギ(株))
(D)フィラー
(D−1)シリカフィラーSP−4B(平均粒径4μm)(メーカー:扶桑化学(株) )
(E)イミダゾール
(E−1)イミダゾール化合物(商品名:1B2MZ、メーカー:四国化成)
【0035】
光透過性基材
ハイブラ60重量部ポリプロピレン40重量部からなるクリアテックCT−H817(クラレ製)を、押し出し機で、厚み100μmのフィルムを形成した。
【0036】
《実施例1》
表1に記載の割合で各成分を調合し、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート基材100μmに塗布し、乾燥しフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤に、光透過性基材を合わせてラミネートすることで保護フィルム(ポリエチレンテレフタレート基材)、フィルム状接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを作製した。
このダイアタッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、接着剤面に半導体ウエハーを貼り付け、固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数50,000rpm、カッティングスピード50mm/secで、5×5mm角のチップサイズにカットした。次いで、紫外線を20秒で250mJ/cm2の積算光量を照射後ダイアタッチフィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥離し、次いで、半導体チップをフィルム状接着剤を介して、42−アロイ合金のリードフレームに、180℃−1MPa−1.0secの条件で圧着して、ダイボンディングし、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとしての各項目の評価を行った。結果を表2、3に示す。
【0037】
《実施例2》
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は、実施例1と同様の操作を行った。
《比較例1》
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は、実施例1と同様の操作を行った。
【0038】
【表1】
【0039】
【表2】
【0040】
【表3】
【0041】
【表4】
【0042】
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
(1)吸湿率測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバーフィルムを剥離し5cm×5cmの大きさに切断したフィルムを120℃3時間で乾燥させさらに180℃1時間で処理したフィルムをデシケータ内で放冷し乾燥重量(M1)を測定し85℃/85%で48時間吸湿させ吸湿後重量(M2)を測定する。吸湿率は(M2−M1)/M1×100=吸湿率として計算した。
(2)透湿度測定
粘接着シートに粘接着層が自立したフィルムとなるまで紫外線を照射した後、基材とカバーフィルムを剥離し透過面積φ0.038mとなるように切断し120℃3時間で乾燥させさらに180℃1時間で処理したフィルムをJIS Z0208 カップ法に準じて85℃/85%/24時間処理した時のフィルムを透過した水分の量を測定した。
【0043】
(3) ダイシング後のチップの飛散
半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価した。
(4)チッピング特性
○:チップのかけの幅が最大で30μm以下のもの。
△:チップのかけの幅が最大で30〜50μmのもの。
×:チップのかけの幅が最大で50μm以上のもの。
【0044】
(5) ピックアップ性
半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
△:ダイシングしたチップの50〜90%がピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下のもの
(6) ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
ダイアタッチフィルム付き半導体チップを42−アロイ合金のリードフレームに180℃−1MPa−1.0secの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
【0045】
(7) 吸湿後の接着性
上記(6)でダイボンディングした測定サンプルを85℃/85%RH/168時間吸湿処理をした後、チップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。
○:剪断強度が1MPa以上
△:剪断強度が0.5〜1.0MPa
×:剪断強度が0.5MPa未満
(8)リフロークラック発生率
厚み200μmのシリコンウエハーの裏面に表1に示す粘接着剤フィルムを貼り付けし9mm×9mmにダイシングし粘接着層とともにピックアップし得られた粘接着層付き半導体素子をBT基板の上に130℃、5N、1sでマウントし180℃、1時間でキュア処理し封止材(住友ベークライト株式会社製G770)でモールドし半導体装置を製造した。(BGAパッケージ16mm×16mm×1.06mm、チップサイズ9mm×9mm、BT基板。)
封止後の半導体装置を85℃/85%RHの恒温恒湿層で168時間処理した後IRリフロー炉で260℃10秒加熱した。その後半導体装置をポリエステル樹脂で注型しダイアモンドカッターで切断し断面の観察を行った。(リフロークラック発生数)/(試験数)×100=リフロークラック発生率(%)とし耐リフロークラック性を評価した。
【0046】
【発明の効果】
本発明によれば、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、ウエハーを60℃以下の条件で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を提供できるダイボンディング用材料であり、これを用いた半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
Claims (8)
- 180℃/1hで処理したフィルム状接着剤の85℃/85%/48時間の吸湿率が1.5%以下であり、85℃/85%/24時間の透湿度が6000g/m2・24h以上であるダイボンディング用フィルム状接着剤。
- フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度が−30℃以上60℃以下である請求項1記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- フィルム状接着剤を構成する樹脂組成物のガラス転移温度−30℃以上60℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含んでなる請求項1又は2記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- アクリル酸共重合体の分子量が10万以上である請求項3記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である請求項3又は4記載のダイボンディング用フィルム状接着剤。
- 請求項1〜5いずれか記載のダイボンディング用接着剤、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルム。
- (A)請求項6記載のダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面とを60℃以下で貼り合わせる工程、
(B)該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
(C)ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層の光透過性基材との接触界面を硬化させる工程、
(D)接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを光透過性基材から剥離し取り出すピックアップ工程、
(E)該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5いずれか記載のダイボンディング用接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007109808A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ |
JP2007234842A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2008179820A (ja) * | 2008-01-22 | 2008-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 |
JP2008244464A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
JP2009120830A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート及びこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2011079945A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Dow Corning Toray Co Ltd | アラミドシリコーンポリマーの架橋方法及び熱硬化性組成物 |
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1112545A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 絶縁層用接着フィルム |
JP2002226798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 粘接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2003055623A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Lintec Corp | 粘接着テープ |
JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1112545A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 絶縁層用接着フィルム |
JP2002226798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 粘接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2002285109A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2003041206A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
JP2003055623A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Lintec Corp | 粘接着テープ |
JP2002353252A (ja) * | 2002-03-18 | 2002-12-06 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用接着剤及び半導体装置の製造方法 |
JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109808A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ |
JP2007234842A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
JP2008244464A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-10-09 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
JP4732472B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2011-07-27 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
JP2009120830A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート及びこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2008179820A (ja) * | 2008-01-22 | 2008-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 |
JP2011079945A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Dow Corning Toray Co Ltd | アラミドシリコーンポリマーの架橋方法及び熱硬化性組成物 |
JP2020128470A (ja) * | 2019-02-07 | 2020-08-27 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、光学積層体、および画像表示装置 |
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