JP2004273355A

JP2004273355A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2004273355A
Application number: JP2003065066A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Tomii; 薫冨井
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2004-09-30
Also published as: KR20040080373A; KR100555312B1

Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの寿命を向上する。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、２枚のガラス基板１０，２０が互いに平行に結合され、一方のガラス基板２０にサステイン電極２１、誘電層２２および保護層２３が各々形成されるとともに、他方のガラス基板１０のサステイン電極２１と対向する面に、基体となる所定の金属と、この金属が酸化されて形成された絶縁体とから複数のアドレス電極部１１ａと誘電層部１１ｂと複数のリブ部１１ｃとが一体に形成されたアドレス電極構体１１が配置され、アドレス電極構体１１の溝内に蛍光層１５，１６，１７が塗布されている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネル（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙＰａｎｅｌ、以下“ＰＤＰ”という）とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の一般的なＰＤＰは、バックパネルと呼ばれるアドレス電極、誘電層、リブおよび蛍光層が形成されたガラス基板と、バックパネルとの間に一定距離をおいて平行に位置したフロントパネルと呼ばれるサステイン電極、誘電層および保護層が形成された透明なガラス基板とからなり、バックパネルとフロントパネルの間には希ガスの混合ガスが封入されている。図６は、従来の一般的な３電極面放電ＰＤＰの放電セル構造を示す部分分解斜視図である。
【０００３】
図６において、バックパネル１Ｂは、ガラス基板１０のフロントパネル２と向かい合う面に一定間隔で帯状に形成された複数のアドレス電極１２と、アドレス電極１２を所定の厚さで覆うようにガラス基板１０面とアドレス電極１２上とに形成された誘電層１３とを有し、アドレス電極１２間の誘電層１３上には直線状に垂設され、バックパネル１Ｂとフロントパネル２の間を一定距離に保つとともに複数の放電空間（放電セル）を形成するリブ１４を有する。また、バックパネル１Ｂは各放電空間の内面、すなわちリブ１４間の誘電層１３上および向かい合うリブ１４の側面に形成された蛍光層１５，１６，１７を有する。
【０００４】
フロントパネル２は、透明なガラス基板２０のバックパネル１Ｂと向かい合う面にアドレス電極１２と直交するように所定間隔で帯状に形成された複数のサステイン電極２１と、サステイン電極２１が形成されたガラス基板２０面とサステイン電極２１とを覆うように形成された透明誘電層２２と、透明誘電層２２の表面を覆う保護層２３とを有する。
【０００５】
上述したＰＤＰは、一般に、バックパネル１Ｂとフロントパネル２とをそれぞれ製作した後、これらを合体して製作される。最初に、バックパネル１Ｂの製造方法について図７を参照して説明する。図７は、従来のバックパネル１Ｂの製造工程を示す説明図である。まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板１０の一方の表面に所定形状のアドレス電極１２を形成する。一般的なＰＤＰは、アドレス電極１２を帯状に形成した銀などの金属で構成することが多い。このアドレス電極１２は、例えばスクリーン印刷法により銀などの金属粉を含む導電性ペーストを所定パターンでガラス基板１０に塗布した後、乾燥し、焼成することにより形成する。
【０００６】
アドレス電極１２形成後、図７（ｂ）に示すように、ガラス基板１０のアドレス電極１２が形成された面とアドレス電極１２上とにアドレス電極１２を所定の厚さで覆うガラス状の誘電層１３を形成する。この誘電層１３は、アドレス電極１２が形成されたガラス基板１０に、例えばスクリーン印刷法により低融点のガラス粉末に酸化チタンなどの白色顔料が含まれたガラスペーストを塗布した後、乾燥し、焼成することにより形成する。
【０００７】
誘電層１３形成後、図７（ｃ）に示すように、アドレス電極１２間の誘電層１３上にリブ１４を形成する。このリブ１４は、例えばスクリーン印刷法を用いて、低融点のガラス粉末を含むペーストを所定パターンで誘電層１３上に印刷した後、乾燥する工程をペーストが所定の高さとなるまで繰り返した後、焼成することにより形成する。なお、リブ１４の形成方法としては、スクリーン印刷法以外にも、サンドブラスト法、フォトペースト法、埋め込み法が知られているが、いずれの場合も低融点のガラス粉末を含むペーストを焼成して形成する点は同じである。
【０００８】
リブ１４形成後、図７（ｄ）に示すように、リブ１４間の誘電層１３上および向かい合うリブ１４の側面に蛍光層１５，１６，１７を形成する。これらの蛍光層１５，１６，１７は、それぞれ赤、緑、青で発光する蛍光体を含むペーストをスクリーン印刷法で順次塗布して乾燥した後、焼成することにより形成する。
以上の工程によりバックパネル１Ｂが製造される。
【０００９】
次に、フロントパネル２の製造方法について図８を参照して説明する。図８は、従来のフロントパネル２の製造工程を示す説明図である。まず、図８（ａ）に示すように、透明なガラス基板２０の一方の表面に所定形状のサステイン電極２１を形成する。このサステイン電極２１は、例えばガラス基板２０の表面に蒸着法またはスパッタ法により金属等の導電膜を形成した後、所定形状となるようにエッチングにより不要部分を除去して形成する。一般的なＰＤＰは、サステイン電極２１の形状をバックパネル１Ｂのアドレス電極１２と相似の形状としているため、帯状に形成することが多い。
【００１０】
サステイン電極２１形成後、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板２０のサステイン電極２１が形成された面とサステイン電極２１上とにサステイン電極２１を所定の厚さで覆うガラス状の透明誘電層２２を形成する。この透明誘電層２２は、サステイン電極２１が形成されたガラス基板２０に、例えばスクリーン印刷法により低融点のガラス粉末が含まれた焼成により透明となるガラスペーストを塗布した後、乾燥し、焼成することにより形成する。
【００１１】
透明誘電層２２形成後、図８（ｃ）に示すように、透明誘電層２２の表面に所定の厚みのＭｇＯ膜からなる保護層２３を形成する。この保護層２３は、例えば蒸着法またはスパッタ法により形成する。
以上の工程によりフロントパネル２が製造される。
【００１２】
以上のようにして製造されたバックパネル１Ｂとフロントパネル２を、図９に示すように、バックパネル１Ｂのアドレス電極１２形成面とフロントパネル２のサステイン電極２１形成面とを対向させ、かつアドレス電極１２とサステイン電極２１が直交するように配置し、これらのガラス基板１０，２０の周囲をシールガラスで気密封止し、内部を真空にした後、気密封止された内部空間に例えばキセノン、ネオン、ヘリウムなどの混合ガスを封入することによりＰＤＰが完成する。なお、上述した従来技術の詳細については、例えば、非特許文献１を参照されたい。
【００１３】
【非特許文献１】
内田龍男、内池平樹監修，「フラットパネルディスプレイ大事典」，初版，株式会社工業調査会，２００１年１２月２５日，ｐ．４７２−８８８
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術によるＰＤＰの製造工程では、リブ形成に低融点のガラス粉末を含むペーストを用いている。このリブ形成に用いられるペーストには、不純物ガスの発生源となる有機物のバインダが含まれているため、焼成によりバインダを分解除去する必要がある。しかしながら、焼成によってリブの内部に含まれているバインダまで完全に除去することは非常に困難である。このため、従来のＰＤＰは、製作完了後においてもリブの内部に残ったバインダに含まれる不純物ガスが少しずつ漏出するため時間経過とともにＰＤＰの発光効率が劣化し、寿命が短くなるという問題があった。
【００１５】
また、アドレス電極とリブの形成が別の工程で行われるため、製造時にアドレス電極とリブの相対位置がずれて不良品となるＰＤＰが発生し、製作歩留りを低下させるという問題があった。
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、リブからの不純物ガスの漏出がなく、かつアドレス電極とリブの位置ずれが生じないＰＤＰとその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、アドレス電極と、このアドレス電極から所定距離離間して配置された複数のサステイン電極と、アドレス電極とサステイン電極との間に配置された複数のリブと、これらのリブの側面に塗布された蛍光層と、前述したすべての部材と希ガスとを封入した外囲器とからなるプラズマディスプレイパネルにおいて、アドレス電極とリブとは、金属とこの金属の化合物である絶縁体とからなる部材で一体に形成され、アドレス電極は、金属で構成され、リブは、表面から所定深さまでが絶縁体で構成されていることによって特徴づけられる。この場合、金属の化合物の一構成例は、当該金属の酸化物である。金属の一構成例は、外囲器とほぼ同等の熱膨張係数を有する。
【００１７】
また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、アドレス電極と、このアドレス電極から所定距離離間して配置された複数のサステイン電極と、アドレス電極とサステイン電極との間に配置された複数のリブと、これらのリブの側面に塗布された蛍光層と、２つのガラス基板の周囲を気密封止して形成され前述したすべての部材と希ガスとを封入した外囲器とからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、所定の金属からなる金属基板の一方の面に所定パターンの溝を所定深さで形成する工程と、金属基板の他方の面に所定パターンの保護膜を形成する工程と、溝と保護膜とが形成された金属基板の表面から所定深さまでを化学反応により絶縁体に変化させる工程と、化学反応後の金属基板から保護膜を除去する工程と、保護膜を除去した金属基板の他方の面を一方のガラス基板に接着する工程と、ガラス基板に接着された金属基板の溝内に蛍光層を形成する工程とを有することによって特徴づけられる。
金属基板の表面から所定深さまでを化学反応により絶縁体に変化させる工程の一構成例は、溝と保護膜とが形成された金属基板を酸素雰囲気中で加熱し、金属の酸化物を形成するものである。金属基板の一構成例は、ガラス基板とほぼ同等の熱膨張係数を有する金属からなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に図を用いて発明の実施の形態を説明する。
図１は、本実施の形態にかかるＰＤＰの放電セル構造を示す部分分解斜視図である。図１において、このＰＤＰは、バックパネル１Ａと、バックパネル１Ａとの間に一定距離をおいて平行に配置されたフロントパネル２とから構成されている。バックパネル１Ａとフロントパネル２は、外周部をシールガラスで気密封止して外囲器を形成しており、外囲器内には希ガスの混合ガスが封入されている。
【００１９】
バックパネル１Ａは、ガラス基板１０と、ガラス基板１０のフロントパネル２と向かい合う面に配置されたアドレス電極構体１１と、アドレス電極構体１１の溝内に塗布された蛍光層１５，１６，１７とから構成されている。ガラス基板１０には、従来と同様に平面視矩形形状を有するソーダライムガラスまたはＰＤＰ用に開発された歪点温度がソーダライムガラスよりも高い高歪点ガラスを用いる。
【００２０】
アドレス電極構体１１は、基体となる所定の金属と、この金属が酸化されて形成された絶縁体とから複数のアドレス電極部１１ａと誘電層部１１ｂと複数のリブ部１１ｃとが一体に形成された平面視矩形形状を有する板状部材である。このアドレス電極構体１１は、一方の面に複数の直線状の溝が平行して等間隔で設けられており、これらの溝が放電空間を構成し、各溝を隔てる土手に相当する部分がバックパネル１Ａとフロントパネル２の間を一定距離に保つリブ部１１ｃを構成している。また、この溝形成面と反対の面に溝と１対１に対応して帯状のアドレス電極部１１ａが複数設けられている。各アドレス電極部１１ａは基体の金属で構成されており、基体の金属が酸化されて形成された誘電層部１１ｂにより絶縁されている。なお、アドレス電極構体１１を構成する絶縁体は、金属の酸化物に限られるものではなく、金属の化合物で絶縁体となるものであればよい。
【００２１】
図２は、アドレス電極構体１１の部分断面図である。図２に示すように、このアドレス電極構体１１は、アドレス電極部１１ａを除き、表面から所定の深さまでが、基体の金属が酸化されて形成された絶縁体で構成されている。ここで、アドレス電極構体１１の高さをｔ、アドレス電極構体１１に設けられた各溝の深さをｔａ、基体の金属が酸化され絶縁体となっている部分の表面からの深さをｄとすると、このアドレス電極構体１１は、ｄ＜ｔ−ｔａ＜２ｄとなるように構成されている。ｔ−ｔａは、各溝の底面と、溝形成面と反対の面との間の距離である。また、アドレス電極部１１ａは、ｔ−ｔａ−ｄの厚さを有するように構成されている。さらに、リブ部１１ｃの長さ方向と直角な方向の幅をｗとすると、このリブ部１１ｃは、ｗ＞２ｄとなるように構成されている。このリブ部１１ｃは、内部のｗ−２ｄの幅を有する基体金属部１１ｄと、表面から所定の深さｄまでの酸化された金属からなる絶縁体部１１ｅとからなる。
【００２２】
このアドレス電極構体１１は、基体となる金属として酸化され絶縁体を形成する金属を用いる。また、基体となる金属は、ガラス基板１０とほぼ同等の熱膨張係数を有することが望ましい。このような条件を満たす金属としては、例えば４２６合金がある。また、アドレス電極構体１１の厚さは、従来の一般的なＰＤＰにおけるバックパネルとフロントパネルの間の距離と同じでよい。
【００２３】
蛍光層１５，１６，１７は、図１に示すように、それぞれ順にアドレス電極構体１１の溝の側面と底面とに塗布されている。これらの蛍光層１５，１６，１７は、ガス放電により発生する紫外線により励起されるとそれぞれ赤、緑、青で発光する蛍光体で構成されている。この場合、赤色発光する蛍光体には、例えば（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕを用いる。緑色発光する蛍光体には、例えばＺｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎを用いる。青色発光する蛍光体には、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕを用いる。
【００２４】
フロントパネル２は前述した従来のフロントパネル２と同じものであり、透明なガラス基板２０と、このガラス基板２０のバックパネル１Ａと向かい合う面に所定間隔で帯状に形成された複数のサステイン電極２１と、サステイン電極２１が形成されたガラス基板２０面とサステイン電極２１とを覆うように形成された透明誘電層２２と、透明誘電層２２の表面を覆う保護層２３とから構成されている。このフロントパネル２はサステイン電極２１がバックパネル１Ａのアドレス電極構体１１に形成されたアドレス電極部１１ａと直交するように配置される。
【００２５】
次に、本実施の形態にかかるＰＤＰの製造方法について説明する。最初に、図３を参照してアドレス電極構体１１の製造方法を説明する。図３は、アドレス電極構体１１の製造工程を示す説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、所定の大きさと所定の厚さとを有する金属基板３０の一面に所定のリブパターンのレジスト膜３１を形成するとともに、他の面をレジスト膜３１で覆う。
【００２６】
ここで、金属基板３０には、使用するガラス基板とほぼ同等の熱膨張係数を有する金属を用いる。また、金属基板３０の厚さは、製作するＰＤＰのバックパネル１Ａとフロントパネル２の間の距離と同じ値とする。本実施の形態では、このような条件を満たす金属基板３０として、例えば、厚さ１００μｍの４２６合金を用いる。また、リブパターンのレジスト膜３１は所定の長さと幅を有する帯状とし、所定数を平行して等間隔で設ける。この場合、レジスト膜３１の幅ｗは、後述する熱酸化によって金属が絶縁体に変化する深さをｄとしたときに、ｗ＞２ｄとなるようにする。
【００２７】
レジスト膜３１の形成後、レジスト膜３１をマスクにして金属基板３０をエッチングし、図３（ｂ）に示すような放電空間となる溝を形成する。この場合、エッチングによって生成する溝の深さｔａは、金属基板３０の高さをｔ、後述する熱酸化によって金属が絶縁体に変化する深さをｄとしたときに、ｄ＜ｔ−ｔａ＜２ｄとなるようにする。
【００２８】
溝形成後、図３（ｃ）に示すように、金属基板３０からレジスト膜３１を除去する。レジスト膜３１除去後、図３（ｄ）に示すように、金属基板３０の溝形成面と反対の面に溝と１対１に対応して所定のアドレス電極パターンの酸化保護膜３２を形成する。酸化保護膜３２は、後述する熱酸化処理に耐えて金属基板３０の酸化を防止するものであればよい。本実施の形態では、このような条件を満たす酸化保護膜３２としてシリコン酸化膜を用いる。この場合、アドレス電極パターンの酸化保護膜３２は、所定の長さと幅を有する帯状とし、例えばスパッタ法により金属基板３０の溝形成面と反対の面にシリコン酸化膜を成膜した後、フォトリソグラフィによりシリコン酸化膜のパターンニングを行って形成する。
【００２９】
酸化保護膜３２形成後、この金属基板３０を酸素雰囲気中で所定温度、所定時間加熱することにより、酸化保護膜３２で覆われていない領域の金属を雰囲気中の酸素と化学反応させる。これにより、図３（ｅ）に示すように、金属基板３０の表面から所定の深さｄまでの金属が熱酸化され絶縁体に変化する。この場合、前述したように、金属基板３０は、各溝の底面と、溝形成面と反対の面との間の距離ｔ−ｔａをｄ＜ｔ−ｔａ＜２ｄとなるようにしているので、各溝の底面と、溝形成面と反対の面との間は、酸化保護膜３２で保護された領域が表面からｔ−ｔａ−ｄの深さまで金属のまま残りアドレス電極部１１ａとなる以外は、酸化されて絶縁体に変化し、誘電層部１１ｂとなる。
【００３０】
また、各溝を隔てる隔壁は、バックパネル１Ａとフロントパネル２の間を一定距離に保つリブ部１１ｃとなるが、このリブ部１１ｃは、前述したように、幅ｗがｗ＞２ｄであるため、内部に残された金属からなる基体金属部１１ｄと、表面から所定の深さｄまでの酸化された金属からなる絶縁体部１１ｅとからなる。なお、金属基板３０の表面から所定の深さｄまでを熱酸化させるときの温度や処理時間などの諸条件は、金属の種類や基板サイズによって異なるので、あらかじめ実験によって求めたものを用いる。
【００３１】
熱酸化処理後、酸化保護膜３２を除去することにより、図３（ｆ）に示すような、誘電層部１１ｂにより絶縁されたアドレス電極部１１ａとリブ部１１ｃとが一体に形成されたアドレス電極構体１１が完成する。なお、金属を絶縁体に変化させる化学反応は、酸化に限られるものではない。例えば、化学反応により窒化物を形成する金属を用いて窒化物からなる絶縁体を形成するようにしてもよい。
【００３２】
次に、図４を参照して、バックパネル１Ａの製造方法を説明する。図４は、本実施の形態にかかるバックパネル１Ａの製造工程を示す説明図である。まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板１０にアドレス電極構体１１を接着し固定する。この場合、アドレス電極構体１１は、フリットガラスでガラス基板１０に接着する。ガラス基板１０にアドレス電極構体１１が固定された後、図４（ｂ）に示すように、アドレス電極構体１１の溝内の側面と底面とに蛍光層１５，１６，１７を形成する。これらの蛍光層１５，１６，１７は、従来と同様に、それぞれ赤、緑、青で発光する蛍光体を含むペーストをスクリーン印刷法で順次塗布して乾燥した後、焼成することにより形成する。
以上の工程によりバックパネル１Ａが製造される。
【００３３】
このようにして製造したバックパネル１Ａと前述したフロントパネル２とを、図５に示すように、バックパネル１Ａのアドレス電極構体１１搭載面とフロントパネル２のサステイン電極２１形成面とを対向させ、かつアドレス電極構体１１の溝の方向にサステイン電極２１が直交するように配置し、これらのガラス基板１０，２０の周囲をシールガラスで気密封止して外囲器を形成し、外囲器内部を真空にした後、気密封止された内部空間に例えばキセノン、ネオン、ヘリウムなどの混合ガスを封入することによりＰＤＰが完成する。
【００３４】
本実施の形態では、アドレス電極構体１１の溝部をエッチングにより形成するとしたが、溝部を形成する方法はエッチングに限られるものではなく、例えば、切削などの機械加工により形成してもよい。また、アドレス電極構体１１のリブ部１１ｃを基体金属部１１ｄと絶縁体部１１ｅとからなるようにしたが、リブ部１１ｃの幅ｗをｗ＜２ｄとして、絶縁体部１１ｅのみで構成するようにしてもよい。また、赤、緑、青で発光する３種類の蛍光層１５，１６，１７を有するカラー表示用ＰＤＰを例に説明したが、１種類の発光色のみで発光するモノクロ表示用ＰＤＰに適用してもよいことは言うまでもない。
【００３５】
また、アドレス電極構体１１の溝部とアドレス電極部１１ａとが平行して設けられた例について説明したが、溝部とアドレス電極部１１ａとが直交するようにしてもよい。この場合、バックパネル１Ａのアドレス電極部１１ａとフロントパネル２のサステイン電極２１とが直交するようにバックパネル１Ａとフロントパネル２を配置する。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＰＤＰのリブを表面から所定深さまでを絶縁体に変化させた金属部材により構成したので、従来のリブのように不純物ガスの原因となる有機物のバインダを含まないため、リブからの不純物ガスの放出がない。これにより、ＰＤＰの発光効率の低下が抑制されるので、寿命を延ばす効果が得られる。
さらに、アドレス電極とリブとが１つの部材で構成されているので、ＰＤＰの組立て時にアドレス電極とリブの相対位置がずれることがない。これにより、ＰＤＰの製作歩留りが向上するので、製造コストを引き下げる効果が得られる。
また、アドレス電極とリブとを構成する部材の基体となる金属は、外囲器を構成するガラス基板とほぼ同等の熱膨張係数を有するので、外囲器を貫通してアドレス電極の端部をＰＤＰ外へ出しても貫通部の封止箇所からクラックが生じる恐れがない。このため、外部からＰＤＰ内へ信号を取り込むためのアドレス電極用信号リードが不要となり、製造工程が簡略化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかるＰＤＰの放電セル構造を示す部分分解斜視図である。
【図２】アドレス電極構体の部分断面図である。
【図３】アドレス電極構体の製造工程を示す説明図である。
【図４】本実施の形態にかかるバックパネルの製造工程を示す説明図である。
【図５】本実施の形態にかかるＰＤＰの要部断面図である。
【図６】一般的な３電極面放電ＰＤＰの放電セル構造を示す部分分解斜視図である。
【図７】従来のバックパネルの製造工程を示す説明図である。
【図８】従来のフロントパネルの製造工程を示す説明図である。
【図９】従来の一般的な３電極面放電ＰＤＰの要部断面図である。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ…バックパネル、２…フロントパネル、１０，２０…ガラス基板、１１…アドレス電極構体、１１ａ…アドレス電極部、１１ｂ…誘電層部、１１ｃ…リブ部、１１ｄ…基体金属部、１１ｅ…絶縁体部、１２…アドレス電極、１３…誘電層、１４…リブ、１５，１６，１７…蛍光層、２１…サステイン電極、２２…透明誘電層、２３…保護層、３０…金属基板、３１…レジスト膜、３２…酸化保護膜。

Claims

アドレス電極と、このアドレス電極から所定距離離間して配置された複数のサステイン電極と、前記アドレス電極と前記サステイン電極との間に配置された複数のリブと、これらのリブの側面に塗布された蛍光層と、前述したすべての部材と希ガスとを封入した外囲器とからなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記アドレス電極と前記リブとは、金属とこの金属の化合物である絶縁体とからなる部材で一体に形成され、
前記アドレス電極は、前記金属で構成され、
前記リブは、表面から所定深さまでが前記絶縁体で構成されている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
前記金属の化合物は、
前記金属の酸化物である
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
前記金属は、
前記外囲器とほぼ同等の熱膨張係数を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
アドレス電極と、このアドレス電極から所定距離離間して配置された複数のサステイン電極と、前記アドレス電極と前記サステイン電極との間に配置された複数のリブと、これらのリブの側面に塗布された蛍光層と、２つのガラス基板の周囲を気密封止して形成され前述したすべての部材と希ガスとを封入した外囲器とからなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
所定の金属からなる金属基板の一方の面に所定パターンの溝を所定深さで形成する工程と、
前記金属基板の他方の面に所定パターンの保護膜を形成する工程と、
前記溝と前記保護膜とが形成された前記金属基板の表面から所定深さまでを化学反応により絶縁体に変化させる工程と、
化学反応後の前記金属基板から前記保護膜を除去する工程と、
前記保護膜を除去した前記金属基板の前記他方の面を一方の前記ガラス基板に接着する工程と、
前記ガラス基板に接着された前記金属基板の前記溝内に蛍光層を形成する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記金属基板の表面から所定深さまでを化学反応により絶縁体に変化させる工程は、
前記溝と前記保護膜とが形成された前記金属基板を酸素雰囲気中で加熱し、前記金属の酸化物を形成する
ことを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記金属基板は、
前記ガラス基板とほぼ同等の熱膨張係数を有する金属からなる
ことを特徴とする請求項４または５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。