JP2004266173A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体集積回路の破壊を抑止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路11及び保護回路14とを有し、前記保護回路14は、エミッタが前記出力端子側に設けられるとともに、コレクタが抵抗を介してグラウンドに接続されたトランジスタQ1と、前記トランジスタQ1のベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にアノードが設けられたツェナーダイオードZD1、及び、前記入力端子側にカソードが設けられるとともに、前記ツェナーダイオードZD1と直列接続されたダイオードD1とを有したことを特徴とする半導体装置である。
【選択図】 図2
【解決手段】入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路11及び保護回路14とを有し、前記保護回路14は、エミッタが前記出力端子側に設けられるとともに、コレクタが抵抗を介してグラウンドに接続されたトランジスタQ1と、前記トランジスタQ1のベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にアノードが設けられたツェナーダイオードZD1、及び、前記入力端子側にカソードが設けられるとともに、前記ツェナーダイオードZD1と直列接続されたダイオードD1とを有したことを特徴とする半導体装置である。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に係り、特に電源用半導体集積回路の入出力端子間の電圧が逆バイアスされたときの逆接続保護回路を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)91では、出力を一定に保ち、安定した電位を出力する必要があるため、図9(a)及び図9(b)に示すように、出力端子側に比較的大きな静電容量(例えば500μF)のコンデンサ92が設けられている。また、入力端子側には、電位を調整するためのコンデンサ93が設けられている。電源用IC91の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC91への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子には、コンデンサ92が接続されており、出力電圧が充電されているため、入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされると、コンデンサ92に充電された電荷が放電する。コンデンサ92に充電された電荷が放電すると、電源用IC91に過剰な電流が流れてしまい、電源用IC91が破壊する可能性がある。
【0003】
そこで、このような電源用ICの破壊を防止するため、図9(a)に示すように、別パッケージとして、外付けのダイオード94が設けられている。入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされると、外付けのダイオード94を介して、コンデンサ92に充電された電源が放電する(例えば、非特許文献1参照。)。
【0004】
また、他の従来技術として、例えば、図9(b)に示すように、電源用IC91よりも出力端子側であって、コンデンサ92よりも入力端子側の位置に、ダイオード95が設けることも考えられる。この場合、入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合であっても、ダイオード95が電源用IC91への逆流防止素子として働く。
【0005】
【非特許文献1】
(株)東芝 セミコンダクター社、“3端子正出力固定レギュレータ”、[online]、2000年7月6日、(株)東芝 セミコンダクター社、第12頁、[平成14年12月10日検索]、インターネット<http://www.semicon.toshiba.co.jp/ja
/bucat_6/bucat_4/bucat_1/td_0/TD.pdf>
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、コンデンサ92の電荷が放電した場合の、図9(a)に示した外付けのダイオード94に流れる放電された電流と時間の関係を図10に示す。図10に示すように、Aの領域における放電は、配線などのリアクタンス成分による放電であり、Bの領域における放電は、配線などの時定数による放電である。リアクタンス成分は、主にコンデンサ92と電源用IC間の配線によるものであり、通常、Aの領域は、放電時間に対して十分短い。ダイオード94では、図10に示したAの領域とBの領域の間で、比較的大きな電流が流れるため、サージ電流が流れることを想定したパワークラスのダイオードを設ける必要がある。しかし、電源用ICが逆バイアスされた時の電源用ICの保護動作は、ダイオード単体の性能で決まるため、ダイオード単体の性能差に大きく依存することになる。
【0007】
また、図9(b)に示したように、逆流防止素子として、ダイオード95を設けると、出力端子側でダイオード95のドロップ電圧が生じるため、入力電圧が高めの電位に制限されたり、負荷電流によって出力電圧が異なるという問題があった。また、電源ICを動作させる際に、ダイオード95分の消費電力の損失が生じるという問題があった。
【0008】
本発明は、上記した問題点を解決すべくなされたもので、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、装置の破壊を抑止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するための本発明の一形態に係る半導体装置は、入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられ、コレクタが抵抗を介してグラウンドに接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にアノードが設けられたツェナーダイオード、及び、前記入力端子側にカソードが設けられるとともに前記ツェナーダイオードと直列接続されたダイオードとを有したことを特徴としている。
【0010】
上記した本発明の一形態によれば、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、装置の破壊を抑止することがすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1乃至図6に本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を示す。図1に示すように、レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)11では、出力を一定に保ち、安定した電位を出力する必要があるため、図1に示すように、出力端子側に比較的大きな静電容量(例えば500μF)のコンデンサ12が設けられている。また、入力端子側には、電位を調整するためのコンデンサ13が設けられている。電源用IC11には、並列に保護回路14が接続されている。保護回路14は、電源用IC11が形成されたパッケージに内蔵されている。
【0012】
図2に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のベースと入力端子の間に、ツェナーダイオードZD1,抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0013】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I1−1が流れる。電流I1−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I1−2が流れる。電流I1−2は、主に、図1に示した出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0014】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I1−2の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0015】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0016】
本実施の形態では、第1のトランジスタQ1によって、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷をグラウンドへ放電しているため、放電用トランジスタの安全動作領域は、放電電流及び放電時間を想定したときに、十分広いものであることが好ましい。
【0017】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、コンデンサ12の電荷が放電した場合の、放電された電流と時間の関係を図3に示す。図3に示すように、Aの領域における放電は、配線などのリアクタンス成分による放電である。リアクタンス成分は、主にコンデンサ12と電源用IC間の配線によるものであり、通常、Aの領域は、放電時間に対して十分短い。Bの領域における放電は、ツェナーダイオードによって一定電流以下にクランプされている。Cの領域の放電は、配線などの時定数による放電である。ツェナーダイオードによってクランプしているため、入出力間電圧は一定電圧以下になり、電源用ICの破壊を抑止することができる。また、図9(a)に示した従来の技術では、保護回路として、外付けのダイオードを設けているが、本実施の形態では、電源用ICと同じパッケージ内に容易に形成することができるため、パッケージ部品数を減らすことができる。
【0018】
(第1の変形例)
図4(a)に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1のベースにツェナーダイオードZD1が接続され、第1のトランジスタQ1のコレクタとツェナーダイオードZD1の間に、第2のトランジスタQ2が接続されている。第1のトランジスタQ1及び第2のトランジスタQ2は、PNPトランジスタであり、出力端子側にエミッタが接続されている。
【0019】
第2のトランジスタQ2のベースと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。また、第2のトランジスタQ2のコレクタとグラウンド間には、第2のトランジスタQ1のコレクタとも接続されている抵抗R1が接続されているが、図4(b)に示すように、それぞれのトランジスタにおいて、抵抗R3を別々に設けてもかまわない。また、図4(c)に示すように、第2のトランジスタQ2のコレクタと抵抗R1の間に、抵抗R3を設けてもかまわない。
【0020】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I2−1が流れる。電流I2−1が流れると、第2のトランジスタQ2のベースにベース電流が流れるため、第2のトランジスタQ2が導通し、電流I2−2が流れる。増幅された電流I2−2が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I2−3が流れる。電流I2−3は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0021】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I2−3の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0022】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。このとき、ツェナーダイオードZD1に流れる電流I2−1が微小な場合であっても、第2のトランジスタQ2を用いて第1のトランジスタQ1を確実に導通させることができる。
【0023】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、さらにより確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0024】
(第2の変形例)
図5(a)に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、出力端子にツェナーダイオードZD1及び第1のトランジスタQ1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースと第2のトランジスタQ2のコレクタの間に、ツェナーダイオードZD1と第2のトランジスタQ2が接続されている。第1のトランジスタQ1は、NPNトランジスタであり、第2のトランジスタQ2は、PNPトランジスタである。
【0025】
第2の変形例では、第1の変形例で示した第1のトランジスタQ1をNPNトランジスタとした、インバーテッドダーリントン接続の回路例である。第2のトランジスタQ2のベースと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にコレクタが接続されており、第2のトランジスタQ2は、エミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0026】
また、第2のトランジスタQ2のコレクタとグラウンド間には、第2のトランジスタQ1のエミッタとも接続されている抵抗R1が接続されているが、図5(b)に示すように、それぞれのトランジスタにおいて、抵抗R3を別々に設けてもかまわない。また、図5(c)に示すように、第2のトランジスタQ2のコレクタと抵抗R1の間に、抵抗R3を設けてもかまわない。
【0027】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I3−1が流れる。電流I3−1が流れると、第2のトランジスタQ2のベースにベース電流が流れるため、第2のトランジスタQ2が導通し、電流I3−2が流れる。増幅された電流I3−2が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I3−3が流れる。電流I3−3は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0028】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I3−3の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0029】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。このとき、ツェナーダイオードZD1に流れる電流I3−1が微小な場合であっても、第2のトランジスタQ2を用いて第1のトランジスタQ1を確実に導通させることができる。また、ダーリントン接続によって、高い電流増幅率を有するトランジスタによって形成しているため、出力端子から入力端子に流れる電流が微小電流であっても、出力端子側に設けられたコンデンサに充電された電荷をより迅速にグラウンド側に放電し、入出力間の電圧を一定電圧以下とすることができる。
【0030】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、さらにより確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0031】
(第3の変形例)
図6に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のベースと入力端子の間に、複数のダイオードD2,抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。複数のダイオードD2及びダイオードD1は出力端子側にアノードが接続されている。
【0032】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、出力端子から入力端子へ電流I4−1が流れる。電流I4−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I4−2が流れる。電流I4−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0033】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I4−2の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0034】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ダイオードD2は、ツェナーダイオードと同等の電圧降下と安定性を得るべく数個を直列に接続して用いている。
【0035】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。第3の変形例は、前記した第1の変形例及び第2の変形例に記載した保護回路例にも適用することができる。
【0036】
(第2の実施の形態)
レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)と保護回路の構成は、第1の実施の形態に示した図1と同じであるので、説明を省略する。
【0037】
図7に、図1に示した本実施の形態の保護回路の例を示す。出力端子に第1のトランジスタQ1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースとコレクタ間に、ツェナーダイオードZD1が接続されている。第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のコレクタと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0038】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給を停止させると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I5−1が流れる。電流I5−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、入力端子へ電流I5−2が流れる。電流I5−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0039】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。
【0040】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子から入力端子へ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子から入力端子へ電流が流れる。よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0041】
本実施の形態では、第1のトランジスタQ1によって、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷を入力端子へ放電しているため、放電用トランジスタの安全動作領域は、放電電流及び放電時間を想定したとき、十分に広いものであることが好ましい。
【0042】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、図1に示したコンデンサ12の電荷が放電した場合の、放電された電流と時間の関係は、図3と同じであるため省略する。ツェナーダイオードによってクランプしているため、入出力間電圧は一定電圧以下になり、電源用ICの破壊を抑止することができる。また、図9(a)に示した従来の技術では、保護回路として、外付けのダイオードを設けているが、本実施の形態では、電源用ICと同じパッケージ内に容易に形成することができるため、パッケージ部品数を減らすことができる。
【0043】
(第1の変形例)
図8に、図1に示した本実施の形態の保護回路の他の例を示す。出力端子に第1のトランジスタQ1及び抵抗R1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースに、ツェナーダイオードZD1が接続され、ツェナーダイオードZD1に抵抗R2が接続されている。第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタである。また、入力端子に、ダイオードD1が接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0044】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I6−1が流れる。電流I6−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、入力端子へ電流I6−2が流れる。電流I6−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0045】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。抵抗R1及び抵抗R2によって、電流I6−1及び電流I6−2を任意に設定することが容易である。
【0046】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0047】
以上、第1及び第2の実施の形態では、半導体回路として、電源用ICを例に述べたが、これに限定されず、出力電圧や出力電流を制御するモータドライブ用IC等であってもよい。
【0048】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を示す回路ブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る半導体回路の保護回路の、放電電流と時間の関係を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係る第1の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態に係る第2の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係る第3の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態の第1の変形例に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図9】従来の半導体装置を示す回路ブロック図である。
【図10】従来の半導体回路の保護回路の、放電電流と時間の関係を示す図である。
【符号の説明】
11 電源用IC
12,13 コンデンサ
14 保護回路
Q1 第1のトランジスタ
Q2 第2のトランジスタ
R1,R2,R3 抵抗
ZD1 ツェナーダイオード
D1 ダイオード
D2 複数のダイオード
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に係り、特に電源用半導体集積回路の入出力端子間の電圧が逆バイアスされたときの逆接続保護回路を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)91では、出力を一定に保ち、安定した電位を出力する必要があるため、図9(a)及び図9(b)に示すように、出力端子側に比較的大きな静電容量(例えば500μF)のコンデンサ92が設けられている。また、入力端子側には、電位を調整するためのコンデンサ93が設けられている。電源用IC91の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC91への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子には、コンデンサ92が接続されており、出力電圧が充電されているため、入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされると、コンデンサ92に充電された電荷が放電する。コンデンサ92に充電された電荷が放電すると、電源用IC91に過剰な電流が流れてしまい、電源用IC91が破壊する可能性がある。
【0003】
そこで、このような電源用ICの破壊を防止するため、図9(a)に示すように、別パッケージとして、外付けのダイオード94が設けられている。入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされると、外付けのダイオード94を介して、コンデンサ92に充電された電源が放電する(例えば、非特許文献1参照。)。
【0004】
また、他の従来技術として、例えば、図9(b)に示すように、電源用IC91よりも出力端子側であって、コンデンサ92よりも入力端子側の位置に、ダイオード95が設けることも考えられる。この場合、入力電圧Vinが出力電圧Voutより低くなり、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合であっても、ダイオード95が電源用IC91への逆流防止素子として働く。
【0005】
【非特許文献1】
(株)東芝 セミコンダクター社、“3端子正出力固定レギュレータ”、[online]、2000年7月6日、(株)東芝 セミコンダクター社、第12頁、[平成14年12月10日検索]、インターネット<http://www.semicon.toshiba.co.jp/ja
/bucat_6/bucat_4/bucat_1/td_0/TD.pdf>
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、コンデンサ92の電荷が放電した場合の、図9(a)に示した外付けのダイオード94に流れる放電された電流と時間の関係を図10に示す。図10に示すように、Aの領域における放電は、配線などのリアクタンス成分による放電であり、Bの領域における放電は、配線などの時定数による放電である。リアクタンス成分は、主にコンデンサ92と電源用IC間の配線によるものであり、通常、Aの領域は、放電時間に対して十分短い。ダイオード94では、図10に示したAの領域とBの領域の間で、比較的大きな電流が流れるため、サージ電流が流れることを想定したパワークラスのダイオードを設ける必要がある。しかし、電源用ICが逆バイアスされた時の電源用ICの保護動作は、ダイオード単体の性能で決まるため、ダイオード単体の性能差に大きく依存することになる。
【0007】
また、図9(b)に示したように、逆流防止素子として、ダイオード95を設けると、出力端子側でダイオード95のドロップ電圧が生じるため、入力電圧が高めの電位に制限されたり、負荷電流によって出力電圧が異なるという問題があった。また、電源ICを動作させる際に、ダイオード95分の消費電力の損失が生じるという問題があった。
【0008】
本発明は、上記した問題点を解決すべくなされたもので、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、装置の破壊を抑止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するための本発明の一形態に係る半導体装置は、入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられ、コレクタが抵抗を介してグラウンドに接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にアノードが設けられたツェナーダイオード、及び、前記入力端子側にカソードが設けられるとともに前記ツェナーダイオードと直列接続されたダイオードとを有したことを特徴としている。
【0010】
上記した本発明の一形態によれば、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、装置の破壊を抑止することがすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1乃至図6に本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を示す。図1に示すように、レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)11では、出力を一定に保ち、安定した電位を出力する必要があるため、図1に示すように、出力端子側に比較的大きな静電容量(例えば500μF)のコンデンサ12が設けられている。また、入力端子側には、電位を調整するためのコンデンサ13が設けられている。電源用IC11には、並列に保護回路14が接続されている。保護回路14は、電源用IC11が形成されたパッケージに内蔵されている。
【0012】
図2に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のベースと入力端子の間に、ツェナーダイオードZD1,抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0013】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I1−1が流れる。電流I1−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I1−2が流れる。電流I1−2は、主に、図1に示した出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0014】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I1−2の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0015】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0016】
本実施の形態では、第1のトランジスタQ1によって、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷をグラウンドへ放電しているため、放電用トランジスタの安全動作領域は、放電電流及び放電時間を想定したときに、十分広いものであることが好ましい。
【0017】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、コンデンサ12の電荷が放電した場合の、放電された電流と時間の関係を図3に示す。図3に示すように、Aの領域における放電は、配線などのリアクタンス成分による放電である。リアクタンス成分は、主にコンデンサ12と電源用IC間の配線によるものであり、通常、Aの領域は、放電時間に対して十分短い。Bの領域における放電は、ツェナーダイオードによって一定電流以下にクランプされている。Cの領域の放電は、配線などの時定数による放電である。ツェナーダイオードによってクランプしているため、入出力間電圧は一定電圧以下になり、電源用ICの破壊を抑止することができる。また、図9(a)に示した従来の技術では、保護回路として、外付けのダイオードを設けているが、本実施の形態では、電源用ICと同じパッケージ内に容易に形成することができるため、パッケージ部品数を減らすことができる。
【0018】
(第1の変形例)
図4(a)に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1のベースにツェナーダイオードZD1が接続され、第1のトランジスタQ1のコレクタとツェナーダイオードZD1の間に、第2のトランジスタQ2が接続されている。第1のトランジスタQ1及び第2のトランジスタQ2は、PNPトランジスタであり、出力端子側にエミッタが接続されている。
【0019】
第2のトランジスタQ2のベースと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。また、第2のトランジスタQ2のコレクタとグラウンド間には、第2のトランジスタQ1のコレクタとも接続されている抵抗R1が接続されているが、図4(b)に示すように、それぞれのトランジスタにおいて、抵抗R3を別々に設けてもかまわない。また、図4(c)に示すように、第2のトランジスタQ2のコレクタと抵抗R1の間に、抵抗R3を設けてもかまわない。
【0020】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I2−1が流れる。電流I2−1が流れると、第2のトランジスタQ2のベースにベース電流が流れるため、第2のトランジスタQ2が導通し、電流I2−2が流れる。増幅された電流I2−2が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I2−3が流れる。電流I2−3は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0021】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I2−3の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0022】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。このとき、ツェナーダイオードZD1に流れる電流I2−1が微小な場合であっても、第2のトランジスタQ2を用いて第1のトランジスタQ1を確実に導通させることができる。
【0023】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、さらにより確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0024】
(第2の変形例)
図5(a)に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、出力端子にツェナーダイオードZD1及び第1のトランジスタQ1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースと第2のトランジスタQ2のコレクタの間に、ツェナーダイオードZD1と第2のトランジスタQ2が接続されている。第1のトランジスタQ1は、NPNトランジスタであり、第2のトランジスタQ2は、PNPトランジスタである。
【0025】
第2の変形例では、第1の変形例で示した第1のトランジスタQ1をNPNトランジスタとした、インバーテッドダーリントン接続の回路例である。第2のトランジスタQ2のベースと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にコレクタが接続されており、第2のトランジスタQ2は、エミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0026】
また、第2のトランジスタQ2のコレクタとグラウンド間には、第2のトランジスタQ1のエミッタとも接続されている抵抗R1が接続されているが、図5(b)に示すように、それぞれのトランジスタにおいて、抵抗R3を別々に設けてもかまわない。また、図5(c)に示すように、第2のトランジスタQ2のコレクタと抵抗R1の間に、抵抗R3を設けてもかまわない。
【0027】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I3−1が流れる。電流I3−1が流れると、第2のトランジスタQ2のベースにベース電流が流れるため、第2のトランジスタQ2が導通し、電流I3−2が流れる。増幅された電流I3−2が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I3−3が流れる。電流I3−3は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0028】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I3−3の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0029】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子からグラウンドへ電流が流れる。このとき、ツェナーダイオードZD1に流れる電流I3−1が微小な場合であっても、第2のトランジスタQ2を用いて第1のトランジスタQ1を確実に導通させることができる。また、ダーリントン接続によって、高い電流増幅率を有するトランジスタによって形成しているため、出力端子から入力端子に流れる電流が微小電流であっても、出力端子側に設けられたコンデンサに充電された電荷をより迅速にグラウンド側に放電し、入出力間の電圧を一定電圧以下とすることができる。
【0030】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、さらにより確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0031】
(第3の変形例)
図6に、図1に示した本実施の形態の保護回路14の他の例を示す。出力端子とグラウンドの間に、第1のトランジスタQ1と抵抗R1が直列に接続されている。また、第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のベースと入力端子の間に、複数のダイオードD2,抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。複数のダイオードD2及びダイオードD1は出力端子側にアノードが接続されている。
【0032】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、出力端子から入力端子へ電流I4−1が流れる。電流I4−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、第1のトランジスタQ1及び抵抗R1を介して、グラウンドへ電流I4−2が流れる。電流I4−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0033】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。また、抵抗R1が接続されているため、電流I4−2の流れを抑制してグラウンドへ放電している。
【0034】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、出力端子からグラウンドへ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ダイオードD2は、ツェナーダイオードと同等の電圧降下と安定性を得るべく数個を直列に接続して用いている。
【0035】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。第3の変形例は、前記した第1の変形例及び第2の変形例に記載した保護回路例にも適用することができる。
【0036】
(第2の実施の形態)
レギュレータやスイッチングの電源用IC(Integlated Circuit)と保護回路の構成は、第1の実施の形態に示した図1と同じであるので、説明を省略する。
【0037】
図7に、図1に示した本実施の形態の保護回路の例を示す。出力端子に第1のトランジスタQ1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースとコレクタ間に、ツェナーダイオードZD1が接続されている。第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタであり、第1のトランジスタQ1のコレクタと入力端子の間に、抵抗R2及びダイオードD1が直列に接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0038】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給を停止させると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I5−1が流れる。電流I5−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、入力端子へ電流I5−2が流れる。電流I5−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0039】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。
【0040】
したがって、出力電圧Voutが入力電圧Vinよりも、ある電圧以上高くなると、出力端子から入力端子へ電流が流れ、出力端子の電位が低下し、入出力間の電圧を一定の電圧以下に設定することができる。ツェナーダイオードを用いているため、入出力間の電圧が、安定したある電圧以上高くなった場合に、出力端子から入力端子へ電流が流れる。よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0041】
本実施の形態では、第1のトランジスタQ1によって、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷を入力端子へ放電しているため、放電用トランジスタの安全動作領域は、放電電流及び放電時間を想定したとき、十分に広いものであることが好ましい。
【0042】
入出力間の電圧が逆バイアスされ、図1に示したコンデンサ12の電荷が放電した場合の、放電された電流と時間の関係は、図3と同じであるため省略する。ツェナーダイオードによってクランプしているため、入出力間電圧は一定電圧以下になり、電源用ICの破壊を抑止することができる。また、図9(a)に示した従来の技術では、保護回路として、外付けのダイオードを設けているが、本実施の形態では、電源用ICと同じパッケージ内に容易に形成することができるため、パッケージ部品数を減らすことができる。
【0043】
(第1の変形例)
図8に、図1に示した本実施の形態の保護回路の他の例を示す。出力端子に第1のトランジスタQ1及び抵抗R1が接続され、第1のトランジスタQ1のベースに、ツェナーダイオードZD1が接続され、ツェナーダイオードZD1に抵抗R2が接続されている。第1のトランジスタQ1は、PNPトランジスタである。また、入力端子に、ダイオードD1が接続されている。第1のトランジスタQ1は出力端子側にエミッタが接続されている。ツェナーダイオードZD1は出力端子側にカソードが接続され、ダイオードD1はアノードが接続されている。
【0044】
電源用IC11の入力電圧VinをOFFにして、電源用IC11への電力供給が停止されると、入力電圧Vinが不安定となり、入力電圧が接地電位まで低下する場合がある。出力端子にかかる出力電圧Voutが、入力端子にかかる入力電圧Vinよりも高くなると、ある電圧以上で、ツェナーダイオードZD1がブレイクダウンし、出力端子から入力端子へ電流I6−1が流れる。電流I6−1が流れると、第1のトランジスタQ1のベースにベース電流が流れるため、第1のトランジスタQ1が導通し、出力端子から、入力端子へ電流I6−2が流れる。電流I6−2は、主に、出力端子側に設けられた比較的大きな静電容量のコンデンサ12に充電された電荷が放電したものである。
【0045】
この保護回路では、ダイオードD1が接続されているため、出力電圧が入力電圧よりも高くなった場合にのみ作動する。抵抗R1及び抵抗R2によって、電流I6−1及び電流I6−2を任意に設定することが容易である。
【0046】
よって、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。この場合、入力電圧が出力電圧よりも高い、電源用半導体集積回路を通常動作させているときの、この保護回路による消費電力は、ほぼゼロである。
【0047】
以上、第1及び第2の実施の形態では、半導体回路として、電源用ICを例に述べたが、これに限定されず、出力電圧や出力電流を制御するモータドライブ用IC等であってもよい。
【0048】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、入出力間の電圧が逆バイアスされた場合に、より確実に、出力端子の電位を低下させて、入出力間の電圧を一定電圧以下とし、半導体装置の破壊を抑止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置を示す回路ブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る半導体回路の保護回路の、放電電流と時間の関係を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係る第1の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態に係る第2の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係る第3の変形例の半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態の第1の変形例に係る半導体回路の保護回路を示す回路図である。
【図9】従来の半導体装置を示す回路ブロック図である。
【図10】従来の半導体回路の保護回路の、放電電流と時間の関係を示す図である。
【符号の説明】
11 電源用IC
12,13 コンデンサ
14 保護回路
Q1 第1のトランジスタ
Q2 第2のトランジスタ
R1,R2,R3 抵抗
ZD1 ツェナーダイオード
D1 ダイオード
D2 複数のダイオード
Claims (10)
- 入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられ、コレクタが抵抗を介してグラウンドに接続されたトランジスタと、
前記トランジスタのベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にアノードが設けられたツェナーダイオード、及び、前記入力端子側にカソードが設けられるとともに前記ツェナーダイオードと直列接続されたダイオードとを有したことを特徴とする半導体装置。 - 入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられたトランジスタと、前記トランジスタのベースと前記入力端子の間に設けられたダイオードとを有し、
前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも所定の電位差以上大きくなると、前記ダイオードに電流が流れ、この電流によって前記トランジスタが導通し、前記出力端子に蓄積された電荷を、前記トランジスタのコレクタを介して放電することを特徴とする半導体装置。 - 入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタのベースと前記入力端子の間に、直列接続された第1のダイオード及び第2のダイオードを有し、
前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも低い場合は、前記第2のダイオードによって、前記保護回路に電流が流れるのを阻止し、前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも所定の電位差以上大きくなると、前記第1のダイオードに電流が流れ、この電流によって前記トランジスタが導通し、前記出力端子に蓄積された電荷を、前記トランジスタのコレクタを介して放電することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のダイオードは、前記出力端子側にカソードが接続されたツェナーダイオードであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1のダイオードは、前記出力端子側にアノードが接続されるとともに、相互に直列接続された複数のダイオードであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、エミッタが前記出力端子側に設けられた第1のトランジスタと、
カソードが、前記第1のトランジスタのベースに接続されたツェナーダイオードと、
エミッタが、前記ツェナーダイオードのアノードに接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのベースと前記入力端子の間に、入力端子側にカソードが設けられたダイオードを有し、
前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも低い場合は、前記ダイオードによって、前記保護回路に電流が流れるのを阻止し、前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも所定の電位差以上大きくなると、前記ツェナーダイオードに電流が流れ、この電流によって前記第2トランジスタが導通し、前記出力端子に蓄積された電荷を、前記第1のトランジスタのコレクタを介して放電することを特徴とする半導体装置。 - 入力端子及び出力端子間に並列接続された半導体回路及び保護回路とを有し、
前記保護回路は、コレクタが前記出力端子側に設けられた第1のトランジスタと、
カソードが、前記出力端子側に接続されたツェナーダイオードと、
エミッタが、前記ツェナーダイオードのアノードに接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタのベースと前記入力端子の間に、前記入力端子側にカソードが設けられたダイオードを有し、
前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも低い場合は、前記ダイオードによって、前記保護回路に電流が流れるのを阻止し、前記出力端子の電位が、前記入力端子の電位よりも所定の電位差以上大きくなると、前記ツェナーダイオードに電流が流れ、この電流によって前記第2トランジスタが導通し、前記出力端子に蓄積された電荷を、前記第1のトランジスタのエミッタを介して放電することを特徴とする半導体装置。 - 前記出力端子に蓄積された電荷は、前記出力端子に接続されたキャパシタに蓄積された電荷であることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記放電によって流れる電流は、抵抗を介して、前記出力端子とグラウンドの間を流れることを特徴とする請求項2乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記放電によって流れる電流は、前記出力端子と前記入力端子の間を流れることを特徴とする請求項2乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
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JP2003056584A JP2004266173A (ja) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | 半導体装置 |
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CN104009033A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 精工电子有限公司 | 熔断器电路和半导体集成电路装置 |
CN105684136A (zh) * | 2013-11-26 | 2016-06-15 | 夏普株式会社 | 半导体器件 |
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