JP2004259958A - Package for housing light emitting element, and light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージおよび発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)等の発光素子を用いた発光装置は、今後さらなる低消費電力化や長寿命化がすすむものと予測されていることから注目されており、近年各種インジケーター、光センサ、ディスプレイ、ホトカプラ、バックライト、光プリンタヘッド等の種々の分野で使用され始めている。従来の発光素子を搭載するための発光素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)の断面図を図2に示す。
【0003】
図2に示すように、従来のパッケージ11は、一般に各種樹脂やセラミックスなどの材料から成る基体12を有する。この基体12には、タングステンやモリブデン−マンガン等を含む導体ペーストを塗布し焼成して成るメタライズ層を形成し、その上にメッキ法によりNiメッキ層やAuメッキ層を施した配線導体13が形成されている。
【0004】
また、配線導体13は、発光素子15を搭載する搭載部12aに、金(Au)や錫(Sn)−鉛(Pn)合金等から成る半田バンプ17を介して発光素子15を電気的に接続するための電極を有しており、配線導体13と半田バンプ17を介して、パッケージ11内の発光素子15に外部から駆動電流が供給される。
【0005】
また基体12は、パッケージ11内部側の一方の主面に、中央部に上下面を貫通する貫通孔14aを有する、各種樹脂やセラミックスから成る枠体14が設けられている。この枠体14は、基体12に700〜900℃の融点を有する銀(Ag)−銅(Cu)等のロウ材や樹脂接着剤、500℃以下で溶融する低融点ガラスなどにより固定される。
【0006】
また、発光素子15を保護するため、枠体14の内側に発光素子15を覆うように透明樹脂(図示せず)が設けられる。この透明樹脂は熱硬化性のエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等を加熱硬化させることにより形成される。また、透明樹脂に発光素子15の光を吸収し波長変換する少なくとも1つ以上の蛍光体を混入することにより、所望の色の光を取り出すことができる。さらに、透明樹脂は、発光素子15をパッケージ11に強固に密着させる働きも有する。これにより、発光素子15を収納した発光装置となる。
【0007】
この発光装置は、外部電気回路から供給される駆動電流によって発光素子15が発光する。その用途としては、各種インジケーター、光センサ、ディスプレイ、ホトカプラ、バックライト、光プリンタヘッドなどがある。
【0008】
近年、この発光装置を照明用として利用するようになってきており、高輝度、放熱性の点でより高特性のものが要求されている。また、照明用として使用する場合には寿命が重要な問題となるため、長寿命な発光装置が要求されている。
【0009】
そこで、近時、発光装置の発光輝度を向上させるために、枠体14や基体12がより反射率の高い材料から成る構成とすることが多い。例えば、発光素子15の光を反射させる枠体14の材料にAgやAlからなる反射率の高い金属を使用したり、それらの金属を枠体14の内周面に被着させることによって、高輝度の発光装置とすることが提案されている。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−344029号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のパッケージ11では、発光素子15から出る熱によりパッケージ11に歪みが発生し、その結果、発光素子15から発光される光の放射角度が安定化しないという問題点があった。これは、基体12が樹脂やセラミックスから成るのに対して枠体14が金属から成るため、基体12と枠体14との熱膨張係数の違いにより発生するものである。
【0012】
また、従来のパッケージ11では、高輝度化には十分に対応できるものの、輝度を上げるために発光素子15の入力パワーを上げると、発光素子15から出る熱により安定した光強度、光の放射角度、光強度分布が得られないといった新たな問題がでてきている。また、放熱性が劣化すると、発光素子15の温度が上昇し、発光素子15の活性層から出射される光の取り出し効率、いわゆる内部量子効率が著しく劣化する。また、発光素子15とパッケージ11に歪みが生じ、パッケージ11から一定の距離を置いたところで測定される光放射角度および光強度分布が所望の値およびパターンからずれることとなる。光強度分布は単一の光束(光ビーム)またはそれらの集合体で表されるものであり、パッケージ11の歪みにより光束のパターンが一定にならず不安定となる。このように、発光装置が局部照明の用途等に使用される場合、光の放射角度、光強度分布は重要な問題である。
【0013】
したがって、本発明はかかる従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、発光素子が発光する光を枠体の内周面で良好に反射させ外部に均一に効率よく放射させるとともに、温度変化によって光強度、光の放射角度および光強度分布が変化しない安定した光学的特性が得られる発光装置を作製できる発光素子収納用パッケージおよび発光装置を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光素子パッケージは、上側主面の中央部に発光素子が搭載される搭載部を有するとともに該搭載部から外側にかけて導出される配線導体が形成された絶縁体から成る基体と、該基体の前記上側主面の外周部に前記搭載部を囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体と、前記基体の下側主面の中央部に接合された金属から成る放熱板とを具備していることを特徴とする。
【0015】
本発明の発光素子収納用パッケージは、上側主面の中央部に発光素子が搭載される搭載部を有するとともに搭載部から外側にかけて導出される配線導体が形成された絶縁体から成る基体と、基体の上側主面の外周部に搭載部を囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体と、基体の下側主面の中央部に接合された金属から成る放熱板とを具備していることから、発光素子で発生する熱を配線導体で効率よく基体の内部に拡散させることができるとともに、基体の下側主面から放熱板に効率よく熱を伝達させることができる。従って、放熱板から外部回路基板に効率よく熱を放散でき、発光素子収納用パッケージ全体の温度上昇を有効に抑制できることから、基体と枠体との熱膨張差による歪みや変形を抑制できる。さらに、基体と枠体との接合界面で熱膨張係数差に起因し生じる熱応力を抑制できる。これらの結果、発光装置は安定した光放射角度および光強度分布でパッケージ外部に光を照射することができるとともに、互いに熱膨張係数の異なる、絶縁体から成る基体と金属から成る枠体との接合界面に生じるクラックや剥がれを抑制できる。従って、発光装置を長期にわたり正常に作動させることができる。
【0016】
また、基体の上側主面に搭載部を囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体を有していることから、枠体の内周面で発光素子の光を外部に80%以上の反射率で反射させることができ、発光効率の高い発光装置を作製することができる。
【0017】
本発明の発光装置は、本発明の発光素子収納用パッケージと、前記搭載部に搭載されるとともに前記配線導体に半田バンプを介して電気的に接続された発光素子と、前記枠体の内側またはその上方の前記発光素子の光軸上に設置された透光性部材とを具備していることを特徴とする。
【0018】
本発明の発光装置は、上記の構成により、発光効率および放熱性に優れ、安定した光学的特性が得られる、高性能で信頼性の高いものとなる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の発光素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図1は本発明のパッケージについて実施の形態の一例を示す断面図であり、図1において、2は基体、4は枠体、6は放熱板であり、これらで発光素子5を収容するためのパッケージ1が主に構成されている。
【0020】
本発明のパッケージ1は、上側主面の中央部に発光素子5が搭載される搭載部2aを有するとともに搭載部2aから外側にかけて導出される配線導体3が形成された絶縁体から成る基体2と、基体2の上側主面の外周部に搭載部2aを囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体4と、基体2の下側主面の中央部に接合された金属から成る放熱板6とを具備している。
【0021】
本発明における基体2は、例えば酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス),窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,ガラスセラミックス等のセラミックスや、エポキシ樹脂等の樹脂から成る絶縁体であり、発光素子5を支持し搭載するための支持部材として機能するとともに、その上側主面の中央部には発光素子5を搭載する搭載部2aが設けられている。
【0022】
そして、基体2は、搭載部2aの近傍からパッケージ外部に電気的な導通を行なう、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銅(Cu)等のメタライズ層から成る配線導体3が形成されている。この配線導体3は、例えば、W等の粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、基体2となるセラミックグリーンシートに所定パターンに印刷塗布し、複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成することによって形成される。配線導体3の表面には、酸化防止のためと発光素子5を低融点ロウ材等の半田バンプ7で強固に接続するために、厚さ0.5〜9μmのNi(ニッケル)層や厚さ0.5〜5μmのAu層等の金属層をメッキ法により被着させておくのが良い。
【0023】
また、基板2の上側主面には、基板2の下側主面への光の透過を有効に抑制するとともに、基板2の上方に効率よく光を反射させるために、配線導体3に短絡しないようにしてAl,Ag,Au,Cu,Pt等の金属反射層を蒸着法や各種メッキ法により形成することが好ましい。
【0024】
本発明の配線導体3は、AuやSn−Pb半田等の低融点ロウ材から成る半田バンプ7により発光素子5との電気的な接続が行なわれる電極パッドを有するとともに、発光素子5とパッケージ1外部との電気的な導通を行なう。そして、発光素子5が作動した際に、発光素子5の電極付近で発生する熱が半田バンプ7を介して配線導体3に伝熱するとともに、基体2の内層に形成された配線導体3を介して基体2全体に拡散される。その結果、基体2の内部を伝達する熱が十分に拡散されて、基体2の熱抵抗が低下するとともに基体2の下側主面の全体に熱が分布して効率よく放熱板6に伝達する。
【0025】
本発明の放熱板6は、鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金やCu−W合金等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工を施すことによって所定形状に形成され製作される。とりわけ、放熱効果を高めるためには熱伝導性に優れたCu−W合金からなることが好ましい。また、放熱板6は、その表面に耐食性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜9μmのNi層と、厚さ0.5〜9μmのAu層とを順次メッキ法により被着させておくのがよく、放熱板6が酸化腐食されるのを有効に防止できる。
【0026】
また、放熱板6は、その熱伝導率が100W/m・K以上であることがよい。これにより、発光素子5から放熱板6を介した外部回路基板への放熱性が向上し、発光素子5に入力できる駆動電流を大きくすることができる。
【0027】
すなわち、100W/m・K以上では、駆動電流が20mAと大きい場合であっても発光素子5のジャンクション温度(所定の駆動電流を入力した際の発光素子5の最高温度で低い方がよい)が50℃以下になり、1万時間を超えて正常かつ高輝度を確保して発光させることができるとともに、大きな駆動電流を入力することができ、発光素子5の輝度を向上させることができる。また、発光素子5が作動する際のパッケージ1全体の温度上昇が有効に抑制されて、基体2と枠体4との熱膨張差による変形や歪みが有効に抑制される。その結果、基体2および枠体4の中心軸と、発光素子5の光強度が最大となる光軸との位置ズレが抑制され、発光素子5の光が枠体4の内周面で反射し所望の放射角度と強度分布でパッケージ1外部へ効率よく出射されるとともに輝度が向上する。さらに、基体2と枠体4との接合界面で生じる、熱膨張係数差に起因する熱応力が低下し、基体2と枠体4との接合界面で生じるクラックや剥がれを有効に抑制できる。また、発光素子5の温度上昇が有効に抑制されることから、温度上昇に伴う発光素子5の活性層からの光の取り出し効率の低下が抑制され、発光装置は長期にわたり正常かつ安定に作動できる。
【0028】
なお、チップジャンクション温度とは、所定の駆動電流(20mA等)を入力した際のチップ(発光素子5)の温度であり、なるべく低い方がよい。すなわち、放熱性を高めないと発光素子5に熱がこもり、チップジャンクション温度が下がらないため、放熱性を高めてチップジャンクション温度を下げると、その分駆動電流が流せることになる。一般に、65℃以上になれば発光素子5の限界を超えていると言われており、それ以上駆動電流を入力できなくなる。
【0029】
放熱板6の熱伝導率が100W/m・K未満では、例えば駆動電流が20mAであると発光素子5のチップジャンクション温度が65℃以上になり、発光素子5の発光効率が著しく劣化するとともに熱的負荷によって発光素子5を被覆するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の透明樹脂の光透過率が劣化し、1万時間を超えて高輝度を確保して安定的に発光させるのが困難になる。
【0030】
また、放熱板6は、枠体4との熱膨張係数差が5×10−6/℃以下であることがよい。これにより、パッケージ1の製造工程で銀ロウ等のロウ材を介して基体2と枠体4と放熱板6とを接合する際に、ロウ材が溶融する温度から常温に冷却され硬化する際に生じる、枠体4の収縮によって基体2に加わる曲げモーメントを放熱板6により緩和することができる。
【0031】
また、枠体4は、Al,Ag,Cu,Au,Pt,Fe−Ni−Co合金,Fe−Ni合金等の金属からなり、とりわけ光の反射効果が高く低コストに製造できることからAlが好ましい。この枠体4は、上記の金属のインゴットに切削加工、圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工を施すことによって、内周面が上方に向かって外側に広がる貫通穴4aが形成され、基体2の上側主面の外周部に搭載部2aを囲むように取着される。
【0032】
また、枠体4の貫通穴4aは、その内周面が基体2の上側主面に対して35〜60度の角度で外側に広がるように形成されるのがよい。そして、貫通穴4aに収容された発光素子5の光を傾斜した貫通穴4aの内周面で反射させることにより、パッケージ1の外部へ光軸に対して20度以内の範囲で良好に放射することができる。その結果、本発明のパッケージ1を使用した発光装置の輝度を極めて高いものとすることができる。
【0033】
貫通穴4aの内周面と基体2の上側主面とのなす角度が35度未満になると、光の放射角度が20度以上に分散し、指向性をもつ高出力の光を放射できない。また、60度を超えると、発光素子5の光が効率よくパッケージ1の外部に放射されず、パッケージ1内を乱反射し損失が増加する。
【0034】
なお、光の放射角度は、図1のような縦断面においてみた場合のものであり、光ビームの光軸に直交する断面における断面形状が円形状であれば放射角度は一定であり、光ビームの光軸に直交する断面における断面形状が楕円形状等の偏りがある場合は放射角度はその最大値とする。
【0035】
また、枠体4の貫通穴4aの内周面の算術平均粗さRaは0.004〜4μmが好ましい。4μmを超えると、貫通穴4aに収容された発光素子5の光を均一に反射することが困難になり、反射する光の強さに偏りが発生しやすくなる。0.004μm未満であると、そのような平滑な面を安定かつ効率よく形成することが困難となる傾向にある。貫通穴4aの内周面のRaを上記の範囲とするには、従来周知の化学エッチング法や切削加工方法により加工することができる。また、金型の面精度を利用した転写加工による方法を用いてもよい。
【0036】
また、枠体4の上側主面と内周面との間に段差4bを形成し、その段差4bに、集光レンズ等の機能を有するガラス,サファイア,プラスチック,石英等から成る透光性部材8の端部を係止し接着等して設置することがよい。この場合、発光素子5と透光性部材8との光学的な結合状態を安定に維持することができ、光学的特性が安定化した発光装置となすことができる。
【0037】
本発明においては、基体2と枠体4との接合は、シリコーン樹脂系やエポキシ樹脂系等の樹脂接着剤、Ag−Cuロウ等のロウ材、またはPb−Sn合金,Au−Sn合金,Au−Si合金等の半田などの接合材により行なわれる。この接合材は、基体2および枠体4の材質や熱膨張係数等を考慮して適宜選定すればよく、特に限定されるものではないが、接合の高信頼性を必要とされる場合にはロウ材や半田が好ましい。
【0038】
また本発明において、熱膨張係数が約7×10−6〜8×10−6/℃であるアルミナセラミックス等から成る基体2と、その上側主面の外周部に接合された熱膨張係数が約23×10−6/℃であるアルミニウム等から成る枠体4と、基体2の下側主面の中央部に接合された熱膨張係数が約6×10−6〜10×10−6/℃であるFe−Ni−Co合金等から成る放熱板6との間の熱膨張差によって、基体2にクラック等が発生するのを抑制するうえで、放熱板6の外周端が枠体4の下面の内周端の直下よりも基板2の下側主面の外周側にあることが好ましい。これにより、基体2が、それと同程度の熱膨張係数を有する放熱板6によって補強され、基体2にクラック等が発生するのを効果的に抑えられる。さらには、放熱板6の外周端が枠体4の下面の中央部よりも基板2の下側主面の外周側にあることがより好ましい。これにより、基体2の補強効果がより高まり、基体2にクラック等が発生するのをさらに効果的に抑えられる。
【0039】
なお、基体2の下側主面の外周部には配線導体3が露出しているため、放熱板6の外周端は基板2の下側主面の外周端に達していないのがよい。
【0040】
かくして、本発明のパッケージは、基体2の搭載部2aに発光素子5を搭載し、発光素子5の電極と配線導体3とを半田バンプ7を介して電気的に接続し、しかる後、発光素子5をシリコーン樹脂等の透明樹脂で覆うか、または発光素子5が収容された貫通穴4a内に透明樹脂を充填して発光素子5を封止し、枠体4の上方の発光素子5の光軸上に設置されるとともに枠体4の上側主面の段差4bに透光性部材8を設置することで発光装置となる。
【0041】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行うことは何等支障ない。
【0042】
【発明の効果】
本発明の発光素子収納用パッケージは、上側主面の中央部に発光素子が搭載される搭載部を有するとともに搭載部から外側にかけて導出される配線導体が形成された絶縁体から成る基体と、基体の上側主面の外周部に搭載部を囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体と、基体の下側主面の中央部に接合された金属から成る放熱板とを具備していることから、発光素子で発生する熱を配線導体で効率よく基体の内部に拡散させることができるとともに、基体の下側主面から放熱板に効率よく熱を伝達させることができる。従って、放熱板から外部回路基板に効率よく熱を放散でき、発光素子収納用パッケージ全体の温度上昇を有効に抑制できることから、基体と枠体との熱膨張差による歪みや変形を抑制できる。さらに、基体と枠体との接合界面で熱膨張係数差に起因し生じる熱応力を抑制できる。その結果、発光装置は安定した光放射角度および光強度分布でパッケージ外部に光を放射できるとともに、互いに熱膨張係数の異なる基体と枠体との接合界面に生じるクラックや剥がれを抑制できる。従って、発光装置を長期にわたり正常に作動させることができる。
【0043】
また、基体の上側主面に搭載部を囲むように取着された、内周面が上方に向かって外側に広がる傾斜面とされた金属から成る枠体を有していることから、枠体の内周面で発光素子の光を外部に80%以上の反射率で反射させることができ、発光効率の高い発光装置を作製することができる。
【0044】
本発明の発光装置は、本発明の発光素子収納用パッケージと、搭載部に搭載されるとともに配線導体に半田バンプを介して電気的に接続された発光素子と、枠体の内側またはその上方の発光素子の光軸上に設置された透光性部材とを具備していることにより、発光効率および放熱性に優れ、安定した光学的特性が得られる、高性能で信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光素子収納用パッケージについて実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】従来の発光素子収納用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
1:発光素子収納用パッケージ
2:基体
2a:搭載部
3:配線導体
4:枠体
5:発光素子
6:放熱板
8:透光性部材[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a light emitting element housing package for housing a light emitting element and a light emitting device.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, light-emitting devices using light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) and semiconductor lasers (LDs) have attracted attention because they are expected to have lower power consumption and longer life in the future. It has begun to be used in various fields such as various indicators, optical sensors, displays, photocouplers, backlights, and optical printer heads. FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting element housing package (hereinafter, also simply referred to as a package) for mounting a conventional light emitting element.
[0003]
As shown in FIG. 2, a
[0004]
The
[0005]
The
[0006]
In order to protect the
[0007]
In this light emitting device, the
[0008]
In recent years, this light-emitting device has been used for lighting, and a device having higher characteristics in terms of high luminance and heat dissipation is required. In addition, when used for lighting, the life is an important issue, and a long-life light emitting device is required.
[0009]
Therefore, recently, in order to improve the light emission luminance of the light emitting device, the
[0010]
[Patent Document 1]
JP 2002-344029 A
[Problems to be solved by the invention]
However, the
[0012]
Although the
[0013]
Therefore, the present invention has been completed in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to efficiently reflect light emitted from a light emitting element on an inner peripheral surface of a frame body and radiate the light uniformly and efficiently to the outside. Another object of the present invention is to provide a light-emitting element housing package and a light-emitting device capable of manufacturing a light-emitting device capable of obtaining stable optical characteristics in which light intensity, light emission angle, and light intensity distribution do not change due to temperature change.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
A light-emitting element package according to the present invention includes a base made of an insulator having a mounting portion on which a light-emitting element is mounted in a center portion of an upper main surface and having a wiring conductor led out from the mounting portion to the outside; A metal frame attached to the outer peripheral portion of the upper main surface so as to surround the mounting portion, the inner peripheral surface being a sloping surface extending outwardly toward the upper side; And a radiator plate made of metal joined to the center of the surface.
[0015]
A light-emitting element housing package according to the present invention includes a base made of an insulator having a mounting portion in which a light-emitting element is mounted in a central portion of an upper main surface and having a wiring conductor led out from the mounting portion to the outside; A metal frame attached to the outer peripheral portion of the upper main surface of the upper surface so as to surround the mounting portion, the inner peripheral surface of the metal body being an inclined surface extending outward outward, and the center of the lower main surface of the base And a heat radiating plate made of metal bonded to the portion, the heat generated by the light emitting element can be efficiently diffused into the base by the wiring conductor, and the heat is radiated from the lower main surface of the base. Heat can be efficiently transmitted to the plate. Therefore, heat can be efficiently dissipated from the heat radiating plate to the external circuit board, and the temperature rise of the entire light emitting element housing package can be effectively suppressed, so that distortion and deformation due to a difference in thermal expansion between the base and the frame can be suppressed. Further, thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient at the joint interface between the base and the frame can be suppressed. As a result, the light emitting device can irradiate light to the outside of the package with a stable light emission angle and light intensity distribution, and also joins a base made of an insulator and a frame made of a metal having different thermal expansion coefficients to each other. Cracks and peeling occurring at the interface can be suppressed. Therefore, the light emitting device can be normally operated for a long time.
[0016]
In addition, the frame body is attached to the upper main surface of the base body so as to surround the mounting portion, and the frame body is made of a metal whose inner peripheral surface is an inclined surface extending outwardly upward. The light from the light emitting element can be reflected to the outside at a reflectance of 80% or more on the inner peripheral surface of the light emitting element, and a light emitting device with high luminous efficiency can be manufactured.
[0017]
The light-emitting device of the present invention is a light-emitting element housing package of the present invention, a light-emitting element mounted on the mounting portion and electrically connected to the wiring conductor via a solder bump, or inside the frame or A light-transmitting member provided on the optical axis of the light-emitting element above the light-emitting element.
[0018]
The light-emitting device of the present invention has high performance and high reliability with excellent luminous efficiency and heat dissipation, stable optical characteristics, and high luminous efficiency.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The light emitting element housing package of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of the package of the present invention. In FIG. 1,
[0020]
The
[0021]
The
[0022]
The
[0023]
In addition, the upper main surface of the
[0024]
The
[0025]
The heat radiating plate 6 of the present invention is made of a metal such as an iron (Fe) -nickel (Ni) -cobalt (Co) alloy or a Cu-W alloy, and the ingot is subjected to conventionally known metal working such as rolling or punching. By applying, it is formed and manufactured in a predetermined shape. In particular, in order to enhance the heat radiation effect, it is preferable to use a Cu-W alloy having excellent thermal conductivity. Further, the heat radiating plate 6 has, on its surface, a metal having excellent corrosion resistance and excellent wettability with a brazing material, specifically, a Ni layer having a thickness of 0.5 to 9 μm and an Au layer having a thickness of 0.5 to 9 μm. It is preferable that the heat radiation plate 6 is effectively prevented from being oxidized and corroded.
[0026]
Further, the heat radiation plate 6 preferably has a thermal conductivity of 100 W / m · K or more. Thereby, the heat radiation from the light emitting element 5 to the external circuit board via the heat radiating plate 6 is improved, and the driving current that can be input to the light emitting element 5 can be increased.
[0027]
That is, at 100 W / m · K or more, the junction temperature of the light emitting element 5 (the lower the highest temperature of the light emitting element 5 when a predetermined driving current is input is better) even if the driving current is as large as 20 mA. The temperature can be reduced to 50 ° C. or less, and light can be emitted while maintaining normal and high brightness for more than 10,000 hours, a large driving current can be input, and the brightness of the light emitting element 5 can be improved. In addition, the temperature rise of the
[0028]
Note that the chip junction temperature is the temperature of the chip (the light emitting element 5) when a predetermined drive current (20 mA or the like) is input, and the lower the better, the better. That is, if the heat dissipation is not enhanced, heat is accumulated in the light emitting element 5 and the chip junction temperature does not decrease. Therefore, if the heat dissipation is increased and the chip junction temperature is decreased, the drive current can flow accordingly. It is generally said that when the temperature exceeds 65 ° C., the limit of the light emitting element 5 is exceeded, and the drive current cannot be input any more.
[0029]
When the heat conductivity of the heat sink 6 is less than 100 W / m · K, for example, when the driving current is 20 mA, the chip junction temperature of the light emitting element 5 becomes 65 ° C. or more, so that the light emitting efficiency of the light emitting element 5 is significantly deteriorated, and The light load deteriorates the light transmittance of a transparent resin such as an epoxy resin or a silicone resin which covers the light emitting element 5 due to a mechanical load, and it is difficult to secure high luminance for more than 10,000 hours and stably emit light.
[0030]
Further, the heat radiating plate 6 preferably has a thermal expansion coefficient difference from the frame 4 of 5 × 10 −6 / ° C. or less. Accordingly, when the
[0031]
The frame 4 is made of a metal such as Al, Ag, Cu, Au, Pt, an Fe—Ni—Co alloy, and an Fe—Ni alloy. Al is preferable because it has a high light reflection effect and can be manufactured at low cost. . This frame 4 is provided with a through-
[0032]
The through
[0033]
When the angle between the inner peripheral surface of the through
[0034]
Note that the light emission angle is that observed in a vertical section as shown in FIG. 1. If the cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the optical axis of the light beam is circular, the emission angle is constant. In the case where the cross-sectional shape in the cross section orthogonal to the optical axis has a deviation such as an elliptical shape, the radiation angle is set to the maximum value.
[0035]
The arithmetic average roughness Ra of the inner peripheral surface of the through
[0036]
In addition, a
[0037]
In the present invention, the bonding between the
[0038]
In the present invention, the
[0039]
Since the
[0040]
Thus, in the package of the present invention, the light emitting element 5 is mounted on the mounting
[0041]
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and that various changes may be made without departing from the scope of the present invention.
[0042]
【The invention's effect】
A light-emitting element housing package according to the present invention includes a base made of an insulator having a mounting portion in which a light-emitting element is mounted in a central portion of an upper main surface and having a wiring conductor led out from the mounting portion to the outside; A metal frame attached to the outer peripheral portion of the upper main surface of the upper surface so as to surround the mounting portion, the inner peripheral surface of the metal body being an inclined surface extending outward outward, and the center of the lower main surface of the base And a heat radiating plate made of metal bonded to the portion, the heat generated by the light emitting element can be efficiently diffused into the base by the wiring conductor, and the heat is radiated from the lower main surface of the base. Heat can be efficiently transmitted to the plate. Therefore, heat can be efficiently dissipated from the heat radiating plate to the external circuit board, and the temperature rise of the entire light emitting element housing package can be effectively suppressed, so that distortion and deformation due to a difference in thermal expansion between the base and the frame can be suppressed. Further, thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient at the joint interface between the base and the frame can be suppressed. As a result, the light emitting device can emit light to the outside of the package with a stable light emission angle and light intensity distribution, and can also suppress cracks and peeling occurring at the joint interface between the base and the frame having different thermal expansion coefficients. Therefore, the light emitting device can be normally operated for a long time.
[0043]
In addition, the frame body is attached to the upper main surface of the base body so as to surround the mounting portion, and the frame body is made of a metal whose inner peripheral surface is an inclined surface extending outwardly upward. The light from the light emitting element can be reflected to the outside with a reflectance of 80% or more on the inner peripheral surface of the light emitting element, and a light emitting device with high luminous efficiency can be manufactured.
[0044]
The light emitting device of the present invention includes a light emitting element housing package of the present invention, a light emitting element mounted on a mounting portion and electrically connected to a wiring conductor via a solder bump, and a light emitting element inside or above the frame. By providing a light-transmitting member provided on the optical axis of the light-emitting element, the light-emitting element has excellent luminous efficiency and heat dissipation, and can obtain stable optical characteristics, and has high performance and high reliability. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of a light emitting element housing package of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional light emitting element storage package.
[Explanation of symbols]
1: Package for housing light emitting element 2:
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---|---|---|---|
JP2007017310A Division JP2007123939A (en) | 2007-01-29 | 2007-01-29 | Light emitting device |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004259958A (en) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120833A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Harvatek Corp | Package structure of electro-optical semiconductor |
JP2006128701A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ledengin Inc | Universal connection pad and high-output led package having connection structure |
WO2006064996A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Lg Innotek Co., Ltd | Package for light emitting device and method for packaging the same |
JP2007123939A (en) * | 2007-01-29 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | Light emitting device |
JP2007142476A (en) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
JP2007142477A (en) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
JP2008159791A (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | Luminescent device and manufacturing method therefor |
JP2008530822A (en) * | 2005-02-17 | 2008-08-07 | フェデラル−モーグル コーポレイション | LED light module assembly |
JP2009032959A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | Circuit substrate, and package and electronic apparatus using the same |
JP2010040801A (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
KR100998232B1 (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | Side-view light emitting diode package and back light unit module using the same |
CN102244178A (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Encapsulation structure of LED (light emitting diode) |
CN102270725A (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light emitting diode packaging structure |
WO2012014853A1 (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 旭硝子株式会社 | Substrate for light-emitting element, light-emitting device, and method for producing substrate for light-emitting element |
US8246216B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-08-21 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with pedestals for LED emitter |
US8324641B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US8360593B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-01-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package and back light unit using the same |
JP2013516076A (en) * | 2010-01-01 | 2013-05-09 | 中山偉強科技有限公司 | Light emitting diode package structure |
US8507300B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
CN103367599A (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Manufacturing method of light emitting diode packaging structure |
KR101340120B1 (en) | 2011-11-15 | 2013-12-10 | 이창희 | Manufaturing Method Of Circuit Board For Mounting LED |
KR101337600B1 (en) * | 2012-12-26 | 2013-12-11 | 서울반도체 주식회사 | Lens mount type light emitting diode package |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
CN104752584A (en) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 苏州矩阵光电有限公司 | LED packaging structure |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
CN108109986A (en) * | 2017-07-13 | 2018-06-01 | 东莞市国瓷新材料科技有限公司 | A kind of power semiconductor integrated form encapsulation ceramic module and preparation method thereof |
JP2022001871A (en) * | 2018-10-05 | 2022-01-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Optical device |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55154564U (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-07 | ||
JPS5667769U (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-05 | ||
JPS56174872U (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | ||
JPS5870584A (en) * | 1981-10-23 | 1983-04-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS6324857U (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
JPH01105971U (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | ||
JPH07202271A (en) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting diode and manufacture thereof |
WO1998034285A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them |
JPH1126816A (en) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Citizen Electron Co Ltd | Inferred data communication module |
JP2000031547A (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | Planar light source |
JP2000310725A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Kyocera Corp | Optical module |
JP2001257410A (en) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Kyocera Corp | Electronic component |
JP2002118294A (en) * | 2000-04-24 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Flip chip type light-emitting diode and manufacturing method thereof |
JP2002232017A (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | Package for storing light emitting element, and its manufacturing method |
JP2002344029A (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Rohm Co Ltd | Method of adjusting color tone of light-emitting diode |
JP2002353515A (en) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Light-emitting diode, light-emitting device using the same, and manufacturing method therefor |
JP2003008074A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | Surface mounting light emitting device and its manufacturing method |
JP2004079750A (en) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light emitting device |
-
2003
- 2003-02-26 JP JP2003049341A patent/JP2004259958A/en active Pending
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55154564U (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-07 | ||
JPS5667769U (en) * | 1979-10-26 | 1981-06-05 | ||
JPS56174872U (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | ||
JPS5870584A (en) * | 1981-10-23 | 1983-04-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS6324857U (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
JPH01105971U (en) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | ||
JPH07202271A (en) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting diode and manufacture thereof |
WO1998034285A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Matsushita Electronics Corporation | Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them |
JPH1126816A (en) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Citizen Electron Co Ltd | Inferred data communication module |
JP2000031547A (en) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Stanley Electric Co Ltd | Planar light source |
JP2000310725A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Kyocera Corp | Optical module |
JP2001257410A (en) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Kyocera Corp | Electronic component |
JP2002118294A (en) * | 2000-04-24 | 2002-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Flip chip type light-emitting diode and manufacturing method thereof |
JP2002232017A (en) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | Package for storing light emitting element, and its manufacturing method |
JP2002344029A (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Rohm Co Ltd | Method of adjusting color tone of light-emitting diode |
JP2002353515A (en) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Light-emitting diode, light-emitting device using the same, and manufacturing method therefor |
JP2003008074A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | Surface mounting light emitting device and its manufacturing method |
JP2004079750A (en) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light emitting device |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006120833A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Harvatek Corp | Package structure of electro-optical semiconductor |
JP2006128701A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ledengin Inc | Universal connection pad and high-output led package having connection structure |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US9842973B2 (en) | 2004-10-29 | 2017-12-12 | Ledengin, Inc. | Method of manufacturing ceramic LED packages with higher heat dissipation |
US9653663B2 (en) | 2004-10-29 | 2017-05-16 | Ledengin, Inc. | Ceramic LED package |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8415696B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-04-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device and method for packaging the same |
US8357947B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-01-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device and method for packaging the same |
US9671099B2 (en) | 2004-12-17 | 2017-06-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device and method for packaging the same |
US8035121B2 (en) | 2004-12-17 | 2011-10-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device having a lens spaced from a light emitting device module |
US10677417B2 (en) | 2004-12-17 | 2020-06-09 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device and method for packaging the same |
WO2006064996A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Lg Innotek Co., Ltd | Package for light emitting device and method for packaging the same |
US8076691B2 (en) | 2004-12-17 | 2011-12-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package for light emitting device and method for packaging the same |
JP2008530822A (en) * | 2005-02-17 | 2008-08-07 | フェデラル−モーグル コーポレイション | LED light module assembly |
JP2008159791A (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Nichia Chem Ind Ltd | Luminescent device and manufacturing method therefor |
JP2007123939A (en) * | 2007-01-29 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | Light emitting device |
JP2007142477A (en) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
JP2007142476A (en) * | 2007-02-27 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
US8324641B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
JP2009032959A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | Circuit substrate, and package and electronic apparatus using the same |
US8360593B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-01-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | LED package and back light unit using the same |
KR100998232B1 (en) * | 2007-09-28 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | Side-view light emitting diode package and back light unit module using the same |
JP2010040801A (en) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting device |
US8246216B2 (en) | 2008-10-14 | 2012-08-21 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with pedestals for LED emitter |
US8430537B2 (en) | 2008-10-14 | 2013-04-30 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens for color mixing |
US8507300B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
JP2013516076A (en) * | 2010-01-01 | 2013-05-09 | 中山偉強科技有限公司 | Light emitting diode package structure |
CN102244178A (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Encapsulation structure of LED (light emitting diode) |
CN102270725A (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light emitting diode packaging structure |
JPWO2012014853A1 (en) * | 2010-07-26 | 2013-09-12 | 旭硝子株式会社 | LIGHT EMITTING ELEMENT SUBSTRATE, LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING ELEMENT SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD |
WO2012014853A1 (en) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 旭硝子株式会社 | Substrate for light-emitting element, light-emitting device, and method for producing substrate for light-emitting element |
KR101340120B1 (en) | 2011-11-15 | 2013-12-10 | 이창희 | Manufaturing Method Of Circuit Board For Mounting LED |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
CN103367599A (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Manufacturing method of light emitting diode packaging structure |
KR101337600B1 (en) * | 2012-12-26 | 2013-12-11 | 서울반도체 주식회사 | Lens mount type light emitting diode package |
CN104752584A (en) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 苏州矩阵光电有限公司 | LED packaging structure |
CN108109986A (en) * | 2017-07-13 | 2018-06-01 | 东莞市国瓷新材料科技有限公司 | A kind of power semiconductor integrated form encapsulation ceramic module and preparation method thereof |
CN108109986B (en) * | 2017-07-13 | 2024-04-23 | 西安柏芯创达电子科技有限公司 | Ceramic module for power semiconductor integrated package and preparation method thereof |
JP2022001871A (en) * | 2018-10-05 | 2022-01-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Optical device |
JP7416741B2 (en) | 2018-10-05 | 2024-01-17 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | optical device |
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