JP2004247389A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】内部信号線と内部電源線とで1本のピンを共有させ入出力を行わせることにより、半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させるための技術を提供する。
【解決手段】半導体集積回路100は、内部回路に電源を供給する内部電源線130と、内部回路の信号ピン又は電源ピンとして利用可能な共用ピン120と、PMOSトランジスタ160からなるスイッチ素子110を備える。制御信号ピン190からHレベル信号が入力された場合には、PMOSトランジスタ160は遮断状態となり、共用ピン120は信号ピンとして機能する。またLレベル信号が入力された場合には、共用ピン120は電源ピンとして機能する。従って、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては共用ピン120を信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては共用ピン120を電源供給用に使用することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体集積回路100は、内部回路に電源を供給する内部電源線130と、内部回路の信号ピン又は電源ピンとして利用可能な共用ピン120と、PMOSトランジスタ160からなるスイッチ素子110を備える。制御信号ピン190からHレベル信号が入力された場合には、PMOSトランジスタ160は遮断状態となり、共用ピン120は信号ピンとして機能する。またLレベル信号が入力された場合には、共用ピン120は電源ピンとして機能する。従って、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては共用ピン120を信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては共用ピン120を電源供給用に使用することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路に関するものであり、特に、半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させるための技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路パッケージにおいては、ピンの数を低減させるために、複数の内部信号線で1本のピンを共有させる技術が用いられている。この技術は、例えば、ピンと複数の内部信号線との間に、トランスファーゲート等のスイッチ素子を配置させ、このトランスファーゲートのゲート部に制御信号を入力させることによりスイッチ素子を切り替え、ピンと、複数の内部信号線のうちのいずれかとを接続させるものである。制御信号によりどの内部信号線を選択させるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定される。
【0003】
また特許文献1には、1本のピンから入力される信号を、内部回路だけではなく電源線に対しても出力させることにより、内部信号線と内部電源線とで1本のピンを共有させる技術が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−97372号公報(第6−7頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に示される半導体集積回路は、内部回路への入力信号に応じてオン/オフするスイッチ素子を介して、その入力信号を電源線にも入力させて、電源線の電源供給能力を補強している。従って、1本のピンを内部信号線と内部電源線とで共有してはいるが、そのピンは入力用にしか用いることができないという問題があった。
【0006】
本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、内部信号線と内部電源線とで1本のピンを共有させ入出力を行わせることにより、半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させるための技術を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明に係る半導体集積回路は、所定の機能を有する内部回路と、前記内部回路に電源を供給する電源線と、前記内部回路の信号ピンとして利用可能な、半導体集積回路外部との接続のための第1のピンと、前記第1のピンと前記電源線とを選択的に導通させることにより、導通時には前記第1のピンを電源ピンとして機能させ、非導通時には前記第1のピンを前記信号ピンとして機能させる第1のスイッチ素子とを備える。
【0008】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路100を示す回路図である。半導体集積回路100は、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110と、共用ピン120と、内部電源線130と、内部信号線140と、制御信号線150と、電源リング170と、制御信号ピン190とを備える。共用ピン120は、半導体集積回路100外部に配置される回路に接続され、第1のピンとして機能する。PMOSトランジスタ160のドレインは、高電位電源(VDD)線である内部電源線130を介して電源供給用の電源リング170に接続されている。PMOSトランジスタ160のソースは、共用ピン120と、内部信号線140の一端とに接続されている。内部信号線140の他端は図示しない所定の機能を有する内部回路に接続されている。PMOSトランジスタ160のゲートは、制御信号線150を介して制御信号ピン190に接続されている。なお、制御信号ピン190にどのような制御信号が入力されるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定しておいてもよい。
【0009】
次に、図1の半導体集積回路100の動作について説明する。共用ピン120を電源供給用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してPMOSトランジスタ160のゲートにLレベルの制御信号を入力しPMOSトランジスタ160を導通させて、共用ピン120と電源リング170とを接続させる。これにより、共用ピン120は電源ピンとして機能する。
【0010】
また、共用ピン120を信号入出力用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してPMOSトランジスタ160のゲートにHレベルの制御信号を入力しPMOSトランジスタ160を遮断させて、共用ピン120と電源リング170とが接続しないようにする。これにより、共用ピン120は信号ピンとして機能する。
【0011】
即ち、スイッチ素子110は、導通時には共用ピン120を電源ピンとして機能させ、非導通時には共用ピン120を信号ピンとして機能させることにより、第1のスイッチ素子として機能する。
【0012】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路100においては、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110を用いて、共用ピン120と電源リング170との接続を制御しているので、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては共用ピン120を信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては共用ピン120を電源供給用に使用することができる。従って、共用ピン120を共有させることにより半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させることができるので、多数のピンが要求されるような仕様のシステムにも柔軟に対応することができる。
【0013】
<実施の形態2>
実施の形態1に係る半導体集積回路100においては、共用ピン120を電源供給用に使用する場合に、電源リング170が内部回路にも接続されてしまうため、内部回路に電源電圧が入力されてしまうという問題点があった。
【0014】
実施の形態2に係る半導体集積回路200は、実施の形態1に係る半導体集積回路100において、スイッチ素子110に加えてスイッチ素子210を用いたものである。スイッチ素子210は、トランスファーゲート220と、NMOSトランジスタ230と、インバータ240とを備える。図2において、図1と同様の要素については同一の符号を付してあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。なお、制御信号ピン190にどのような制御信号が入力されるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定しておいてもよい。
【0015】
制御信号ピン190から入力される制御信号は、制御信号線150を介して、トランスファーゲート220のPMOSトランジスタ部のゲートと、NMOSトランジスタ230のゲートと、インバータ240の入力部とに入力される。インバータ240からの出力は、PMOSトランジスタ160のゲートと、トランスファーゲート220のNMOSトランジスタ部のゲートとに入力される。トランスファーゲート220のドレインは、共用ピン120とPMOSトランジスタ160のソースとに接続される。またトランスファーゲート220のソースは、NMOSトランジスタ230のドレインと内部信号線140の一端とに接続されている。内部信号線140の他端は図示しない内部回路に接続されている。また、NMOSトランジスタ230のソースは接地されている。
【0016】
次に、図2の半導体集積回路200の動作について説明する。共用ピン120を電源供給用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してインバータ240にHレベルの制御信号を入力し、インバータ240から出力されたLレベル信号をPMOSトランジスタ160のゲートに入力させて、PMOSトランジスタ160を導通させる。このときトランスファーゲート220は、PMOSトランジスタ部のゲートとNMOSトランジスタ部のゲートとにそれぞれHレベル信号とLレベル信号とが入力されるので遮断状態となる。従って共用ピン120と電源リング170とは接続されるが、内部回路と電源リング170とは接続されないので、内部回路に電源電圧が入力されることはない。また、NMOSトランジスタ230はゲートにHレベル信号が入力されるため導通状態となる。従って内部信号線140は、接地される。
【0017】
共用ピン120を信号入力用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してインバータ240にLレベルの制御信号を入力し、インバータ240から出力されたHレベル信号をPMOSトランジスタ160のゲートに入力させて、PMOSトランジスタ160を遮断させる。このときトランスファーゲート220は、PMOSトランジスタ部のゲートとNMOSトランジスタ部のゲートとにそれぞれLレベル信号とHレベル信号とが入力されるので導通状態となる。従って共用ピン120と内部回路とは接続されるが、共用ピン120と電源リング170とは接続されない。また、NMOSトランジスタ230はゲートにLレベル信号が入力されるため遮断状態となる。従って内部信号線140は、接地されない。即ち、スイッチ素子210は、スイッチ素子110の導通時には共用ピン120と内部回路との間を遮断し、且つ共用ピン120から内部回路への信号線を接地させる第2のスイッチ素子として機能する。
【0018】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路200においては、共用ピン120を電源供給用に使用するときには、内部信号線140が、電源リング170とは遮断された上で接地されるので、実施の形態1の効果に加えて、内部回路に電源電圧が入力されることによる影響をなくすことができるという効果を有する。
【0019】
<実施の形態3>
実施の形態3に係る半導体集積回路300を図3に示す。半導体集積回路300は、実施の形態1に係る半導体集積回路100における共用ピン120とスイッチ素子の対を複数設け、その複数に対して、電源リング170、制御信号線150および制御信号ピン190がそれぞれ共通になるように、設置したものである。即ち、制御信号ピン190は第2のピンとして機能する。図3において、内部回路は半導体集積回路300の中心部に配置される。電源ピン310は、電源リング170に直接に接続されている。即ち電源ピン310は、電源供給用にのみ用いられ、第3のピンとして機能する。図3において、図1と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0020】
半導体集積回路300は、共通の制御信号ピン190により制御を行うので、例えば起動時等に、制御信号ピン190からの制御信号により同時に全てのPMOSトランジスタ160を導通状態にすることが可能となる。従って複数のPMOSトランジスタ160を束ねて電源供給用に使用する場合には、それらは並列に接続されたと見なすことが出来るので、電源供給開始時におけるPMOSトランジスタ160の抵抗による電圧降下を小さくすることができる。即ち、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を小さくすることができる。これにより、個々のPMOSトランジスタ160のPchサイズを小さくすることが可能となる。
【0021】
図4に示される半導体集積回路400は、半導体集積回路200における共用ピン120とスイッチ素子210,110の対を複数設け、その複数に対して、電源リング170、制御信号線150および制御信号ピン190がそれぞれ共通になるように設置したものである。この場合にも、同様の効果が得られる。
【0022】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路300および400においては、電源供給開始時の、PMOSトランジスタ160の抵抗による電圧降下を小さくすることができるという効果を有する。
【0023】
<実施の形態4>
実施の形態3に係る半導体集積回路300および400においては、電源ピン310は、電源リング170に直接に接続されている。そのため、PMOSトランジスタ160において発生する電圧降下により、共用ピン120と電源ピン310との間で、電位差が生じるのを避けられないという問題点があった。
【0024】
実施の形態4に係る半導体集積回路500を図5に示す。半導体集積回路500は、半導体集積回路300において、電源ピン310と電源リング170との間にも、所定の電圧降下を有する第3のスイッチ素子としてのPMOSトランジスタ161を配置させ、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を相殺させたものである。このPMOSトランジスタ161は、ゲートを低電位電源(GND)に接続させることにより、常に導通状態となっている。電源ピン310と電源リング170との間に配置される第3のスイッチ素子は、PMOSトランジスタ161に限らず、所定の電圧降下を有する素子であればよく、例えばダイオード等のスイッチ素子であってもよい。また半導体集積回路300ではなく半導体集積回路400においても、同様の素子を配置して電圧降下を発生させることにより、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を相殺させることができる。
【0025】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路500においては、実施の形態3の効果に加えて、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を小さくすることができるという効果を有する。
【0026】
<実施の形態5>
実施の形態1に係る半導体集積回路100は、PMOSトランジスタ160を用いて共用ピン120を高電位電源(VDD)の電源リング170に接続させるが、PMOSトランジスタ160の代わりにNMOSトランジスタを用いれば、低電位電源(GND)の配線に接続させることもできる。
【0027】
実施の形態5に係る半導体集積回路600を図6に示す。半導体集積回路600は、半導体集積回路100において、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110の代わりに、NMOSトランジスタ620を備えるスイッチ素子610を用い、NMOSトランジスタ620のソースを内部接地線630に接続させた構成となっている。
【0028】
また、半導体集積回路200についても同様に、PMOSトランジスタ160ではなくNMOSトランジスタ620を用いることにより、共用ピン120を接地ピンとして機能させることができる。
【0029】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路600においては、PMOSトランジスタ160ではなくNMOSトランジスタ620を用いるので、共用ピン120を接地ピンとして機能させることができる。半導体集積回路パッケージにおいて半導体集積回路100と半導体集積回路600とを併用することにより、設けられるピンの数をさらに低減させることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1に記載の発明に係る半導体集積回路は、所定の機能を有する内部回路と、前記内部回路に電源を供給する電源線と、前記内部回路の信号ピンとして利用可能な、半導体集積回路外部との接続のための第1のピンと、前記第1のピンと前記電源線とを選択的に導通させることにより、導通時には前記第1のピンを電源ピンとして機能させ、非導通時には前記第1のピンを前記信号ピンとして機能させる第1のスイッチ素子とを備えるので、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては前記第1のピンを信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては前記第1のピンを電源供給用に使用することができる。従って、前記第1のピンを共有させることにより半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させることができるので、多数のピンが要求されるような仕様のシステムにも柔軟に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る半導体集積回路の構成図である。
【図2】実施の形態2に係る半導体集積回路の構成図である。
【図3】実施の形態3に係る半導体集積回路の構成図である。
【図4】実施の形態3に係る半導体集積回路の構成図である。
【図5】実施の形態4に係る半導体集積回路の構成図である。
【図6】実施の形態5に係る半導体集積回路の構成図である。
【符号の説明】
100,200,300,400,500,600 半導体集積回路、110,210,610 スイッチ素子、120 共用ピン、130 内部電源線、140 内部信号線、150 制御信号線、160,161 PMOSトランジスタ、170 電源リング、190 制御信号ピン、220 トランスファーゲート、230,620 NMOSトランジスタ、240 インバータ、310 電源ピン、630 内部接地線。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路に関するものであり、特に、半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させるための技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路パッケージにおいては、ピンの数を低減させるために、複数の内部信号線で1本のピンを共有させる技術が用いられている。この技術は、例えば、ピンと複数の内部信号線との間に、トランスファーゲート等のスイッチ素子を配置させ、このトランスファーゲートのゲート部に制御信号を入力させることによりスイッチ素子を切り替え、ピンと、複数の内部信号線のうちのいずれかとを接続させるものである。制御信号によりどの内部信号線を選択させるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定される。
【0003】
また特許文献1には、1本のピンから入力される信号を、内部回路だけではなく電源線に対しても出力させることにより、内部信号線と内部電源線とで1本のピンを共有させる技術が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−97372号公報(第6−7頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に示される半導体集積回路は、内部回路への入力信号に応じてオン/オフするスイッチ素子を介して、その入力信号を電源線にも入力させて、電源線の電源供給能力を補強している。従って、1本のピンを内部信号線と内部電源線とで共有してはいるが、そのピンは入力用にしか用いることができないという問題があった。
【0006】
本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、内部信号線と内部電源線とで1本のピンを共有させ入出力を行わせることにより、半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させるための技術を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明に係る半導体集積回路は、所定の機能を有する内部回路と、前記内部回路に電源を供給する電源線と、前記内部回路の信号ピンとして利用可能な、半導体集積回路外部との接続のための第1のピンと、前記第1のピンと前記電源線とを選択的に導通させることにより、導通時には前記第1のピンを電源ピンとして機能させ、非導通時には前記第1のピンを前記信号ピンとして機能させる第1のスイッチ素子とを備える。
【0008】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体集積回路100を示す回路図である。半導体集積回路100は、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110と、共用ピン120と、内部電源線130と、内部信号線140と、制御信号線150と、電源リング170と、制御信号ピン190とを備える。共用ピン120は、半導体集積回路100外部に配置される回路に接続され、第1のピンとして機能する。PMOSトランジスタ160のドレインは、高電位電源(VDD)線である内部電源線130を介して電源供給用の電源リング170に接続されている。PMOSトランジスタ160のソースは、共用ピン120と、内部信号線140の一端とに接続されている。内部信号線140の他端は図示しない所定の機能を有する内部回路に接続されている。PMOSトランジスタ160のゲートは、制御信号線150を介して制御信号ピン190に接続されている。なお、制御信号ピン190にどのような制御信号が入力されるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定しておいてもよい。
【0009】
次に、図1の半導体集積回路100の動作について説明する。共用ピン120を電源供給用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してPMOSトランジスタ160のゲートにLレベルの制御信号を入力しPMOSトランジスタ160を導通させて、共用ピン120と電源リング170とを接続させる。これにより、共用ピン120は電源ピンとして機能する。
【0010】
また、共用ピン120を信号入出力用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してPMOSトランジスタ160のゲートにHレベルの制御信号を入力しPMOSトランジスタ160を遮断させて、共用ピン120と電源リング170とが接続しないようにする。これにより、共用ピン120は信号ピンとして機能する。
【0011】
即ち、スイッチ素子110は、導通時には共用ピン120を電源ピンとして機能させ、非導通時には共用ピン120を信号ピンとして機能させることにより、第1のスイッチ素子として機能する。
【0012】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路100においては、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110を用いて、共用ピン120と電源リング170との接続を制御しているので、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては共用ピン120を信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては共用ピン120を電源供給用に使用することができる。従って、共用ピン120を共有させることにより半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させることができるので、多数のピンが要求されるような仕様のシステムにも柔軟に対応することができる。
【0013】
<実施の形態2>
実施の形態1に係る半導体集積回路100においては、共用ピン120を電源供給用に使用する場合に、電源リング170が内部回路にも接続されてしまうため、内部回路に電源電圧が入力されてしまうという問題点があった。
【0014】
実施の形態2に係る半導体集積回路200は、実施の形態1に係る半導体集積回路100において、スイッチ素子110に加えてスイッチ素子210を用いたものである。スイッチ素子210は、トランスファーゲート220と、NMOSトランジスタ230と、インバータ240とを備える。図2において、図1と同様の要素については同一の符号を付してあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。なお、制御信号ピン190にどのような制御信号が入力されるかは、制御用内部レジスタ等にあらかじめ設定しておいてもよい。
【0015】
制御信号ピン190から入力される制御信号は、制御信号線150を介して、トランスファーゲート220のPMOSトランジスタ部のゲートと、NMOSトランジスタ230のゲートと、インバータ240の入力部とに入力される。インバータ240からの出力は、PMOSトランジスタ160のゲートと、トランスファーゲート220のNMOSトランジスタ部のゲートとに入力される。トランスファーゲート220のドレインは、共用ピン120とPMOSトランジスタ160のソースとに接続される。またトランスファーゲート220のソースは、NMOSトランジスタ230のドレインと内部信号線140の一端とに接続されている。内部信号線140の他端は図示しない内部回路に接続されている。また、NMOSトランジスタ230のソースは接地されている。
【0016】
次に、図2の半導体集積回路200の動作について説明する。共用ピン120を電源供給用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してインバータ240にHレベルの制御信号を入力し、インバータ240から出力されたLレベル信号をPMOSトランジスタ160のゲートに入力させて、PMOSトランジスタ160を導通させる。このときトランスファーゲート220は、PMOSトランジスタ部のゲートとNMOSトランジスタ部のゲートとにそれぞれHレベル信号とLレベル信号とが入力されるので遮断状態となる。従って共用ピン120と電源リング170とは接続されるが、内部回路と電源リング170とは接続されないので、内部回路に電源電圧が入力されることはない。また、NMOSトランジスタ230はゲートにHレベル信号が入力されるため導通状態となる。従って内部信号線140は、接地される。
【0017】
共用ピン120を信号入力用に使用するときには、制御信号ピン190から制御信号線150を介してインバータ240にLレベルの制御信号を入力し、インバータ240から出力されたHレベル信号をPMOSトランジスタ160のゲートに入力させて、PMOSトランジスタ160を遮断させる。このときトランスファーゲート220は、PMOSトランジスタ部のゲートとNMOSトランジスタ部のゲートとにそれぞれLレベル信号とHレベル信号とが入力されるので導通状態となる。従って共用ピン120と内部回路とは接続されるが、共用ピン120と電源リング170とは接続されない。また、NMOSトランジスタ230はゲートにLレベル信号が入力されるため遮断状態となる。従って内部信号線140は、接地されない。即ち、スイッチ素子210は、スイッチ素子110の導通時には共用ピン120と内部回路との間を遮断し、且つ共用ピン120から内部回路への信号線を接地させる第2のスイッチ素子として機能する。
【0018】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路200においては、共用ピン120を電源供給用に使用するときには、内部信号線140が、電源リング170とは遮断された上で接地されるので、実施の形態1の効果に加えて、内部回路に電源電圧が入力されることによる影響をなくすことができるという効果を有する。
【0019】
<実施の形態3>
実施の形態3に係る半導体集積回路300を図3に示す。半導体集積回路300は、実施の形態1に係る半導体集積回路100における共用ピン120とスイッチ素子の対を複数設け、その複数に対して、電源リング170、制御信号線150および制御信号ピン190がそれぞれ共通になるように、設置したものである。即ち、制御信号ピン190は第2のピンとして機能する。図3において、内部回路は半導体集積回路300の中心部に配置される。電源ピン310は、電源リング170に直接に接続されている。即ち電源ピン310は、電源供給用にのみ用いられ、第3のピンとして機能する。図3において、図1と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0020】
半導体集積回路300は、共通の制御信号ピン190により制御を行うので、例えば起動時等に、制御信号ピン190からの制御信号により同時に全てのPMOSトランジスタ160を導通状態にすることが可能となる。従って複数のPMOSトランジスタ160を束ねて電源供給用に使用する場合には、それらは並列に接続されたと見なすことが出来るので、電源供給開始時におけるPMOSトランジスタ160の抵抗による電圧降下を小さくすることができる。即ち、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を小さくすることができる。これにより、個々のPMOSトランジスタ160のPchサイズを小さくすることが可能となる。
【0021】
図4に示される半導体集積回路400は、半導体集積回路200における共用ピン120とスイッチ素子210,110の対を複数設け、その複数に対して、電源リング170、制御信号線150および制御信号ピン190がそれぞれ共通になるように設置したものである。この場合にも、同様の効果が得られる。
【0022】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路300および400においては、電源供給開始時の、PMOSトランジスタ160の抵抗による電圧降下を小さくすることができるという効果を有する。
【0023】
<実施の形態4>
実施の形態3に係る半導体集積回路300および400においては、電源ピン310は、電源リング170に直接に接続されている。そのため、PMOSトランジスタ160において発生する電圧降下により、共用ピン120と電源ピン310との間で、電位差が生じるのを避けられないという問題点があった。
【0024】
実施の形態4に係る半導体集積回路500を図5に示す。半導体集積回路500は、半導体集積回路300において、電源ピン310と電源リング170との間にも、所定の電圧降下を有する第3のスイッチ素子としてのPMOSトランジスタ161を配置させ、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を相殺させたものである。このPMOSトランジスタ161は、ゲートを低電位電源(GND)に接続させることにより、常に導通状態となっている。電源ピン310と電源リング170との間に配置される第3のスイッチ素子は、PMOSトランジスタ161に限らず、所定の電圧降下を有する素子であればよく、例えばダイオード等のスイッチ素子であってもよい。また半導体集積回路300ではなく半導体集積回路400においても、同様の素子を配置して電圧降下を発生させることにより、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を相殺させることができる。
【0025】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路500においては、実施の形態3の効果に加えて、共用ピン120と電源ピン310との間の電位差を小さくすることができるという効果を有する。
【0026】
<実施の形態5>
実施の形態1に係る半導体集積回路100は、PMOSトランジスタ160を用いて共用ピン120を高電位電源(VDD)の電源リング170に接続させるが、PMOSトランジスタ160の代わりにNMOSトランジスタを用いれば、低電位電源(GND)の配線に接続させることもできる。
【0027】
実施の形態5に係る半導体集積回路600を図6に示す。半導体集積回路600は、半導体集積回路100において、PMOSトランジスタ160を備えるスイッチ素子110の代わりに、NMOSトランジスタ620を備えるスイッチ素子610を用い、NMOSトランジスタ620のソースを内部接地線630に接続させた構成となっている。
【0028】
また、半導体集積回路200についても同様に、PMOSトランジスタ160ではなくNMOSトランジスタ620を用いることにより、共用ピン120を接地ピンとして機能させることができる。
【0029】
このように、本実施の形態に係る半導体集積回路600においては、PMOSトランジスタ160ではなくNMOSトランジスタ620を用いるので、共用ピン120を接地ピンとして機能させることができる。半導体集積回路パッケージにおいて半導体集積回路100と半導体集積回路600とを併用することにより、設けられるピンの数をさらに低減させることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1に記載の発明に係る半導体集積回路は、所定の機能を有する内部回路と、前記内部回路に電源を供給する電源線と、前記内部回路の信号ピンとして利用可能な、半導体集積回路外部との接続のための第1のピンと、前記第1のピンと前記電源線とを選択的に導通させることにより、導通時には前記第1のピンを電源ピンとして機能させ、非導通時には前記第1のピンを前記信号ピンとして機能させる第1のスイッチ素子とを備えるので、動作スピードが遅く消費電力が小さいシステムにおいては前記第1のピンを信号入出力用に使用し、動作スピードが速く消費電力が大きいシステムにおいては前記第1のピンを電源供給用に使用することができる。従って、前記第1のピンを共有させることにより半導体集積回路パッケージに設けられるピンの数を低減させることができるので、多数のピンが要求されるような仕様のシステムにも柔軟に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る半導体集積回路の構成図である。
【図2】実施の形態2に係る半導体集積回路の構成図である。
【図3】実施の形態3に係る半導体集積回路の構成図である。
【図4】実施の形態3に係る半導体集積回路の構成図である。
【図5】実施の形態4に係る半導体集積回路の構成図である。
【図6】実施の形態5に係る半導体集積回路の構成図である。
【符号の説明】
100,200,300,400,500,600 半導体集積回路、110,210,610 スイッチ素子、120 共用ピン、130 内部電源線、140 内部信号線、150 制御信号線、160,161 PMOSトランジスタ、170 電源リング、190 制御信号ピン、220 トランスファーゲート、230,620 NMOSトランジスタ、240 インバータ、310 電源ピン、630 内部接地線。
Claims (6)
- 所定の機能を有する内部回路と、
前記内部回路に電源を供給する電源線と、
前記内部回路の信号ピンとして利用可能な、半導体集積回路外部との接続のための第1のピンと、
前記第1のピンと前記電源線とを選択的に導通させることにより、導通時には前記第1のピンを電源ピンとして機能させ、非導通時には前記第1のピンを前記信号ピンとして機能させる第1のスイッチ素子と
を備える半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のスイッチ素子がP型トランジスタを備え、
前記電源線が高電圧電源線である
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のスイッチ素子がN型トランジスタを備え、
前記電源線が接地電源線である
半導体集積回路。 - 請求項2に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のスイッチ素子の導通時に、前記第1のピンと前記内部回路との間を遮断し、かつ前記第1のピンから前記内部回路への信号線を接地させる第2のスイッチ素子
をさらに備える半導体集積回路。 - 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体集積回路であって、
前記第1のピンと前記第1のスイッチ素子との対を複数備え、
前記複数の第1のスイッチ素子に対し共通に前記半導体集積回路外部から制御信号を入力する第2のピンをさらに備える
半導体集積回路。 - 請求項5に記載の半導体集積回路であって、
前記電源線と半導体集積回路外部とを導通させる第3のピンと、
前記第3のピンと前記電源線との間に配置され所定の電圧降下を有する第3のスイッチ素子と
をさらに備える半導体集積回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003033407A JP2004247389A (ja) | 2003-02-12 | 2003-02-12 | 半導体集積回路 |
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JP2017183382A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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- 2003-02-12 JP JP2003033407A patent/JP2004247389A/ja active Pending
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