JP2004246311A - マルチビーム出射ユニット、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光量変動が防止されたマルチビーム出射ユニットおよび画像形成装置を提供する。
【解決手段】ＭＳＬＤ１２の発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２の光量を異ならせることによって、各ビームの波長を異ならせることができる。したがって、ビームＬ１、Ｌ２の干渉を防止してスリット１８の制限開口１８Ａを通過するビーム光量の変動を防止できる。また、画像形成装置の感光体に対する光学走査装置の光源として使用される場合には、光学走査装置の光路上に各ビームの光量を均一にさせる手段を設けることによって、感光体上におけるビーム光量が均一化され、高画質の画像形成を行なうことができる。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のビームを出射するマルチビーム出射ユニット、及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速高密度の画像形成を、複数ビームの同時走査により実現する画像形成装置が種々提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
例えば、複数の発光点を一体的に備え、独立に制御可能とされた複数のレーザビームを出射する半導体レーザ（以下、ＭＳＬＤ（マルチスポットレーザダイオード）という）が光源として用いられている。ビーム間隔を狭めたＭＳＬＤを光源として使用することにより、単一のビームを出射するレーザダイオード（ＬＤの使用時とほぼ同じ部品で光学走査装置を構成でき、極めてコストパフォーマンスの高い画像形成装置が実現できる。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５７−２２２１８号公報
【特許文献２】
特開平９−１９７３０８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＭＳＬＤでは通常、同一の組成、形状からなる光共振器が１つの基材上に複数並置して形成されるため、ＭＳＬＤから出射される複数の発光ビームの特性は極めて揃ったものとなり、発振波長もほぼ同一となる。このような条件下では光共振器間の漏れ光、あるいは光共振器外からの戻り光による複数の共振器間の光結合で位相同期が起こり、容易に可干渉状態となる。
【０００６】
干渉が発生すると、コリメータレンズからの出射光には光強度の強弱の分布がおきる。この分布は光の位相が安定しないと変動する。コリメータレンズの後には結像光学系により結像させたときのビームスポット径の決定及び、ビームスポット径のバラツキ低減のため通常制限開口を設ける。制限開口は複数のビームに均等に作用するように光軸上のコリメータレンズの焦点位置に配置することが多い。制限開口は干渉ビームの一部のみを透過するため、光の位相が不安定であると開口を通過する光量が変動する。すなわち、本来、制限開口位置における光量は、図４（Ａ）に示すように矩形波状にならなければならないのに、図４（Ｂ）のように光量が変動する。
【０００７】
このようなレーザ出射ユニットを走査型の画像形成装置に利用した場合、光量変動が発生し画像上の目に見える欠陥となって表れることがある。例えば、全面黒の画像を形成する場合のように複数のビームを連続的に点灯する場合には、光量変動によって画像上に不規則な白筋が発生する等の問題を生ずる。また、水平同期ビーム検知タイミングで光量変動が発生すると、同期タイミングに誤差を生じ、画像にジッターが発生するなどの問題が起きる。
【０００８】
本発明は、上記不都合を解決するために、半導体レーザから出射された複数のビームが相互に干渉しない構成としたマルチビーム出射ユニットを提供することを目的とする。また、マルチビーム出射ユニットを使用した画像形成装置において、光量変動を防止して高画質な画像形成を可能とする画像形成装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明が解決すべき課題】
発明者は、２つの発光点（Ａｃｈ及びＢｃｈ）の光量（ｍＷ）をそれぞれ変化させ、画像エリア、及びＳＯＳエリア（水平同期用のビームを検知するエリア）での光量変動を調べた。
【００１０】
図１８，１９のグラフは、片ｃｈの光量を変更していった場合の光量変動を示しており、縦軸は感光体上での光量、横軸は時間を示している。
【００１１】
図１８（Ａ）のグラフでは、ＳＯＳエリア２００の終わり近くに光量変動（点線丸で囲む部分）を生じていることを示しており、そのまま片ｃｈの光量を上げると、光量変動の時間的位置が後ろ側に移動し、図１８（Ｂ）のグラフに示すように画像エリア２００２の初期の一部分に光量変動（点線丸で囲む部分）を生じるようになる。
【００１２】
図１９（Ａ）のグラフは、更に片ｃｈの光量を上げた場合の光量変動を示しており、画像エリア全体で光量変動を生じていことが分かる。また、図１９（Ｂ）のグラフは、図１９（Ａ）よりも更に片ｃｈの光量を上げた場合の光量変動を示しており、画像エリアの初期の一部に（点線丸で囲む部分）を生じていることが分かる。
【００１３】
なお、図１９のグラフは、図１８のグラフに対して、時間軸の倍率が変更されている。
【００１４】
図２０には、２つの発光点（Ａｃｈ及びＢｃｈ）の光量（ｍＷ）と、画像エリア、及びＳＯＳエリアでの光量変動との関係を示すグラフである。
【００１５】
図２０のグラフにおいて、縦軸はＢｃｈの光量、横軸はＡｃｈの光量、０点から右上がり４５°の実線は、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合を示すラインである。
【００１６】
図２０のグラフにおいて、「黒四角」は画像エリアで光量変動が最大になるＡＢ光量である。
【００１７】
図２０のグラフにおいて、「黒四角」を中心とした縦線は、Ａｃｈの光量を固定してＢｃｈの光量を大小変化させた場合のラインを示し、この縦線上の上の「黒三角」はＢｃｈの光量を上げていって画像エリアで光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同縦線上の下の「黒三角」はＢｃｈの光量を下げていって画像エリアで光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示している。
【００１８】
さらに、縦線上の上の「白抜き三角」はＢｃｈの光量を上げていってＳＯＳ位置から１μｓ以上の範囲に光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同縦線上の下の「白抜き三角」はＢｃｈの光量を下げていってＳＯＳ位置から１μｓ以上の範囲に光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同縦線上の上の「短い横線」はＢｃｈの光量を上げていってＳＯＳエリアで全く光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同縦線上の下の「短い横線」はＢｃｈの光量を下げていってＳＯＳエリアで全く光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示している。
【００１９】
また、図２０のグラフにおいて、「黒四角」を中心とした横線は、Ｂｃｈの光量を固定してＡｃｈの光量を大小変化させた場合のラインを示し、この横線上の右の「黒三角」はＡｃｈの光量を上げていって画像エリアで光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同横線上の左の「黒三角」はＡｃｈの光量を下げていって画像エリアで光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示している。
【００２０】
さらに、横線上の右の「白抜き三角」はＡｃｈの光量を上げていってＳＯＳ位置から１μｓ以上の範囲に光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同横線上の左の「白抜き三角」はＡｃｈの光量を下げていってＳＯＳ位置から１μｓ以上の範囲に光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同横線上の右の「短い縦線」はＡｃｈの光量を上げていってＳＯＳエリアで全く光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示し、同横線上の左の「短い縦線」はＡｃｈの光量を下げていってＳＯＳエリアで全く光量変動が発生しなくなるＡＢ光量を示している。
【００２１】
発明者は、この試験結果から、少なくとも「黒三角」から外れたＡＢ光量に設定することで画像エリア内で光量変動を生じさせないようにでき、「短い縦線」または「短い横線」から外れたＡＢ光量に設定することで、画像エリアのみならずＳＯＳエリアからも完全に光量変動を生じさせないようにできることを見出した。
【００２２】
例えば、図２１に示すように、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、画像エリア、及びＳＯＳエリアの少なくとも一方で光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域（例えば、前述した短い縦線及び短い横線の内側の領域）が重なり、かつ下寄りにある場合には、例えば、Ａｃｈの光量に対してＢｃｈの光量を一定に比率で大きく設定し、光量変動を生ずる領域にかからないように、実線のようにラインを立てれば良い。これにより、画像のノイズ、及び画像のジッターを防止できるようになる。
【００２３】
なお、図２１において、光量変動を生ずる領域の内部にある太い実線は、画像領域での光量変動が最大となる領域を示している。
【００２４】
また、図２２に示すように、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域が重なり、かつ上寄りにある場合には、例えば、Ａｃｈの光量に対してＢｃｈの光量を一定に比率で小さく設定し、光量変動を生ずる領域にかからないように、実線のようにラインを寝せれば良い。これにより、画像のノイズ、及び画像のジッターを防止できるようになる。
【００２５】
なお、図２３，２４に示すように、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域が完全に離れている場合には、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係は、１対１のままで良いのは勿論である。
【００２６】
なお、上記方法では、画像エリア、及びＳＯＳ領域共に光量変動を生じさせない場合の説明をしたが、画像エリアのみに光量変動を生じさせなければ良い場合では、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示すラインが図２０で示す「黒三角」で囲まれる領域にかからなければ良い。
【００２７】
例えば、図２５に示すように、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、画像領域での光量変動が最大となる領域（太い実線）が全体的に重なるような場合には、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示すラインを実線で示すように上側にオフセットさせればよく、これにより、画像のノイズを防止することができる。
【００２８】
また、図２６に示すように、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、画像領域での光量変動が最大となる領域（太い実線）は外れているが、ＳＯＳエリアの最初の部分に光量変動が生じるような場合（例えば、図２０で記載した「白抜き三角」で囲まれる領域にはかかっている）には、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示すラインを実線で示すように上側にオフセットさせればよく、これにより、画像のジッターを防止することができる。
【００２９】
なお、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示すラインを、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対して、平行にオフセットし、かつ傾斜角を変えても良い。
【００３０】
例えば、図２７に示すように、Ａ，Ｂ両方のチャンネルが同じ光量の場合のＡｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す一点鎖線のラインに対し、実線２００Ａ、２００Ｂ、及び点線２００Ｃで示すようにＡＢ光量を設定しても良い。
【００３１】
例えば、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量とが共に大きい場合には、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量との関係を示す点線２００Ｃは、光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域を外れるが、Ａｃｈの光量とＢｃｈの光量とが共に小さくなると、点線２００Ｃが、光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域にかかってしまう。したがって、このような場合には、実線２００Ｂのようにさらにオフセットさせることで、光量変動を生ずる２点鎖線で示す領域を外すことが出来る。
【００３２】
請求項１に記載のマルチビーム出射ユニットは上記事実に鑑みてなされたものであって、一体に形成され独立に制御される複数の発光点から複数のビームを出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから出射された複数のビームを略平行にするコリメータレンズと、コリメート光の一部を透過させる制限開口と、を備え、前記複数の発光点から出射される複数のビームの発光光量が異なることを特徴としている。
【００３３】
次に、請求項１に記載の出射ユニットの作用について説明する。
【００３４】
半導体レーザでは、出射されたビームの波長が発光光量に依存することが知られている。すなわち、発光光量を変化させることで出射されたビームの波長を変化させることができる。したがって、マルチビーム出射ユニットにおいて、複数の発光点から出射された複数のビームの発光光量を異ならせることによって複数の発光点から出射されたビームの波長が異なることになる。したがって、複数のビーム間の干渉が防止され、制限開口を通過するビーム光量の変動が防止される。
【００３５】
請求項２に記載のマルチビーム出射ユニットは、請求項１に記載のマルチビーム出射ユニットにおいて、前記複数の発光点から出射された複数のビームのうち、任意の２つのビームについて、一方のビームの発光光量が他方のビームの発光光量に対して１０５％〜１３０％であることを特徴としている。
【００３６】
次に、請求項２に記載のマルチビーム出射ユニットの作用について説明する。
【００３７】
複数の発光点から出射される複数のビームのうち、任意の２つのビームについて、一方のビームの発光光量が他方のビームの発光光量の１０５％（５％増）未満であると、両ビームの波長の違いがほんの僅かになり、干渉を良好に防止することができなくなる。これに対して、一方のビームの発光光量が他方のビームの発光光量の１３０％（３０％増）を超えると、各ビームの発光光量に限度があるため他方のビームの光量が不足する。したがって、任意の２つの発光点から出射される２つのビームのうち、一方のビームの発光光量が他方のビームの発光光量の１０５％（５％増）〜１３０％（３０％増）とすることにより、ビーム間の干渉を良好に防止して光量変動を防ぐと共に、十分な光量を有する複数のビームを出射することができる。
【００３８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載のマルチビーム出射ユニットにおいて、前記半導体レーザの第１の発光点に対する第１の駆動電流、及び第２の発光点に対する第２の駆動電流の少なくとも一方の駆動電流に所定電流を引加する引加手段を設けた、ことを特徴としている。
【００３９】
次に、請求項３に記載のマルチビーム出射ユニットの作用について説明する。
【００４０】
請求項３に記載のマルチビーム出射ユニットでは、引加手段が、半導体レーザの第１の発光点に対する第１の駆動電流、及び第２の発光点に対する第２の駆動電流の少なくとも一方の駆動電流に所定電流を引加するので、第１の発光点と第２の発光点との間に所定量の発光量差を付けることができる。
【００４１】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のマルチビーム出射ユニットにおいて、前記ビームの出射についてパルス幅と光強度とにより規定するとき、前記第１の発光点から出射されるビーム、及び前記第２の発光点から出射されるビームのビーム照射位置において、両ビームの照射エネルギーが同じになるように、異なるパルス幅に設定し、かつ異なる光強度に設定すべく制御する制御手段を設けた、ことを特徴としている。
【００４２】
次に、請求項４に記載のマルチビーム出射ユニットの作用について説明する。
【００４３】
第１の発光点と第２の発光点との間に発光量差をつけると、ビーム照射位置、例えば、画像形成装置の像担持体上（感光体上）において、第１の発光点から出射されたビームの照射エネルギーと、第２の発光点から出射されたビームの照射エネルギーとが変わってしまい、画像不良を生ずる場合がある。
【００４４】
このため、請求項４に記載のマルチビーム出射ユニットでは、制御手段が、ビーム照射位置において、両ビームの照射エネルギーが同じになるように、両ビームを異なるパルス幅に設定し、かつ異なる光強度に設定し、これにより、ビーム照射位置における第１の発光点から出射されたビームの照射エネルギーと、第２の発光点から出射されたビームの照射エネルギーとを同じにすることができる。
【００４５】
より具体的には、一方のビームの光強度が他方のビームの強度が大きい場合、一方のビームのパルス幅を他方のビームのパルス幅よりも小さく設定し、光強度とパルス幅とを反比例の関係とする。
【００４６】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載のマルチビーム出射ユニットにおいて、前記複数の発光点から出射された複数のビームの発散角が異なることを特徴としている。
【００４７】
次に、請求項５に記載のマルチビーム出射ユニットの作用について説明する。
【００４８】
請求項５に記載のマルチビーム出射ユニットは、複数の発光点から出射される複数のビームの発散角が異なるため、各発光点から出射された光束のうち、制限開口を透過可能な光量が異なる。すなわち、複数の発光点から発光光量の異なるビームを出射してビーム間の干渉を防止して光量変動を防止すると共に、マルチビーム出射ユニットの制限開口から均一な光量の複数のビームを出射することができる。
【００４９】
請求項６に記載の画像形成装置は、請求項１〜５のいずれか１項記載のマルチビーム出射ユニットと、前記複数のビームを偏向走査させる偏向器と、偏向された複数のビームの照射により潜像が形成される像担持体と、前記マルチビーム出射ユニットの発光点から前記像担持体に到る光路上に設けられ、前記複数のビームの透過率が異なる光量調整手段と、を備え、前記光量調整手段によって前記像担持体上に照射される各ビームの光量を均一にさせることを特徴としている。
【００５０】
次に、請求項６に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００５１】
マルチビーム出射ユニットは、複数の発光点から出射される複数のビームの発光光量を異ならせているため、ビーム間の干渉を防止でき、ビームの光量変動を防ぐことができる。
【００５２】
このように、マルチビーム出射ユニットから出射された複数のビームの発光光量は異なるが、光路上に配設された光量調整手段において各ビームの透過率が異なるため、像担持体上に到達する各ビームの光量を均一にすることができる。
【００５３】
すなわち、発光点における発光光量を異ならせてビーム間の干渉を防止して光量変動を防止しつつ、像担持体上における光量を同一にして高画質な画像形成を可能とすることができる。
【００５４】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の画像形成装置において、前記光量調整手段は、光束の一部を遮蔽する遮蔽板であることを特徴としている。
【００５５】
次に、請求項７に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００５６】
光量調整手段が光束の一部を遮蔽する遮蔽板であれば、異なる発光点から出射された光束は遮蔽板で遮蔽される面積（割合）が異なることになる。したがって、互いに異なる発光光量である複数のビームが遮蔽板によって光量を調整され、像担持体上における光量を均一にすることができる。すなわち、複数の発光点から出射される複数のビーム間の干渉を防止して光量変動を防止すると共に、高画質な画像形成をすることができる。
【００５７】
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の画像形成装置において、前記光量調整手段は、光束の一部が入射する光量減衰フィルタであることを特徴としている。
【００５８】
次に、請求項８に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００５９】
異なる発光点から出射された複数の光束は、光量減衰フィルタを通過する面積（割合）が異なる。したがって、複数の発光点から異なる発光光量で出射された光束の一部が光量減衰フィルタを透過することによって、像担持体上に照射される各ビームの光量を均一にすることができる。また、光量減衰フィルタは、ビームの一部の光を必ず透過させているため、透過した複数のビームのビーム径がばらつくことがなく、像担持体上の複数のビームスポット径が均一化される。
【００６０】
すなわち、複数の発光点から出射されたビームの発光光量を異ならせてビーム間の干渉を防止して光量変動を防ぐと共に、像担持体上で複数のビームの光量とビーム径を均一化させることができ、高画質な画像形成を行なうことができる。
【００６１】
請求項９に記載の発明は、請求項６に記載の画像形成装置において、前記光量調整手段は、ビーム光路上に配設される光学部品の一部に蒸着されて設けられたものであることを特徴としている。
【００６２】
次に、請求項９に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００６３】
光学部品の一部に蒸着することによって、光学部品におけるビームの透過率を部分的に異ならせることができ、光量調整手段とすることができる。
【００６４】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の画像形成装置において、前記光学部品は、シリンダーレンズであることを特徴としている。
【００６５】
次に、請求項１１に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００６６】
マルチビーム出射ユニットの異なる発光点から出射されたビームの間隔は、シリンダーレンズの位置で最大とされることが多い。したがって、シリンダーレンズの一部に蒸着して光量調整手段とすることによって、発光点間隔が狭い半導体レーザから出射された複数のビームに対しても、ビーム間隔の大きいところで精度良く光量調整を行なうことができる。
【００６７】
請求項１１に記載の発明は、請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の画像形成装置において、前記光量減衰フィルタは反射手段であり、入射光軸と反射光軸が異なるように光路上に配設されていることを特徴としている。
【００６８】
次に、請求項１１に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００６９】
光量減衰フィルタは、入射光軸と反射光軸が異なるため、光量減衰フィルタに入射したビームの一部が反射ビームとなっても制限開口から発光点に戻ることはない。すなわち、反射ビームによって光量変動を生ずることが確実に防止される。
【００７０】
請求項１２に記載の発明は、請求項６に記載の画像形成装置において、請求項５に記載のマルチビーム出射ユニットを備え、前記光量調整手段は前記制限開口であることを特徴としている。
【００７１】
次に、請求項１２に記載の画像形成装置の作用について説明する。
【００７２】
複数の発光点から出射された発散角の異なる光束は、光量調整手段である制限開口によって遮蔽される光束の幅が異なる。したがって、複数の発光点からの出射光量を異ならせることによって、ビーム間の干渉を防止して光量変動を防止すると共に、制限開口で光量調整を行なうことによって像担持体上の複数のビーム光量を均一とすることによって高画質な画像形成を行なうことができる。
【００７３】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係るマルチビーム出射ユニットおよび画像形成装置について図１〜図６を参照して説明する。
【００７４】
先ず、画像形成装置について簡単に説明する。
【００７５】
画像形成装置５０は、図２に示すように、感光体１４の周囲に回転方向Ｂに沿って帯電器５２、マルチビーム走査装置１０、現像器５４、転写器５６が配設されており、帯電器５２によって帯電された感光体１４上をマルチビーム走査装置１０が露光走査することによって静電潜像を形成し、現像器５４によって静電潜像にトナーを付着させて顕像化する構成である。このようにして形成された感光体１４上に形成されたトナー像は、転写器５６によって搬送されてきた用紙５７に転写され、定着器５８によって用紙上に定着される構成である。
【００７６】
なお、感光体上に残留されたトナーは、クリーニングブレード６０で除去される。
【００７７】
次に、マルチビーム走査装置について、図１を参照して概略説明する。
【００７８】
図１に示すように、マルチビーム走査装置１０は、光源であるマルチスポットレーザダイオード（以下、ＭＳＬＤという）１２から出射されたビームが感光体１４上を走査するものである。具体的には、ＭＳＬＤ１２から出射されたビームがコリメータレンズ１６で略平行光束とされた後、スリット１８の制限開口１８Ａで光束の一部のみが透過され、エキスパンダレンズ２０で拡大され、折り返しミラー２２で所定方向に折り返された後、非走査方向にのみパワーを有するシリンダーレンズ２４、折り返しミラー２６、走査レンズ２８、３０を介して偏向器３２に入射する。なお、偏向器３２における反射面上では非走査方向のみ集光されている。偏向器３２によって入射されたビームが偏向され、走査レンズ３０、２８、折り返しミラー３４、シリンダーミラー３６を介して感光体１４上を走査する。
【００７９】
なお、ＭＳＬＤ１２、コリメータレンズ１６、スリット１８は、マルチビーム出射ユニット４０として一体化されている。
【００８０】
ここで、マルチビーム出射ユニット４０の光学系について、図３および図４を参照して説明する。図３はビームの光軸を含む非走査方向断面図である。なお、図３では、コリメータレンズの主平面のみを記載し、また、非走査方向と光軸方向の縮尺は実際よりも前者を大きくとっている。また、発光点Ｐ１、Ｐ２の非走査方向中点とスリット１８の制限開口１８Ａの非走査方向中心を結ぶ線を中心線Ａ（一点鎖線）として記載しており、後述する発光点Ｐ１、Ｐ２から出射するビームＬ１、Ｌ２をそれぞれ３本の実線、破線で記載している。両端の２本の線は光束を示し、真中の１本は主光線を示している。この記載方法は他の図でも同様である。
【００８１】
ＭＳＬＤ１２は、所定間隔おいて２つの発光点Ｐ１、Ｐ２が形成されており、本実施形態ではこの発光点の配列方向が主走査方向に直交する非走査方向とされている。また、非走査方向おいて、発光点Ｐ１、Ｐ２は、コリメータレンズ１６の光軸（中心線Ａ）に対して対称に配置されているため、発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されたビームＬ１、Ｌ２は互いに反対方向に屈折してコリメータレンズ１６の焦点位置に配設されたスリット１８の制限開口１８Ａを通過する構成である。
【００８２】
また、発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２は、それぞれ単独で制御可能であり、相互に平行に出射されるものである。なお、隣接する発光点Ｐ１、Ｐ２間の距離は１４μｍである（図３参照）。また、ＭＳＬＤ１２とコリメータレンズ１６、コリメータレンズ１６とスリット１８の距離はそれぞれ１２．５ｍｍとされている。
【００８３】
ところで、図３では、光軸方向に対して非走査方向を大きくして示しているために、各びームＬ１、Ｌ２が大きく離間して記載されているが、寸法を見ればわかるように、実際にはほとんど重なった状態になる。
【００８４】
なお、ＭＳＬＤ１２の各発光点Ｐ１、Ｐ２からビームを出射して感光体上に書き込みを行なう場合には、通常、図４（Ａ）に示すように、一定光量で所定時間連続して点灯される矩形波状の発光を行なう。すなわち、一定光量の発光と非発光を交互に繰り返して画像書き込みが行われることになる。
（作用）
このように構成されるマルチビーム出射ユニット４０、及び画像形成装置５０の作用について説明する。
【００８５】
本願発明では、ビーム波長の光量依存性に基づいて、発光点Ｐ１、Ｐ２におけるビームＬ１、Ｌ２の発光光量を異ならせることにより、ビームＬ１、Ｌ２の波長を異ならせ、ビーム間の干渉を排除してスリット１８の制限開口１８Ａから出射されるビームＬ１、Ｌ２の光量変動を防止する。このように光量変動が防止されたビームＬ１、Ｌ２が感光体１４に照射されることによって、用紙５７上に高画質の画像が形成されるものである。
【００８６】
先ず、ビーム波長の光量依存性について説明する。半導体レーザ（以下、ＬＤという）およびＭＳＬＤでは、発光光量に従ってビーム波長が異なることをことが知られている。例えば、図５に示すように、定格５ｍＷのＬＤの発振スペクトルの発光光量を２ｍＷ、３ｍＷ、５ｍＷ増加させていくと、波長が大きくなる（光量依存性がある）ことがわかっている。
【００８７】
次に、ビーム間の光量を異ならせることによってビーム間の干渉を排除する点について、図６に示す実験結果を示して説明する。
【００８８】
実験は、スリット１８の制限開口１８Ａから出射されるビームＬ１、Ｌ２の光量が変動している１２個のマルチビーム出射ユニット４０を用い、各マルチビーム出射ユニット４０のＭＳＬＤ１２の一方の発光点Ｐ１を所定の光量で発光させ、他方の発光点Ｐ２の発光光量を前記所定の光量から増加させていった場合にスリット１８から出射されるビームＬ１、Ｌ２の光量変動がなくなる発光光量を求め、発光点Ｐ１、Ｐ２の発光光量比（Ｐ２／Ｐ１）を各マルチビーム出射ユニット４０毎に求めたものである。図６に示すように、発光点Ｐ２の発光光量は発光点Ｐ１の発光光量の１．０５倍（１１０％）〜１．２０（１２０％）程度であれば、マルチビーム出射ユニット４０の光量変動を抑制できることが確認された。
【００８９】
なお、発光光量比は、１０５％〜１３０％が好ましい。これは、発光光量比が１０５％を下回るとビームＬ１、Ｌ２の波長差がほとんどなく、干渉（光量変動）防止作用が達成されないためである。また、発光点Ｐ１、Ｐ２間の発光光量比を大きくするほど干渉（光量変動）抑制効果が増大するが、各発光点の発光光量に限界があるため、発光光量の少ない側のビーム光量が小さくなりすぎ、感光体上に到達する光量が不足して、プリントの画像濃度が低くなりすぎでしまうからである。すなわち、発光光量比を１０５％〜１３０％とすることによって、所定のプリント画像濃度を確保しつつ、光量変動を良好に抑制することができる。したがって、高画質な画像形成を行なうことができる。
【００９０】
また、マルチビーム出射ユニット４０の製造誤差等を考慮すると、発光光量比は、図６に示す最大の発光光量比よりも大きい１．２６（１２６％）であれば一層好ましい。この場合には、発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２が干渉せず、この結果、スリット１８の制限開口１８Ａから出射される各ビームの光量の変動を一層確実に抑制することができる。
【００９１】
本実施形態は、例えば、図２１、または図２２に示す発光光量の関係を具体化したものである。
【００９２】
なお、装置の調整としては、光学ユニット１０を組み立てし、最小限の調整をした後に光量変動が生じているか否かを判断する。方法は図２０に示すグラフにおいて、実機に搭載された時に主に使われる光量にＬＤ出力を設定し（例えばグラフの中央の状態）、光量変動の発生するＡＢ光量を確認し、「白抜き三角」が２つとも４５°ライン上または近傍になければ、発光点Ｐ１および発光点Ｐ２の発光点の調整は必要としない。もし、「白抜き三角」が４５°ラインの上下にそれぞれあるときは「黒四角」の位置が上下のどちらに有るかを確認し、その方向によって、発光点Ｐ１及び発光点Ｐ２の少なくとも一方を選択的に調整を実施すれば良い。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係る画像形成装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図７を参照して説明する。なお、第１実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９３】
図７は、マルチビーム出射ユニット４０のスリット１８以降の光軸を含む非走査方向断面図である。なお、図７は非走査方向と光軸方向の縮尺は実寸比にほぼ合わせている。
【００９４】
本実施形態のマルチビーム走査装置１０では、第１実施形態と異なり、ビームの光路上においてスリット１８の下流側に遮光板４２を配設している。遮光板４２は、図７において中心線Ａよりも下側に配置されており、スリット１８の制限開口１８Ａを通過したビームＬ１、Ｌ２の光束の一部を遮蔽する構成とされている。図７に示すように、スリット１８の制限開口１８Ａから出射されるビームＬ１、Ｌ２は非走査方向において中心線Ａを挟んで反対側に分離する方向に出射されるため、中心線Ａを挟んで一方の側に配設される遮光板４２によって遮蔽される光束の部分の割合が異なる（Ｄ１≠Ｄ２）ことになる。すなわち、遮光板４２よって遮蔽される光量（透過率）がビーム毎に異なることになる。
【００９５】
したがって、ビームＬ１、Ｌ２が感光体１４上で同一光量となるように発光点Ｐ１、Ｐ２における発光光量を調整することによって、発光点Ｐ１、Ｐ２における発光光量に差をつけてビーム間の干渉を防止して光量変動を防止可能であると共に、感光体１４上におけるビーム光量を同一に制御でき、良好な画像形成を可能とすることができる。
【００９６】
なお、ビーム光路に対する遮光板４２の挿入量によってビーム間における透過率の差が決まるので、感光体上におけるビーム光量を均一にすれば、透過率の差分に対応した光量差を発光点Ｐ１、Ｐ２の発光光量で生じさせることができる。
【００９７】
また、遮光板４２の挿入量で光量差をつける（解消する）場合には、ビームＬ１、Ｌ２の感光体１４上におけるビームスポット径に差を生じるので、挿入量を最適化し、遮光板４２を正確に保持することが必要である。
【００９８】
なお、本実施形態では、図７に示すように、遮光板４２は、中心線Ａよりも下側に配置したが、発光点Ｐ１、Ｐ２における発光光量の大小関係が逆の場合には、遮光板４２は、中心線Ａよりも上側に配置する。このため、遮光板４２を中心線Ａよりも下側、及び上側の何れか一方に選択的に配置できるように遮光板４２の取り付け部を構成することが好ましい。
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態に係る画像形成装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図８を参照して説明する。図８は、光軸を含む非走査方向断面であり、非走査方向と光軸方向の縮尺は実寸比と一致させている。なお、第１実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００９９】
本実施形態では、ビームの光路上においてスリット１８よりも下流（エキスパンダレンズ２０）側を図示しており、スリット１８とエキスパンダレンズ２０の間に、一部がハーフミラーコーティングされたガラス板４４が配設されている。ガラス板４４は、中心線Ａを中心に対称に配置されており、非走査方向の一端から中心線Ａの近傍までがハーフミラーコーティングされた（コーティング膜４５（図９参照）が表面に形成された）ハーフミラー領域４４Ａが形成されており、残りの部分がハーフミラーコーティングされていない透過領域４４Ｂとされている。
【０１００】
このように形成されたガラス板４４を光路上に配設したことにより、以下の作用がある。
【０１０１】
すなわち、非走査方向において中心線Ａに対して対称に配置されたＭＳＬＤ１２の発光点Ｐ１、Ｐ２から発光されたビームＬ１、Ｌ２は、コリメータレンズ１６で相互に反対側に屈曲され、スリット１８の制限開口１８Ａから中心線Ａを挟んで相互に離間する方向に進行する。この状態でビームＬ１、Ｌ２がガラス板４４に入射するため、ビームＬ１、Ｌ２は光束に占めるハーフミラー領域４４Ａを透過する割合が異なる（Ｄ３≠Ｄ４）。ハーフミラー領域４４Ａは透過領域４４Ｂと比較して透過率が低いため、光束に占めるハーフミラー領域４４Ａを透過する割合が大きいビームほど、ガラス板４４における透過率が低下することになる。すなわち、本実施形態では、ビームＬ１の方がビームＬ２と比較して光束に占めるハーフミラー領域４４Ａを透過する割合が大きい（Ｄ３＞Ｄ４）ため、ビームＬ１の透過率の方が低いことになる。したがって、ガラス板４４を透過したビーム光量が等しくなるようにビームＬ１、Ｌ２の発光光量を調節する（異ならせる）ことによって、感光体１４上におけるビーム光量を均一化できると共に、ビーム間の干渉を防止して光量変動が抑制された高画質な画像形成を行なうことができる。
【０１０２】
特に、本実施形態では、ハーフミラー領域４４Ａでもビームの一部の光が透過するため、ガラス板４４の透過によってビーム径が変動することが防止され、複数のビーム間におけるビーム径のバラツキを抑制でき、一層高画質な画像形成を行なうことができる。
【０１０３】
なお、ガラス板４４のハーフミラー領域４４Ａを、ビームＬ１の主光線を超えて増加させても、ビームＬ１、Ｌ２の透過率の差を増やすことはできず、ビームＬ１をこえた位置まで増加させると、透過率の差が減少してしまうので注意が必要である。
【０１０４】
また、ガラス板４４の透過領域４４Ｂには、ＡＲコーティングを施すとガラス板内での干渉を防止できるのでさらに良い。
【０１０５】
ところで、本実施形態のように構成すると、ビームＬ１、Ｌ２がガラス板４４のハーフミラー領域４４Ａと、透過領域４４Ｂの双方を通過するため、誘電体膜のようにコーティング膜４５の膜厚Ｄが厚いと位相のずれが大きくなる（図９（模式図）参照）。この結果、結像性能が劣化したり、ハーフミラー領域４４Ａの反射光がＭＳＬＤ１２に戻ったりすることで、光量が不安定になる。さらに、光量変動を生じているビームが感光体１４を走査すれば、筋状の画質劣化が起こる。
【０１０６】
したがって、コーティング膜４５の膜厚Ｄを薄くでき、かつ膜でのエネルギー吸収が大きくすることで反射を少なくすることのできる金属膜にすると良い。例えば、クロムを蒸着したものを用いると良い。クロムは酸化しやすい物質であるため、保護膜を付けるとことは有効である。
【０１０７】
なお、ハーフミラーコーティングの透過率は、ガラス板４４が配置された位置におけるビーム径、ビーム間隔、発光光量比から決定される。例えば、ビームＬ１、Ｌ２の非走査方向間隔が０．２ｍｍで非走査方向のビーム径が１．２９ｍｍの位置にガラス板４４を配置した場合に、ビームＬ１、Ｌ２の発光光量比を好ましい１．２５にするためには、ハーフミラーコーティングの透過率を３０％にする必要がある。
【０１０８】
また、ハーフミラーコーティングの透過率を小さくすると、光束の一部を遮蔽した場合と同様の現象が起こるので、透過率は３０％以上が好ましい。
【０１０９】
なお、発光点Ｐ１、Ｐ２における発光光量の大小関係が逆の場合には、ガラス板４４を上下逆に配置すれば良い。
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態に係るマルチビーム走査装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図１０、図１１を参照して説明する。なお、第１実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１０】
図１１は図１に示すマルチビーム走査装置の構成を折り返しミラーを除いた展開光路図である。光軸を含む非走査方向断面図であり、非走査方向を拡大して書いている。
【０１１１】
図１０は、第３実施形態と同様に光学部品にハーフミラー領域を設けた場合、ビームＬ１、Ｌ２の光量差が付くことをエネルギとして表したものである。すなわち、光学部品位置でのビームＬ１、Ｌ２の光量プロファイルがガウシャンであるとすると、非走査方向にある距離離れてある場合、ビームＬ１のガウシャンプロファイルの中央部から半分がハーフミラー領域（ハーフミラーコーティング部分（図１０、ハッチング部分参照））とすると、非走査方向でビームＬ１とオフセットしているビームＬ２がハーフミラー領域で減衰する量はビームＬ１よりも少ないので、光量差がつくのである。したがって、ビームＬ１、Ｌ２の非走査方向間隔Ｇが大きいほど、光量差を大きくすることができる。
【０１１２】
ところで、本実施形態の光学系では、図１１に示すように、ビームのＬ１、Ｌ２の非走査方向間隔が最大になるところは、シリンダーレンズ２４の位置となる。
【０１１３】
したがって、シリンダーレンズ２４にハーフミラーコーティングすれば、隣接するビーム間の間隔が小さい光学系で最も効果的に光量差をつけることができる。なお、ハーフミラーコーテイングは、製造の容易性からシリンダーレンズ２４の平面部に行うことが好ましい。
【０１１４】
なお、発光点Ｐ１、Ｐ２における発光光量の大小関係が逆の場合には、シリンダーレンズ２４を上下逆に配置すれば良い。
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態に係るマルチビーム走査装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図１２、図１３を参照して説明する。なお、第１、第３実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１５】
図１２、図１３は、光軸を含む非走査方向の断面図である。両図において、発光点Ｐ１、Ｐ２が非走査方向が１４μｍの間隔であり、ガラス板４４の位置でも２ビーム間に非走査方向の間隔を生じているが、実際は小さい量なのでこの図では同一に記載している。
【０１１６】
図１２に示すように、光路上においてスリット１８とエキスパンダレンズ２０の間に配設された一部がハーフミラー領域４４Ａとされたガラス板４４は、入射光軸Ａ１と反射光軸Ａ２が異なる。したがって、スリット１８を透過したビームＬ１、Ｌ２のハーフミラー領域４４Ａで反射されたビームＬ１´、Ｌ２´がスリット１８の制限開口１８ＡからＭＳＬＤ１２に入射して発光光量に変動を生じさせることはない。
【０１１７】
図１３に示すように、反射ミラー４６でビームＬ１、Ｌ２が折り返された後でも同様である。
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態に係るマルチビーム走査装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図１４、図１５を参照して説明する。なお、第１、第３実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１８】
本実施形態は、感光体上におけるビームの光量の均一化を達成しつつ発光点における発光光量差をつけるために、各発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２の発散角に差をつけたものである。
【０１１９】
先ず、発散角を異ならせるためのＭＳＬＤ１２の構成について説明する。ＭＳＬＤ１２は、図１４に示すように、下側から下側電極７０、ＧａＡｓ基板７２、コンファイメント７４、下部グラッド７６、活性層７８、上部グラッド８０、埋め込み層８２、キャップ８４、上部電極８６が積層して構成されている。ここで、発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２の発散角を決定するものは、埋め込み層８２のストライプ幅Ｓ１、Ｓ２と活性層７８の厚さである。すなわち、基板の延在方向と平行な面内の発散角を決めるのはストライプ幅Ｓ１、Ｓ２であり、ストライプ幅が大きくなると発散角が小さくなる。一方、基板の延在方向と垂直な面内の発散角を決めるのは活性層７８の厚さであり、活性層７８が厚くなると発散角が小さくなる。この性質を利用にして発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２の発散角に差をつけることが可能となる。特に、ストライプ幅Ｓ１、Ｓ２で変えるほうは容易に製造できる。
【０１２０】
本実施形態では、ストライプ幅Ｓ１、Ｓ２のみ異ならせているため、発光点Ｐ１、Ｐ２から出射されるビームＬ１、Ｌ２は基板の延在方向と平行な面内における発散角のみが異なることになる。
【０１２１】
このように構成されたマルチビーム走査装置１０では、図１５に示すように、ＭＳＬＤ１２の発光点Ｐ１、Ｐ２から出射するビームＬ１、Ｌ２の非走査方向の発散角θ１、θ２が異なるため、スリット１８の制限開口１８ＡでビームＬ１、Ｌ２の光束のうち通過できる割合が異なることになる。したがって、感光体上における各ビームの光量を均一化しつつ、発光点Ｐ１、Ｐ２におけるビームＬ１、Ｌ２の発光光量に差をつけることが可能になる。
【０１２２】
この結果、ビームＬ１、Ｌ２間の干渉を防止して光量変動を防止しつつ、感光体上におけるビーム光量を均一化して高画質な画像形成が可能になる。また、本実施形態では、中心線Ａに対して発光点Ｐ１、Ｐ２およびスリット１８の制限開口１８Ａが対称に配置されているため、スリット１８の制限開口１８Ａを透過する（感光体上の）ビームＬ１、Ｌ２のビーム径が均一化され、一層高画質になる。
【０１２３】
なお、一連の実施形態では、２個の発光点を有するＭＳＬＤ１２を備えるマルチビーム走査装置１０およびマルチビーム出射装置４０について説明したが、３個以上の発光点を有するＭＳＬＤにも適用可能である。
［第７実施形態］
本発明の第７実施形態に係るマルチビーム走査装置およびマルチビーム出射ユニットについて、図１６を参照して説明する。なお、前述した実施形態と同様の構成要素については同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１２４】
本実施形態は、前述した図２５、または図２６に示す発光光量の関係を具体化したものである。
【０１２５】
図１６には、ＭＳＬＤ１２の駆動回路８８が示されており、図１６において、符号９０は発光点Ｐ１用のレーザドライバ、符号９２は発光点Ｐ２用のレーザドライバ、符号９４，９６はコンパレータ、符号９８は発光点Ｐ１及び発光点Ｐ２の光量をモニタする光センサ、符号１００はアンプ、符号１０２は加算器、符号１０４はオフセット電圧発生器、符号１０６は制御回路を示している。
【０１２６】
駆動回路８８では、加算器１０２を用い、基準電圧Ｖｒｅｆに対して、例えばオフセット電圧発生器１０４より出力されるオフセット電圧Ｖｏｆｓを加算することで、発光点Ｐ２の発光光量を発光点Ｐ１の発光光量よりも所定量多く設定することが出来る。なお、オフセット電圧Ｖｏｆｓは、任意に変更可能である。
【０１２７】
また、制御回路１０６は、発光点Ｐ１の発光光量、及び発光点Ｐ２の発光光量に応じてレーザドライバ９０を制御し、発光点Ｐ１のパルス幅（点灯時間）を変更するものである。
【０１２８】
ここで、発光点Ｐ２の発光光量を発光点Ｐ１の発光光量よりも、所定光量多く設定すると、感光体上において、発光点Ｐ１から出射されたビームの照射エネルギーと、発光点Ｐ２から出射されたビームの照射エネルギーとが変わってしまい、画像不良を生ずる場合がある。
【０１２９】
このため、本実施形態の制御回路１０６は、感光体上での両ビームの照射エネルギーが同じになるように、発光点Ｐ１の発光パルスの幅を発光点Ｐ２の発光パルスの幅よりも広く設定する。
【０１３０】
レーザドライバ９０では、図１７に示すように、三角波信号に対して閾値を上下させることで、発光パルスの幅を変更している。
【０１３１】
本実施形態では、光学系を変更せずに感光体１４上におけるビーム光量を同一に設定でき、良好な画像形成を可能とすることができる。
【０１３２】
なお、本実施形態では、発光点Ｐ１の光量と発光点Ｐ２の光量との関係を示すラインを、発光点Ｐ１と発光点Ｐ２が同じ光量の場合の発光点Ｐ１の光量と発光点Ｐ２の光量との関係を示すラインに対して、平行にオフセットしているのみであるが、更に傾斜角を変えても良い（例えば、図２７参照）。
【０１３３】
即ち、第７の実施形態と、他の実施形態とを組み合わせても良い。
【０１３４】
【発明の効果】
本発明のマルチビーム出射ユニット、及び画像形成装置によれば、複数の発光点を有する半導体レーザから出射されたビーム間の干渉を防止して光量変動を抑制することにより、高画質な画像形成を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るマルチビーム走査装置の概略の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る画像形成装置の概略構成図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図４】（Ａ）は正常に出力された場合のスリット透過光量変化図であり、（Ｂ）は光量変動を生じた場合のスリット透過光量変化図である。
【図５】ＬＤ波長の出力依存性を示すグラフである。
【図６】光量変動が起こらなくなる発光光量比を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施形態に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図９】コーティングによって、光の位相がずれる様子を表す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係るマルチビーム出射ユニットにおける２ビームの光量のガウシアン分布を表す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るマルチビーム走査装置を示す光路展開図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図１３】本発明の第５実施形態の他の例に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図１４】本発明の第６実施形態に係るＭＳＬＤの縦断面図である。
【図１５】本発明の第６実施形態に係るマルチビーム走査装置の要部を示す光路展開図である。
【図１６】本発明の第７実施形態に係るマルチビーム走査装置のＭＳＬＤの駆動回路図である。
【図１７】発光パルスの幅を変更する方法を説明する説明図である。
【図１８】（Ａ）は片ｃｈの光量変更前の光量の変動を示すグラフであり、（Ｂ）は片ｃｈの光量を増加した場合の光量の変動を示すグラフである。
【図１９】（Ａ）は片ｃｈの光量を更に増加した後の光量の変動を示すグラフであり、（Ｂ）は片ｃｈの光量を（Ａ）よりも更に増加した場合の光量の変動を示すグラフである。
【図２０】両チャンネルの光量と光変動との関係を示すグラフである。
【図２１】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２２】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２３】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２４】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２５】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２６】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【図２７】光量が変動する領域と両チャンネルの光量との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０ マルチビーム走査装置
１２ ＭＳＬＤ
１４ 感光体（像担持体）
１６ コリメータレンズ
１８ スリット
１８Ａ 制限開口
２４ シリンダーレンズ
４２ 遮蔽板（光量調整手段）
４４ ガラス板
４４Ａ ハーフミラー領域
１０６ 制御回路（制御手段）

Claims (12)

1. 一体に形成され独立に制御される複数の発光点から複数のビームを出射する半導体レーザと、
   前記半導体レーザから出射された複数のビームを略平行にするコリメータレンズと、
   コリメート光の一部を透過させる制限開口と、
   を備え、
   前記複数の発光点から出射される複数のビームの発光光量が異なることを特徴とするマルチビーム出射ユニット。
2. 前記複数の発光点から出射された複数のビームのうち、任意の２つのビームについて、一方のビームの発光光量が他方のビームの発光光量に対して１０５％〜１３０％であることを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム出射ユニット。
3. 前記半導体レーザの第１の発光点に対する第１の駆動電流、及び第２の発光点に対する第２の駆動電流の少なくとも一方の駆動電流に所定電流を引加する引加手段を設けた、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマルチビーム出射ユニット。
4. 前記ビームの出射についてパルス幅と光強度とにより規定するとき、前記第１の発光点から出射されるビーム、及び前記第２の発光点から出射されるビームのビーム照射位置において、両ビームの照射エネルギーが同じになるように、異なるパルス幅に設定し、かつ異なる光強度に設定すべく制御する制御手段を設けた、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のマルチビーム出射ユニット。
5. 前記複数の発光点から出射された複数のビームの発散角が異なることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載のマルチビーム出射ユニット。
6. 請求項１〜５のいずれか１項記載のマルチビーム出射ユニットと、
   前記複数のビームを偏向走査させる偏向器と、
   偏向された複数のビームの照射により潜像が形成される像担持体と、
   前記マルチビーム出射ユニットの発光点から前記像担持体に到る光路上に設けられ、前記複数のビームの透過率が異なる光量調整手段と、
   を備え、前記光量調整手段によって前記像担持体上に照射される各ビームの光量を均一にさせることを特徴とする画像形成装置。
7. 前記光量調整手段は、光束の一部を遮蔽する遮蔽板であることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
8. 前記光量調整手段は、光束の一部が入射する光量減衰フィルタであることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
9. 前記光量調整手段は、ビーム光路上に配設される光学部品の一部に蒸着されて設けられたものであることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
10. 前記光学部品は、シリンダーレンズであることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
11. 前記光量減衰フィルタは反射手段であり、入射光軸と反射光軸が異なるように光路上に配設されていることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
12. 請求項５に記載のマルチビーム出射ユニットを備え、前記光量調整手段は前記制限開口であることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。

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