JP2004241703A - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004241703A JP2004241703A JP2003031018A JP2003031018A JP2004241703A JP 2004241703 A JP2004241703 A JP 2004241703A JP 2003031018 A JP2003031018 A JP 2003031018A JP 2003031018 A JP2003031018 A JP 2003031018A JP 2004241703 A JP2004241703 A JP 2004241703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- chamber
- cooling
- processing chamber
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】装置をすみやかに冷却することができる処理装置を提供する。
【解決手段】この処理装置11は、ウエハを収納するとともにこのウエハに対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理チャンバ19を画成する石英チューブ17と、処理チャンバ19を冷却するガス供給管37とを備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】この処理装置11は、ウエハを収納するとともにこのウエハに対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理チャンバ19を画成する石英チューブ17と、処理チャンバ19を冷却するガス供給管37とを備えている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体表面に形成された除去対称となる膜を除去する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ウエハに形成された自然酸化膜を有効に除去する方法としては、例えば次のような表面処理方法がある。
【0003】
すなわち、N2ガスとH2ガスの混合ガスをプラズマによって活性化して活性ガス種を形成し、この活性ガス種のダウンフローにNF3ガスを添加してNF3ガスを活性化する。その後、この活性化されたNF3ガスをウエハ表面の自然酸化膜と反応させて生成膜を形成し、この生成膜をウエハを所定の温度に加熱することによって昇華させて除去する。
【0004】
このような自然酸化膜の除去方法は、例えば、縦型プロセスチューブで行われる(使用目的は異なるが、縦型プロセスチューブが開示されている文献としては例えば、特許文献1及び特許文献2がある。)。この縦型プロセスチューブは、石英チューブを有しており、この石英チューブの内部には、複数枚のウエハを保持する石英ボートが設けられ、石英チューブの外側にはこの石英チューブを加熱する筒状のヒータが設けられている。そして、まず石英ボートに保持されたウエハに常温で活性化されたNF3を供給して、生成膜を形成する。次いで、ヒータでウエハを200℃に加熱してウエハに形成された生成膜を昇華させる。その後、処理済みウエハを取り出すと共に、装置全体を40℃以下に冷却して、次に処理する未処理のウエハを石英ボートに装填する。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−196321号公報
【特許文献2】
特開平7−99164号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理装置にあっては、処理済みウエハを取り出した後の冷却を自然冷却で行っているため、冷却に時間がかかるという問題点があった。特に自然冷却の場合、200℃を下回ると、急激に冷却速度が遅くなり40℃以下にするのに多大の時間がかかる。このため装置全体のスループットが大幅に低下する。
【0007】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、装置をすみやかに冷却することができ、スループットを向上させることができる処理装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の特徴は、被処理体を収納するとともにこの被処理体に対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理室を画成する処理容器と、前記処理室を冷却する処理室冷却装置とを備えたことである。
【0009】
本発明の第2の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が不活性ガスであることである。
【0010】
本発明の第3の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が水であることである。
【0011】
本発明の第4の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が液体窒素であることである。
【0012】
本発明の第5の特徴は、前記被処理体を保持するとともに前記処理室に挿抜される保持具を冷却する冷却装置をさらに備えていることである。
【0013】
本発明の第6の特徴は、前記第1の処理は、自然酸化膜に活性化された反応ガスを反応させ反応生成膜を形成する処理であり、前記第2の処理は、前記反応生成膜を加熱して昇華する処理であることである。
【0014】
本発明の第7の特徴は、前記反応ガスは、活性化されたNF3であることである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図1ないし図3を参照して説明する。
【0016】
図1は、本発明の第1の実施形態である処理装置11を示す。この処理装置11は、第1の筐体13とこの第1の筐体の下側に設けられた第2の筐体15とを有している。この第1の筐体13には、真空引きができるようになされた石英チューブ17が設けられている。そして、石英チューブ17内の空間である処理チャンバ19と、第1の筐体13と石英チューブとの間の空間である第1チャンバ21と、第2の筐体15内の空間である第2チャンバ23とが形成されている。
【0017】
この石英チューブ17にの頂部には、プラズマ源25が設けられており、プラズマによって活性化されたN2、H2の活性ガス種を石英チューブ17内の処理チャンバ19に供給するようになっている。また、石英チューブ17の底面外周側には、NF3供給ノズル27が設けられており、NF3供給源29から処理チャンバ19にNF3ガスを供給するようになっている。
【0018】
このような第1の筐体13の内側面には、石英チューブ17の外周面と対向してヒータ31が設けられている。このヒータ31は、ウエハ上に形成された生成膜を加熱によって昇華させて除去するためのものである。また、石英チューブ17の底部には、後述する石英ボートを石英チューブ17内の処理チャンバ19に出し入れするための石英ボート挿入孔33が設けられている。この石英ボート挿入孔33の下方には、石英ボート35が昇降機構(図示せず)によって上下方向移動可能に配設されている。この石英ボート35は、複数枚のウエハを載置して石英チューブ17に挿入され、ウエハに所定の処理を施すようになっている。
【0019】
このような処理装置11には、N2、Ar等の不活性ガスを第1の筐体13及び第2の筐体15内に供給して冷却するガス供給管37が設けられている。このガス供給管37は、第2の筐体の上部を水平に配設された主配管39を有している。この主配管39には、この主配管39から上方に石英チューブ17内に延びるチューブ内ノズル41が設けられている。このチューブ内ノズル41には、石英チューブ17の内側面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英チューブ17の内側面に向けて吹き付け冷却するようになっている。
【0020】
また、主配管39には、この主配管39から上方に石英チューブ17とヒータ31との間の空間に延びるチューブ外ノズル43が設けられている。このチューブ外ノズル43には、石英チューブ17の外周面に向けて開口する開口部とヒータ31の内周面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英チューブ17の外周面とヒータ31の内周面に向かって吹き付け冷却するようになっている。なお、第1の筐体13と第2の筐体15との間には第1チャンバ21と第2チャンバ23とを連通する連通孔45が設けられている。この連通孔45は、チューブ外ノズル43から第1チャンバ21に吹き出された不活性ガスを第2チャンバ23に流すためのものである。また、チューブ内ノズル41から処理チャンバ19に供給された不活性ガスは、石英ボート挿入孔33を通って第2チャンバ23に流れ込むようになっている。
【0021】
さらに、主配管39には、下方位置にある石英ボート35の外側面に沿って下方に延びるボート冷却用ノズル47が設けられている。このボート冷却ノズル47には、石英ボート35の外周面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英ボートの外周面に向かって吹き付け冷却するようになっている。
【0022】
また、第2の筐体15には、この第2の筐体15内のガスを外部に排気するための排気装置49が設けられている。
【0023】
このような処理装置11を用いて自然酸化膜を除去する方法について以下説明する。
【0024】
まず、被処理ウエハを石英ボート35に載置する。このウエハの石英ボート35への載置は、第2の筐体15内で行ってもよいし、第2の筐体15外で行ってもよい。
【0025】
次に、ウエハを載置した石英ボート35を上昇させ、石英チューブ17内に配置する。
【0026】
次いで、石英チューブ17内を図示しない真空ポンプで真空引きする。
【0027】
次に、室温状態で、プラズマ源25を通してH2、N2の活性ガス種を石英チューブ17内に供給するとともに、NF3供給ノズル27を通してNF3ガスを供給する。するとNF3ガスが活性化される。そして、この反応性ガスである活性化されたNF3ガスがウエハ表面の除去対称膜である自然酸化膜と反応して生成膜を形成する(室温でNORプロセスを行う。)。
【0028】
その後ヒータ31を作動させて、石英チューブ17を加熱してウエハ温度を200℃まで昇温させる。そして、反応生成物である生成膜を昇華して揮発させる(200℃でPHTを行う。)。
【0029】
揮発処理が終わったら、石英ボート35を下降させて第2の筐体15内に移動させ、処理済みのウエハを石英ボートから取り出す。
【0030】
その後、ガス供給管37を通して冷却された不活性ガスを、石英チューブ17内の処理チャンバ19、第1の筐体13と石英チューブ17との間の空間である第1チャンバ21、第2の筐体15内の第2チャンバ23にそれぞれ供給する。これによって、石英チューブ17をその内周面と外周面の両面から冷却するとともに、ヒータ31を冷却し、さらに、石英ボートをその外周側から冷却する。また、処理チャンバ19に供給された不活性ガス、第1のチャンバ21に供給された不活性ガスは、それぞれ石英ボート挿入孔33、連通孔45を通って第2の筐体15内に流れ込み、石英ボート35の冷却にも使用される。
【0031】
このようにして、処理装置11の各部及び石英ボート35の冷却に使用された不活性ガスは、排気装置49から外部に排出される。
【0032】
その後、次の未処理ウエハを石英ボート35に装填し、上記動作を繰り返す。
【0033】
このように、上記処理装置11にあっては、ウエハを収納するとともに、このウエハに対して常温でNORプロセスを行う処理と200℃でPHTを行う処理とを行う処理チャンバ19に、不活性ガスを直接供給するチューブ内ノズル41を設けているから、石英チューブの内側から処理チャンバ19と直接冷却することができ、処理チャンバ19及び石英チューブ17の冷却を短時間に行うことがでる。従って、処理の迅速を図ると共に、スループットの向上を実現することができる。また、ガス供給管33は、石英チューブ17とヒータ31との間の第1チャンバ21に、チューブ外ノズル43を有し、第2チャンバ23内にボート冷却ノズル47を有しているから、処理装置11の各部を同時に速やかに冷却することができる。さらに、処理チャンバ19に供給された不活性ガスは石英ボート挿入孔33を通って第2チャンバ23に流れ、第1チャンバ21に供給された不活性ガスは連通孔45を通って第2チャンバ23に流れ込むようにしているから、第2の筐体内に位置する石英ボートをより効率的に冷却することができる。
【0034】
次に、第2の実施の形態について説明する。図2は、第2の実施の形態である処理装置51を示している。この処理装置51が、図1に示す第1の実施の形態である処理装置11と異なるのは、図1においてガス供給管33であったものが、図2においては水のミストを供給するミスト供給管53であること、供給されたミストを受けるドレンパン55が第2の筐体15の底部に設けられていること、このドレンパン55に排水バルブ57が設けられていることである。
【0035】
この処理装置51にあっては、不活性ガスに替えて水のミストを処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23内の石英ボート35に供給するようにしている。従って、不活性ガスを使用する場合に比して、冷却効率をかなり向上させることができる。なお、水のミストは通常は冷却過程において水蒸気となり、不活性ガスと同様に排気装置49から排気される。しかしながら、ミストが液体のまま回収された場合を考慮してドレンパン55を設けている。このドレンパン55は、処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23からのミストを受け、このドレンパン55内に所定量の水がたまり次第、バルブ57を開放して水を排出できるようになっている。
【0036】
次に、第3の実施の形態について説明する。図3は、第3の実施の形態である処理装置61を示している。この処理装置61が、図1に示す第1の実施の形態である処理装置11と異なるのは、図1においてガス供給管33であったものが、図3においては液体窒素を供給する液体窒素供給管63であることである。
【0037】
この処理装置51にあっては、不活性ガスに替えて液体窒素を処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23内の石英ボート35に供給するようにしている。従って、不活性ガスを使用する場合に比して、冷却効率を格段に向上させることができる。
【0038】
なお、上記第1,第2,第3の実施の形態においては、冷却流体として、それぞれ不活性ガス、水ミスト、液体窒素を採用しているが、これに限る必要はなく、上記不活性ガス、水ミスト、液体窒素を適宜組み合わせてもよい。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置にあっては、被処理体を収納するとともにこの被処理体に対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理室を画成する処理容器と、前記処理室を冷却する処理室冷却装置とを備えているから、処理容器内の処理室を直接冷却することができ、処理装置を効率よく冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【図3】本発明の第3の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【符号の説明】
11 処理装置
17 石英チューブ
19 処理チャンバ
35 石英ボート
37 ガス供給管
41 チューブ内ノズル
47 ボート冷却用ノズル
51 処理装置
53 ミスト供給管
61 処理装置
63 液体窒素供給管
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体表面に形成された除去対称となる膜を除去する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ウエハに形成された自然酸化膜を有効に除去する方法としては、例えば次のような表面処理方法がある。
【0003】
すなわち、N2ガスとH2ガスの混合ガスをプラズマによって活性化して活性ガス種を形成し、この活性ガス種のダウンフローにNF3ガスを添加してNF3ガスを活性化する。その後、この活性化されたNF3ガスをウエハ表面の自然酸化膜と反応させて生成膜を形成し、この生成膜をウエハを所定の温度に加熱することによって昇華させて除去する。
【0004】
このような自然酸化膜の除去方法は、例えば、縦型プロセスチューブで行われる(使用目的は異なるが、縦型プロセスチューブが開示されている文献としては例えば、特許文献1及び特許文献2がある。)。この縦型プロセスチューブは、石英チューブを有しており、この石英チューブの内部には、複数枚のウエハを保持する石英ボートが設けられ、石英チューブの外側にはこの石英チューブを加熱する筒状のヒータが設けられている。そして、まず石英ボートに保持されたウエハに常温で活性化されたNF3を供給して、生成膜を形成する。次いで、ヒータでウエハを200℃に加熱してウエハに形成された生成膜を昇華させる。その後、処理済みウエハを取り出すと共に、装置全体を40℃以下に冷却して、次に処理する未処理のウエハを石英ボートに装填する。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−196321号公報
【特許文献2】
特開平7−99164号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理装置にあっては、処理済みウエハを取り出した後の冷却を自然冷却で行っているため、冷却に時間がかかるという問題点があった。特に自然冷却の場合、200℃を下回ると、急激に冷却速度が遅くなり40℃以下にするのに多大の時間がかかる。このため装置全体のスループットが大幅に低下する。
【0007】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、装置をすみやかに冷却することができ、スループットを向上させることができる処理装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の特徴は、被処理体を収納するとともにこの被処理体に対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理室を画成する処理容器と、前記処理室を冷却する処理室冷却装置とを備えたことである。
【0009】
本発明の第2の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が不活性ガスであることである。
【0010】
本発明の第3の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が水であることである。
【0011】
本発明の第4の特徴は、前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が液体窒素であることである。
【0012】
本発明の第5の特徴は、前記被処理体を保持するとともに前記処理室に挿抜される保持具を冷却する冷却装置をさらに備えていることである。
【0013】
本発明の第6の特徴は、前記第1の処理は、自然酸化膜に活性化された反応ガスを反応させ反応生成膜を形成する処理であり、前記第2の処理は、前記反応生成膜を加熱して昇華する処理であることである。
【0014】
本発明の第7の特徴は、前記反応ガスは、活性化されたNF3であることである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図1ないし図3を参照して説明する。
【0016】
図1は、本発明の第1の実施形態である処理装置11を示す。この処理装置11は、第1の筐体13とこの第1の筐体の下側に設けられた第2の筐体15とを有している。この第1の筐体13には、真空引きができるようになされた石英チューブ17が設けられている。そして、石英チューブ17内の空間である処理チャンバ19と、第1の筐体13と石英チューブとの間の空間である第1チャンバ21と、第2の筐体15内の空間である第2チャンバ23とが形成されている。
【0017】
この石英チューブ17にの頂部には、プラズマ源25が設けられており、プラズマによって活性化されたN2、H2の活性ガス種を石英チューブ17内の処理チャンバ19に供給するようになっている。また、石英チューブ17の底面外周側には、NF3供給ノズル27が設けられており、NF3供給源29から処理チャンバ19にNF3ガスを供給するようになっている。
【0018】
このような第1の筐体13の内側面には、石英チューブ17の外周面と対向してヒータ31が設けられている。このヒータ31は、ウエハ上に形成された生成膜を加熱によって昇華させて除去するためのものである。また、石英チューブ17の底部には、後述する石英ボートを石英チューブ17内の処理チャンバ19に出し入れするための石英ボート挿入孔33が設けられている。この石英ボート挿入孔33の下方には、石英ボート35が昇降機構(図示せず)によって上下方向移動可能に配設されている。この石英ボート35は、複数枚のウエハを載置して石英チューブ17に挿入され、ウエハに所定の処理を施すようになっている。
【0019】
このような処理装置11には、N2、Ar等の不活性ガスを第1の筐体13及び第2の筐体15内に供給して冷却するガス供給管37が設けられている。このガス供給管37は、第2の筐体の上部を水平に配設された主配管39を有している。この主配管39には、この主配管39から上方に石英チューブ17内に延びるチューブ内ノズル41が設けられている。このチューブ内ノズル41には、石英チューブ17の内側面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英チューブ17の内側面に向けて吹き付け冷却するようになっている。
【0020】
また、主配管39には、この主配管39から上方に石英チューブ17とヒータ31との間の空間に延びるチューブ外ノズル43が設けられている。このチューブ外ノズル43には、石英チューブ17の外周面に向けて開口する開口部とヒータ31の内周面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英チューブ17の外周面とヒータ31の内周面に向かって吹き付け冷却するようになっている。なお、第1の筐体13と第2の筐体15との間には第1チャンバ21と第2チャンバ23とを連通する連通孔45が設けられている。この連通孔45は、チューブ外ノズル43から第1チャンバ21に吹き出された不活性ガスを第2チャンバ23に流すためのものである。また、チューブ内ノズル41から処理チャンバ19に供給された不活性ガスは、石英ボート挿入孔33を通って第2チャンバ23に流れ込むようになっている。
【0021】
さらに、主配管39には、下方位置にある石英ボート35の外側面に沿って下方に延びるボート冷却用ノズル47が設けられている。このボート冷却ノズル47には、石英ボート35の外周面に向けて開口する開口部が形成されており、不活性ガスを石英ボートの外周面に向かって吹き付け冷却するようになっている。
【0022】
また、第2の筐体15には、この第2の筐体15内のガスを外部に排気するための排気装置49が設けられている。
【0023】
このような処理装置11を用いて自然酸化膜を除去する方法について以下説明する。
【0024】
まず、被処理ウエハを石英ボート35に載置する。このウエハの石英ボート35への載置は、第2の筐体15内で行ってもよいし、第2の筐体15外で行ってもよい。
【0025】
次に、ウエハを載置した石英ボート35を上昇させ、石英チューブ17内に配置する。
【0026】
次いで、石英チューブ17内を図示しない真空ポンプで真空引きする。
【0027】
次に、室温状態で、プラズマ源25を通してH2、N2の活性ガス種を石英チューブ17内に供給するとともに、NF3供給ノズル27を通してNF3ガスを供給する。するとNF3ガスが活性化される。そして、この反応性ガスである活性化されたNF3ガスがウエハ表面の除去対称膜である自然酸化膜と反応して生成膜を形成する(室温でNORプロセスを行う。)。
【0028】
その後ヒータ31を作動させて、石英チューブ17を加熱してウエハ温度を200℃まで昇温させる。そして、反応生成物である生成膜を昇華して揮発させる(200℃でPHTを行う。)。
【0029】
揮発処理が終わったら、石英ボート35を下降させて第2の筐体15内に移動させ、処理済みのウエハを石英ボートから取り出す。
【0030】
その後、ガス供給管37を通して冷却された不活性ガスを、石英チューブ17内の処理チャンバ19、第1の筐体13と石英チューブ17との間の空間である第1チャンバ21、第2の筐体15内の第2チャンバ23にそれぞれ供給する。これによって、石英チューブ17をその内周面と外周面の両面から冷却するとともに、ヒータ31を冷却し、さらに、石英ボートをその外周側から冷却する。また、処理チャンバ19に供給された不活性ガス、第1のチャンバ21に供給された不活性ガスは、それぞれ石英ボート挿入孔33、連通孔45を通って第2の筐体15内に流れ込み、石英ボート35の冷却にも使用される。
【0031】
このようにして、処理装置11の各部及び石英ボート35の冷却に使用された不活性ガスは、排気装置49から外部に排出される。
【0032】
その後、次の未処理ウエハを石英ボート35に装填し、上記動作を繰り返す。
【0033】
このように、上記処理装置11にあっては、ウエハを収納するとともに、このウエハに対して常温でNORプロセスを行う処理と200℃でPHTを行う処理とを行う処理チャンバ19に、不活性ガスを直接供給するチューブ内ノズル41を設けているから、石英チューブの内側から処理チャンバ19と直接冷却することができ、処理チャンバ19及び石英チューブ17の冷却を短時間に行うことがでる。従って、処理の迅速を図ると共に、スループットの向上を実現することができる。また、ガス供給管33は、石英チューブ17とヒータ31との間の第1チャンバ21に、チューブ外ノズル43を有し、第2チャンバ23内にボート冷却ノズル47を有しているから、処理装置11の各部を同時に速やかに冷却することができる。さらに、処理チャンバ19に供給された不活性ガスは石英ボート挿入孔33を通って第2チャンバ23に流れ、第1チャンバ21に供給された不活性ガスは連通孔45を通って第2チャンバ23に流れ込むようにしているから、第2の筐体内に位置する石英ボートをより効率的に冷却することができる。
【0034】
次に、第2の実施の形態について説明する。図2は、第2の実施の形態である処理装置51を示している。この処理装置51が、図1に示す第1の実施の形態である処理装置11と異なるのは、図1においてガス供給管33であったものが、図2においては水のミストを供給するミスト供給管53であること、供給されたミストを受けるドレンパン55が第2の筐体15の底部に設けられていること、このドレンパン55に排水バルブ57が設けられていることである。
【0035】
この処理装置51にあっては、不活性ガスに替えて水のミストを処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23内の石英ボート35に供給するようにしている。従って、不活性ガスを使用する場合に比して、冷却効率をかなり向上させることができる。なお、水のミストは通常は冷却過程において水蒸気となり、不活性ガスと同様に排気装置49から排気される。しかしながら、ミストが液体のまま回収された場合を考慮してドレンパン55を設けている。このドレンパン55は、処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23からのミストを受け、このドレンパン55内に所定量の水がたまり次第、バルブ57を開放して水を排出できるようになっている。
【0036】
次に、第3の実施の形態について説明する。図3は、第3の実施の形態である処理装置61を示している。この処理装置61が、図1に示す第1の実施の形態である処理装置11と異なるのは、図1においてガス供給管33であったものが、図3においては液体窒素を供給する液体窒素供給管63であることである。
【0037】
この処理装置51にあっては、不活性ガスに替えて液体窒素を処理チャンバ19,第1チャンバ21,第2チャンバ23内の石英ボート35に供給するようにしている。従って、不活性ガスを使用する場合に比して、冷却効率を格段に向上させることができる。
【0038】
なお、上記第1,第2,第3の実施の形態においては、冷却流体として、それぞれ不活性ガス、水ミスト、液体窒素を採用しているが、これに限る必要はなく、上記不活性ガス、水ミスト、液体窒素を適宜組み合わせてもよい。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置にあっては、被処理体を収納するとともにこの被処理体に対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理室を画成する処理容器と、前記処理室を冷却する処理室冷却装置とを備えているから、処理容器内の処理室を直接冷却することができ、処理装置を効率よく冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【図2】本発明の第2の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【図3】本発明の第3の実施の形態である処理装置の概略を示す断面図。
【符号の説明】
11 処理装置
17 石英チューブ
19 処理チャンバ
35 石英ボート
37 ガス供給管
41 チューブ内ノズル
47 ボート冷却用ノズル
51 処理装置
53 ミスト供給管
61 処理装置
63 液体窒素供給管
Claims (7)
- 被処理体を収納するとともにこの被処理体に対して温度が異なる第1の処理と第2の処理とを行う処理室を画成する処理容器と、
前記処理室を冷却する処理室冷却装置と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が不活性ガスであることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が水であることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記冷却装置が前記処理室を冷却するために供給する流体が液体窒素であることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記被処理体を保持するとともに前記処理室に挿抜される保持具を冷却する冷却装置をさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記第1の処理は、自然酸化膜に活性化された反応ガスを反応させ反応生成膜を形成する処理であり、前記第2の処理は、前記反応生成膜を加熱して昇華する処理であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1に記載の処理装置。
- 前記反応ガスは、活性化されたNF3であることを特徴とする請求項6に記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003031018A JP2004241703A (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003031018A JP2004241703A (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241703A true JP2004241703A (ja) | 2004-08-26 |
Family
ID=32957737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003031018A Withdrawn JP2004241703A (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004241703A (ja) |
-
2003
- 2003-02-07 JP JP2003031018A patent/JP2004241703A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4644943B2 (ja) | 処理装置 | |
TW201719743A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JPH05291158A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2003133284A (ja) | バッチ式真空処理装置 | |
JP4057198B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP2009016635A (ja) | 基板処理装置 | |
US11557486B2 (en) | Etching method, damage layer removal method, and storage medium | |
JP4712806B2 (ja) | 半導体の表面処理法 | |
JP2009141015A (ja) | 基板収容容器及び基板処理方法 | |
JP2004119888A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH04150903A (ja) | トラップ装置 | |
JP2000055543A (ja) | 蒸気処理装置及び蒸気処理方法 | |
JP2004241703A (ja) | 処理装置 | |
JP2007088337A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2001015498A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005069598A (ja) | 真空乾燥装置及びこれを用いた真空乾燥方法 | |
KR100748478B1 (ko) | 소요의 가스분위기를 형성하기 위한 방법 및 장치 | |
JP3184666B2 (ja) | プラズマ装置の運転方法 | |
JP2021031715A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2002305190A (ja) | 熱処理装置及びその清浄方法 | |
JP2010016285A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2004031750A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2002373890A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004221155A (ja) | 酸化膜の除去方法、加熱方法、及び処理装置 | |
JP2004023060A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |