JP2004241302A - 半導体製造装置の温度制御方法 - Google Patents
半導体製造装置の温度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004241302A JP2004241302A JP2003030935A JP2003030935A JP2004241302A JP 2004241302 A JP2004241302 A JP 2004241302A JP 2003030935 A JP2003030935 A JP 2003030935A JP 2003030935 A JP2003030935 A JP 2003030935A JP 2004241302 A JP2004241302 A JP 2004241302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature control
- susceptor
- current
- temperature
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】複数ゾーンからなる加熱コイル10を使用した半導体製造装置の温度制御方法において、サセプタ12に対する磁束の干渉度を予め求めておく。前記サセプタ12の各ゾーンが、必要とする熱量を発生させるために各加熱コイル10に要求される電流値を算出する。当該電流値に相当する電流を前記各加熱コイル10に投入する。また、要求される電流を投入された各加熱コイル10は、当該電流の周波数・電流位相を、同期又は設定範囲内に保持させ、前記投入電力に応じた温度制御を行う。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した電気加熱装置の温度制御方法に係り、特に半導体製造装置の高精度な温度制御を行うのに好適な半導体製造装置の温度制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
枚葉装置などでは、反応炉にシリコンウェハ等の基板を収容し、ウェハの温度を適切な温度に維持もしくは指定した温度に追従させる。誘導加熱を用いる半導体製造装置は、ゾーンごとに温度センサと誘導加熱コイルヒータと誘導磁場で発熱するサセプタを備えている。誘導加熱コイルで誘導磁場を発生させ、サセプタを加熱して、ウェハを加熱する。ゾーンごとの温度センサにより独立にフィードバック制御(例えばPID)を行い温度制御する。制御は独立でもこの構成では、誘導加熱コイルの磁束は当該サセプタの他ゾーンにまで影響を及ぼす。これは各ゾーンの磁束のループが干渉しあっていることを意味する。このため、要求される制御性能が得られないことがある。
【0003】
このような、被加熱体の温度の干渉を考慮して温度制御を行う、複数ゾーンからなる加熱体を使用した半導体製造装置の温度制御方法には、特許文献1に挙げるもの等がある。特許文献1の温度制御方法は、各被加熱領域の温度の干渉を想定して、制御偏差を補正することにより、安定的に半導体製造装置の温度制御を行う方法である。
【0004】
すなわち、予め各ゾーン間の温度の干渉を求めておき、各被加熱領域の検出温度と設定温度との偏差を求めるのである。この干渉と偏差値とを基に各加熱体の加熱割合を決定することを特徴としたものである。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−108408号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような半導体製造装置の温度制御方法では、各ゾーン間の温度の干渉度は考慮されているが、急速加熱が可能な誘導加熱コイルを用いた場合には、各誘導加熱コイルに相互誘導が起きてしまい、温度制御は困難である。
【0007】
本発明では、上記課題を解決し、複数の誘導加熱コイルを用いて、半導体製造装置の精密な温度制御を行う半導体製造装置の温度制御方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体製造装置の温度制御方法は、複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、被加熱体に対する磁束の干渉度を予め求めておき、被加熱体の各ゾーンが必要とする熱量を発生させるために各誘導加熱コイルに要求される電流値を算出し、当該電流値に相当する電流を前記各誘導加熱コイルに投入することを特徴とする。
【0009】
また、複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、サセプタの発熱分布を予め求めておき、この発熱分布とサセプタの温度分布と要求される温度分布の設定値に基づいて、前記サセプタの要求発熱量を算出し、当該発熱量に応じた電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電するようにしても良い。そうした場合、前記サセプタの温度分布を熱電対により検出し、当該サセプタに要求する温度分布を演算部へフィードバックするようにすると良い。
【0010】
さらに上記のような場合、要求される電流を投入された各誘導加熱コイルは、当該電流の周波数・電流位相を同期又は設定範囲内に保持させ、前記投入電力に応じた温度制御を行うようにすると良い。
【0011】
【作用】
上記のような方法によれば、被加熱体に対する磁束の干渉度を予め求めておき、被加熱体の各ゾーンが必要とする熱量を発生させるために各誘導加熱コイルに要求される電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電するようにすることにより、複数の加熱コイルが密集している場合であっても、複数の誘導加熱コイルからの目的ゾーンへの磁束の影響を考慮した加熱をすることができるため、精密な温度制御が可能となる。
【0012】
また、サセプタの発熱分布を予め求めておき、この発熱分布とサセプタの温度分布と要求される温度分布の設定値に基づいて、前記サセプタの要求発熱量を算出し、当該発熱量に応じた電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電することにより、サセプタ自体の温度分布を考慮するため、サセプタ端部のような降温し易い箇所であっても精密な温度制御が可能となる。
【0013】
また、前記サセプタの温度分布を熱電対により検出し、当該サセプタに要求する温度分布を演算部へフィードバックすることにより、前記サセプタに必要とする発熱量を正確に算出することができる。
【0014】
また、要求される電流を投入された各誘導加熱コイルは、当該電流の周波数・電流位相を同期又は設定範囲内に保持させ、前記投入電力に応じた温度制御を行うことにより、複数の誘導加熱コイルが密接している場合でも、投入電力に応じた電流制御が可能となり、精密な温度制御が可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下本発明に係る実施の形態を図面に従って説明する。図1は実施形態の1つであり、円形のサセプタ12とその下部に同芯配置されたバームクーヘン型の加熱コイル10を備えた半導体製造装置の場合である。前記加熱コイル10は、6つのコイルから成り、同数の温度制御ゾーンを有している。また、前記加熱コイル10は最内のものをマスタ加熱コイル10mとして、他の加熱コイル10を内側からスレーブ加熱コイル10s1〜10s5としている。
【0016】
この装置におけるサセプタ12の温度制御方法は、図1、図2に示すようにサセプタ12を加熱コイル10と同数のゾーンに分割し、内側からゾーン1、ゾーン2、・・・、ゾーン6とする。
【0017】
上記のような複数の加熱コイル10はそのままでは相互誘導作用によって正確に電力制御できなくなるので、次のような構成にすると良い。すなわち、複数の加熱コイル10周波数・電流位相を同期させ、あるいは設定された位相差となるように個別に電力制御可能とさせるのである。これにより、各加熱コイル10(10m、10s1〜10s5)へ、相互誘導の影響を回避して投入電力の制御を行うことができる。これには、加熱コイル10mとその制御回路部42mとをマスタユニットとし、加熱コイル10s1〜10s5とその制御回路部42s1〜42s5をスレーブユニットとして、マスタユニットの負荷コイル部44mの電流を検出し、この電流の周波数と位相が一致するように、あるいは設定された位相差を保持するようにスレーブユニットのインバータ20s1〜20s5を運転するようにすると良い。
【0018】
このような実施形態では、マスタユニット及びスレーブユニットの各々は、共通の電源部50から整流器40を介して電力供給を受けて駆動されるようになっており、マスタチョッパ30m、スレーブチョッパ30s1〜30s5を各々に備えて電力調整を可能にする。各々のチョッパ30の出力側には、ダイオードとトランジスタとを直列接続した辺からなるブリッジ回路によって構成されるインバータ20(20m、20s1〜20s5)が接続されている。各インバータ20の出力側には、加熱コイル10を含む負荷コイル部44が接続されている。前記負荷コイル部44には、コンデンサ22が加熱コイル10と直列に接続され、直列共振回路を構成している。また、前記負荷コイル部44には、出力電流を各スレーブユニットに備えられる位相差検出器28にフィードバックする変流器24(24m、24s1〜24s5)が備えられる。なお、マスタ変流器24mは、全ての位相差検出器28に接続され、スレーブ変流器24s1〜24s5は、各スレーブユニットに備えられる位相差検出器28にのみ接続される。各スレーブユニットの負荷コイル部44sには、各々可変リアクタンス26を備え、マスタユニットの負荷コイル部44m内での電圧と電流の位相差を同期または一定の範囲内に収まるように調整するようにしている。
【0019】
また、前記各チョッパ30には、図1に示すように、磁束の干渉による温度分布と発熱量分布設定と、場合によってはサセプタ12の測定温度を考慮して各加熱コイルへの電流の設定を行う演算CPU16からの設定電流の指令が伝達される。なお、前記サセプタ12の測定温度は、サセプタ12に熱電対18を備えることにより測定可能とすると良い。
【0020】
上記構成の実施形態においては、演算CPU16によって、サセプタ12における各ゾーン1〜6が複数の加熱コイル10から受ける磁束の影響による発熱量分布を考慮し、設定温度に必要な電流値を求める。
【0021】
図1、2に示すように、ゾーン6の加熱コイル10s5の磁束B6は、最内のゾーンであるゾーン1にまで影響を及ぼす。このように、ゾーン2からゾーン5に与えられる図示しない磁束も当然にゾーン1に影響を及ぼすのである。つまり、各ゾーンは、複数の加熱コイル10の磁束による影響を受けて加熱される。
【0022】
前記サセプタ12の各ゾーンの発熱量分布は以下の式により求めることができる。
【数1】
ここで、QZ1からQZ6は、サセプタ12のゾーン1からゾーン6の各ゾーンの発熱量を示す。また、Bは磁束を示し、各加熱コイル10の各ゾーンへの影響を表す。数式1は、以下の式に変形することができる。
【数2】
βiは、数式3に示すインダクタンス(誘導係数)βと電流iと磁束Bと電圧Vの関係より導くことができる。
【数3】
数式3を整理すると、
【数4】
とすることができる。また、誘導係数βは磁束ベクトルの電磁場解析により予め求めておくことができる。
【0023】
ここで、各ゾーンの温度設定値と熱電対18からのフィードバック値との偏差を求めることにより、前記発熱分布を考慮して各ゾーンの必要発熱量Q(Q1〜Q6)を求める。必要発熱量を求めた後、電流iについてマトリックス表示すると、数式5のようになる。
【数5】
ここでα1〜α6は、磁束に対する各ゾーン毎の発熱量の補正係数であり、解析等により予め求めておくことができる。数式5によって求めたi1からi6が各加熱コイルに要求される電流値である。
【0024】
上記のようにして演算CPU16で求められた電流値は、前記各チョッパ30に伝達される。前記電流値を伝達された各チョッパ30は、入力電流を当該電流値に制御してインバータ20を介して加熱コイル10へ送電する。
【0025】
本実施形態では、複数の加熱コイル10を作動させることによって生じる相互誘導作用の影響を回避するために、複数の加熱ユニットにおける加熱コイル10の電流周波数と位相を同期させるか、あるいは一定の位相差になるように制御するようにしている。このため、各スレーブユニットに付帯された位相差検出器28は、マスタユニットの負荷コイル部44mを流れる電流と、スレーブユニットの負荷コイル部44sを流れる電流を入力し、両者の位相差を求める。また、前記位相差と周波数をゼロまたは一定の範囲内に収束するようにインバータ20sを駆動制御するようにする。これはインバータ20sの駆動パルスの切り替えタイミングを調整することにより実現できる。これにより、マスタユニットとスレーブユニットの各チョッパ30にて加熱コイル10への投入電力を調整しても、隣接する誘導加熱コイル10の間で相互誘導による影響を最小限に抑制することができるので、電力調整を安定して行わせることができる。各誘導加熱コイル10で加熱されるサセプタ12の領域の温度を任意に設定することができ、昇温、降温を高速に行わせつつ、ゾーンコントロールが可能となるのである。
【0026】
上記のような半導体製造装置の温度制御方法において、サセプタ12の発熱分布を予め求めておき、この発熱分布とサセプタ12の温度分布と要求される温度分布の設定値に基づいて、前記サセプタ12の要求発熱量を算出し、当該発熱量に応じた電流値を算出し、当該電流値を前記各加熱コイル10に送電することにより、サセプタ12自体の温度分布を考慮するため、サセプタ12端部のような降温し易い箇所であっても精密な温度制御が可能となる。
【0027】
また、前記サセプタ12の温度分布を熱電対18により検出し、当該サセプタ12に要求する温度分布を演算CPU16へフィードバックすることにより、前記サセプタ12に必要とする発熱量を正確に算出することができる。
【0028】
さらに、投入電力を投入された各加熱コイル10の周波数・電流位相を同期又は設定範囲内に保持させ、前記投入電力に応じた温度制御を行うようにしたことにより、複数の加熱コイル10が密接している場合であっても相互誘導による影響を回避することができ、投入電力に応じた電流制御が可能となり、温度斑の無い温度制御が可能となる。
【0029】
上記実施形態においては、最内の加熱コイル10をマスタ加熱コイル10mとしたが、複数の加熱コイル10の内任意の一つとしても良い。また、実施形態では、加熱コイル10の数を6として加熱ゾーンも6としたが、加熱コイル10の数の増減により加熱ゾーンの数も変えることができ、前記ゾーン数を増やすことにより、より精密な温度制御も可能となる。さらに、実施形態は円形のサセプタに対して磁束の干渉を考慮することを記載したが、昇華法に使用される坩堝等の加熱に関しても、各加熱コイル10による被加熱体への磁束の影響を考慮することにより、精密な温度制御を行うことができる。さらにまた、実施形態では、サセプタ12の温度測定に熱電対18を使用したが、放射温度計等の他の温度測定器を用いても良い。放射温度計を使用した場合には、サセプタ12の温度測定を瞬時に行うことができ、効率的である。
【0030】
【発明の効果】
上記のような複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、被加熱体に対する磁束の干渉度を予め求めておき、被加熱体の各ゾーンが必要とする熱量を発生させるために各誘導加熱コイルに要求される電流値を算出し、当該電流値に相当する電流を前記各誘導加熱コイルに投入するようにしたことにより、複数の加熱コイルが密集している場合であっても、目的ゾーンへの磁束の影響を考慮した加熱をすることができるため、精密な温度制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施形態の1例を示す図である。
【図2】本発明に係る誘導加熱コイルの回路を示す図である。
【符号の説明】
10………加熱コイル、12………サセプタ、16………演算CPU、18………熱電対、20………インバータ、22………コンデンサ、24………変流器、26………可変リアクタンス、28………位相差検出器、30………チョッパ、40………整流器、42………制御回路部、44………負荷コイル部、50………電源部。
Claims (4)
- 複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、被加熱体に対する磁束の干渉度を予め求めておき、被加熱体の各ゾーンが必要とする熱量を発生させるために各誘導加熱コイルに要求される電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電することを特徴とする半導体装置の温度制御方法。
- 複数ゾーンからなる誘導加熱コイルを使用した半導体製造装置の温度制御方法において、サセプタの発熱分布を予め求めておき、この発熱分布とサセプタの温度分布と要求される温度分布の設定値に基づいて、前記サセプタの要求発熱量を算出し、当該発熱量に応じた電流値を算出し、当該電流値を前記各誘導加熱コイルに送電することを特徴とする半導体装置の温度制御方法。
- 前記サセプタの温度分布を熱電対により検出し、当該サセプタに要求する温度分布を演算部へフィードバックすることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置の温度制御方法。
- 要求される電流を送電された各誘導加熱コイルは、当該電流の周波数・電流位相を同期又は設定範囲内に保持させ、前記送電電流に応じた温度制御を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体製造装置の温度制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003030935A JP3950068B2 (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 半導体製造装置の温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003030935A JP3950068B2 (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 半導体製造装置の温度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241302A true JP2004241302A (ja) | 2004-08-26 |
JP3950068B2 JP3950068B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=32957682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003030935A Expired - Lifetime JP3950068B2 (ja) | 2003-02-07 | 2003-02-07 | 半導体製造装置の温度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3950068B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007026750A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置の制御方法、及び誘導加熱装置 |
JP2007080647A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Tokuyama Corp | 被加熱体の温度制御方法 |
JP2007220396A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置 |
WO2008078500A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
JP2008243546A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置 |
JP2009238773A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ウェハ熱処理装置における温度計測方法、並びに温度制御方法 |
JP2011077369A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体基板熱処理装置 |
JP2011187636A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度推定方法 |
US20140154819A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Lam Research Corporation | Power switching system for esc with array of thermal control elements |
KR101415158B1 (ko) | 2010-12-03 | 2014-07-11 | 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 | 유도 가열 장치, 유도 가열 방법 및 프로그램 |
CN103972130A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-06 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
US10690414B2 (en) * | 2015-12-11 | 2020-06-23 | Lam Research Corporation | Multi-plane heater for semiconductor substrate support |
-
2003
- 2003-02-07 JP JP2003030935A patent/JP3950068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007026750A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置の制御方法、及び誘導加熱装置 |
JP4638780B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-02-23 | 三井造船株式会社 | 誘導加熱装置の制御方法、及び誘導加熱装置 |
JP2007080647A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Tokuyama Corp | 被加熱体の温度制御方法 |
JP2007220396A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置 |
WO2008078500A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
JP2008159943A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
US8440270B2 (en) | 2006-12-25 | 2013-05-14 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus and method |
JP2008243546A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 誘導加熱装置 |
JP2009238773A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-15 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ウェハ熱処理装置における温度計測方法、並びに温度制御方法 |
JP2011077369A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体基板熱処理装置 |
JP2011187636A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体基板熱処理装置および半導体基板熱処理装置による温度推定方法 |
KR101415158B1 (ko) | 2010-12-03 | 2014-07-11 | 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 | 유도 가열 장치, 유도 가열 방법 및 프로그램 |
KR20140070494A (ko) * | 2012-11-30 | 2014-06-10 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 esc에 대한 전력 스위칭 시스템 |
US20140154819A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Lam Research Corporation | Power switching system for esc with array of thermal control elements |
KR102357476B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2022-02-08 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 esc에 대한 전력 스위칭 시스템 |
KR20210013247A (ko) * | 2012-11-30 | 2021-02-03 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 esc에 대한 전력 스위칭 시스템 |
US10049948B2 (en) * | 2012-11-30 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Power switching system for ESC with array of thermal control elements |
KR102208488B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2021-01-27 | 램 리써치 코포레이션 | 열 제어 엘리먼트들의 어레이를 갖는 esc에 대한 전력 스위칭 시스템 |
US10770363B2 (en) | 2012-11-30 | 2020-09-08 | Lam Research Corporation | Power switching system for ESC with array of thermal control elements |
US20190057846A1 (en) * | 2013-02-01 | 2019-02-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and sample stage thereof |
US10141165B2 (en) * | 2013-02-01 | 2018-11-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and sample stage thereof |
US10796890B2 (en) | 2013-02-01 | 2020-10-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and sample stage thereof |
CN108511313A (zh) * | 2013-02-01 | 2018-09-07 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
US20140216657A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and sample stage thereof |
CN103972130A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-06 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及试料台 |
US10690414B2 (en) * | 2015-12-11 | 2020-06-23 | Lam Research Corporation | Multi-plane heater for semiconductor substrate support |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3950068B2 (ja) | 2007-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004241302A (ja) | 半導体製造装置の温度制御方法 | |
Fujita et al. | A new zone-control induction heating system using multiple inverter units applicable under mutual magnetic coupling conditions | |
KR100750546B1 (ko) | 유도 가열 방법 및 장치 | |
US9173251B2 (en) | Induction heating apparatus and induction heating method | |
WO2006019056A1 (ja) | 供給電力調節装置、半導体製造装置、ヒータへの電力制御方法、及び半導体装置の製造方法 | |
CN102109861B (zh) | 热分析仪高频pwm温度控制装置和控制方法 | |
US9398643B2 (en) | Induction heating method implemented in a device including magnetically coupled inductors | |
JP4980461B1 (ja) | 誘導加熱装置 | |
NZ547339A (en) | Gradient induction heating of a workpiece using multiple coils and variable frequency power supplies | |
CN103647460B (zh) | 一种还原炉中频加热电源的实现方法 | |
JP2009207900A (ja) | 歯科用窯 | |
JP2002313547A (ja) | 板材用誘導加熱装置 | |
JP5127987B1 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP5127532B2 (ja) | ウエハ熱処理システム | |
JP4901998B1 (ja) | 誘導加熱装置 | |
JP2006278097A (ja) | 誘導加熱方法及び装置 | |
JP2004342450A (ja) | 高周波誘導加熱装置及び半導体製造装置 | |
JP5976484B2 (ja) | 誘導加熱方法および誘導加熱装置 | |
JP2017226558A (ja) | 昇温装置、結晶育成装置、抵抗ヒーターの温度制御方法及び結晶育成方法 | |
KR100795737B1 (ko) | 유도 가열 방법 및 장치 | |
KR20140145506A (ko) | 아날로그와 디지털 피드백 보상방식을 연계한 전력제어시스템 및 그 방법 | |
CN103184435A (zh) | 一种加热装置、加热方法及半导体加工设备 | |
JP2006049333A (ja) | 誘導加熱方法 | |
JP4668343B1 (ja) | 半導体基板熱処理装置 | |
JP4015525B2 (ja) | 誘導加熱システムの出力電流制御方法およびその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070410 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3950068 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140427 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |